11kV大功率SiC光电导开关导通特性
分析高压SiC MOSFET的鲁棒性和可靠性
分析高压SiC MOSFET的鲁棒性和可靠性在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。
本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。
高压碳化硅(SiC)MOSFET在许多行业都有多种应用。
传统的硅基MOSFET热性能有限，开关频率较低，因此无法在高频工作中高效工作。
卓越的电气参数，如更低的RDS(ON)和更高的开关频率，可为电机驱动、焊接机、可再生能源系统、充电站和IT 数据中心中的应用提供更高的功率密度。
此外，SiC MOSFET可以在400°C以上的温度下运行，热阻更低，有助于降低传导损耗。
同时，它们在更高频率下工作的能力有效地增加了热密度。
低传导和开关损耗的理想特性使这些半导体器件是高功率应用的理想选择。
在HVDC转换器、大功率逆变器(图1)等许多操作中，功率MOSFET必须根据特定要求串联或并联。
然而，这些配置带来了不同的挑战，甚至可能损坏这些设备。
下面列出了其中一些实例：在HVDC转换器中，使用一系列SiC MOSFET用于实现所需的阻断电压水平。
但是，在串联配置中，可能会出现不均等的电压共享，这会导致某些MOSFET发生雪崩击穿。
反过来，这可能会进一步导致整组器件出现故障；螺线管控制、固态变压器、升压转换器和反激式转换器等应用会在MOSFET中感应出高压尖峰，这会导致器件因高di/dt和寄生电容而以雪崩模式运行，最终导致高功耗；在大功率电机驱动器的情况下，足够的短路耐受能力对于确保故障保护和设备/系统故障预防至关重要。
上述实例表明，在将这些SiC MOSFET安装到此类关键任务应用之前，测量这些SiC MOSFET的可靠性和鲁棒性至关重要。
本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。
1设备描述和测试程序为进行测试，GeneSiC半导体公司在150mm晶圆上制造了1200V/75mΩ SiC DMOSFET。
sic驱动原理
sic驱动原理小伙伴们！今天咱们来唠唠那个听起来就很酷炫的SIC驱动原理。
SIC呢，就是碳化硅啦。
这碳化硅可不得了，就像科技界的一个小明星。
它在驱动方面有着独特的本事。
咱们先从它的材料特性说起。
碳化硅这个材料啊，它的禁带宽度超级大。
这就好比它有一个超级坚固的城墙，和传统的硅材料比起来，那些电子想要轻易地越界可就难喽。
这个大禁带宽度带来的好处可多啦。
比如说，它能够承受更高的电压。
想象一下，就像一个人能扛起更重的东西一样，SIC在电路里可以应对高电压的挑战，这在很多高压应用场景里，那可就是大英雄啊。
而且啊，因为禁带宽，它在高温下也能稳稳当当的。
不像有些材料，温度一高就开始“闹脾气”，SIC就像是个耐热小超人，在高温环境里还能正常工作，这对于一些像汽车发动机附近那种高温环境下的电子设备来说，简直就是救星。
再说说它的电子迁移率。
SIC的电子迁移率也很不错呢。
这电子迁移率啊，就像是电子在材料里跑步的速度。
SIC里的电子跑起来那也是相当快的，这就使得在电路中，信号的传输速度能够加快。
就好像快递员是个飞毛腿，能快速地把包裹（信号）送到目的地。
这样一来，整个电路系统的响应速度就提高了。
比如说在一些需要快速反应的电力电子设备里，像电机的驱动控制，SIC就能让电机快速准确地按照指令转动起来，就像一个听话的小机器人，主人一声令下，马上就动起来，而且动作还很精准呢。
说到SIC驱动原理，不得不提它的开关特性。
SIC的开关速度那叫一个快啊。
这开关就像是电路里的一扇门，SIC这扇门可以快速地打开和关闭。
当它快速关闭的时候，就能够有效地减少在关闭过程中的能量损耗。
这就好比你关灯的时候，如果能一下子就把灯关得死死的，就不会有那种微弱的电流还在偷偷跑，浪费电。
而且快速的开关速度还能提高整个电路的工作频率。
这就像一个人做事的节奏变快了，在同样的时间里能做更多的事情。
对于电力系统来说，更高的工作频率就意味着可以使用更小的电感和电容等元件。
sic mosfet的开关过程
