集成电路发展史

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集成电路发展历史和未来趋势

集成电路发展历史和未来趋势

集成电路发展历史和未来趋势集成电路(Integrated Circuit,简称IC)是一种在单个芯片上集成了多个电子元件(例如晶体管、电阻、电容等)的电路。

集成电路的发展历史可以追溯到20世纪50年代末至60年代初,随着技术的进步和需求的增长,集成电路在电子领域中得到了广泛应用。

本文将介绍集成电路发展的历史,并展望未来的趋势。

集成电路的发展历史:1. 创世纪(1958-1962):美国史景迁(Jack Kilby)和法国的尤·赖希特(Jean Hoerni)几乎同时独立发明了集成电路。

他们分别在半导体材料上制备出来离散元件,并将它们集成到单个芯片上。

这一时期的集成电路规模较小,仅有几个晶体管和少量的电子元件。

2. 第一代(1962-1969):美国的弗吉尼亚公司(Fairchild)和德国的西门子公司率先推出了第一代集成电路,包括了数百个晶体管和其他元件。

这使得集成电路在通信、航空航天和计算机领域得到了广泛应用。

3. 第二代(1970-1979):集成电路的规模和性能进一步提高,由数千个晶体管和其他元件组成。

大型集成电路纳入了多个功能模块,使电子设备更加紧凑和高效。

4. 第三代(1980-1989):CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)技术的引入,使得集成电路在功耗和成本上有了显著改善。

CMOS技术还带来了更高的集成度和更快的开关速度,使集成电路能够应用于更广泛的领域。

5. 第四代(1990-1999):集成电路的规模进一步增加,上千万个晶体管集成在一个芯片上。

这一时期也见证了数字信号处理器(DSP)、可编程逻辑器件(PLD)和ASIC等特定用途集成电路的快速发展。

6. 第五代(2000至今):随着纳米技术的推进,集成电路规模进一步增加。

先进的制造工艺使得晶体管的结构更小,电路速度更快,功耗更低。

同时,集成电路的应用领域也更加多样化,包括通信、计算机、医疗、汽车等。

晶体管和集成电路的成长史

晶体管和集成电路的成长史

晶体管和集成电路的成长史
1.晶体管的发明与应用
晶体管是一种半导体设备,它能够在电子器件中转换和放大电信号。

于1947年由肖克利在皮尔斯实验室首次发明,并应用于电子电路中。

晶体管相较于真空管有诸多优点,如尺寸小、功耗低、发热更少等,而被广泛使用于电视机、音响、电脑、手机等电子产品中。

2.集成电路的发明与进展
早在1958年,芯片就在美国德克萨斯仪器公司被发明。

集成电路是一种将数千到数百万的电子器件集成到一个小芯片上的技术。

这种技术让电子器件的尺寸缩小,并使得电路强度和速度得到了极大的提高。

1961年的美国电子展上,第一部商业化的集成电路问世,其数字逻辑门电路有3个晶体管和2个二极管构成,并且仅仅只有“M”那么小。

集成电路因为是电子器件的集合所以还被描述为“电子计算机”或“电子集成”。

3.晶体管和集成电路的关系
晶体管是集成电路的核心。

晶体管的出现与发展使得集成电路得以应用。

早期的集成电路都是很简单的晶体管或者管阵列,后来为了经济和生产方便,人们发明了单片集成电路,它可以包含几个或几十个晶体管和其它电子器件,完成更复杂的功能。

集成电路不断发展,出现了SEM、DRAM、CMOS等芯片技术,并被广泛应用于电脑、手机、摄像机等技术领域中。

4.结语
随着科技的不断进步,晶体管和集成电路的技术也在快速发展。

从早期的所谓“电子计算机”到现在的手持智能手机,晶体管和集成
电路都扮演着重要且不可替代的角色。

随着集成电路设计的不断深化,人们对它的依赖性也越来越高,我们可以期待着在未来的发展中,集
成电路将在越来越多的领域中发挥重大的作用。

集成电路发展历史

集成电路发展历史

世界集成电路发展历史1947年:美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;1950年:结型晶体管诞生1950年:R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺1951年:场效应晶体管发明1956年:C S Fuller发明了扩散工艺1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器18021976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC。

