倒装芯片封装材料_各向异性导电胶的研究进展

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浅谈RFID及其封装技术

浅谈RFID及其封装技术
工 程 技 术
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浅 谈
RFID 及 其 封 装 技 术
刁裕 博
( 山东山铝电子技术有限公司》 摘 要: 本文结合当前R F ID 的技术特点和发展趋势, F ID 技术及其制作工艺进行了简要论述, 对R 并对电子标签在国内的发展瓶颈进行 了探讨, 指出了电子标签普及应用还需解决的几个课题。 关键词 封装技术 中图分类号: TM 文献标识码: A 文童编号: 1672- 379 1(2007) 10(b卜0035- 01 1 RFID技术概述 1. 1 RFID 技术概念 RFID 是 Rad io F requency Identifical io n 的缩写, 即射频识别技术, 俗称电子标 签。RF ID 射频识别是一种作接触式的自功 识别技术, 它通过射频信号 自 动识别目标对象 并获取相关数据 , 识别工作无须人工千预, 可 工作于各种恶劣环境。R F ID 技术可识别高 速运动物体并可同时识别多个标签. 操作快 ,2 RF旧系统的基本组成部分 最基本的RF ID 系统由三部分组成: $r.X (Tag) , 阅读器(Reader)、天线(An te 放芯片, 通过可调温度,时间与压力的热压 头封装 读卡头自动全检 工 标准Transponso d er 并统计合格率。 2 .4 电子标签的封装形式 (2 )凸点 的形 成 从实际应用着 , 电子标签的封装形式较 目前 RFI D 标签产品的特点是品种繁多, 多, 不受标准形状和尺寸的限制 , 而且其构成 但并非每个品种的数最能形成规模。因此, 也是千差万别, 甚至需要根据各种不同要求进
装)

倒装芯片(FC,Flip-Chip)装配技术

倒装芯片(FC,Flip-Chip)装配技术

摘要:倒装芯片在产品成本,性能及满足高密度封装等方面体现出优势,它的应用也渐渐成为主流。

由于倒装芯片的尺寸小,要保证高精度高产量高重复性,这给我们传统的设备及工艺带来了挑战。

器件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM )、系统封装(SiP )、倒装芯片(FC ,Flip-Chip )等应用得越来越多。

这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。

毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。

由于倒装芯片比BGA 或CSP 具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺,以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。

倒装芯片的发展历史倒装芯片的定义什么器件被称为倒装芯片?一般来说,这类器件具备以下特点:1. 基材是硅;2. 电气面及焊凸在器件下表面;3. 球间距一般为4-14mil 、球径为2.5-8mil 、外形尺寸为1 -27mm ;4. 组装在基板上后需要做底部填充。

其实,倒装芯片之所以被称为“倒装”,是相对于传统的金属线键合连接方式(Wire Bonding)与植球后的工艺而言的。

传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝上(图1),而倒装芯片的电气面朝下(图2),相当于将前者翻转过来,故称其为“倒装芯片”。

在圆片(Wafer)上芯片植完球后(图3),需要将其翻转,送入贴片机,便于贴装,也由于这一翻转过程,而被称为“倒装芯片”。

图1图2图3倒装芯片的历史及其应用倒装芯片在1964年开始出现,1969年由IBM发明了倒装芯片的C4工艺(Controlled Collap se Chip Connection,可控坍塌芯片联接)。

过去只是比较少量的特殊应用,近几年倒装芯片已经成为高性能封装的互连方法,它的应用得到比较广泛快速的发展。

目前倒装芯片主要应用在Wi- Fi、SiP、M CM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器、医用传感器,以及RFID等方面(图5)。

COB封装技术首次调查报告(现有正装、倒装COB制造技术调研)

COB封装技术首次调查报告(现有正装、倒装COB制造技术调研)

COB封装技术⾸次调查报告(现有正装、倒装COB制造技术调研)COB封装技术⾸次调查报告--现有正装、倒装COB制造技术调研⼀、 COB概述(次要部分)COB LED定义COB LED即chip On board,就是将裸芯⽚⽤导电或⾮导电胶粘附在互连基板上,然后进⾏引线键合实现其电连接,COB LED⼜叫COB LED source,COB LED module。