一、Sic mosfet简介Sic mosfet（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有广泛的应用前景。
它相比传统的硅功率器件，有着更高的开关速度、更低的导通电阻和更好的热稳定性。
二、Sic mosfet的工作原理1. 充电过程当Vgs（栅源电压）增加时，沟道开始形成，电流开始流经沟道，mosfet处于导通状态。
在这个过程中，电荷被注入沟道中，并且沟道的阻抗开始下降。
2. 关断过程当Vgs减小到阈值以下时，mosfet进入关断状态。
在这个过程中，电荷从沟道中移除，沟道的阻抗增加，最终导通电流降为零。
三、Sic mosfet的开关速度1. 开启速度Sic mosfet的充电过程非常迅速，主要受到栅极驱动电路的影响。
合适的栅极驱动电路可以提高mosfet的开启速度，从而减少开启过程耗费的时间。
2. 关断速度Sic mosfet的关断速度也非常快，因为沟道的载流子在极短的时间内被移除，沟道电阻增加，导通电流迅速减为零。
四、Sic mosfet的温度稳定性1. 开启过程中的温度效应在开启过程中，由于温度的变化，电荷注入沟道的速度可能发生变化，但由于Sic mosfet的材料特性，其影响相对较小。
2. 关断过程中的温度效应在关断过程中，温度的变化可能会影响载流子的移动速度，从而影响沟道的电阻变化。
但Sic mosfet由于其良好的热稳定性，可以较好地抵抗温度的影响。
五、Sic mosfet的优势和应用1. 优势Sic mosfet具有更低的导通电阻、更高的工作频率、更好的热稳定性等优势，因此在高频、高温、高压等应用场合具有广泛的应用前景。
2. 应用Sic mosfet可以应用在电源转换器、电动车、太阳能储能系统等领域，以提高系统效率、减小体积、降低能耗等方面发挥重要作用。
结语Sic mosfet的开关过程受到多种因素的影响，包括栅极驱动电路的设计、温度的变化等。
然而，由于其在开关速度、温度稳定性等方面的优势，Sic mosfet在各种功率应用中都有着广阔的前景和潜力。
碳化硅 MOSFET 器件结构和特性
碳化硅MOSFET 器件结构和特性SiC（碳化硅）是由硅和碳化物组成的化合物半导体。
与硅相比，SiC具有许多优势，包括10倍的击穿电场强度，3倍的带隙，以及实现器件结构所需的更广泛的p型和n型控制。
其结果是硅无法实现的突破性性能，使其成为下一代功率器件最可行的继任者。
SiC存在多种多型（多晶型），每种具有不同的物理性质。
在这些多类型中，4H-SiC是功率器件最理想的。
功率器件特性SiC的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以通过更薄的漂移层和更高的杂质浓度配置更高电压（600V至XNUMX V）的功率器件。
由于高压器件的大部分电阻成分位于漂移层电阻中，因此SiC能够以极低的单位面积导通电阻实现更高的耐压。
理论上，在相同的耐压下，单位面积的漂移层电阻可比硅降低300倍。
为了尽量减少使用硅的较高耐压下导通电阻的增加，通常使用少数载流子器件（双极性），例如IGBT（绝缘栅双极晶体管）。
然而，这会增加开关损耗，从而导致更大的热量产生并限制高频操作。
相比之下，SiC通过高速器件结构，使用多数载流器件（肖特基势垒二极管、MOSFET）实现高耐压成为可能，同时实现高耐压、低导通电阻和高速运行。
3倍宽的带隙允许功率器件在更高的温度下工作，从而大大扩展了适用性。
碳化硅SBD器件结构和特点将碳化硅高速器件结构集成到肖特基势垒二极管（SBD）中，可以实现大于600V的耐压（与硅SBD的~200V相反）。
因此，替换现有的主流PN结二极管（快速恢复型）可显著降低恢复损耗，有助于降低线圈等无源元件的噪声和更紧凑性。
这是由于电源效率的提高和操作频率的提高。
这确保了对功率因数校正电路（PFC）和整流桥的支持，使其适用于更广泛的应用，包括交流电、电源、太阳能功率调节器、电动汽车快速充电器。
碳化硅SBD正向特性SiC SBD的上升电压小于1V-相当于FRD的上升电压。
上升电压由肖特基势垒的高度决定。
然而，尽管设计较低的正常势垒高度可以降低上升电压，但这是以泄漏电流为代价的，漏电流在反向偏置期间会增加。