集成电路的发展历史

集成电路的发展历史

集成电路的发展历史
自上世纪40年代初至今,集成电路(Integrated Circuit,简称IC)经历了长足的发展。

本文将回顾集成电路的发展历程。

早期发展
20世纪40年代末期,由于二战后科技的迅速发展,人们开始
追求更小、更高效的电子元件。

1958年,Jack Kilby和Robert Noyce分别在独立的研究中发明了集成电路,为集成电路的发展奠
定了基础。

第一代集成电路
在第一代集成电路中,仅包含几个晶体管和少量的电子元件,
性能较低。

然而,第一代集成电路的问世为后续的发展奠定了基础。

第二代集成电路
第二代集成电路的问世代表了集成度的显著提高。

制造工艺的改进使得更多的电子元件可以被集成到单个芯片上,性能提高。

第三代集成电路
随着科技的不断进步,第三代集成电路的问世实现了更加复杂的功能和更高的可靠性。

此时,集成电路已经广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。

当今发展
目前,集成电路仍在不断发展。

随着尺寸的不断缩小和性能的不断提高,集成电路的应用范围更加广泛。

例如,物联网、人工智能和自动驾驶等领域的发展,都离不开集成电路的支持。

结论
集成电路的发展历程充满了创新和技术突破,从早期的简单芯片到如今的高级集成电路,它不仅改变了我们的生活方式,也推动
了科技的进步。

相信在未来,集成电路仍将继续发展,为我们带来更多的惊喜与便利。

集成电路发展历史

集成电路发展历史

集成电路发展历史
集成电路是指将众多微小的电子元器件集成在同一个晶片上的电路,它是电子技术发展的重要里程碑之一。

以下是集成电路发展的几个阶段:1.1958年,第一块集成电路芯片由美国德州仪器公司发明。

这一阶段的芯片主要采用第一代技术,也称为“小规模集成电路”,通常集成10-20个晶体管。

2.1961年,集成度进一步提高,第二代集成电路出现,一般包含几百个晶体管。

3.1964年,第三代集成电路出现,集成度达到了几千个晶体管。

美国英特尔公司生产的4004微处理器就是这一时期的代表。

4.1971年,第四代集成电路出现,集成度已经上升到了数万个甚至几十万个晶体管。

这一阶段采用的工艺是互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,极大地提高了集成电路的可靠性和稳定性。

5.1980年代以后,出现了大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等技术,集成度更高,数量更多,体积更小,功耗更低,性能更强。

今天,集成电路的应用已经渗透到了各个领域,如计算机、手机、通讯、医疗、汽车等等,推动了人类社会信息化的进程,并成为现代科技发展的重要支撑。

中国集成电路发展史

中国集成电路发展史

中国集成电路发展史
中国集成电路的发展始于1960年代,当时中国开始研制和生产使用空洞反射器对象的积木电路,以达到模拟电路效果。

1971年,中国研制完成了首款准模拟集成电路,它是一款可以识别“二进制”规则的集成电路,该电路被命名为“晶元结”,它的工作原理是利用空洞反射器和多晶体管来实现的。

1982年,中国成功研制出完全模拟集成电路,叫作“宏晶元结”。

与晶元结相比,宏晶元结更为先进,可以实现高精度、高稳定性的模拟效果。

在中国发射的首颗人造地球卫星“大象1号”中,使用了由中国自行研发的“宏晶元结”集成电路。

1989年,中国研制出微处理机可编程集成电路,该电路可以实现对模拟电路、数字电路以及标准的微处理机指令的灵活组合,使得设计师可以更为灵活地实现自己的目标。

自上世纪末以来,我国集成电路的研发技术已经不断地发展,通用型微处理机、ARM、微控制器等现代仿真型集成电路已经投入应用,推动了中国集成电路制造及应用的发展。

集成电路的简史

集成电路的简史

集成电路的简史世界集成电路发展历史1947年:美国贝尔实验室的约翰•巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;1950年:结型晶体管诞生1950年:ROhl和肖克莱发明了离子注入工艺1951年:场效应晶体管发明1956年:CSFuller发明了扩散工艺1958年:仙童公司RobertNoyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;1960年:HHLoor和ECastellani发明了光刻工艺1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义1967年:应用材料公司(AppliedMaterials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器18021976年:16kbDRAM和4kbSRAM问世1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临1979年:Intel推出5MHz8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC1981年:256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世1984年:日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM1985年:80386微处理器问世,20MHz1988年:16MDRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段1989年:1MbDRAM进入市场1989年:486微处理器推出,25MHz,1pm工艺,后来50MHz 芯片采用0.8pm工艺1992年:64M位随机存储器问世1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6pm工艺1995年:PentiumPro,133MHz,采用0.6-0.35pm工艺;1997年:300MHz奔腾口问世,采用0.25pm工艺1999年:奔腾皿问世,450MHz,采用0.25pm工艺,后采用0.18pm工艺2000年:1GbRAM投放市场2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18pm工艺2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13pm工艺。

