晶体三极管反相器

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npn型三极管电路

npn型三极管电路

npn型三极管电路
NPN型三极管电路有多种应用,包括放大器、开关、电源等。

以下是一些常见的电路应用:
1.放大器:NPN型三极管可以用于音频放大器或电压放大器。

通过调整基极偏置电阻和集电极负载电阻,可以改变放大倍数和输出电压。

2.开关:NPN型三极管可以作为开关使用,通过控制基极电压来控制三极管的导通和截止。

这种应用通常用于电源开关、继电器等电路中。

3.电源:NPN型三极管可以用于电源电路,例如LDO(低压差线性稳压器)或DC-DC转换器。

在这种应用中,三极管通常与磁性元件和其他电子元件一起工作,以实现电压转换和稳压。

4.光耦:NPN型三极管可以用于光耦合器中,将光信号转换为电信号。

在这种应用中,三极管的基极和发射极之间连接着发光二极管,通过控制基极电压来控制三极管的导通和截止,从而实现光信号的传输。

5.反相器:NPN型三极管可以用于反相器中,将输入信号反相输出。

在这种应用中,三极管的基极和发射极之间连接着电阻或二极管,通过控制基极电压来控制三极管的导通和截止,从而实现信号的反相。

需要注意的是,在使用NPN型三极管电路时,要确保电路的正确性和安全性。

根据实际需求选择适当的元件和参数,并进行正确的连接和调试。

同时,还需要注意三极管的极限参数和使用条件,以避免
损坏或不良后果。

三极管及运算放大器

三极管及运算放大器
三极管及运算放大器
正弦交流信号
U Umax
T
t
三极管及运算放大器
方波信号
三极管及运算放大器
第3章 集成运算放大器及应用
三极管及运算放大器
1 集成运算放大器简介
1.1 集成运算放大器的组成
通常由共发射极放大电路构成,目的 是为了获得较高的电压放大倍数。
输 入 级 中 间 级 输 出 级
通常由差动放 大电路构成, 目的是为了减 小放大电路的 零点漂移、提 高输入阻抗。
红外发射接收电路应用
红外发射电路,用三极管增大 发射功率(发射距离),当 IRTX端接通开关(接电源), 红外管发射信号
红外接收电路,当红外管感应到 红红外光即导通,R5中就有电 流,三极管导通,IRRX端就有 电流输出,可以驱动其他的电路。
三极管及运算放大器
实验三 三极管的放大及开关作用 1、共射极放大电路
三极管及运算放大器
NPN型
集电结
B 发射结
C 集电区
N P 基区 B
N 发射区
E
PNP型
集电结 B 发射结
C 集电区
P
N 基区 B
P
发射区
E
三极管及运算放大器
C
正箭
E
向头
电方
压向
时表
的示
C
电发 流射
方结
向加
E
三极管的选用及参数
电流放大系数 集电极最大允许电流 反向击穿电压 集电极最大允许功耗
三极管及运算放大器
MOS管作为开关的典型应用: 用作双电源的切换
三极管及运算放大器
MOS管开关电路
三极管及运算放大器
三端稳压器件
AC-DC典型电路:7805为5V输出芯片 三端稳压器件的常用芯片有L7800系列

npn_pnp三极管开关电路

npn_pnp三极管开关电路

图1 NPN PNP三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止。

Vin高电平时Q1导通,Q2基极得高电位,Q2截止。

图3 PNP三极管开关电路当输入端悬空时Q1截止。

VIN输入端接入低电平时,Q1导通,继电器吸合。

图5 三极管上拉电阻:当有高电位输入时Q导通,因E-C导通,又因有负载电阻,所以输出看作是低电平。

图7 光藕控制NPN三极管:图9 光藕控制PNP三极管:图2 两只NPN三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止,Q2导通。

