半导体变流技术
半导体技术
因为投入者众，竞争也剧烈，进展迅速，造成良性循环。一个普遍现象是各大学电机、电子方面的课程越来 越多，分组越细，并且陆续从工学院中独立成电机电子与信息方面的学院。其它产业也纷纷寻求在半导体产业中 的应用，这在全世界已经变成一种普遍的趋势。
大约在 15年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。 到了 2001年，晶体管尺寸甚至已经小于 0.1微米，也就是小于 100纳米。因此是纳米电子时代，未来的 IC大部 分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求，半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代，制程 步骤的要求都会变得更严格、更复杂。
也因为这样，许多学者相继提出各种新颖的结构或材料，例如利用自组装技术制作纳米碳管晶体管，想利用 纳米碳管的优异特性改善其功能或把组件做得更小。
重要性
在半导体领域，“大数据分析”作为新的增长市场而备受期待。这是因为进行大数据分析时，除了微处理器 之外，还需要高速且容量大的新型存储器。在《日经电子》主办的研讨会上，日本中央大学教授竹内健谈到了这 一点。
半导体技术进入纳米时代后，除了水平方向尺寸的微缩造成对微影技术的严苛要求外，在垂直方向的要求也 同样地严格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2纳米，而且在整片上的误差小于 5%。这相当于在100个足球场的面积上 要很均匀地铺上一层约1公分厚的泥土，而且误差要控制在 0.05公分的范围内。
蚀刻：另外一项重要的单元制程是蚀刻，这有点像是柏油路面的刨土机或钻孔机，把不要的薄层部分去除或 挖一个深洞。只是在半导体制程中，通常是用化学反应加上高能的电浆，而不是用机械的方式。在未来的纳米蚀 刻技术中，有一项深度对宽度的比值需求是相当于要挖一口 100公尺的深井，挖完之后再用三种不同的材料填满 深井，可是每一层材料的厚度只有 10层原子或分子左右。这也是技术上的一大挑战。
变流技术发展
变流技术发展
交叉新技术
变流技术是伴随着半导体器件的发展而发展出来的一种交叉新技术。
半导体器件制造技术中已经先后经历了以晶闸管为代表的分立器件，以可关断晶闸管（GTO）、巨型晶体管（GTR）、功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管（IGBT）为代表的功率集成器件（PID），以智能化功率集成电路（SPIC）、高压功率集成电路（HVIC）为代表的功率集成电路（PIC）等三个发展时期。
器件结构
在器件结构上，从分立器件，发展到由分立器件组合成功率变换电路的初级模块，继而将功率变换电路与触发控制电路、缓冲电路、检测电路等组合在一起的复杂模块。
功率集成器件从单一器件发展到模块的速度更为迅速，今天已经开发出具有智能化功能的模块（IPM）。
器件控制
在器件的控制模式上，从电流型控制模式发展到电压型控制模式，不仅大大降低了门极（栅极）的控制功率，而且大大提高了器件导通与关断的转换速度，从而使器件的工作频率由工频→中频→高频不断提高。
变流技术发展到今天，其应用范围大致分为5个方面。
（1）整流：实现AC/DC变换；
（2）逆变：实现DC/AC变换；
（3）变频：实现AC/AC(AC/DC/AC)变换；
（4）斩波：实现DC/DC(AC/DC/DC)变换；
（5）静止式固态断路器：实现无触点的开关、断路器的功能，控制电能的通断。
《变流技术晶闸管》课件
注意替换晶闸管的引脚排列和极性， 正确连接电路，避免短路或断路。
对比替换晶闸管与原晶闸管的参数， 确保替换元件的性能不低于原元件。
替换晶闸管时需要注意的事项
确保替换晶闸管的质量可靠，选 择正规品牌和渠道购买。
在断电的情况下进行替换操作， 避免带电操作引发安全事故。
遵循安全操作规程，使用适当的 工具和防护措施，避免对人身和
CHAPTER 03
晶闸管的分类与型号
晶闸管的分类