集成电路的历史和发展过程

集成电路的历史和发展过程

集成电路的历史和发展过程集成电路是现代电子技术的重要组成部分,它的发展经历了数十年的历史。

本文将从历史和发展两个方面来介绍集成电路的演进过程。

一、历史集成电路的概念最早可以追溯到20世纪50年代。

当时,电子器件的尺寸越来越小,工艺技术的发展也为此提供了契机。

1958年,美国的杰克·基尔比提出了集成电路的概念,并成功制造出了第一块集成电路芯片。

这标志着集成电路的诞生,为电子技术的发展带来了革命性的变化。

二、发展过程1. 第一代集成电路(1959-1964年)第一代集成电路采用的是离散元件的集成方式,将多个晶体管等元件封装在同一块半导体材料上。

这种集成方式实现了电子元件的微型化和集成化,但由于工艺限制,集成度不高,功耗较大。

2. 第二代集成电路(1965-1971年)第二代集成电路采用的是小规模集成电路(SSI),集成度相较于第一代有了明显提高。

SSI集成电路的特点是将几十个晶体管集成在同一块芯片上,并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加紧凑,性能也有所提升。

3. 第三代集成电路(1972-1978年)第三代集成电路采用的是中规模集成电路(MSI),集成度进一步提高。

MSI集成电路将几百个晶体管集成在同一块芯片上,并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加精细化,功耗也有所降低。

4. 第四代集成电路(1979-1984年)第四代集成电路采用的是大规模集成电路(LSI),集成度达到了千级。

LSI集成电路将几千个晶体管集成在同一块芯片上,并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加复杂化,功能也有了大幅提升。

5. 第五代集成电路(1985年至今)第五代集成电路采用的是超大规模集成电路(VLSI),集成度进一步提高。

VLSI集成电路将数十万甚至数百万个晶体管集成在同一块芯片上,并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加高度集成化,功耗和体积也得到了进一步优化。

三、未来发展趋势随着科技的不断进步,集成电路的发展也在不断演进。

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集成电路发展史姚连军 120012009323 管理学院09财务管理苏世勇 120012009222 管理学院09市场营销傅彩芬 110012009023 法政学院09公共管理类陈凯 120012009015 管理学院09工商管理集成电路对一般人来说也许会有陌生感,但其实我们和它打交道的机会很多。

计算机、电视机、手机、网站、取款机等等,数不胜数。

除此之外在航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输、武器装备等许多领域,几乎都离不开集成电路的应用,当今世界,说它无孔不入并不过分。

在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。

无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。

1 集成电路概述所谓集成电路(IC),就是在一块极小的硅单晶片上,利用半导体工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件,并连接成完成特定电子技术功能的电子电路。

从外观上看,它已成为一个不可分割的完整器件,集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路,目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。

[1]2 集成电路发展及其影响2.1集成电路的发展集成电路的发展经历了一个漫长的过程,以下以时间顺序,简述一下它的发展过程。

1906年,第一个电子管诞生;1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;1918年前后,逐步发现了半导体材料;1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象;1956年,硅台面晶体管问世;1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。

[2]1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。

1997年:300MHz 奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹。

2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。

集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会。

由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程:[3] 电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路2.1.1集成电路的前奏——电子管、晶体管电子管,是一种在气密性封闭容器中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。

由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点,很快就不适合发展的需求,被淘汰的命运就没躲过。

[4]晶体管,是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

晶体管很快就成为计算机“理想的神经细胞”,从而得到广泛的使用。

虽然晶体管的功能比电子管大了很多,但由于电子信息技术的发展,晶体管也越来越不适合科技的发展,随之出现的就是能力更强的集成电路了。

[5](图1)老式电子管[6] (图2)晶体管[7]2.1.2集成电路的诞生几根零乱的电线将五个电子元件连接在一起,就形成了历史上第一个集成电路。

虽然它看起来并不美观,但事实证明,其工作效能要比使用离散的部件要高得多。

历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手。

当时,晶体管的发明弥补了电子管的不足,但工程师们很快又遇到了新的麻烦。

为了制作和使用电子电路,工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件,如晶体管、二极管、电容器等。