COB LED主要的焊接⽅法正装部分:(1)热压焊利⽤加热和加压⼒使⾦属丝与焊区压焊在⼀起。

其原理是通过加热和加压⼒,使焊区(如 AI)发⽣塑性形变同时破坏压焊界⾯上的氧化层,从⽽使原⼦间产⽣吸引⼒达到“键合”的⽬的,此外,两⾦属界⾯不平整加热加压时可使上下的⾦属相互镶嵌。

此技术⼀般⽤为玻璃板上芯⽚ COG。

(2)超声焊超声焊是利⽤超声波发⽣器产⽣的能量,通过换能器在超⾼频的磁场感应下,迅速伸缩产⽣弹性振动,使劈⼑相应振动,同时在劈⼑上施加⼀定的压⼒,于是劈⼑在这两种⼒的共同作⽤下,带动 AI 丝在被焊区的⾦属化层如(AI 膜)表⾯迅速摩擦,使 AI 丝和AI 膜表⾯产⽣塑性变形,这种形变也破坏了 AI 层界⾯的氧化层,使两个纯净的⾦属表⾯紧密接触达到原⼦间的结合,从⽽形成焊接。

主要焊接材料为铝线焊头,⼀般为楔形。

(3)⾦丝焊球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术,因为现在的半导体封装⼆、三极管封装都采⽤ AU 线球焊。

⽽且它操作⽅便、灵活、焊点牢固(直径为 25UM 的 AU 丝的焊接强度⼀般为 0.07~0.09N/点),⼜⽆⽅向性,焊接速度可⾼达 15 点/秒以上。

⾦丝焊也叫热(压)(超)声焊主要键合材料为⾦(AU)线焊头为球形故为球焊。

倒装部分:共晶焊:共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发⽣共晶物熔合的现象,共晶合⾦直接从固态变到液态,⽽不经过塑性阶段,是⼀个液态同时⽣成两个固态的平衡反应。

其熔化温度称共晶温度。

共晶合⾦的基本特性是:两种不同的⾦属可在远低于各⾃的熔点温度下按⼀定重量⽐例形成合⾦。

各向异性导电胶粘接可靠性研究进展

各向异性导电胶粘接可靠性研究进展

(a)
镀金层 带有导电粒子 的环氧树脂层 镀镍层
(b)
聚酯材料 图 1 各向异性导电胶和导电粒子的结构 Fig.1 The structure of the ACF and ACA and their conductive particles
各向异性导电胶一般粘接工艺: (1)首先在基板 上放置与之相应大小的导电胶或导电胶膜(热固型或 热塑型) ; ( 2)导电胶与基板预粘接; (3)揭掉导电胶 上部的隔膜; (4)芯片压在导电胶上进行固化。
目前电子封装行业普遍使用的锡–铅焊, 由于铅作 为对人体和环境有害的物质,在世界范围内将被禁止 使用。一种更方便、更环保,成本低廉的连接材料— 各向异性导电胶的应用正在悄然兴起。它开始时主要 应用在液晶显示器上,渐渐发展到笔记本电脑、手机、 数码相机、掌中宝等电子产品的集成电路(IC)连接上 , 随着其应用范围的不断发展,必将会成为锡–铅焊替 代品。各向异性导电胶主要由胶体和导电粒子组成, 导电粒子在 Z 轴方向上导电而在 X, Y 轴方向上绝缘, 各向异性导电胶起到电路连接和机械连接的作用,它 与锡-铅焊比较具有以下优点 : (1 ) 粘 接 温 度 低 (180~220℃) 。 (2)粘接设备简单且成本低。 (3)具 有高密度、窄间距的连接能力(最小间距 0.65 ìm) 。 (4)无铅有很好的环保性能。 (5)可与不同的基板连 接。 (6) 起到电路连接的同时也起到填充材料的保护、 防腐等作用。 (7)不需要再流过程,对芯片和基板的 影响小。但各向异性导电胶连接也存在着一些不足之
第 1 期
张军等:各向异性导电胶粘接可靠性研究进展
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2.5 各向异性导电胶的弹性模量 芯片和基板的热膨胀系数不匹配,在温度变化的 情况下,它们的变形是不一致的,长时间的这种变形 必然会引起电子元件的失效。而各向异性导电胶的弹 性模量的大小对这种现象有很大的影响,由于导电粒 子只起到导电和部分支撑的作用,而连接情况的好坏 完全集中在胶体上,导电胶的弹性模量越低,芯片和 基板由于热膨胀系数的不匹配产生的剪应力越小,但 各向异性导电胶的弹性模量太小会引起导电胶的玻璃 化转化温度(Tg)降低,而且也会引起导电胶粘接强 度的下降,所以采用最佳的各向异性导电胶的弹性模 量是 1 500 MPa[9]。

