Sentaurus_Process介绍及使用
Sentaurus Process 中文介绍及使用

§17-1 新一代集成工艺仿真系统Sentaurus Process随着集成电路制造工艺技术的迅速发展和日趋成熟,集成电路的集成度迅速攀升,制造流程及工艺步骤也日趋复杂。
当前,硅集成电路制造工艺技术已经达到了纳米级水平,纳米电子学不断深入发展的前提是基于能够达到纳米精度的制造技术【1】。
反过来,纳米级器件的设计与研发则必须有相应的高精度工艺级仿真软件来支持。
通常,对于大尺寸器件(通常特指分立器件),由诸多工艺因素造成的层间界面应力、杂质分布蠕动、空间量子效应及载流子非线性输运等小尺寸效应[2]均可被忽略。
而对于小尺寸(泛指超大规模集成电路中的集成化器件)器件,准确地预期及评价工艺制程后的良品率、实现其所谓的工艺级可制造性设计,则必须充分地考虑小尺寸效应。
新一代集成工艺设计工具Sentaurus Process恰恰解决了纳米尺度的可制造性设计技术难题,成为当前最为先进的集成电路工艺级仿真工具。
§17-1-1 Sentaurus Process工艺级仿真工具简介[3]Sentaurus Process是Synopsys Inc.最新推出的新一代TCAD工艺级仿真工具,被业界誉为第五代集成电路制程级仿真软件,是当前最为先进的纳米级集成工艺仿真工具。
Sentaurus Process是迄今为止集成电路制程级仿真软体中最为全面、最为灵活的多维(一维、二维、三维)工艺级仿真工具。
Sentaurus Process面向当代纳米级集成电路工艺制程,全面支持小尺寸效应的仿真与模拟,用于实现甚大规模(ULSI)集成电路的工艺级虚拟设计,可显著地缩短集成电路制造工艺级设计、工艺级优化乃至晶圆芯片级产品的开发周期。
Sentaurus Process整合了Avanti的TSUPREM系列工艺级仿真工具、Taurus Process系列工艺级仿真工具及ISE的Dios系列工艺级仿真工具,将一维、两维和三维仿真集成于同一平台,在保留传统工艺级仿真工具卡命令行运行模式的基础上,又作了诸多重大改进:1.增加、设置了模型参数数据库浏览器(PDB),为用户提供修改模型参数及增加模型的方便途径;2. 增加、设置了一维模拟结果输出工具(Inspect)和二维、三维模拟结果输出工具(Tecplot SV)。
sentaurus work bench用法

sentaurus work bench用法Sentaurus Workbench是Synopsys公司开发的一款集成化的半导体器件和工艺模拟平台。
它具有强大的功能和灵活的使用方式,可以用于半导体器件的设计、优化和验证。
本文将逐步介绍Sentaurus Workbench的使用方法。
第一步,安装和启动Sentaurus Workbench。
首先,从Synopsys官方网站下载Sentaurus Workbench安装文件,并按照说明进行安装。
安装完成后,双击桌面上的快捷方式,启动Sentaurus Workbench。
第二步,创建新工程。
在Sentaurus Workbench的欢迎界面,点击“New Project”按钮。
在弹出的对话框中,选择工程的存储位置和名称,然后点击“OK”按钮。
一个空白的工程将被创建。
第三步,导入设计文件。
选择“Project”菜单,然后点击“Add Existing Design Files”。
在弹出的对话框中,选择要导入的设计文件,例如SPICE 文件或者Layout文件。
导入完成后,设计文件将显示在工程的文件列表中。
第四步,设置工艺参数。
选择“Process”菜单,然后点击“Edit Process”.在弹出的对话框中,设置工艺参数,例如材料赝势模型、离子注入参数和金属堆叠信息等。
这些参数将影响到后续的器件模拟和分析。
第五步,配置仿真设置。
选择“Simulation”菜单,然后点击“Edit Simulation Settings”。
在弹出的对话框中,设置仿真的相关参数,例如仿真类型(DC、AC、Transient等)、分析范围和步长等。
这些参数将决定仿真的精度和效率。
第六步,设计器件模型。
选择“Device”菜单,然后点击“Edit Device Models”。