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC 器件中SiC 材料的物性和特征,功率器件的特
征,SiC MOSFET 特征概述
1
SiC 材料的物性和特征
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。
SiC 临界击穿场强是Si 的10 倍，带隙是Si 的3 倍，热导率是Si 的3 倍，所以被认为是一种超越Si 极限的功率器件材料。
SiC 中存在各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。
其中，4H-SiC 最合适用于功率器件制作。
另外，SiC 是唯一能够热氧化形成SiO2 的化合物半导体，所以适合制备MOS 型功率器件。
2
功率器件的特征
SiC 的临界击穿场强是Si 的10 倍，因此与Si 器件相比，能够以具有更高。
GaAs光电导开关激子效应的光电导特性
GaAs光电导开关激子效应的光电导特性马湘蓉;施卫【摘要】从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性；光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件.影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移.在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性.%Starting from the effect of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch ( PCSS) exciton and Photo-Activated Charge Domain ( PACD) theory, this paper studies photoconductive behaviors of GaAs photoconductive switch exciton effect in the case of strong electric field excitation. The interaction of PACD and exciton effect and exciton formation, transmission and free electrons and holes formed in the process of dissociation can provide the necessary conditions for exciton activated photoconduction. The major factors affecting exciton effect photoconductive behaviors are: exciton energy absorption, bound exciton and PACD induced band gap renormalization, multi-phonon transition, bound exciton split and drift along dislocation stress. In the case of coupling actions by the above factors, the photoconduction of GaAs photoconductive switch exciton effect appears to have a certain oscillation behaviors.【期刊名称】《西安理工大学学报》【年(卷),期】2011(027)002【总页数】5页(P151-155)【关键词】GaAs光电导开关;光激发电荷畴;激子效应;光电导特性【作者】马湘蓉;施卫【作者单位】西安理工大学理学院,陕西西安710054;西安理工大学理学院,陕西西安710054【正文语种】中文【中图分类】H7220GaAs光电导开关(GaAs Photoconductive Semiconductor Switch，GaAs PCSS)是利用半导体(如GaAs，SiC，InP，金刚石等)与高速脉冲激光器相结合组成的一类新型功率器件。