倒装芯片技术

倒装芯片技术

4. Amelco——Au凸点 5. 目前全世界的倒装芯片消耗量超过年60万片,且以约50%的
速度增长,3%的圆片用于倒装芯片凸点。几年后可望超过
20%。
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
底部填充与否
有各种不同的倒装芯片互连工艺,但是其结构基本特点 都是芯片面朝下,而连接则使用金属凸点。而最终差别就是使 用底部填充与否。
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
Gold wire
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
钉头金凸点制作
Gold ball
Ball bonding
Wire breaking
Gold stud bump
Coining (level)
Gold stud
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
不同的倒装芯片连接方法
1. 焊料焊接 2. 热压焊接 3. 热声焊接 4. 粘胶连接
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
Coffin-Manson 低周疲劳模型
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2019/11/17
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
优点-01
小尺寸: 小的IC引脚图形 (只有扁平封装的5%)减小了高 度和重量。 功能增强: 使用倒装芯片能增加I/O 的数量。I/O 不像导线 键合中出于四周而收到数量的限制。面阵列使得在更小的空 间里进行更多信号、功率以及电源等地互连。一般的倒装芯 片焊盘可达400个。

专用倒装焊封装的开发与应用

专用倒装焊封装的开发与应用

金属 凸点——多数为常见的 A u螺栓凸点。这些 凸
氧基本 f 是采 用分离 的焊 丝进行 键台 ( 图 3 。螺 栓 凸 见 )
导电胶粘接广泛应用于低端的 F O C B市场, 对于引线 层,从而降低成本 。引入共品凸点的延迟是固为需要新 点 的底 部 凸 电金 属化 ( B 以 允许芯 H上的 共 晶焊 :B U M) I M 数少的大芯片碍别适合 由于序列方法的应用 ,螺栓凸
F I 产障碍 的唯 一方案 。随着 这些进 展 , 装焊 开始 CP生 倒 引入到 更宽范 围 的买方 封装 市 。这 一 系列封 装开 发活 场 动产生 了一 个有 意义的 结果 .是实 现 了没有 一种方 案能 被 称作 “ 完美 无缺 ” 的倒 装焊 封装 。倒装 焊 只是一种 几
何说明。有许多 “ 正确”方法 .每种方法都依据最终应
是 在节距 很小 ,凸点数 更高的请 况下 “ ,尽管 高 P h
无凸点——A 芯片焊盘被一薄层贵金属所覆盖 利 l
月各 向异 性导 电胶 材料绝 缘 x Y方 向 . — 但在 z方 向导 电
结 构 正在 被 用于 几种 更高端 ( 即成本 走敏 感 j ; 的 品 ,
在以成本为主要因素的 多数消费类应月中被选择的可能 可以实现 互连 导电胶凸专——芯片用导电胶墩凸 电并固化 然后 性微 乎其 微
所 以更适 合于更 高 凸 密度的 应用 A u知 采甫同 向或各 向异性 导 电胶粘接 到 基板上
I 能 点都
髓 着频率 的增 加 ,这 变佴越 来越 重要 f S 的基 本结 构是 利Ⅲ 一薄芯 叠层 基板 ,芯 片佃 c P C 装 .并 用共 品 6S.7 b 凸 氧焊接 到芯 片 3v3 P 1 下填 氧