在弹出的对话框中,定义和编辑所需的器件模型,例如MOS、BJT和二极管等。
通过选择合适的模型参数,可以快速搭建起准确的器件模型。
sentaurus使用手册

Sentaurus使用手册一、简介Sentaurus是一款高性能的有限元分析软件,广泛应用于航空航天、汽车、船舶、电子等领域。
它提供了丰富的建模工具和强大的求解器,可以用于进行结构分析、热分析、流体分析等多种类型的仿真。
本手册将指导您如何安装、配置和使用Sentaurus软件,帮助您充分利用其强大的功能。
二、系统安装与配置1.确定系统要求:请根据您的计算机硬件配置,确保满足Sentaurus的系统要求。
2.下载安装程序:从官方网站或授权渠道下载最新版本的Sentaurus安装程序。
3.安装过程:按照安装程序的指引,逐步完成软件的安装过程。
4.配置环境变量:根据安装路径,设置相关环境变量,确保软件能够正常运行。
5.许可证激活:根据您的许可证类型,完成许可证的激活和配置。
三、用户界面与操作1.启动Sentaurus:打开软件后,您将看到主界面。
2.菜单栏:菜单栏包含了所有可用的命令和操作。
3.工具栏:工具栏提供了常用命令的快捷方式。
4.模型树:显示了当前模型的结构,方便您进行模型管理和操作。
5.属性查看器:用于查看和修改模型的属性。
6.结果查看器:用于查看和分析仿真结果。
7.视图控制工具:提供多种视图控制功能,方便您进行模型查看和编辑。
8.自定义工具箱:根据您的需求,您可以添加、删除或重命名工具箱中的命令和工具。
四、建模流程与实例1.建立模型:使用建模工具,创建所需的分析模型。
2.设置材料属性:为模型添加所需的材料属性,如弹性模量、泊松比等。
3.网格划分:对模型进行网格划分,以便进行数值计算。
4.边界条件和载荷:根据实际情况,为模型添加边界条件和载荷。
5.求解设置:选择合适的求解器和求解参数,进行求解计算。
6.结果后处理:查看和分析仿真结果,验证模型的正确性和有效性。
7.导出模型和结果:将模型和结果导出为所需的格式,以便于进一步的分析和评估。
五、高级特性与优化1.并行计算:利用多核处理器进行并行计算,提高求解效率。
工艺仿真软件

半导体器件工艺仿真软件选择ISE TCAD还是MEDICI,Tsuprem42009年04月11日星期六 12:40在介绍ISE TCAD,MEDICI,Tsuprem4之前先介绍Sentaurus吧,介绍完Sentaurus,也许就不需要再介绍ISE TCAD和MEDICI,Tsuprem4了。
Sentaurus Process介绍Synopsys Inc.的Sentaurus Process 整合了:⑴Avanti 公司的TSUPREM系列工艺级仿真工具(Tsupremⅰ,Tsupremⅱ,Tsupremⅲ只能进行一维仿真,到了第四代的商业版Tsuprem4能够完成二维模拟);⑵Avanti公司的Taurus Process 系列工艺级仿真工具;⑶ISE Integrated Systems Engineering公司的ISE TCAD工艺级仿真工具Dios(二维工艺仿真)FLOOPS-ISE(三维工艺仿真)Ligament(工艺流程编辑)系列工具,将一维、二维和三维仿真集成于同一平台。
在保留传统工艺级仿真工具卡与命令行运行模式的基础上,又作了诸多重大改进:⑴增加、设置了模型参数数据库浏览器(PDB),为用户提供修改模型参数及增加模型的方便途径;⑵增加、设置了一维模拟结果输出工具(Inspect)和二维、三维模拟结果输出工具(Tecplot SV)。
Inspect 提供了一维模拟结果的交互调阅。
而Tecplot SV 则实现了仿真曲线、曲面及三维等输出结果的可视化输出。
(ISE TCAD的可视化工具Inspect和tecplot的继承)此外,Sentaurus Process 还收入了诸多近代小尺寸模型。
这些当代的小尺寸模型主要有:⑴高精度刻蚀模型及高精度淀积模型;⑵基于Crystal-TRIM 的蒙特卡罗(Monte Carlo)离子注入模型、离子注入校准模型、注入解析模型和注入损伤模型;⑶高精度小尺寸扩散迁移模型等。
sentaurus sde语法详解