Vin接入高电平Q1导通,促使Q2基极电位下级,Q2截止。

图4 PNP三极管开关电路当vin无输入电位时Q1截止。

Vin接入高电平Q1导通,继电器吸合图6 三极管上拉电阻:当有高电位输入时Q导通,因E-C导通,又因有负载电阻,所以输出看作是高电平。

图8 光藕控制NPN三极管:图10 光藕控制PNP三极管:文案编辑词条B 添加义项?文案,原指放书的桌子,后来指在桌子上写字的人。

现在指的是公司或企业中从事文字工作的职位,就是以文字来表现已经制定的创意策略。

文案它不同于设计师用画面或其他手段的表现手法,它是一个与广告创意先后相继的表现的过程、发展的过程、深化的过程,多存在于广告公司,企业宣传,新闻策划等。

基本信息中文名称文案外文名称Copy目录1发展历程2主要工作3分类构成4基本要求5工作范围6文案写法7实际应用折叠编辑本段发展历程汉字"文案"(wén àn)是指古代官衙中掌管档案、负责起草文书的幕友,亦指官署中的公文、书信等;在现代,文案的称呼主要用在商业领域,其意义与中国古代所说的文案是有区别的。

在中国古代,文案亦作" 文按"。

公文案卷。

《北堂书钞》卷六八引《汉杂事》:"先是公府掾多不视事,但以文案为务。

"《晋书·桓温传》:"机务不可停废,常行文按宜为限日。

" 唐戴叔伦《答崔载华》诗:"文案日成堆,愁眉拽不开。

三极管非门电路

三极管非门电路

三极管非门电路随着现代科技的不断发展,电子技术已经成为人们生活中不可或缺的一部分。

而在电子技术中,电路是最基础的组成部分之一。

其中,非门电路是最基本的逻辑门电路之一,它可以实现布尔代数中的非运算。

本文将介绍一种常见的非门电路——三极管非门电路。

一、三极管简介三极管是一种半导体器件,也是电子电路中最常用的元器件之一。

它由三个掺杂不同的半导体材料构成,其中包括两个PN结。

通过控制其中一个PN结的电流,可以控制整个三极管的电流。

三极管具有放大、开关等多种功能,是电子电路中不可或缺的一部分。

二、非门电路简介非门电路是逻辑门电路中最基本的一种,它可以将输入信号反转输出。

在布尔代数中,非运算的结果是将输入信号取反。

因此,非门电路也被称为反相器。

三、三极管非门电路原理三极管非门电路是一种简单的非门电路,它由三个三极管组成。

其中两个三极管被串联在一起,称为共射极放大电路,另一个三极管被连接在共射极电路的输出端,称为反相器。

三极管非门电路的原理如下:当输入信号为高电平时,共射极放大电路的输出信号为低电平,反相器的输入信号为低电平,输出信号为高电平,即将输入信号反转输出。

当输入信号为低电平时,共射极放大电路的输出信号为高电平,反相器的输入信号为高电平,输出信号为低电平,同样将输入信号反转输出。

因此,三极管非门电路可以实现非运算的功能。

四、三极管非门电路的应用三极管非门电路常被应用在数字电路中,例如计算机中的逻辑电路、控制电路等。

在逻辑电路中,非门电路可以用于实现逻辑取反、逻辑与、逻辑或等功能。

在控制电路中,非门电路可以用于实现控制信号的反转。

五、三极管非门电路的优缺点优点:三极管非门电路结构简单,成本低廉,易于制造和维护。

同时,三极管非门电路具有较高的工作速度和可靠性。

缺点:三极管非门电路的功耗较高,容易受到温度、电压等因素的影响。

同时,三极管非门电路的灵敏度较低,需要较大的输入信号才能产生较大的输出信号。

六、总结三极管非门电路是一种常见的非门电路,它由三个三极管组成,通过将输入信号反转输出,实现非运算的功能。

三极管开关电路图

三极管开关电路图

三极管开关电路图
图1 NPN PNP三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止。

Vin高电平时Q1导通,Q2基极得高电位,Q2截止。

图2 两只NPN三极管反相器电路vin无输入电位Q1截止,Q2导通。

Vin接入高电平Q1导通,促使Q2基极电位下级,Q2截止。

图3 PNP三极管开关电路当输入端悬空时Q1截止。

VIN输入端接入低电平时,Q1导通,继电器吸合。

图4 PNP三极管开关电路当vin无输入电位时Q1截止。

Vin接入高电平Q1导通,继电器吸合。

图5 三极管上拉电阻:当有高电位输入时Q导通,因E-C导通,又因有负载电阻,所以输出看作是低电平。