倒装芯片封装技术

倒装芯片封装技术

倒装芯片封装技术倒装芯片封装技术:将芯片翻转封装的革命性进展引言:随着电子科技的迅猛发展,芯片封装技术也在不断创新。

其中,倒装芯片封装技术作为一项重要的进展,在电子产品设计与制造方面发挥着重要作用。

本文将以倒装芯片封装技术为中心,探讨其原理、发展历程以及在电子领域中的广泛应用。

一、倒装芯片封装技术的原理倒装芯片封装技术,顾名思义,即将芯片翻转后进行封装。

传统的封装方式是将芯片正面朝上,通过焊接或粘接等方式固定在基板上,然后进行封装。

而倒装芯片封装技术则是将芯片翻转180度,使其背面朝上,并通过金线或导电胶等方式与基板连接。

倒装芯片封装技术的核心在于解决芯片尺寸不断减小和功耗不断增加的矛盾。

芯片尺寸的不断缩小使得传统封装方式难以满足对电路布局的要求,而倒装技术使得芯片尺寸最小化,并且能够更好地进行布局,提高电路的性能。

此外,倒装芯片封装技术还能够提高散热效果,减少功耗,提高芯片的可靠性。

二、倒装芯片封装技术的发展历程倒装芯片封装技术起源于1960年代,当时主要用于高可靠性的军事和航天设备中。

随着电子产品的普及和成本的降低,倒装芯片封装技术逐渐应用于民用产品中。

在过去的几十年中,倒装芯片封装技术经历了多次的改进和创新,使得其在电子领域中得到了广泛应用。

在倒装芯片封装技术的发展历程中,主要有以下三个阶段:1.金线倒装封装技术:最早的倒装封装技术采用金线进行芯片与基板之间的连接,这种方式简单、可靠,但是金线间距有限,不适用于高密度集成电路的封装。