sentaurus sde语法详解Sentaurus SDE是一种用于半导体器件仿真的软件工具,在电路和设备级别上提供了准确和稳定的仿真结果。
本文将详细介绍Sentaurus SDE的语法和使用方法。
首先,Sentaurus SDE使用一种基于命令行的界面来实现仿真。
用户可以通过输入特定的命令来执行不同的任务,例如建立模型、运行仿真和分析结果等。
Sentaurus SDE的语法十分丰富和灵活,可以支持多种不同类型的半导体器件仿真。
以下是一些常用的语法元素:1. 设备建模:Sentaurus SDE使用一套丰富的语法来建立器件模型。
用户可以定义材料、掺杂、结构和物理参数等。
例如,使用"Doping"关键字来定义掺杂参数,使用"Structure"关键字来定义器件结构。
2. 边界条件:用户可以通过设置边界条件来模拟器件的工作环境。
例如,可以定义电压源、电流源或恒定电场等。
使用"Boundary"关键字和相应的语法来定义边界条件。
3. 物理模型:Sentaurus SDE支持多种物理模型,用于描述器件内部的物理行为。
例如,可以使用Drift-Diffusion模型来描述电流输运,使用Shockley-Read-Hall 模型来描述载流子复合等。
4. 网格和网格细化:在仿真过程中,Sentaurus SDE使用网格来离散器件空间。
用户可以定义网格尺寸、细化策略和边界条件等,以获得理想的仿真结果。
5. 结果分析:完成仿真后,用户可以使用Sentaurus SDE的语法来分析仿真结果。
例如,可以绘制电势分布图、流线图或载流子分布图等。
使用"Plot"关键字和相应的语法来执行结果分析。
总结:Sentaurus SDE是一种强大的半导体器件仿真工具,具有丰富的语法和灵活的使用方式。
通过学习和熟悉Sentaurus SDE的语法,用户可以轻松建立模型、运行仿真并分析结果。
sentaurus例子(一)

sentaurus例子(一)Sentaurus简介Sentaurus是由Synopsys公司开发的一套综合的半导体器件模拟软件。
它能够实现非常精确的半导体器件模拟和分析,对于半导体行业的工程师和研究人员来说,是一个非常强大的工具。
Sentaurus的主要特点•用于晶体管和集成电路等半导体器件的三维模拟•支持多物理学模型,如电子输运、热传导、应力应变等•支持多种器件结构的建模和分析•提供可视化的结果展示和数据分析工具例一:晶体管模拟晶体管是现代电子器件的基础,通过对晶体管进行精确的模拟可以更好地了解其性能和特性。
Sentaurus提供了丰富的晶体管模型和工具,可以对不同类型的晶体管进行模拟。
例如,可以模拟MOSFET晶体管的导通特性、开关速度和电流-电压特性等。
例二:集成电路设计集成电路是现代电子设备中至关重要的部分,而Sentaurus可以帮助工程师进行集成电路的设计和优化。
通过建立准确的电路模型和使用Sentaurus提供的模拟工具,工程师可以评估电路的性能和功耗,优化电路的结构和参数。
例三:半导体器件研究在半导体研究领域,Sentaurus也扮演着重要的角色。
研究人员可以使用Sentaurus模拟不同类型的半导体器件的特性,并通过调整器件结构和材料参数来探索新的器件设计。
这种基于模拟的研究方法可以大大加速新器件的开发和优化过程。
例四:物理学教学Sentaurus还可以用于教学领域,帮助学生更好地理解半导体器件的物理学原理和工作原理。
通过对不同器件的模拟和分析,学生可以更加直观地了解器件的行为和性能,并深入了解半导体器件的制造工艺和设计方法。
结论Sentaurus作为一套综合的半导体器件模拟软件,具有广泛的应用领域。
无论是工程师、研究人员还是学生,都可以通过Sentaurus来模拟和分析各种半导体器件,并优化其性能和设计。
这些例子只是Sentaurus功能的冰山一角,它在半导体行业中的重要性不言而喻。
sentaurus例子
sentaurus例子
一个可能的Sentaurus例子如下:
假设我们要模拟一个MOSFET器件的电流-电压特性。
假设该MOSFET的结构和材料已经确定,我们需要对其进行建模并计算器件的特性曲线。
以下是一些可能的步骤:
1. 使用Sentaurus TCAD的结构编辑器构建MOSFET的几何结构。
这涉及设置晶体管的各个层(如Gate、Source、Drain)的几何形状和厚度,并将不同的材料分配给这些层。
2. 在Sentaurus Workbench中设置模拟选项,例如模拟的温度、初始条件等。
这些选项可以根据具体情况进行调整。
3. 使用Sentaurus Process模拟工具来模拟材料生长过程。
这可以帮助我们了解有关MOSFET制造过程中每个材料层的性质和缺陷的更多信息。
4. 使用Sentaurus Medici模拟工具对晶体管进行电学建模并设置边界条件。
这会生成器件的初始估计值,并计算器件的DC和AC特性。
5. 运行在Sentaurus Device TCAD工具中,模拟特定条件下的电流-电压特性曲线,例如不同的晶体管偏置电压。
6. 通过Sentaurus Post-Processing工具,将模拟结果可视化,并生成特性曲线图表和其他有用的统计数据。
这只是一个可能的Sentaurus例子,具体实现取决于特定问题的细节。
总的来说,Sentaurus TCAD工具套件支持各种不同的物理和工程建模和仿真应用,包括半导体器件、太阳能电池、发光二极管、微电子系统等。
新一代工艺及器件仿真工具Sentaurus培训讲学
*_fps.cmd *_dvs.cmd *_des.cmd
Workbench (SWB)
Sentaurus Process Simulator
21/110
Synopsys Inc.的Sentaurus Process 整合了:
Avanti 公司的TSUPREM系列工艺级仿真工具( Tsupremⅰ,Tsupremⅱ,Tsupremⅲ只能进行一维仿真 ,到了第四代的商业版Tsuprem4能够完成二维模拟)
Sentaurus Workbench介绍与使用
6/110
Getting Started
Creating Projects
Building Multiple Experiments
SWB的工具特征
7/110
Workbench基于集成化架构模式来组织、实施 TCAD仿真项目的设计和运行,为用户提供了图 形化界面,可完成系列化仿真工具软件以及诸 多第三方工具的运行,以参数化形式实现TCAD 项目的优化工程。
Synopsys公司简介
3/110
Synopsys公司总部设在美国加利福尼亚州 Mountain View,有超过60家分公司分布在北美 、欧洲与亚洲。
2002年并购Avant公司后,Synopsys公司成为提供前 后端完整IC设计方案的领先EDA工具供应商。
Sentaurus是Synopsys公司收购瑞士ISE(Integrated Systems Engineering)公司后发布的产品,全面继承 了ISE TCAD,Medici和Tsuprem4的所有特性及优势。
Building Multiple Experiments
19/110
Parameter在cmd文件中的定义与使用:
sentaurus 仿真原理
sentaurus 仿真原理Sentaurus仿真原理引言Sentaurus是由Synopsys公司开发的一款集成电路仿真软件,广泛应用于半导体行业。
它基于物理模型和数值算法,能够对各种器件和材料进行电磁、热力学、电子输运等多物理场的仿真。
本文将介绍Sentaurus仿真原理,包括其基本原理、模型建立、网格划分和求解方法等。
一、Sentaurus仿真基本原理Sentaurus的仿真基于有限元方法(Finite Element Method, FEM),它将待仿真的物理问题离散为有限个元素,通过对每个元素进行适当的数值计算,最终得到整个系统的数值解。
具体来说,Sentaurus将仿真对象进行网格划分,每个网格单元内的物理量通过方程求解得到,再根据边界条件和初值条件进行迭代,最终收敛得到稳定解。
二、模型建立在进行Sentaurus仿真前,首先需要建立待仿真的模型。
模型建立包括几何建模、材料定义、边界条件等步骤。
几何建模是将待仿真的对象用几何实体进行描述,如晶体管的三维结构。
材料定义是指为不同的物质设置相应的物理参数,如载流子迁移率、电子亥姆霍兹自由能等。
边界条件是指为仿真模型设置边界的物理条件,如电压、电流等。