SIC晶圆制造材料
SIC晶圆制造材料SIC晶圆制造材料SIC晶圆制造材料是一种具有高度稳定性和优异性能的半导体材料，广泛应用于电子、光电、光通信等领域。
在本文中，将对SIC晶圆制造材料的深度探讨进行分析，并分享对其的观点和理解。
一、介绍SIC晶圆制造材料1.1 简介SIC全名为碳化硅，是一种由碳和硅原料制成的化合物。
它具有高熔点、高硬度和高耐腐蚀性等特点，是一种理想的半导体材料。
SIC晶圆制造材料是以SIC为基础材料，通过特殊的生长工艺制备而成的。
1.2 特性SIC晶圆制造材料具有许多优异的特性。
SIC具有高温稳定性，可以在高温环境下工作，不易受热分解或氧化。
SIC晶圆具有高热导率和低热膨胀系数，能够有效地散热，提高器件的工作效率和可靠性。
SIC晶圆材料还具有优异的机械性能和化学稳定性，能够抵抗各种外界环境的侵蚀。
二、SIC晶圆制造材料的应用2.1 电子领域SIC晶圆制造材料在电子领域具有广泛的应用。
SIC晶圆可用于制造高功率和高频率的电子器件，如功率开关器件、超高压二极管和射频功率放大器等。
SIC晶圆材料还可以用于制造高温电子器件，如高温功率电子模块和高温传感器等。
另外，SIC晶圆还可以应用于制造紧凑型电子元件，如微型传感器和MEMS器件等。
2.2 光电领域SIC晶圆制造材料在光电领域也有广泛的应用。
SIC晶圆可以作为LED 的衬底材料，可提高LED器件的发光效率和可靠性。
SIC材料还可以用于制造高功率激光二极管，用于光通信和激光雷达等应用。
2.3 其他领域除了电子和光电领域，SIC晶圆制造材料还可以在其他领域得到应用。
在电力电子领域，SIC晶圆可以用于制造高温、高压和高功率的电力电子器件，如IGBT和MOSFET等。
SIC材料还具有较高的化学稳定性，可以用于制造耐腐蚀的传感器和阀门等。
三、对SIC晶圆制造材料的观点和理解针对SIC晶圆制造材料，我认为它具有巨大的市场潜力和发展前景。
SIC材料具有高度的稳定性和可靠性，能够满足高性能、高温度和高功率等特殊工作环境的要求。
碳化硅器件 主要测试参数
碳化硅器件主要测试参数
碳化硅（SiC）器件是一种新型的半导体材料，具有许多优越的特性，因此在电力电子、光电子、汽车电子等领域得到广泛应用。
主要测试参数包括但不限于以下几个方面：
1. 电压参数，包括击穿电压、绝缘电压、耐压等参数。
这些参数对于SiC器件的正常工作至关重要，需要进行严格的测试以确保器件的稳定性和可靠性。
2. 电流参数，包括最大工作电流、漏电流、阈值电流等。
这些参数可以帮助评估SiC器件在不同工作条件下的电流承受能力和导通特性。
3. 温度参数，包括工作温度范围、热稳定性等。
由于SiC器件具有良好的耐高温特性，因此需要测试其在不同温度条件下的性能表现。
4. 开关特性，包括开关速度、开关损耗、反向恢复特性等。
这些参数对于SiC器件在开关电路中的实际应用具有重要意义，需要进行精确的测试以评估其开关性能。
5. 封装参数，包括封装材料的热阻、介质强度等。
这些参数对于SiC器件的散热和绝缘特性至关重要，需要进行封装后的测试以确保器件在实际应用中的可靠性。
综上所述，碳化硅器件的主要测试参数涉及到电压、电流、温度、开关特性和封装特性等多个方面，通过全面的测试可以全面评估其性能和可靠性，确保其在各种应用场景下的稳定工作。
碳化硅管sct011w120g3ac参数
碳化硅管sct011w120g3ac参数碳化硅管(SCT011W120G3AC)是一种常用的电子元器件，具有多种参数和特性，下面将详细介绍该产品的相关信息。
1.产品概述：碳化硅管(SCT011W120G3AC)是一种广泛应用于电力、电子、通信等领域的高压二极管。
它采用碳化硅材料制造，具有较高的耐压、耐温和抗击穿能力，适用于高压电路中的保护、整流和开关等功能。
2.参数特性：(1)碳化硅管的额定电压为1200V，指的是其可承受的最大工作电压。
(2)最大反向电流为1mA，即在额定电压下，碳化硅管的最大反向电流不超过1mA。