2.焊接倒装封装技术:为了解决金线倒装封装技术的局限性,人们引入了焊接倒装封装技术。

这种技术采用焊料将芯片与基板焊接在一起,相比金线倒装技术,焊接倒装技术能够实现更高的密度和更好的散热效果。

3.导电胶倒装封装技术:近年来,随着导电胶技术的成熟,导电胶倒装封装技术成为了倒装芯片封装的主流技术。

导电胶能够实现更高的密度、更低的电阻和更好的散热性能,同时还能够简化制造工艺和降低成本。

倒装芯片键合技术发展现状与展望

倒装芯片键合技术发展现状与展望

倒装芯片键合技术发展现状与展望下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。

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The effects of environment condition and process parameters such as bonding parameters, misalignment and
bump height on the ACA interconnecting reliability and thermal reliability have been discussed.
ACA 互连的抗冲击 能力是人们非 常关注的可 靠性问题。众所周知, 在焊料互连的封装形式中, 上 下凸点通过焊料回流形成一个金属化整体, 可以起 到缓冲剪切应力的作用, 所以较大的凸点高度可以 增加缓 冲能 力, 增加 连接点 的疲 劳寿 命。但 对于 ACA 互连则完全不同, 上下凸点间没有牢固的金属
图 3 柱状填料 ACF 的剖面图 可避免 Cu 柱之间发生短路; Jean- chales 提 出了针 尖状阵列式新型导电胶结构, 如图 4 所示, 该结构能 较好解决无凸点芯片和高密度印刷电路板之间的互
图 5 导电颗粒在两金属盘间形成的导电区域
对于 ACA 的电接触点来说, 可以将导电颗粒与
金属盘的接触面看成 Holm 所描述的薄片或者微小
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电子工艺技术
第 25 卷第 4 期
连问题, 互连间距和焊盘面积可进一步减小, 电连接 更可靠。
图 4 针尖状填料 ACF 的剖面图
3 ACA 互连的接触电阻 采用常用的 ACA 进行互连时, ACA 经热融、流
动、固化和冷却以后, 导电颗粒就会在倒装芯片和基 板的金属凸点对之间形成垂直方向的导电通路, 如 图 5 所示。该通道的导电能力与导电颗粒与金属凸 点对之间表面电接触性能有关。
大多数树脂在湿度较大的情况下都容易吸潮。 树脂吸潮后膨胀会迫使基板和芯片间的距离增大, 影响凸点互连的接触面积和接触压力, 使接触电阻 发生变化。所以高湿环境下主要失效原因在于电化 学腐蚀和吸潮。
高温时效对 ACA 互连接触电阻也有很大的影 响。如果时效温度高于 导电胶的玻璃 化转变温度 T g, 接触电阻将出现显著增加, 但如果时效温度低 于 T g, 即使原始邦定压力较小, 其接触电阻也几乎 没有变化。原因就在于当温度高于 T g 时, 邦定应 力的释放使得导电接触面积减小, 从而明显地增加 了接触电阻。 4. 2 ACA 互连的抗冲击性能
导电区域, 如图 5 所示。接触面的接触电阻可以表
示为: R= R c+ R f, 其中 R c 是局限电阻, 它随着通过
接触表面电流的增大而增大, Rf 为附于导电颗粒表
面的绝缘层的电阻。假定一对金属焊盘间的导电粒
子数为 n, 单个电接触点的半径为 a, 则一对金属盘
的总电接触面积可以表示为: A = na2, 考虑导电颗
图 1 各向异性导电胶互连示意图 粒, 如图 2( b) 所示。两种类型的互连结构电阻率都 较高, 主要用于 LCD 的互连。
图 2 导电颗粒的结构示意图 Miho Yamaguchi 开发出用于 Flip Chip 的柱状导 电胶, 如图 3 所示。该导电胶结构为高密度的 Cu 柱 穿过热塑性胶膜, 从而实现更好的电互连, Cu 柱间 距可缩小到 0. 025 mm, Cu 柱表面有一层绝缘树脂,
粒的硬度 H 和邦定载荷 P 的影响, 接触电阻可表示
为:
Rc = 0. 886( H / nP )1/ 2
( 1)
公式( 1) 表明, 邦定压力越大、导电颗粒数目越
多, 接触电阻越小, 互连电性能越好。导电颗粒的硬
度越高, 接触电阻越大, 互连电性能越差。
导电颗粒直径的 波动对互连电性能有较大影
响。导电颗粒的粒径大小常在一定范围内波动, 邦 定时较大的颗粒势必先发生变形并可能发生金属的 焊合, 然后, 稍小颗粒的才开始形成电接触点, 最后 达到一个平衡, 因此接触电阻还与颗粒直径分布和 接触面的焊合程度有关。Frank 等人认为标准偏差 越大的导电颗 粒在相同的邦定压力下 接触电阻越 大, 导电颗粒平均尺寸对接触电阻的变化没有明显
ACA 由高分 子聚合物和均 匀分散在其中 的导 电颗粒组成。按形态划分, ACA 有胶状和薄膜状两 种, 通常将薄膜状的 ACA 称为各向异性导电胶膜, 即 ACF。
图 1 是各向异性导电胶互连结构示意图。倒装 晶片和基板之间涂有 ACA, 晶片上的凸点和与之对 应的基板上的凸点( 或焊盘) 之间夹着多个受压变形 的导电粒子, 由这些变形的导电粒子实现上、下凸点 之间的电互连, 其他区域的粒子互不接触, 并且密度 分布很小, 不足以在横向形成导电通路, 因此实现了 各向异性互连。晶片与基板整体被 ACA 的高分子 聚合物( 树脂) 固化, 实现了电子封装的机械支撑和 散热。 2 新型 ACA 导电胶结构