三、网格划分网格划分是将待仿真的模型划分为有限个网格单元的过程。
网格划分的精细程度直接影响到仿真结果的准确性和计算效率。
一般来说,较复杂的结构需要较细的网格划分,而较简单的结构可以使用较粗的网格划分。
Sentaurus提供了自动网格划分的功能,并可以根据用户需求进行手动调整。
四、求解方法Sentaurus采用迭代求解的方法,通过不断迭代求解网格单元内的物理方程,得到整个系统的数值解。
在每一次迭代中,Sentaurus 会根据当前的物理场分布和方程进行计算,然后更新网格单元内的物理量,直到达到收敛条件为止。
求解过程中,会涉及到电磁场方程、热力学方程、输运方程等多个方程的求解。
五、结果分析Sentaurus仿真完成后,可以通过结果分析来获取所需的物理量。
Sentaurus演示
Micro-Nano Electronic Device and Intergration Research Center
提
纲
Sentaurus 简介 Sentaurus 各模块介绍 Sentaurus 器件模拟流程演示 Sentaurus 代码详细介绍
Micro-Nano Electronic Device and Intergration Research Center
出现。。。
主要用到:
其他模块
¾ Sentaurus Structure Editor
介绍 界面上主要的功能键
¾ Sentaurus Inspect
¾ Sentaurus Tecplot
Micro-Nano Electronic Device and Intergration Research Center
Micro-Nano Electronic Device and Intergration Research Center
提
纲
Sentaurus 简介 Sentaurus 各模块介绍 Sentaurus 器件模拟流程演示 Sentaurus 代码详细介绍
Sentaurus各模块介绍 ¾Sentaurus Workbench (SWB)
左键点nsource下面的
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§17-1 新一代集成工艺仿真系统Sentaurus Process随着集成电路制造工艺技术的迅速发展和日趋成熟,集成电路的集成度迅速攀升,制造流程及工艺步骤也日趋复杂。
当前,硅集成电路制造工艺技术已经达到了纳米级水平,纳米电子学不断深入发展的前提是基于能够达到纳米精度的制造技术【1】。
反过来,纳米级器件的设计与研发则必须有相应的高精度工艺级仿真软件来支持。
通常,对于大尺寸器件(通常特指分立器件),由诸多工艺因素造成的层间界面应力、杂质分布蠕动、空间量子效应及载流子非线性输运等小尺寸效应[2]均可被忽略。
而对于小尺寸(泛指超大规模集成电路中的集成化器件)器件,准确地预期及评价工艺制程后的良品率、实现其所谓的工艺级可制造性设计,则必须充分地考虑小尺寸效应。
新一代集成工艺设计工具Sentaurus Process恰恰解决了纳米尺度的可制造性设计技术难题,成为当前最为先进的集成电路工艺级仿真工具。
§17-1-1 Sentaurus Process工艺级仿真工具简介[3]Sentaurus Process是Synopsys Inc.最新推出的新一代TCAD工艺级仿真工具,被业界誉为第五代集成电路制程级仿真软件,是当前最为先进的纳米级集成工艺仿真工具。
Sentaurus Process是迄今为止集成电路制程级仿真软体中最为全面、最为灵活的多维(一维、二维、三维)工艺级仿真工具。
Sentaurus Process面向当代纳米级集成电路工艺制程,全面支持小尺寸效应的仿真与模拟,用于实现甚大规模(ULSI)集成电路的工艺级虚拟设计,可显著地缩短集成电路制造工艺级设计、工艺级优化乃至晶圆芯片级产品的开发周期。
Sentaurus Process整合了Avanti的TSUPREM系列工艺级仿真工具、Taurus Process系列工艺级仿真工具及ISE的Dios系列工艺级仿真工具,将一维、两维和三维仿真集成于同一平台,在保留传统工艺级仿真工具卡命令行运行模式的基础上,又作了诸多重大改进:1.增加、设置了模型参数数据库浏览器(PDB),为用户提供修改模型参数及增加模型的方便途径;2. 增加、设置了一维模拟结果输出工具(Inspect)和二维、三维模拟结果输出工具(Tecplot SV)。