01
02
03
04
单向晶闸管
只能在一个方向上控制电流， 常用于直流电机控制。
双向晶闸管
可以在两个方向上控制电流， 常用于交流电机控制。
可关断晶闸管
可以通过外部信号控制电流的 关断，常用于大功率电机控制
。
绝缘栅双极晶体管
具有高开关速度和低导通电阻 ，常用于高压直流输电和电机
详细描述
晶闸管在高压直流输电中作为主要的控制元件，能够实现稳 定输送和灵活控制。在灵活交流输电系统中，晶闸管用于并 联补偿和串联补偿，提高电力系统的稳定性和可靠性。
电机控制的应用
总结词
晶闸管在电机控制中主要用于交流电动 机的变频调速和直流电动机的速度控制 。
VS
详细描述
通过将晶闸管与交流电动机连接，可以实 现变频调速，从而精确控制电机的转速和 转矩。在直流电动机的控制中，晶闸管用 于整流电路，将交流电转换为直流电，为 电机提供稳定的驱动电源。
CHAPTER 02
晶闸管的工作原理
晶闸管的结构
晶闸管由四层半导体 材料构成，包括P型 和N型半导体。
晶闸管内部有两个 PN结，分别是J1和 J2。
晶闸管有三个电极， 分别是阳极、阴极和 门极。
多元件集成电路中的具有变流功能的半导体模块
多元件集成电路（Multi-Chip Modules, MCM）是一种将多个芯片集成在一个模块中的电路技术。
在MCM中，半导体模块扮演着至关重要的角色，它们具有各种功能，其中包括变流功能。
本文将重点介绍多元件集成电路中具有变流功能的半导体模块，并对其进行详细的分析。
一、多元件集成电路中的变流功能1.1 变流功能的作用在多元件集成电路中，变流功能的作用非常重要。
它可以实现电流的变换和调节，从而满足不同的电路需求。
当输入电压发生变化时，变流功能可以保持输出电流的稳定，确保整个电路的稳定运行。
它还可以用于功率的调节和分配，以提高电路的效率和可靠性。
1.2 变流功能的实现方式在多元件集成电路中，变流功能可以通过多种方式实现。
常见的方法包括使用开关电源、集成电感等。
半导体模块也可以通过控制电流的方向和大小来实现变流功能。
这些方法各有优劣，可以根据具体的应用需求进行选择。
二、具有变流功能的半导体模块2.1 半导体材料的选择在设计具有变流功能的半导体模块时，半导体材料的选择至关重要。
常见的半导体材料包括硅、碳化硅、氮化镓等。
不同的材料具有不同的性能特点，可以满足不同的电路需求。
碳化硅具有较高的耐高温性能，适合用于高温环境下的电路。
氮化镓具有较高的电子迁移率和较小的能带偏移，适合用于高频电路。
2.2 变流功能的实现原理具有变流功能的半导体模块通常采用功率场效应管（Power Field Effect Transistor, PFET）和金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）等器件来实现。
它们通过控制电流的导通和截断，从而实现电压和电流的调节。
一些特殊的控制电路和反馈电路也被应用于变流功能的实现中，以提高稳定性和精度。
2.3 变流功能的优化设计在设计具有变流功能的半导体模块时，需要考虑多种因素。
需要考虑功率损耗、温度特性、安全性等因素。
半导体制程技术简介
• 然后再进行烘烤，使没有被洗掉的光阻变得比较坚硬 而不至于在下一步蚀刻的时候被破坏掉。
2.4 酸蚀刻
• Acid Etch
– 将没有被光阻覆盖的薄膜腐蚀掉，是酸蚀刻的 主要任务。
– 蚀刻完毕之后，再将光阻洗去。
• 酸蚀刻要使用到多种酸剂，例如：腐蚀 SiO2需要用氢氟酸(剧毒无比的东东)；去除 光阻需要用到硫酸。
• 铜制程沉积
– Copper Deposition
• 化学气相沉积
– Chemical Vapor Deposition
• Metal Deposition
– 一般来说，采用Physical Vapor Deposition (PVD；物理气相沉积)的方法制作金属薄膜。
– 这里面的金属薄膜包括：Aluminum(铝), Gold (金) and Tungsten(钨)。
2.5 清洗甩干
• Spin Rinse Dry