(3)最大工作温度为150℃，超过该温度可能会导致碳化硅管的性能下降或失效。
(4)开启电压一般为1.2V，是指在正向导通状态下，碳化硅管的电压降为1.2V。
3.用途和应用：碳化硅管广泛应用于各种高压电路中，例如：(1)电源领域：用于高压电源的整流和过滤。
(2)电力领域：用于高压开关和保护电路。
(3)通信领域：用于高压防雷保护电路。
(4)工业控制领域：用于高压开关、保护和反相保护电路等。
4.优点和特点：(1)高耐压能力：碳化硅管具有较强的耐压能力，适用于高压电路中的各种应用场景。
(2)低反向电流：碳化硅管的反向电流很低，可以保证电路的精确控制和保护。
(3)快速开启速度：碳化硅管具有快速的开启速度，适用于高频开关电路的应用。
(4)较高的工作温度：碳化硅管能够在较高的温度下正常工作，适用于高温环境下的应用。
总结：碳化硅管(sct011w120g3ac)是一种常用的高压二极管，具有1200V 的额定电压，1mA的最大反向电流和150℃的最大工作温度。
该产品广泛应用于电力、电子、通信等领域，具有高耐压能力、低反向电流、快速开启速度和较高的工作温度等特点。
在选择和应用碳化硅管时，需要根据具体的电路需求和环境条件进行合理选择，以确保电路的稳定性和可靠性。
sic功率器件测试基础知识
SIC（Silicon Carbide）功率器件是一种新型的半导体器件，它采用了碳化硅材料，具有高温、高电压、高频率等优点，被广泛应用于电力电子、新能源、电动车、光伏逆变器等领域。
SIC功率器件测试是对SIC器件进行性能评估和可靠性验证的过程，以下是一些SIC功率器件测试的基础知识：
1. 静态特性测试：包括测量器件的导通电阻、关断电阻、漏电流等参数。
这些参数可以反映器件的导通和关断能力，以及器件的漏电流情况。
2. 动态特性测试：包括测量器件的开关速度、开关损耗、反向恢复时间等参数。
这些参数可以反映器件在开关过程中的性能，包括开关速度和能量损耗。
3. 温度特性测试：包括测量器件在不同温度下的性能。
由于SIC器件具有高温特性，因此需要测试器件在高温环境下的导通和关断能力，以及温度对器件性能的影响。
4. 可靠性测试：包括测量器件的寿命、耐压、耐热等参数。
这些参数可以评估器件的可靠性和稳定性，以及器件在不同
工作条件下的性能。
5. 故障分析：对于测试中出现的故障或异常情况，需要进行故障分析，找出故障原因并采取相应的修复措施。
需要注意的是，SIC功率器件测试需要使用专门的测试设备和测试方法，以确保测试结果的准确性和可靠性。
同时，测试过程中需要严格遵守安全操作规程，以防止意外事故的发生。
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关 键 词 ： 碳 化 硅 ； 光 电导 开关 ； 上 升 沿 ； 导 通 电 阻 ； 大 功 率
中 图 分 类 号 ： ＴＮ２ ９ 文献标志码 ： Ａ ｄ ｉ１ ． ７ ８ ＨＰ Ｐ ２ １ ２ Ｏ ． ５ １ ｏ ：０ ３ ８ ／ Ｌ Ｂ Ｏ Ｏ ２ ３ ０ １
开关是 电力 、 电子 、 电路 中必 不可 少 的部 在大 功 而
率 系统 中 ， 开关要 同时承受 大 的电压 和 电流 。大 的电压带 给器 件最 直 接 的问题 是强 电场 加速 载 流子 引起 的雪 崩击 穿 ， 大电流下 容易 由于热效 应产 生热击 穿 。这 两种 失效 形 式是 固态 大功 率开 关 器件 所 面临 的难 题 。半 而 导体 开关 由于具有 较好 的稳 定性 、 的体积 以及容易 集成等 优势 ， 小 为大 功率开关 的研究 人员关 注 。虽然 半导体 ＭＳ Ｅ ＭＯＳ Ｅ Ｉ Ｔ 等大功 率开关器 件 的出现 满 足 了部 分 领 域 的需 求 ， 它们 的耐 压 和 电流 尚有 待提 Ｆ Ｔ， Ｆ Ｔ， ＧＢ 但 高， 目前 还不 能满足 如大功 率脉 冲功率 电源 、 流感应 加速器 、 直 冲击 雷达等 领域 的需求［ ］ １ 。而半导体 光控 光 电 导开关 是潜在 的很好 的大功 率应用 领域 的开关 ］ 。第 １个光 电导开关 原型在 １ ７ ９ ４年 由贝尔 实验 室 的 Ｄ Ｈ． ． Ａｕｔｎ制 备 ， 料采用 高阻 Ｓ ， Ｓ 禁 带宽 度小 ， ｓｏ 材 ｉ 但 ｉ 临界击 穿 场 强低 ， 且存 在致 命 的热奔 现象 ， 能得 到 高性 而 不 能 的开关 ＿ ；１ ７ ７ ９ ６年 ， 马里兰 大学 的 Ｈ． ． ｈ 制备 了第 １个 Ｇａ 光 电导开关 ｒ ，随后 Ｇ Ａｓ 电导 开关 便 ＬＣｉ Ａｓ ８ ］ ａ 光 成 为此领 域研究 的焦点 。虽然 Ｇａ 具 有迁 移率高 的优 点 ， Ａｓ 但其 散 热性 较差 ， 临界 击穿 场强 不 够高 ， 以胜 任 难