Inspect提供了一维模拟结果的交互调阅。
而Tecplot SV则实现了仿真曲线、曲面及三维等输出结果的可视化输出。
此外,Sentaurus Process还收入了诸多近代小尺寸模型。
这些当代的小尺寸模型主要有:高精度刻蚀模型及高精度淀积模型;基于Crystal-TRIM的蒙特卡罗(Monte Carlo)离子注入模型、离子注入校准模型、注入解析模型和注入损伤模型;高精度小尺寸扩散迁移模型等等。
引入这些小尺寸模型,增强了仿真工具对新材料、新结构及小尺寸效应的仿真能力,适应了未来半导体工艺技术发展的需求。
以下,我们就如何使用Sentaurus Process集成电路制造工艺仿真系统、Sentaurus Process的人机交互方式和创建、编撰工艺制程仿真卡文件的语法规则,以及Sentaurus Process工艺仿真系统所设置的文件类型等诸多方面,以教科书的方式详尽地向读者介绍当代最为先进的第五代集成工艺仿真系统Sentaurus Process。
经新思科技(Synopsys Inc.)授权,首次在中国大陆地区发表Sentaurus Process的技术内容。
1Sentaurus Process的安装及启动Sentaurus Process为国际化的大型工程化计算机仿真系统,有Unix版本及Linux版本供用户选用。
对于中国内地用户,Sentaurus Process的用户许可授权及安装均由Synopsys Inc.中国分支机构(北京新思科技、上海新思科技等)提供优质的技术支持和服务。
Sentaurus Process仿真系统设置有两种启动方式。
一种是交互启动及运行模式;另一种是批处理启动及运行模式。
根据用户的使用需要,若要在交互模式下启动Sentaurus Process,可以在已安装有Sentaurus Process并启动了该系统的license(软件使用许可程序)的PC计算机(若使用的是Sentaurus Process的Linux版本)或计算机工作站(若使用的是Sentaurus Process的Unix版本)命令行提示符下输入以下命令:sprocess输入上述命令后即可回车执行。
Sentaurus Process将会显示出用户当前所使用的Sentaurus Process的系统版本及运行该系统的计算机的相关信息。
随后将出现命令提示符,则表示用户的工艺制程仿真即刻进入了Sentaurus Process的交互模式。
在交互模式下,用户每输入一个卡命令语句,仿真系统就执行一步。
但是,为了更有效地、较为连续地执行仿真任务,人们通常不使用交互运行模式,而是采用批处理运行模式。
所谓批处理运行模式,是将用户拟定实现的所有仿真内容(归结为一系列仿真命令语句)集中在一个仿真卡命令文件(扩展名为.cmd的格式文件)中。
Sentaurus Process通过处理该仿真卡命令文件来执行、实现仿真任务。
用户若以批处理模式运行Sentaurus Process,实现的方式是,键入交互模式命令(sprocess)之后要键入空格,再键入要批处理执行的仿真卡命令文件的文件名,如以下所示:sprocess nmos.cmd上述命令中的nmos.cmd即为要批处理执行的仿真卡命令文件名。
2创建Sentaurus Process批处理卡命令文件编辑Sentaurus Process批处理卡命令文件可使用Unix或Linux操作系统环境下的各类文本编辑器、例如:gedit文本编辑器编辑完成。
Sentaurus Process批处理卡命令文件的编撰必须遵循规定的语法规则。
简述如下:(1)系统默认对卡命令语句中的关键词及关键字母大、小写忽略。
通常,人们习惯使用小写字母来书写卡命令语句。
(2)卡命令语句中定义:使用‘#’作为卡命令行的首字母,则用来表示该卡行为注释卡行;而在变量之前使用‘$’,则表示提取该变量值。
(3)通常,卡命令行的长度不能超过一个屏幕编辑行。