– 晶园本质上是一种类似于玻璃的东西，很脆、 易碎。任何碰撞都将导致晶园碎裂，所以在半 导体厂使用真空吸盘来抓取晶园。
– 但是即便如此，在防止了晶园碎裂导致的细小 颗粒之后。仍然必须对晶园做经常性的清洗， 以防止细小颗粒残留在晶园的表面上。
• 几乎在每一步的操 作后，都需要对晶 园进行清洗。
– 采用铜导线的困难：
• 当铜和硅接触的时候，会在硅中发生非常快速的扩 散。
• 这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电 学特性，导致三极管失效。
– IBM最终克服了这些困难(Damascene)：
• 采用先做绝缘层，再做铜导线层的方法解决扩散问 题。
• 在制作铜导线层的时候，IBM采用一种铜的多晶体， 进一步限制铜在硅中的扩散。
（完整版）电气自动化专业知识
（完整版）电⽓⾃动化专业知识电⽓⾃动化专业知识第⼀部分电⼯学基础知识⼀、电路基础1、电路：电流流过的全部通路称为电路。
它是由⼀些电的设备或器件组成的总体。
2、电源：电路中提供电能或电讯号的器件。
3、负载：在电路中吸收电能或输出讯号的器件称为负载。
4、激励：电源的电流或电压称为激励函数或激励。
5、响应：负载上的电流或电压称为响应。
6、电路元件：电路器件的理想化模型称为电路元件。
7、电容元件：具有储存或释放电场能量的性质，即电场效应。
8、电感元件：具有储存或释放磁场能量的性质，即磁场效应。
9、电压：电路中两点电位之差称为电位差，或电压。
10、基尔霍夫定律包括电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。
11、基尔霍夫（第⼀定律）电流定律（KCL）：对于任⼀电路中的任⼀节点，在任⼀瞬时，流出该节点的所有⽀路电流的代数和为零。
12、基尔霍夫（第⼆定律）电压定律（KVL）：对于任⼀电路中的任⼀闭合回路，在任⼀瞬时，流出该闭合回路的所有⽀路电压的代数和为零。
13、交流电路：电流、电压的⼤⼩或⽅向随时间变化的电路称为交流电路。
14、正弦交流电路：电流或电压按照正弦规律变化的电路称为正弦交流电路。
15、最⼤值（振幅）：正弦电流或电压瞬时值的⼤⼩和⽅向随时间⽽变化，幅值变化的最⼤范围称为最⼤值或振幅。
16、周期：正弦函数是⼀个周期函数，重复变化⼀次需要的时间称为周期。
周期⽤T表⽰，单位为秒（s）。
17、频率：周期的倒数称为频率。
频率⽤f表⽰，单位为赫芝，简称赫（Hz）。
18、⾓频率：正弦电流变化⼀个周期，幅⾓变化为2π弧度，单位时间幅⾓变化的弧度数2π/T,叫做⾓频率。
⽤ω表⽰，单位为弧度/秒。
ω=2πf=2π/T。
19、相位：正弦电流的幅⾓（ωt+ψi），叫做正弦量的相位。
相位是时间的函数，表⽰正弦量变化的进程。
t=0时的相位ψi叫做正弦量的初相。
20、正弦量的三要素：正弦量的振幅，⾓频率（或频率）和初相，是决定正弦量的三个基本参数，也是进⾏⽐较和区分各个正弦量的依据，称为正弦量的三要素。
半导体变流技术
半导体变流技术半导体变流技术是一种将电能从一种形式转换为另一种形式的技术。
它在现代电力系统中起着重要的作用，可以实现电能的输送、分配和控制。
半导体变流技术的发展使得电力系统更加高效、可靠和灵活。
半导体变流技术的原理是利用半导体器件（如二极管、晶闸管、IGBT等）来控制电流的流动和电压的变换。
通过控制半导体器件的导通和截止状态，可以实现电能的转换和调节。
半导体器件具有快速响应、高效率、小体积和可靠性好等优点，因此成为了现代电力系统中不可或缺的关键技术。
半导体变流技术在电力系统中的应用非常广泛。
其中最常见的应用是交流与直流之间的转换。
在现代电力系统中，交流电是主要的电能输送方式，而直流电则在某些特定场合下具有更好的性能。
通过半导体变流技术，可以将交流电转换为直流电，并通过逆变器将直流电再转换为交流电，实现交流与直流之间的相互转换。
此外，半导体变流技术还可以实现电能的调节和控制。
通过控制半导体器件的导通和截止状态，可以调节电能的大小和频率，实现对电能的精确控制。
这对于电力系统的稳定运行和负荷调节非常重要。
半导体变流技术还可以实现对电能质量的提高。