其实,在20世纪50年代,许多工程师都想到了这种集成电路的概念。

美国仙童公司联合创始人罗伯特-诺伊斯就是其中之一。

在基尔比研制出第一块可使用的集成电路后,诺伊斯提出了一种“半导体设备与铅结构”模型。

1960年,仙童公司制造出第一块可以实际使用的单片集成电路。

诺伊斯的方案最终成为集成电路大规模生产中的实用技术。

基尔比和诺伊斯都被授予“美国国家科学奖章”。

他们被公认为集成电路共同发明者。

[8](图3)第一个集成电路[9]以后,随着集成电路芯片封装技术的应用,解决了集成电路免受外力或环境因素导致的破坏的问题。

集成电路芯片封装是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他重要要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。

这样按电子设备整机要求机型连接和装配,实现电子的、物理的功能,使之转变为适用于整机或系统的形式,就大大加速了集成电路工艺的发展。

[10]随着电子技术的继续发展,超大规模集成电路应运而生。

1967年出现了大规模集成电路,集成度迅速提高;1977年超大规模集成电路面世,一个硅晶片中已经可以集成15万个以上的晶体管;1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹,至此,超大规模集成电路的发展又到了一个新的高度。

2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。

集成电路的集成度从小规模到大规模、再到超大规模的迅速发展,关键就在于集成电路的布图设计水平的迅速提高,集成电路的布图设计由此而日益复杂而精密。

这些技术的发展,使得集成电路的发展进入了一个新的发展的里程碑。

相信随着科技的发展,集成电路还会有更高的发展。

[11]中国的集成电路产业起步于20世纪60年代中期,1976年,中国科学院计算机研究所研制成功1000万次大型电子计算机所使用的电路为中国科学院109厂研制的ECL型电路;1986年,电子部提出“七五”期间,我国集成电路技术“531”发展战略,即推进5微米技术,开发3微米技术,进行1微米技术科技攻关;1995年,电子部提出“九五”集成电路发展战略:以市场为导向,以CAD为突破口,产学研用相结合以我为主,开展国际合作,强化投资;在2003年,中国半导体占世界半导体销售额的9%,电子市场达到860亿美元,中国成为世界第二大半导体市场,中国中高技术产品的需求将成为国民经济新的增长动力。

到现在已经初具规模,形成了产品设计、芯片制造、电路封装共同发展的态势。

我们相信,随着我国经济的发展和对集成电路的重视程度的提高,我国集成电路事业也会有更大的发展![12]2.2集成电路发展对世界经济的影响在上个世纪八十年代初期,消费类电子产品(立体声收音机、彩色电视机和盒式录相机)是半导体需求的主要推动力。

从八十年代末开始,个人计算机成为半导体需求强大的推动力。

至今,PC仍然推动着半导体产品的需求。

从九十年代至今,通信与计算机一起占领了世界半导体需求的2/3。

其中,通信的增长最快。

信息技术正在改变我们的生活,影响着我们的工作。

信息技术在提高企业竞争力的同时,已成为世界经济增长的新动力。

2004年,亚太地区已成为世界最大的半导体市场,其主要的推动力是中国国内需求的增长和中国作为世界生产基地所带来的快速增长。

电子终端产品的生产将不断从日本和亚洲其他地区转移到中国。

[13]3 集成电路分类3.1按功能分按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。

前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号;后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。

所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。

例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号。

所谓数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的。

这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。

在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号。

目前,在家电维修中或一般性电子制作中,所遇到的主要是模拟信号;那么,接触最多的将是模拟集成电路。

(图4)模拟电路[14] (图5)数字电路[15]3.2按制作工艺分集成电路按其制作工艺不同,可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。

半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路;膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。

无源元件的数值范围可以作得很宽,精度可以作得很高。

但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。

在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是混合集成电路。

根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路(膜厚为1μm~10μm)和薄膜集成电路(膜厚为1μm以下)两种。

在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

(图6)膜集成电路[16] (图7)半导体集成电路[17] 3.3按高低分按集成度高低不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。

对模拟集成电路,由于工艺要求较高、电路又较复杂,所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路,集成50-100个元器件为中规模集成电路,集成100个以上的元器件为大规模集成电路;对数字集成电路,一般认为集成1~10等效门/片或10~100个元件/片为小规模集成电路,集成10~100个等效门/片或100~1000元件/片为中规模集成电路,集成100~10,000个等效门/片或1000~100,000个元件/片为大规模集成电路,集成10,000以上个等效门/片或100,000以上个元件/片为超大规模集成电路。

3.4按导电类型分按导电类型不同,分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。

前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。

后者工作速度低,但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成,其主要产品为MOS型集成电路。

MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型。

(图8)双极型集成电路[18] (图9)单极型集成电路[19]4 集成电路应用领域4.1在计算机的应用随着集成了上千甚至上万个电子元件的大规模集成电路和超大规模集成电路的出现,电子计算机发展进入了第四代。

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