模电课后答案--
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
模电课后答案--(750)
第7章模拟信号的运算与处理1.答：理想集成运放的电压传输特性曲线v ov idv OM-v OM● 在线性区域的特点：在线性区，曲线的斜率为运放开环增益A vd ,该区满足： ()0od id od v A v A v v +-==- 当深度负反馈时，有两个重要的特性：○1虚短：处于深度负反馈时，运算放大器工作在线性区，它的输入、输出信号都是有限的电压信号，因而施加在运算放大器上的差值输入信号接近于0，即也。
○2虚断：出现○1情况时，运算放大器的输入电阻相当大，因此输入电流接近于0，则有。
● 在非线性区域的特点：为使集成运放工作在非线性区，集成运放一般均工作于开环状态，或正反馈电路中，这是放大关系不存在，输出电压分别达到输出电压的极限值：，其数值接近正负电源电压。
即是两种输出状态转换的临界条件。
其次，由于，“虚断”仍然成立。
2.答：集成运放应用于信号运算时工作在线性区。
3.答：反相比例运算电路时并联电压负反馈；，输入电阻小，为；运放的输入端无共模信号。
同相比例运算电路是串联电压负反馈；，输入电阻大，为；运放的输入端加有共模信号。
（课本P179—P180）集成运放组成的电路中，多采用反相输入的形式的原因：由于反相输入时，运放的反相端为虚地，可使输入信号源之间无相互影响，为得到规定的输出，电路参数的选择比较方便。
4.答：理想运放的同相输入端为地电位时，由于负反馈将反相端电压低到等于同相端电压（即地电位），以保证输出为一有限值，这时虽然两端电位相等且等于地电位，但两端之间无电流通过，故称为“虚地”。
由于实际运放的放大倍数不为无穷大，所以为保证一定的输出，“虚地”的反相端电位不为零。
“虚地”的概念只能用于反相的运算电路。
5.（a）反相求和电路（b）同相加法电路=0，其中当时，（c）差分比例运算电路根据“虚短”特性，把代入上式，得（d）加法—减法电路由“虚短”得，则有（e）反相-加法运算电路，实现减法运算6.答：○1符合“虚地”的电路：（a）（c）（d）（e）○2对共模抑制比要求不高的电路：（a）（e）7.答：○1s闭合时，端接地，图中电路变为反相比例运算电路。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C1060217731.1q19库伦-⨯=，则)V(2.11594TV T=，在常温（T=300K）下，V T=25.875mV=26mV。
当外加正向电压，即V为正值，且V比V T大几倍时，1e T VV>>，于是T VVseII⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比V T大几倍时，1e T VV<<，于是s II-≈，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
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第二章晶体三极管及其放大电路基础1、简述三极管制作的结构特点？答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度2、简述三极管的放大原理。
答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B有三个区：发射区、集电区、基区有两个结：发射结、集电结2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。
3、分析以NPN型硅三极管为例：( 1)、BJT内部的载流子传输过程：因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN 。
同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。
但其数量小，可忽略。
所以发射极电流I E ≈ IEN 。
发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。
少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。
所以基极电流I B ≈ IBN 。
大部分到达了集电区的边缘。
因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。
另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC≈ICN（2）、BJT的放大：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的放大倍数,一般远大于1）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了IC很大的变化。
如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的，那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
3、如何理解三极管是电流控制的有源器件？答：这要从三极管的电流放大和开关特性说起!半导体三极管的结构是在硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是闸门!基区的网栅密度或闸门开闭控制着集,射极间的电流强度!三极管的基区空穴密度取决于所加电位!而空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度!三极管的三个极电压是基极很低!集电极很高!发射极是公共端!我们在基极和发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制集电极和发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电流控制的有源器件的原理4、5、6、画出题图2-3中所示的各电路的直流通路、交流通路。
设图中各电容的容抗可忽略。
R b2R b1R cR Lv ov iR b2R cR Lv ov iR b1R eR c1R Lv o v i(a)(b)(c)R e7．在题图2-3（a ）中，设R b1=50k Ω，R b2=10k Ω，R c =3k Ω，R e =1k Ω，R L =8Ω，C 1=C 2=C e =10μF ，β=50，V cc =12V,用估算法求该电路的静态工作点（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）。
三极管为硅管（V BE =0.7V ）。
在题图2-3（b ）中，设R b1=150k Ω，R b2=150k Ω，R c =3k Ω，R e =1k Ω，R L =8Ω，C 1=C 2=10μF ，β=50，V cc =10V,用估算法求该电路的静态工作点（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）。