在现代电力系统中，由于负载的变化和故障等原因，电能质量问题成为了一个重要的挑战。
通过半导体变流技术，可以对电能进行滤波、调节和控制，降低谐波含量、提高功率因数和稳定电压等，从而改善电能质量。
随着电力系统的不断发展和智能化的推进，半导体变流技术也在不断创新和进步。
例如，采用了新型的半导体器件（如SiC、GaN等）以及先进的控制算法和拓扑结构，可以进一步提高半导体变流技术的性能和效率。
总之，半导体变流技术是现代电力系统中不可或缺的关键技术之一。
它通过利用半导体器件来实现电能的转换、调节和控制，使得电力系统更加高效、可靠和灵活。
随着电力系统的不断发展和智能化的推进，半导体变流技术也在不断创新和进步，为电力系统的稳定运行和电能质量提供了有力支持。
半导体变流技术试题及答案
半导体变流技术试题及答案一、单项选择题1. 半导体变流技术中，晶闸管的导通条件是什么？A. 门极正向电流大于维持电流B. 阳极电流大于零C. 门极正向电流大于零D. 阳极电压大于阴极电压答案：A2. 在整流电路中，不可控整流电路与可控整流电路的主要区别是什么？A. 输入电压的类型B. 输出电流的稳定性C. 是否可以控制导通角D. 是否使用晶闸管答案：C3. 以下哪个因素会影响晶闸管的关断时间？A. 门极电流B. 阳极电流C. 反向电压D. 环境温度答案：D二、多项选择题1. 半导体变流技术中，以下哪些因素会影响晶闸管的正向阻断电压？A. 门极电压B. 阳极电流C. 反向恢复时间D. 结温答案：C, D2. 在变流电路中，使用晶闸管进行整流时，以下哪些措施可以减少晶闸管的功耗？A. 增加散热片B. 减少导通角C. 使用逆导电性二极管D. 增加电路的负载答案：A, B三、判断题1. 晶闸管在导通状态下，即使门极电流消失，它仍然可以维持导通状态。
（对/错）答案：对2. 可控整流电路可以实现对输出电压和电流的精确控制。
（对/错）答案：对3. 半导体变流技术中的变流器只能用于直流电转换为交流电。
（对/错）答案：错四、简答题1. 简述晶闸管的工作原理。
晶闸管是一种四层三端半导体器件，主要由P型和N型半导体材料交替构成。
在晶闸管的阳极和阴极之间存在三个PN结。
晶闸管的导通需要门极信号的触发，一旦导通，即使移除门极信号，只要阳极电流大于维持电流，晶闸管就会保持导通状态。
晶闸管的关断则需要阳极电流降低到小于维持电流或者通过外部电路强制关断。
2. 说明为什么在变流电路设计中，需要考虑晶闸管的额定电流和电压。
晶闸管的额定电流和电压是其安全工作的重要参数。
额定电流是指晶闸管在规定温度下能够承受的最大电流，超过这个值可能会导致器件过热甚至损坏。
额定电压是指晶闸管能够承受的最大反向电压，如果电压超过这个值，可能会导致器件的反向击穿。
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实验一 晶闸管的简易测试及其导通、关断条件一、实验目的：1.观察晶闸管的结构，掌握晶闸管测试的正确方法；2.研究晶闸管的导通条件；3.研究晶闸管的关断条件。
二、实验所需挂件及附件1. TH-DD 实验台电源控制屏；2. DJK02三相变流桥路挂箱；3.直流电压、电流表。
三、实验线路及原理图1-1 晶闸管的简易测试及其导通、关断条件实验线路图四、实验内容1. 晶闸管导通条件的测试。
2. 晶闸管关断条件的测试。
3. 测试参数：触发电流（Ig ）；维持电流（I H ）；晶闸管导通压降（U AK ）；触发电平。
12V五、预习要求1.阅读半导体变流技术教材中有关晶闸管导通与关断条件的内容。
2.掌握晶闸管导通与关断时参数的测定方法。
六、实验方法1.选用DJK02挂件三相变流桥路上的一个晶闸管，按图1-1完成实验线路的连接。
其中电源采用实验台控制屏上的12V直流电源。
2.导通实验：先将电阻R1置最大值，R2置最小值，然后接通电源，缓慢调节R1使门极与阴极回路的触发电流逐渐增大，同时注意电压表和电流表的读书变化，当电压表上有电压值显示时，说明晶闸管已经触发导通，此时的电流表读数为出发电流（Ig）记录之；同时测出晶闸管的导通压降（U AK）；触发电平（U KG）。
