(2021年整理)陶瓷基板的现状与发展分析
LED封装领域用陶瓷基板现状与发展简要分析(附图)
Al2O3基板之烧结温度，而使其因材料密度较低使得热传导系数低Al2O3基板约在16~17W/mK之间。一般来说，LTCC与HTCC散热效果并不如DBC与DP展简要分析(附图）
最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
4.2 HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)
在大功率、高密度封装中，电子元件及芯片等在运行过程中产生的热量主要通过陶瓷基板散发到环境中，所以陶瓷基板在散热过程中担当了重要的角色。Al2O3陶瓷导热率相对较低，在大功率、高密度封装器件运行时须强制散热才可满足要求。BeO陶瓷导热性能最好，但因环保问题，基本上被淘汰。SiC陶瓷金属化后键合不稳定，作为绝缘基板用时，会引起热导率和介电常数的改变。AlN陶瓷具有高的导热性能，适用于大功率半导体基片，在散热过程中自然冷却即可达到目的，同时还具有很好的机械强度、优良的电气性能。虽然目前国内制造技术还需改进，价格也比较昂贵，但其年产增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。所以采用AlN陶瓷做绝缘导热基板已是大势所趋，只不过是存在时间与性价比的问题。
LED陶瓷基板
LED陶瓷基板的技术分析与现状——本资料由·东莞市中实创半导体照明有限公司/ 工程部·整理与撰写——摘要：陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前LED封装陶瓷基板的技术现状与以后的发展。
关键字:LED陶瓷基板 LED产业（一）前言：陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。
LED散热基板的选择亦随着LED之线路设计、尺寸、发光效率…等条件的不同有设计上的差异，以目前市面上最常见的可区分为：①系统电路板，其主要是作为LED最后将热能传导到大气中、散热鳍片或外壳的散热系统，而列为系统电路板的种类包括：铝基板(MCPCB)、印刷电路板(PCB)以及软式印刷电路板(FPC)；②LED芯片基板，是属于LED芯片与系统电路板两者之间热能导出的媒介，并藉由共晶或覆晶与LED芯片结合。
为确保LED的散热稳定与LED芯片的发光效率，近期许多以陶瓷材料作为高功率LED散热基板之应用，其种类主要包含有：低温共烧多层陶瓷(LTCC)、高温共烧多层陶瓷(HTCC)、直接接合铜基板 (DBC)、直接镀铜基板(DPC)四种，以下本文将针对陶瓷LED芯片基板的种类做深入的探讨。
（二）陶瓷基板的定义和性能：1．定义：陶瓷基板是以电子陶瓷为基的，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。
按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。
2．陶瓷基板的性能：（1）机械性质Ø有足够高的机械强度，除搭载元件外，也能作为支持构件使用；Ø加工性好，尺寸精度高；容易实现多层化；Ø表面光滑，无翘曲、弯曲、微裂纹等。
（2）电学性质Ø绝缘电阻及绝缘破坏电压高；Ø介电常数低；Ø介电损耗小；Ø在温度高、湿度大的条件下性能稳定，确保可靠性。
陶瓷基材料产业链现状
陶瓷基材料产业链现状
目前，陶瓷基材料产业链处于不断发展和完善的阶段。
从原材料到成品的生产过程中涉及了多个环节和产业，包括原材料开采、加工、生产、销售等多个环节。
首先，从原材料方面来看，陶瓷基材料的生产需要使用多种原材料，如瓷土、石英砂、长石、黏土等。
这些原材料的开采和加工构成了产业链的第一环节。
随着科技的进步，一些新型材料也在不断被引入到陶瓷基材料的生产中，丰富了原材料的来源和种类。
其次，生产加工环节是产业链中至关重要的一环。
这包括了陶瓷基材料的成型、烧结、表面处理等工艺。
随着生产技术的不断提高和创新，生产加工环节也在不断地进行优化和改进，以提高生产效率和降低生产成本。
在销售环节，陶瓷基材料的市场需求和销售渠道也在不断扩大和完善。
随着建筑、家居等行业的发展，对陶瓷基材料的需求也在不断增加，市场潜力巨大。
同时，电商等新兴销售渠道的发展也为陶瓷基材料的销售带来了新的机遇和挑战。
除了以上主要环节，陶瓷基材料产业链还涉及到了产品研发、