图6 三极管上拉电阻:当有高电位输入时Q导通,因E-C导通,又因有负载电阻,所以输出看作是高电平。

图7 光藕控制NPN三极管。

图8 光藕控制NPN三极管。

图9 光藕控制PNP三极管。

图10 光藕控制PNP三极管。

《电工与电子技术》【 门电路和组合逻辑电路】题目类型【判断题】难度【易】

《电工与电子技术》【 门电路和组合逻辑电路】题目类型【判断题】难度【易】

今天是2008年11月20日课程【电子技术】章节【门电路和组合逻辑电路】题目类型【判断题】难度【易】数目【14】问题【1】删除修改既然加速电容可提高晶体三极管反相器的开关速度,则加速电容容量越大越好。

()答案:错误问题【2】删除修改反相器在基极通过Rb加有负电源一Eb,该电源除可使晶体三极管可靠地截止外,还可以提高抗干扰能力。

()答案:正确问题【3】删除修改用开关晶体二极管可以构成与门,也可以构成非门。

()答案:错误问题【4】删除修改在数字电路中,高电平和低电平指的是一定的电压范围,而不是一个固定不变的数值。

()答案:正确问题【5】删除修改晶体二极管正或门中,工作电源Ec采用正电源供电。

()答案:错误问题【6】删除修改由三个开关串联起来控制一只电灯时,电灯的亮暗同三个开关的闭合、断开之间的对应关系属于“或”的逻辑关系。

()答案:错误问题【7】删除修改“与”逻辑的定义是;只要条件A和条件B任意一个得到满足时,结果就能出现。

()答案:错误问题【8】删除修改“或”逻辑的定义是;只有当条件A和条件B都得到满足时,结果才能出现。

()答案:错误问题【9】删除修改“或”逻辑的定义是;只有当条件A和条件B都得到满足时,结果才能出现。

()答案:错误问题【10】删除修改代表逻辑1的逻辑信号的电子一定高于代表逻辑0的信号的电子。

()答案:错误问题【11】删除修改反相器中的加速电容,主要用于减少输出波形的上升时间。

()答案:错误问题【12】删除修改单稳态触发器从稳态翻转为暂稳态不需外加信号触发。

答案:错误问题【13】删除修改单稳态解发器从暂态转为稳态是截止管先退出截止区,饱和管后退出饱和区。

答案:正确问题【14】删除修改多谐振荡器需要外加信号触发才能不断地翻转。

答案:错误。

数字电路和数字逻辑


1. 晶体二极管及其单方向导电特性
通常情况下,可把一些物体划分成导体(双向导电)和 绝 缘体(不导电)两大类。在这两类物体的两端有电压存在时, 会出现有电流流过或无电流流过物体的两种不同情形。
人们也可以制作出另外一类物体,使其同时具备导体和绝
缘体两种特性,其特性取决于在物体两端所施加电压的方向, 当在一个方向上有正的电压(例如 0.7V)存在时,可以允许电 流流过(如图所示),此时该物体表现出导体的特性;
计算机中常用的逻辑器件,包括组合逻辑和时序逻辑电路 两大类别;也可以划分为专用功能和通用功能电路两大类别。
组合逻辑电路的输出状态只取决于当前输入信号的状态, 与过去的输入信号的状态无关,例如加法器,译码器,编码器, 数据选择器等电路;
时序逻辑电路的输出状态不仅和当前的输入信号的状态有 关,还与以前的输入信号的状态有关,即时序逻辑电路有记忆 功能,最基本的记忆电路是触发器,包括电平触发器和边沿触 发器,由基本触发器可以构成寄存器,计数器等部件;
而在相反的方向上施加一定大小的电压时, +
-
该物体中不会产生电流,表现出绝缘体的
的特性,即该物体只能在单个方向上导电, 这样的物体被称为半导体。制作出的器件
电流 i
被称为二极管。
二极管的内部结构及其开关特性
绝缘体和导体不同的导电特性是由于它们不同的原子结构 特性造成的。
通过在绝缘材料中有控制地掺加进少量的导电物质,可以 使得到的材料有一定的导电特性。例如在 4价的硅材料(每个原 子核周围有 4个电子)中掺杂进少量 5价的金属材料形成 N型材 料,或者掺杂进少量 3价的金属材料形成 P型材料,使新得到的 材料中总的原子核数量与电子的数量不满足 1:4 的关系, N型 材料中形成有极少量的带负电荷的多余电子, P型材料中缺少 极少量的电子(反过来称为有极少量的带正电的空穴),这些 电子和空穴可以成为导电的载流子。当把这样的两种材料结合 在一起时,就表现出在单个方向导电的特性,这就是半导体, 做成器件就是二极管。当P型材料一端(称为二极管的正极)有 比N型材料一端(称为二极管的负极)高 0.7 伏的电压时,就会 产生从正极流向负极的电流,小的反向电压则不会产生电流。