将触发回路断开，观察主回路的导通情况并记录之。
3.关断实验：恢复断开的触发回路，调节R2使电压表读数下降，并注意仔细观察电压表读数的变化，当电压表的读数从某个值突然降到零时，晶闸管已经关断，此时主回路的电流即为维持电流（I H）。
七、实验报告1.根据实验记录判断被测晶闸管的好坏，写出简易的判断方法。
2.根据实验结果说明晶闸管的导通及关断条件八、注意事项1.正确连接实验线路。
同组同学互查一遍，通电实验前，应由指导教师检查一遍，方可开始实验。
2.注意正确选择测量数据所需的仪表，合理选择测量档位。
3.电压源在连接的时候注意正负极性，防止电源短路。
实验二单相桥式半控整流电路一、实验目的1.加深对单相桥式半控整流电路带电阻性、电阻电感性负载时各工作情况的理解。
2.了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用，学会对实验中出现的问题加以分析和解决。
二、实验所需挂件及附件1.TH-DD实验台控制屏；2.DJK02三相变流桥路；3.DJK03晶闸管触发电路；4.负载电阻；5.双踪示波器。
三、实验线路及原理本实验线路如图2-1所示，两组锯齿波同步移相触发电路均在DJK03挂件上，它们由同一个同步变压器保持与输入的电压同步，触发信号加到阴极的两个晶闸管，图中的负载使用灯泡。
二极管VD1、VD2、VD3及电感L d在DJK02挂件上，电感有三档可供选择，本实验用700mH。
四、实验内容1.锯齿波同步触发电路的调试。
2.单相桥式半控整流电路带电阻性负载。
3.单相桥式半控整流电路带电阻电感性负载。
五、预习要求1.阅读半导体变流技术教材中有关单相桥式半控整流电路的有关内容。
2.了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用。
图 2-1 单相桥式半控整流电路实验线路图六、思考题1.单相桥式半控整流电路在什么情况下会发生失控现象？2.在加续流二极管前后，单相桥式半控整流电路中晶闸管两端的电压波形如何？七、实验方法1.从实验台电源控制屏的三相调压输出（“U1、V1、W1、N”）侧输出一相电压，接到DJK03的“外接220V”端，按下“启动”按钮，打开DJK03电源开关，用双踪示波器观察“锯齿波同步触发电路”各观察孔的波形。
2.锯齿波同步移相触发电路的调试：其调试方法与实验三相同。
令Uct=0时（RP2电位器顺时针旋到底），α=170゜3.相桥式半控整流电路带电阻性负载：按原理图3-1接线，主电路接电阻性负载（灯泡），按下“启动”按钮，用示波器观察负载电压U d、晶闸管两端电压U VT和整流二极管两端电压U VD1的波形，调节锯齿波同步移相触发电路上的移相控制电位器RP2，观察并记录在不同α角时U d、U VT、U VD1的波形，测量相应电源电压U2和负载电压U d的数值，记录于下表中。
计算公式：U d=0.9U2（1+cosα）/2八、实验报告1.画出（1）电阻性负载，（2）电阻电感性负载时U d/U2=f（α）的曲线。
2.画出（1）电阻性负载，（2）电阻电感性负载，α角分别为30゜、60゜、90゜时的U d、U VT的波形。
3.说明续流二极管对消除失控现象的作用。
九、注意事项1.双踪示波器有两个探头，可同时观测两路信号，但这两探头的地线都与示波器的外壳相连，所以两个探头的地线不能同时接在同一电路的不同电位的两个点上，否则这两点会通过示波器外壳发生电气短路。
为此，为了保证测量的顺利进行，可将其中一根探头的地线取下或外包绝缘，只使用其中一路的地线，这样从根本上解决了这个问题。
当需要同时观察两个信号是，必须在被测电路上找到这两个信号的公共点，将探头的地线接于此处，探头各接至被测信号，只有这样才能在示波器上同时观察到两个信号，而不发生意外。
2.在本实验中，触发脉冲是从外部接入DJK02面板上晶闸管的门极和阴极，此时，应将所用晶闸管对应的正桥触发脉冲或反桥触发脉冲的开关拨向“断”的位置，并将U1f及U1r悬空，避免误触发。
3.用示波器探头观察波形时，注意不要用手接触探头的金属部分，采用“先接线，后通电”，“先断电，后拆线”的实验原则！避免触电事故。