质量监控、环保治理等多个方面。
随着社会的不断发展和进步，陶
瓷基材料产业链也在不断适应和引领着市场需求和产业发展的变化，不断完善和优化自身的发展模式和生产体系。
总的来说，陶瓷基材料产业链目前处于一个蓬勃发展的阶段，
各个环节都在不断地进行着创新和完善，为整个产业的可持续发展
奠定了坚实的基础。
希望未来陶瓷基材料产业链能够在技术、质量、市场等方面取得更大的突破和进步，为行业发展注入更多活力和动力。
陶瓷基板应用行业前景以及行业发展
2，在航天发动机、风力发电、数控机床等高端装备所使用的陶瓷转承，不但要求 高的力学性能和热学性能，而且要求优异的耐磨性、可靠性和长寿命，目前国产的氮化 硅陶瓷轴承球与日本东芝陶瓷公司还有明显差距；与国际上著名的瑞典 SKF 公司、德国 的 FAG 公司和日本的 KOYO 等轴承公司相比，我们的轴承还处于产业产业链的中低端， 像风电和数控机床等高端产品还依赖进口。
3，在汽车、冶金、航天航空领域的机械加工大量使用陶瓷刀头，据统计市场需求 达数十亿元。陶瓷刀具包括氧化铝陶瓷基、氮化硅基、氧化锆增韧氧化铝、氮碳化钛体 系等，要求具有高硬度。高强度和高可靠性。目前国内企业只能生产少量非氧化铝陶瓷 刀具，二像汽车缸套加工用量巨大的氧化铝套擦刀具还依赖从瑞典 sandvik、日本京瓷、 日本 NTK 公司、德国 CeranTec 公司进口。
4，在军工国防用到的透明和透红线陶瓷材料，如果氧化钇、氧化镁、阿隆、镁铝 尖晶石）陶瓷以及具有激光特性透明陶瓷。目前我们的技术还限于制备有限的尺寸，对 于国际上已经达到半米大尺寸透明陶瓷材料我们还很困难，无论在工艺技术和装备上均 有差距。
Hale Waihona Puke 陶瓷基板行业发展趋势根据新思界产业研究中心发布的《2019-2023 年氮化铝陶瓷基板行业深度市场调 研及投资策略建议报告》显示，氧化层会对氮化铝陶瓷的热导率产生影响，在基板生产 过程中，其加工工艺需进行严格把控，才能保证氮化铝陶瓷基板的优异性能。尽管我国 氮化铝陶瓷基板行业在研究领域已经取得一定成果，与国际先进水平的差距不断缩小， 但批量生产能力依然不足，仅有军工背景的斯利通具有量产能力。斯利通以及部分台湾 企业氮化铝陶瓷基板产量无法满足国内市场需求，我国氮化铝陶瓷基板市场对外依赖度 高。
厚膜电路陶瓷基板市场分析报告
厚膜电路陶瓷基板市场分析报告1.引言1.1 概述：厚膜电路陶瓷基板是一种在陶瓷基底上采用厚膜印刷技术制作的电路板，具有耐高温、耐腐蚀、尺寸稳定等特点。
随着电子产品对高性能、高可靠性的需求不断增加，厚膜电路陶瓷基板在电力电子、汽车电子、通信等领域得到广泛应用。
本报告将对厚膜电路陶瓷基板市场进行全面分析，为相关行业提供市场发展趋势、机遇与挑战，以及未来发展建议。
通过深入了解厚膜电路陶瓷基板的定义、特点，以及市场现状和发展趋势预测，我们希望能对该市场的发展趋势进行准确预测，并为相关企业制定发展策略提供参考。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括对整篇文章的结构安排和各部分的内容概述。
例如：文章结构部分主要介绍本文的整体结构安排，包括引言、正文和结论部分的内容安排。
具体可以介绍每个部分的主要内容和目的，以及各部分内容的逻辑关系和衔接方式。
同时，还可以简要说明每个部分的重点内容和论述思路，以便读者对全文有个整体的把握。
文章1.3 总结部分：在本报告中，我们对厚膜电路陶瓷基板市场进行了深入分析和研究。
通过对市场现状的分析，我们发现厚膜电路陶瓷基板具有较高的热传导性能和优秀的耐高温性能，适用于多种电子元器件的封装和连接。
根据市场发展趋势的预测，厚膜电路陶瓷基板在电子行业中的应用前景广阔，市场需求持续增长。
然而，我们也意识到厚膜电路陶瓷基板市场面临着一些挑战，包括原材料成本上升、技术创新和产品不断更新换代等。
针对这些挑战，我们提出了一些发展建议，包括加强技术研发、提高产品质量、拓展市场渠道等方面的措施。
综上所述，厚膜电路陶瓷基板市场拥有巨大的发展机遇，但同时也面临着一定的挑战。
通过本报告的分析，我们相信厚膜电路陶瓷基板市场在未来会迎来更加广阔的发展空间，以满足不断增长的电子行业需求。
文章1.3 目的：本报告的目的是对厚膜电路陶瓷基板市场进行全面深入的分析和研究，以便更好地了解该市场的发展现状和未来趋势。
通过对市场现状的分析，可以为相关行业企业和投资者提供可靠的市场情报，帮助其做出明智的决策。
中国陶瓷基板行业发展历程