若命令行太长需要续行,则应在该行接近满行的位置处键入反斜线‘\’,并回车,转入下一行继续书写命令。
但是,如果自然断行发生在单位双花括号之间,即自然断行的位置前有一单面的花括号,此刻不会影响命令的执行,系统会运行到下一个单面花括号所在行时,该命令则执行结束。
(4)当卡参数为逻辑参量时,以逻辑参量或逻辑参数名称直接出现。
若无任何附加标识时,该逻辑参量值为真;如在该逻辑参量或逻辑参数名称前加惊叹号‘!’标识,则特指该逻辑参量值为假。
(5)卡行中使用字符串卡参数,要以双引号“”标识。
例如:parameter=“string value”;(6)卡参数中的列表要出现在花括号或双引号中,例如:parameter= {item1、item2···} 或parameter= “item1、item2···”;需要注意的是,在等号与花括号或等号与双引号之间必须要输入一个空格。
否则,系统会报语法错误。
(7)Sentaurus Process卡命令文件的撰写语法支持for循环、while循环、if/else 结构、switch声明及函数定义等。
3Sentaurus Process批处理文件执行的主要命令语句Sentaurus Process具有强大的集成电路工艺制程仿真功能,很大程度上反映在它庞大的命令集合上。
Sentaurus Process批处理卡命令文件中的各命令语句是由命令关键词及与该语句相关联的参数列表构成。
下面,仅就Sentaurus Process仿真系统的主要命令语句及其简要的命令功能分类介绍如下:3.1Sentaurus Process的文件说明语句及系统控制语句Sentaurus Process卡命令文件中的文件说明语句用于说明对文件的操作。
系统控制语句用于控制系统的运行,其语句格式及相关的命令格式表述如下:help用于打印Sentaurus Process中所有可用的命令列表。
fcontinue用于重新开始执行输入的卡命令文件。
load从文件中调入数据信息,并将该数据信息插入到当前的网格中。
Logfile将注释信息输出到显示器终端及Sentaurus Process的日志文件中。
mater将当前结构中的所有材料列表调回,或者在原列表中增加新的材料信息。
exit用于终止Sentaurus Process仿真系统的运行。
fbreak使仿真进入交互模式。
fexec用于执行系统命令语句。
init用于输入在此之前保存的器件结构数据和信息。
interface返回到材料的边界位置。
mgoals使用MGOALS引擎设置网格参数。
tclsel用于选择预处理中的绘图变量。
3.2Sentaurus Process的器件结构说明语句Sentaurus Process的器件结构说明语句用于说明Sentaurus Process所模拟的器件结构,与此相关的主要命令语句如下:region 用于指定矩形网格中的矩形材料区域。
line 用于定义器件的矩形区域网格。
grid 执行网格设置的操作命令。
substrate_profile 定义描述器件衬底掺杂剖面分布的文件。
polygon 设置描述器件的多边形结构。
point 设置描述器件结构中的一个点。
doping 定义分段的线性掺杂剖面分布。
profile 读取数据文件并重建数据区。
refinebox 设置局部网格参数并使用MGOALS库执行网格细化。
bound 提取材料边界并返回坐标列表。
contact 设置器件仿真需要的电极结构信息。
transform 设置变换结构语句的命令。
3.3Sentaurus Process的工艺步骤说明语句工艺步骤说明语句主要用于说明Sentaurus Process中各工艺模拟的步骤。
相关命令语句如下:deposit汽相淀积语句diffuse高温热扩散与高温氧化photo光刻胶淀积mask 定义掩膜光刻和离子注入所需要的掩膜类型etch刻蚀语句strip可完成表面介质层或表面介质膜剥离的语句implant 实现离子注入仿真的语句stress计算应力结构3.4Sentaurus Process的模型说明语句及参数说明语句模型及参数说明语句用于定义和说明仿真中所使用的模型及其相关参数。
相关命令语句有:Arrhenius Arrhenius用来描述常规的指数分布模型。