4.为避免晶闸管意外损坏，实验是要注意以下几点：a.在主电路未接通时，首先要调试触发电路，只有触发电路工作正常后，才可以接通主电路。
b.在接通主电路前，必须先将控制电压Uct调到零，且将负载电阻调到最大阻值处；接通主电路后，才可逐渐加大控制电压Uct，避免过流。
c.要选择合适的负载电阻和电感，避免过流，在无法确定的情况下，应尽可能选用大的电阻值。
d.由于晶闸管有一定的维持电流，故要使晶闸管可靠工作，其通过的电流不能太小，否则会造成晶闸管时断时续。
e.在实验中要注意同步电压与触发相位的关系，锯齿波触发电路中，触发脉冲产生的位置是在同步电压的下半周，所以在主电路接线时应充分考虑到这个问题，否则实验就无法顺利完成。
实验四三相桥式半控整流电路的研究一、实验目的1.了解三相桥式半控整流电路的工作原理及输出电压，电流波形。
2.了解晶闸管在带电阻性及电阻电感性负载，在不同控制角α下的工作情况。
二、实验所需挂件及附件1.TH-DD实验台电源控制屏；2.DJK02三相变流桥路；3.滑线变阻器；4.双踪示波器。
三、实验线路与原理在中等容量的整流装置或要求不可逆的电力拖动中，可采用比三相全控桥式整流电路更简单、经济的三相桥式半控整流电路。
它由共阴极接法的三相半波可控整流电路与共阳极接法的三相半波不可控整流电路串联而成，因此这种电路兼有可控与不可控两者的特性。
共阳极组三个整流二极管总是在自然换流点换流，使电流换到不阴极电位更低的一相，而共阴极组三个晶闸管则要在触发后才能换到阳极电位高的一个。
输出整流电压U d的波形是三组整流电压波形之和，改变共阴极组晶闸管的控制角α，可获得0-2.34U2的直流可调电压。
具体线路可参见图4-1.四、实验内容1.三相桥式半控整流供电给电阻负载。
2.三相桥式半控整流供电给电阻电感负载。
图4-1 三相桥式半控整流电路实验原理图五、思考题1.为什么说可控整流电路供电给电动机负载与供电给电阻性负载在工作上有很大的差别？2.实验电路在电阻性负载工作是能否突加一阶跃控制电压？在电动机负载工作时呢？为什么？六、实验方法1.DJK02上“触发电路”的调试；（1）开总电源开关，操作电源控制屏上的“三相电网电压指示”开关，观察输入的三相电网电压是否平衡。
（2）开DJK02电源开关，拨动“触发脉冲指示”钮子开关，使“窄”发光管亮。
（3）察A、B、C三相的锯齿波，并调节A、B、C三相锯齿波斜率调节电位器（在各观测孔左侧），使三相锯齿波斜率尽可能一致。
2.三相半控桥式整流电路供电给电阻性负载时的特性测试。
按接线，将给定输出调到零，负载电阻放在最大阻值位置，按下“启动”按钮，缓慢调节给定，观察α在30゜，60゜，90゜，120゜等不同移相范围内整流电路的输出电压Ud，输出电路Id以及晶闸管端电压UVT的波形，并加以记录。
3.三相半控桥式整流电路供电给电阻电感性负载。
将电感700mH的Ld接入重复1步骤。
七、实验报告1.绘出实验的整流电路供电给电阻负载时的Ud=f（t），Id=f（t）以及晶闸管端电压U VT=f（t）的波形。
2.绘出整流电路在α=60゜，α=90゜时带电阻电感性负载时的波形。
八、注意事项1.双踪示波器有两个探头，可同时观测两路信号，但这两探头的地线都与示波器的外壳相连，所以两个探头的地线不能同时接在同一电路的不同电位的两个点上，否则这两点会通过示波器外壳发生电气短路。
为此，为了保证测量的顺利进行，可将其中一根探头的地线取下或外包绝缘，只使用其中一路的地线，这样从根本上解决了这个问题。
当需要同时观察两个信号是，必须在被测电路上找到这两个信号的公共点，将探头的地线接于此处，探头各接至被测信号，只有这样才能在示波器上同时观察到两个信号，而不发生意外。
2.在本实验中，触发脉冲是从外部接入DJK02面板上晶闸管的门极和阴极，此时，应将所用晶闸管对应的正桥触发脉冲或反桥触发脉冲的开关拨向“断”的位置，并将U1f及U1r悬空，避免误触发。
3.用示波器探头观察波形时，注意不要用手接触探头的金属部分，采用“先接线，后通电”，“先断电，后拆线”的实验原则！避免触电事故。