三极管为锗管（V BE =0.2V ）。
解：（a ）212b B CC b b R V V R R =+ = 2V ； B BE BCQ EQ e eV V V I I R R -≈=≈= 1.3mA ；CQBQ I I β== 25.5µA ；()CEQ CC CQ c e V V I R R =-+ = 6.8V 。
（b ）1212()(1)+(1)CC BECC BQ b b BE BQ e BQ b b eV V V I R R V I R I R R R ββ-=++++⇒=++=28µA ；CQ BQ I I β==1.4 mA ； ()CEQ CC CQ c e V V I R R =-+= 4.4V 。
8、解：(1) A I BQ μ40= mA I CQ 5.1= V V CEQ 6=(2)5.37==b c i i β34CCL LV R K R =⇒=Ω；1 1.54//96C C L R K R R =⇒=Ω-0.7282BQ b CQ C CEQb I R V I R V R K +=+⇒=Ω (3) 最大不失真输出电压幅值963OM V V=-=(4) 截止失真、会使失真情况进一步恶化。
(5) 饱和失真、会使失真情况有所改善 9. 解：求Q 点：(1.20.6)30;75;(5030)2.25;10.5CC BQ bCQ BQ CEQ CC CQ c V mAI A A R I I mA V V I R Vβμμβ-==≈=-===-=斜率为：150//C LR R =10、放大电路如题图2-6所示，求电路：（1）静态工作点Q ；（2）画出电路的h 参数小信号等效电路； （3）三极管的输入电阻rbe ；（4）电路的电压增益Av 、Avs 、输入电阻Ri 、输出电阻Ro 。
（5）对于共发射极电路，有无电压放大作用？有无电流放大作用？输入、输出电压的极性是否一致？输入电阻和输出电阻的特点是什么？共发射极电路，在电路中一般适合做什么类型的电路？解： （1）(1)CC BEBQ b eV V I R R β-=++=18.5µA ； EQ CQ BQ I I I β≈==1.85mA ；()CEQ CC CQ c e V V I R R =-+=2.6V（2）h 参数小信号等效电路：R cR Lv or beR bv iR sv si bi cβi b（3）三极管的输入电阻26200(1)()be EQ mVr I mA β=++=1619Ω.（4）电路的电压增益A v 、A v s 、输入电阻R i 、输出电阻R o()o c L v i bev R R A v r β==-||= -41()o o c L b bevs s b be s be s b beib bev v R R R r A R R r v r R R r v R r β===-⋅++||||||||||= -31i b be R R r =||=1.6K Ω； o c R R ==2K Ω（5）共射极放大电路既有电压放大作用，又有电流放大作用；输入、输出极性相反；输入电阻较小小，输出电阻和集电极电阻有关；共射极放大电路可作为多级放大电路的中间级。
11、放大电路如题图2-7所示，求：（1）静态工作点Q ；（2）画出电路的h 参数小信号等效电路； （3）三极管的输入电阻rbe ；（4）电路的电压增益Av 、输入电阻Ri 、输出电阻Ro 。
（5）对于共集电极电路，有无电压放大作用？有无电流放大作用？输入、输出电压的极性是否一致？输入电阻和输出电阻的特点是什么？共集电极电路，在电路中一般适合做什么类型的电路？R bR eR Lv ov iR c+10V300k Ω2k Ω2k Ω2k ΩR sv s解：（1）(1)CC BEBQ b eV V I R R β-=++=18.5µA ； EQ CQ BQ I I I β≈==1.85mA ；()CEQ CC CQ c e V V I R R =-+= 2.6V（2）h 参数小信号等效电路：R ev or beR bv ii bi cβi bR LR s（3）三极管的输入电阻26200(1)()be EQ mVr I mA β=++=1619Ω.（4）电路的电压增益A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o(1)()1(1)()o e L v i be e L v R R A v r R R ββ+==≈++||||[](1)i b be e L R R r R R β=++||||=76K Ω；1be b so e r R R R R β+=+||||=20Ω（5）共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大作用，有电压跟随作用；输入、输出极性相同；输入电阻最大；输出电阻最小；可用于输入级、输出级和中间缓冲级。
12、解：直流通路、交流通路、h 参数小信号等效电路：T R eR cR b1R b2+ 18V I BQI CQ I EQV BQV EQbc e +-v i R eR cR L-+v oR s v s +-bce+-v i R eR cR L-+v o βi br bei bi ei cR i i iR 'i(a )(1) 212b BQ CC b b R V V R R =+=5V ；B BECQ EQ eV V I I R -≈==2.5mA ； CQ BQ I I β==25µA()CEQ CC CQ c e V V I R R =-+=8V（2）h 参数小信号等效电路：（3）三极管的输入电阻26200(1)()be EQ mVr I mA β=++= 1.25K Ω（4）-(//)-b c L V b bei R R A i r β== 126.8////1bei e i e r R R R R β'==+ = 12Ω o c R R == 2.3 K Ω（5）共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用，有电流跟随作用；输入、输出电压的极性相同；输入电阻小；输出电阻和集电极电阻有关，在考虑ce r 时，输出电阻会很大，可近似于恒流源输出；高频特性好，适用于高频低输入阻抗的情况，也适用于等效负载电阻'L R 变化时，要求供给'L R 上的电流较为恒定。
13、简述温度对静态工作点有什么影响。
解：当温度升高时，反向电流CBO I 、CEO I 会增大，电流放大系数β、α会增大，发射结的正向电压BE V 会减小，即温度升高时，CQ I 、BQ I 会增大，CEQ I 增加、BEQ V 减小，使Q 点上移；相反，当温度降低时，CQ I 、BQ I 会减小，CEQ I 减小、BEQ V 增加，使Q 点下移。
14、解： 分析可知：当工作在最大工作区时，必须满足0>BEV ，0<BC V ，在本题中即为：R b ＞ βR C（1）下面四种组合中只有(4)组可以使该电路的静态工作点处于放大区 （2）A 组可改为2502b c R K R K =Ω=Ω B 组可改为300 2.5b c R K R K =Ω=Ω C 组可改为300 2.7b c R K R K =Ω=Ω15、解： 比较固定偏置电路和射极偏置电路的优缺点。