大 功率领 域 的应用 。随着 宽禁 带半 导体材料 制备技 术 的 日益 成熟 ， 们把 制备 大 功率光 电导 开关 的 目光放 到 人
了宽禁带半 导体材 料上来 。ＳＣ作 为宽禁带 半导体 的代 表具有较 其它 宽禁 带半 导体 材料 更 为 突出 的优 势—— ｉ 高 的临界击 穿场 强 和 热 导 率 ， ］ 而这 两 点 正 是 之 前 ｓ 和 Ｇ Ａｓ材 料 制 备 光 电 导 开 关 所 无 法 解 决 的瓶 颈 问 ｉ ａ 题 。制备高性 能 的大功率 光 电导 开关 ， 要 高 质量 的半绝 缘 ＳＣ 晶片 。直 到 ２ ０ 需 ｉ ０ ３年高 质量 的半 绝缘 ＳＣ ｉ 单 晶生长技术 成熟 ， 此时才 陆续开 始 了高性 能 ＳＣ光 电导 开关 的研 究工 作 ＿ ］ ｉ 】 。在生 长 出 了高质 量 钒掺 杂半 绝缘 ＳＣ单 晶的基础 上 ， 文对大 功率 ＳＣ光 电导 开关 的耐压及 导通 性质进行 了研究 。 ｉ 本 ｉ
ｌ Ｖ大 功 率 ＳＣ光 电导 开关 导通 特 性 ｋ ｌ ｉ
黄 维， 常少辉， 陈之战， 施尔畏
（ 国科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究所 ，上 海 ２ ０ ５ ） 中 ０ Ｏ ０
摘 要 ： 采 用 高 质 量 半 绝 缘碳 化硅 （ Ｉ） 晶 材 料 制 作 了超 快 高耐 压 大 功 率 ＳＣ光 电导 开 关 。应 用 氟化 ＳＣ 单 ｉ
氪 准分 子 脉 冲激 光 器 作 为激 发光 源 ， 到 了脉 宽 为 ４ ｓ上 升 沿 为 ９ ６ｎ 得 ０ｎ ， ． ｓ的 超 快 响 应 的 电 脉 冲 ， 关 的 上 升 开 沿存 在 两 个 不 同 阶 段 。测 试 开 关 两 端 电压从 １ｋ 到 １ Ｖ 时 开 关 导 通 的 电压 波 形 表 明 ， 关 的 导 通 电 阻 随 电 Ｖ ０ｋ 开
压 的增 加 不 发 生 明 显 变 化 ， 关 在 导 通态 时导 通 电 阻 在 １ 开 ２Ｑ左 右 。采 用 ９ ２Ｑ精 密 电阻 作 为 负载 ， 算得 到开 计
关 两 端 外 加 １ Ｖ 电压 时 通 过 其 电 流 峰值 高达 １９Ａ， 时 峰值 功率 达 到 ｌ４Ｍｗ ， 此 范 围 内 未 出 现 载 流 子 １ｋ ５ 此 ＿ 在
第２ ２卷第 ３期
２１ ０ ０年 ３月
强 激 光 与 粒 子 束
ＨＩ ＧＨ ＰＯＷ ＥＲ ＬＡＳ ＥＲ ＡＮＤ ＰＡＲＴＩ ＣＬＥ ＢＥＡＭ Ｓ
Ｖｏ ． ２，Ｎｏ ３ １２ ．
Ｍ ａ ．，２ １ ｒ ０ ０
文 章编 号 ： １ ０ — ３ ２ ２ １ ） ３ ０ １ — ４ ０ １４ ２ （ ０ ０ ０ — ５ １０
１ ＳＣ光 电导 开 关 ｉ
根据 ＳＣ材料 的特性 ， 近几年 的研 究 中提 出 了一些 ＳＣ光 电导开 关 的技术 方案 。其 中一 种结 构如 图 １ ｉ 在 ｉ
所示 ， 为同面结构 ， 即在 ＳＣ 晶片的 Ｃ面上制作 一定 间距 的电极 ， ｉ 光照 间隙 区 ， 现开关 的导 通 。然 而 ， 导体 实 半 的表面是 完整 晶体结构 的断裂 面 ， 性质远 不如体 材料 ， 其 由于 电极在 表 面 ， 开关 导通 时 ， 流在表 面 流通 ， 在 电 易 发生表面 击穿 。另一种 开关 的结构 如图 ２所示 ， 为异面 正对 型结 构 ， 电极 正对 的沉 积在 晶片 的上下 两 个 面上 ， 电极 处于 面的 中心位置 。这样 的设计使 电极 远离 晶片边缘 ， 当于增加 了两个 电极之 间 的距 离 ， 电场线集 中 相 且