高热湿环境对接触电阻有重要影响, 在 85 ∀ / 85 % RH 的高热湿条件下, 互连金属的氧化、电化学 腐蚀以及聚合物吸潮导致接触电阻增加, 由此引发 ACA 互连的可靠性问题。金属氧化一 般发生在不 同湿度的有氧环 境下, 特 别是高温时更容 易氧化。 但是由于树脂固化后将连接点与有氧环境隔离, 在 高温下金属氧 化导致的接触电阻增大 并不非常明 显。当两种金属的电化学势不同以及聚合物吸潮较 大时, 会在金属对之间形成原电池, 从而会在金属表 面形成一层氧化物。在高热湿条件下, 这种过程更 明显, 导致接触电阻增加。
Abstract:Two new types of anisotropic conductive adhesive ( ACA) have been introduced. The influences
of bonding pressure and the characteristics of ACA on the interconnect contact resistance have been analyzed.
ACA 互连可靠表现为电接触可靠, 接头机械性 能良好。采用 ACA 互连技术 进行封 装时, 基板 材 料、芯片凸点结构、形貌以及 ACA 的类型对接头电 学性能和抗冲击性能有很大的影响。 4. 1 接触电阻的稳定性
ACA 互连的接触电阻不稳定是影响 ACA 互连 可靠性并引起广泛关注的可靠性问题之一。与焊料 凸点的倒装芯片技术不同, ACA 互连中上下凸点间 仅仅是机械接触导电, 没有较强的金属连接, 应力也 大部分集中在凸点与底部金属盘的界面上。一旦环 境温度和外界条件发生变化, 就会使接触电阻发生 漂移, 出现电接触问题, 影响接头的电学性能。图 6 为环境等因素导致的 ACA 互连电接触失效示意图。
2004 年 7 月
吴丰顺等: 倒装芯片封装材料 各向异性导电胶的研究进展
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的影响。 导电颗粒为表面金属镀层的聚合物颗粒时, 邦
定时一般要加上足够的载荷使得接触面直径大于它 本身的直径, 从而得到足够的导电性能。但是太大 的压力却可能导致颗粒开裂、凸点变形、桥连短路等 可靠性问题。 4 ACA 互连可靠性
各向异性导电胶( ACA) 因其无铅、适合于窄节 距互连、工艺温度较低等优点而用来完成电路基板 与倒装芯片之间的互连, 并逐渐应用于液晶显示驱 动器、掌上电脑显示驱动电路、移动电子产品中板上 芯片等高密度 IC 封装, 用于液晶显示( LCD) 面板、 硬盘驱动 器( HDD) 磁头、微波高频通讯、存储器 模 块、等离子体显示器( PDP) 、光耦合器件、表 面安装 ( SMT ) 等的封装互连中。本文将介绍 ACA 的结构和 互连可靠性的研究进展。 1 ACA 互连简介
第 25 卷第 4 期
电子工艺技术
2004 年 7 月
Electronics Process Technology
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综述
倒装芯片封装材料 各向异性导电胶的研究进展
吴丰顺, 郑宗林, 吴懿平, 邬博义, 陈 力
( 华中科技大学微系统中心, 湖北 武汉 430074)
摘 要: 介绍了两种新型各向异性导电胶 ACA( Anisotropic Conductive Adhesive) 结构, 分析了邦
芯片凸点与相对应基板上凸点之间的错位会导 致接触面积下降、接触电阻增大和连接结合强度下 降等问题。在热疲劳过程中, 这类互连往往非常容 易失效。S H Fan 等人在凸点大小为 50 m ! 50 m 条件下, 就错位对 ACA 互连的电性能特征的影响做 了定量研究。当错位量从 0 m~ 5 m 时, 接触电阻 增加的速率较大, 在 5 m~ 20 m 时呈缓慢增加的 趋势, 但错位量大于 20 m 后, 其接触电阻开始显著 增加。由于施加的邦定压力是根据上下凸点相对面 积变化的, 虽然影响接触电阻的因素很多, 但是随着 错位量加大, 总的相对面积减小, 邦定压力减小的幅 度增大, 对接触电阻产生了很大的影响。
Progress of Anisotropic Conductive Adhesive for Flip Chip Packaging
WU Feng- shun, ZHENG Zong- lin, WU Yi- ping, WU Bo- yi, CHEN Li ( Institute of Microsystems, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
常用 ACA 中的导电颗粒有 两种类型。一种是 金属实心球颗粒, 由 Ni、Cu、Ag 作为核心, 表面镀 Au 或 Ag 形成导电颗粒, 如图 2( a) 所示。另一种是由 聚合物或者玻璃核心和表面金属镀层形成的导电颗
基金项目: 863 项目, 项目名称: 倒装芯片技术在微机电系统中的应用, 项目号: 2002AA404110。 作者简介: 吴丰顺( 1965- ) , 男, 毕业于 西安交通大学, 博士, 副教授, 主要从事电子封装、微连接和计算机模拟等研究工作。
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