中国陶瓷基板行业发展历程（实用版）目录一、中国陶瓷基板行业发展背景二、中国陶瓷基板行业历程1.初期阶段2.发展阶段3.成熟阶段三、中国陶瓷基板行业发展现状四、中国陶瓷基板行业发展趋势五、中国陶瓷基板行业发展挑战与机遇正文一、中国陶瓷基板行业发展背景陶瓷基板是一种具有高热导率、低热膨胀系数、高化学稳定性和高热稳定性的电子材料，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
随着我国电子信息产业的飞速发展，陶瓷基板行业在国民经济中的地位日益凸显。
二、中国陶瓷基板行业历程1.初期阶段：在 20 世纪 80 年代，我国陶瓷基板行业刚刚起步，主要依赖进口，国内相关技术研究和生产能力相对较弱。
2.发展阶段：进入 21 世纪，我国陶瓷基板行业开始快速发展，一些具有自主研发能力的企业逐渐崛起，国内陶瓷基板市场逐渐扩大。
3.成熟阶段：当前，我国陶瓷基板行业已经进入成熟阶段，具备一定的国际竞争力，但在高端产品领域仍需加大研发力度。
三、中国陶瓷基板行业发展现状目前，我国陶瓷基板行业呈现出以下特点：1.产业规模逐年扩大，市场份额不断提高。
2.产品种类日益丰富，从单一的氧化铝基板向氮化铝、氮化硅等高端陶瓷基板发展。
3.技术水平不断提高，部分企业已具备国际先进水平。
4.行业竞争激烈，企业间兼并重组加剧。
四、中国陶瓷基板行业发展趋势1.高端产品市场需求不断增加，陶瓷基板向高性能、微型化、集成化方向发展。
2.环保要求日益严格，绿色制造和循环经济成为行业发展主流。
3.智能化、自动化生产技术将不断融入陶瓷基板生产过程，提升生产效率。
五、中国陶瓷基板行业发展挑战与机遇1.挑战：技术创新能力不足、高端人才短缺、环保压力增大等问题制约行业发展。
2.机遇：国家政策支持、新兴市场需求增长、国际市场竞争加剧等因素为行业发展提供新的契机。
总之，我国陶瓷基板行业在历经初期阶段的起步、发展阶段的壮大后，目前已进入成熟阶段。
中国陶瓷基板现状
中国陶瓷基板现状引言：中国陶瓷基板作为一种重要的电子材料，在现代电子工业中发挥着重要的作用。
本文将围绕中国陶瓷基板的现状展开讨论，包括其应用领域、技术发展、市场前景等方面。
一、中国陶瓷基板的应用领域中国陶瓷基板广泛应用于电子行业，尤其在微电子器件和集成电路领域中发挥着重要的作用。
它作为一种优质的基底材料，具有优异的电性能、热性能和机械性能，在高频、高温、高压等特殊环境下具有出色的稳定性和可靠性。
因此，陶瓷基板被广泛应用于射频功放器件、微波器件、传感器、电子陶瓷等领域。
二、中国陶瓷基板的技术发展近年来，随着电子行业的快速发展，中国陶瓷基板技术也取得了长足的进步。
首先，陶瓷基板的材料研发取得了重要突破，不断涌现出具有高导热性能、低介电常数、低介电损耗等优点的新材料。
其次，制备工艺的改进使得陶瓷基板的加工精度和表面光洁度得到了提高，大幅度提升了器件的性能。
此外，陶瓷基板的多层化、薄型化和封装技术也得到了广泛应用，进一步提升了器件的集成度和可靠性。
三、中国陶瓷基板的市场前景中国陶瓷基板市场前景广阔。
随着5G通信、物联网、人工智能等新兴技术的快速发展，对高性能电子器件的需求不断增加，陶瓷基板作为这些器件的重要组成部分，市场需求将持续增长。
此外，陶瓷基板具有优秀的导热性能和隔热性能，适用于高温环境下的工作，因此在航空航天、汽车电子、新能源等领域也有着广泛的应用前景。
四、中国陶瓷基板的挑战与对策在发展过程中，中国陶瓷基板面临着一些挑战。
首先，陶瓷基板材料的成本较高，制约了其在大规模应用中的推广。
其次，陶瓷基板的制备工艺和设备要求较高，技术门槛较高，制约了其产业化进程。
为应对这些挑战，中国陶瓷基板产业需要加强材料研发，降低成本，提高工艺装备水平，加强与上下游企业的合作，形成产学研一体化的创新体系。
五、中国陶瓷基板的发展趋势中国陶瓷基板产业的发展呈现出以下几个趋势。
首先，陶瓷基板材料将朝着高性能、多功能化的方向发展，以满足不同领域对器件性能的需求。
陶瓷基板研究现状及新进展
其次，在新型制备技术方面，研究人员开发了一些新的制备方法，如静电纺丝 法、3D打印技术等，提高了陶瓷基板的制备效率和精度。例如，通过静电纺丝 法成功制备出了纳米级碳化硅陶瓷纤维，其具有优异的导热性和力学性能，有 望在高温封装领域得到广泛应用。
最后，在应用推广方面，陶瓷基板已经在高速铁路、汽车、航空航天、半导体 照明等领域得到了广泛应用，并不断拓展其应用领域。例如，近期研究发现， 陶瓷基板在太阳能光伏领域也展现出了良好的应用前景，有望成为未来太阳能 电池封装的重要材料之一。
针对这些关键问题，可以采取以下解决途径和方法：首先，加强基础研究，深 入了解陶瓷基板材料的性能和特点，发现新的物理和化学效应，为材料设计和 优化提供理论依据。其次，加强技术研发，不断改进和优化制备工艺，提高制 备效率和产品质量。最后，加强应用研究和市场推广，积极探索陶瓷基板的新 的应用领域和市场机会，提高其应用范围和市场份额。
然而，目前陶瓷基板研究还存在一些问题。首先，在材料性能方面，虽然现有 的陶瓷基板材料已经具有很多优点，但仍需要进行针对性地优化和改进，以满 足不同领域对封取得了一定的成果，但仍存在一些不足之处，如生产效率低、制造成本高 等。
最后，在应用推广方面，尽管陶瓷基板在某些领域已经得到了广泛应用，但仍 需要进一步拓展其应用领域，提高其应用范围和市场份额。
陶瓷基板研究现状及新进展
目录
01 一、陶瓷基板研究现 状
03
三、关键问题及解决 途径
02
二、陶瓷基板研究新 进展
陶瓷基板是一种以陶瓷为基体，经过精密加工和烧结而成的电子封装材料。由 于其具有高导热性、高绝缘性、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于高可靠 性、高集成度的电子设备中。本次演示将综述陶瓷基板的研究现状和最新进展， 以期为相关领域的研究人员提供参考。
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陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
1、塑料和陶瓷材料的比较塑料尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂中添加大量的有机溴化物也无济于事。
相对于塑料材料,陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。
在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。
2、各种陶瓷材料的比较2。
1 Al2O3到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料,因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。
2.2 BeO具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展.2.3 AlNAlN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率,一个是与Si相匹配的膨胀系数。
缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响,只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。
目前大规模的AlN生产技术国内还是不成熟，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高许多,这个也是制约其发展的瓶颈.综合以上原因,可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能,在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。
3、陶瓷基板的制造制造高纯度的陶瓷基板是很困难的，大部分陶瓷熔点和硬度都很高，这一点限制了陶瓷机械加工的可能性,因此陶瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接，使最终产品易于机械加工。
Al2O3、BeO、AlN基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂（包括粉体的MgO、CaO)混合,此外还向混合物中加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再球磨防止团聚使成分均匀,成型生瓷片，最后高温烧结.目前陶瓷成型主要有如下几种方法:●辊轴轧制将浆料喷涂到一个平坦的表面,部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。
●流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。
与其他工艺相比这是一种低压的工艺.●粉末压制粉末在硬模具腔内并施加很大的压力（约138MPa)下烧结，尽管压力不均匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密,容差较小。
●等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达69MPa的压力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。
●挤压浆料通过模具挤出这种工艺使用的浆料黏度较低，难以获得较小容差，但是这种工艺非常经济,并且可以得到比其他方法更薄的部件。
4 、基板种类及其特性比较现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四种，其中HTCC属于较早期发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂贵，这些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850℃,但缺点是尺寸精确度、产品强度等不易控制。
而DBC与DPC则为国内近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术,DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与Cu板间微气孔产生之问题,这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，而DPC技术则是利用直接镀铜技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术,其产品为近年最普遍使用的陶瓷散热基板。
然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。
4。
1 LTCC （Low-Temperature Co—fired Ceramic)LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板,此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%～50％的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚,然后依各层的设计钻导通孔,作为各层讯号的传递，LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属,最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型,即可完成.详细制造过程LTCC生产流程图4.1图4。
1LTCC生产流程图4。
2 HTCC （High—Temperature Co—fired Ceramic）HTCC又称为高温共烧多层陶瓷,生产制造过程与LTCC极为相似,主要的差异点在于HTCC 的陶瓷粉末并无加入玻璃材质,因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。
4。
3 DBC （Direct Bonded Copper）‖直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液， DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合.陶瓷基板直接敷铜板的制造流程图如下图4.2。
（a) Al2O3陶瓷基板敷铜板工艺 (b） AlN陶瓷基板敷铜板工艺图4.2 直接敷铜陶瓷基板工艺示意图直接敷铜陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点，所以得到广泛的应用。
在过去的几十年里,敷铜基板在功率电子封装方面做出了很大的贡献，这主要归因于直接敷铜基板具有如下性能特点：● 热性能好;● 电容性能;● 高的绝缘性能；● Si相匹配的热膨胀系数；● 电性能优越，载流能力强.直接敷铜陶瓷基板最初的研究就是为了解决大电流和散热而开发出来的，后来又应用到AlN陶瓷的金属化。
除上述特点外还具有如下特点使其在大功率器件中得到广泛应用:● 机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性;结合力强，防腐蚀；● 极好的热循环性能，循环次数达5万次,可靠性高；● 与PCB板（或IMS基片）一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、无公害；● 使用温度宽—55℃~850℃；热膨胀系数接近硅,简化功率模块的生产工艺。
由于直接敷铜陶瓷基板的特性，就使其具有PCB基板不可替代特点。
DBC的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本，由于直接敷铜陶瓷基板没有添加任何钎焊成分，这样就减少焊层,降低热阻，减少孔洞,提高成品率，并且在相同载流量下 0.3mm 厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10％;其优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。
为了提高基板的导热性能，一般是减少基板的厚度，超薄型（0。
25mm）DBC板可替代BeO，直接敷接铜的厚度可以达到0.65mm,这样直接敷铜陶瓷基板就能承载较大的电流且温度升高不明显，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0。
3mm 厚铜体，温升仅5℃左右。
与钎焊和Mo-Mn法相比，DBC具有很低的热阻特性，以10×10mmDBC 板的热阻为例：0.63mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0。
31K/W，0.38mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0。
19K/W，0.25mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.14K/W.氧化铝陶瓷的电阻最高,其绝缘耐压也高，这样就保障人身安全和设备防护能力；除此之外DBC基板可以实现新的封装和组装方法,使产品高度集成，体积缩小。
4.3。
1 直接敷铜陶瓷基板发展趋势在大功率、高密度封装中，电子元件及芯片等在运行过程中产生的热量主要通过陶瓷基板散发到环境中，所以陶瓷基板在散热过程中担当了重要的角色。
Al2O3陶瓷导热率相对较低，在大功率、高密度封装器件运行时须强制散热才可满足要求。
BeO陶瓷导热性能最好，但因环保问题，基本上被淘汰.SiC陶瓷金属化后键合不稳定,作为绝缘基板用时，会引起热导率和介电常数的改变。
AlN陶瓷具有高的导热性能，适用于大功率半导体基片,在散热过程中自然冷却即可达到目的，同时还具有很好的机械强度、优良的电气性能。
虽然目前国内制造技术还需改进，价格也比较昂贵,但其年产增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。
所以采用AlN陶瓷做绝缘导热基板已是大势所趋，只不过是存在时间与性价比的问题.4。
3.2直接敷铝（DAB）陶瓷基板与直接敷铜陶瓷基板（DBC）性能比较直接敷铝基板作为一种绝缘载体应用于电子电路而取得长足进展，该技术借鑑了直接敷铜陶瓷基板技术。
这类新型的直接敷Al基板在理论和实验上表现出好的特性。
尽管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。
对于直接敷Cu基板,由于金属铜的膨胀系数室温时为17。
0 ′10—6/°C，96氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数室温时为6.0′10—6/°C,铜和氧化铝敷接的温度较高（大于1000℃），界面会形成比较硬的产物CuAlO2，所以敷接铜的氧化铝基板的内应力较大，抗热震动性能相对较差，在使用中常常因疲劳而损坏。
‖铝和铜相比，具有较低的熔点，低廉的价格和良好的塑性,纯铝的熔点只有660℃，纯铝的膨胀系数在室温时为23.0′ 10—6/℃,金属铝和氧化铝陶瓷基板的敷接是物理湿润，在界面上没有化学反应,而且纯铝所具有的优良的塑性能够有效缓解界面因热膨胀系数不同引起的热应力，研究也证实Al/Al2O3陶瓷基板具有非常优良的抗热震性能.这是直接敷Cu基板无法比拟的，同时金属铝和氧化铝陶瓷之间的抗剥离强度也较大。