三极管简单电路

三极管简单电路
三极管是一种常用的电子元件,它可以被用来放大信号或者作为开关。

在简单电路中,三极管常常被用于放大音频信号或控制电流。

下面将介绍一些常见的三极管简单电路。

1. 三极管共射放大器电路:这种电路是最基本的三极管放大电路,它的基极连接信号源,发射极接地,集电极接负载。

当信号到达基极时,三极管将放大它,并将信号送到负载上。

2. 三极管共基放大器电路:在这种电路中,基极被接地,发射极连接信号源,集电极接负载。

相比于共射放大器电路,共基放大器电路具有更小的输出阻抗和更高的带宽。

3. 三极管反相器电路:这种电路将三极管作为开关使用,当输入信号为低电平时,三极管处于截止状态,输出为高电平;当输入信号为高电平时,三极管处于饱和状态,输出为低电平。

4. 三极管稳压器电路:这种电路可以用来保持输出电压的恒定值。

当输入电压变化时,三极管会自动调整输出电压以保持恒定。

以上是一些常见的三极管简单电路,它们可以被应用在各种电子设备中。

在设计电路时,需要根据具体需求选择合适的电路。

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三极管的常见应用电路小结

三极管的常见应用电路小结1. 反相器反相的意思就是:输入为1,输出为0;输入为0,输出为1:开关反相控制LED的;这里的R1的作用为限流.使三极管导通,Ib大概流过1mA左右的电流即可.计算(5-0.6)/4.7K;蓝色LED的压降大概是3.3V,驱动电流5~17ma即可;正常应用时,可以设置偏大一些。

2. 电流镜在晶体管运放芯片中会出现电流镜...也是对三极管的一种应用:根据Q4与Q3的集电极电流应该相等的原则,就可以在Q3的集电极端做一个电流控制的电路啦...3. 三极管的开关电路开关电路应用的普遍性就不用我多讲了。

输入电压Vin控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。

详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管工作在截止(cut off)区。

同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管工作在饱和区(saturation)。

一般而言,可以假设当三极管开关导通时,其基极与射极之间是完全短路的。

应用实例:下图是英特尔公司某块主板中电路图的一部分,就是一个典型的三极管应用电路。

电路分析:当A为高电平时,三极管1导通,所以输出B点跟发射极电平相同,为低电平;因为B为低电平,所以三极管2截止,输出C为高电平。

当A为低电平时,三极管1截止,所以输出B点为高电平;因为B为高电平,所以三极管2导通,输出C为低电平。

4. 三极管的推挽型射极跟随器由于射极带负载电阻的射极跟随器,在输出很大电流时也就是阻抗较低情况时,输出波形的负半轴会被截去,不能得到完整的输出最大电压而失真。

为提升性能并改善这个缺点将发射极负载电阻换成PNP管的射极跟随器电路称之为推挽射极跟随器。

反相器结构

反相器结构
反相器(inverter)是一种基本的逻辑门电路,它将输入信号取反输出。

在数字电路和逻辑电路中,反相器的结构可以采用不同的实现方式,下面是两种常见的反相器结构:
1. 三极管反相器结构:这种结构使用三极管(通常是NPN型)作为开关来实现反相功能。

输入信号通过基极控制三极管的导通和截止,从而产生输出信号的反向。

具体的连接方式是将输入信号连接到三极管的基极,输出信号从三极管的集电极获取。

当输入为高电平时,三极管导通,输出为低电平;当输入为低电平时,三极管截止,输出为高电平。

2. MOSFET反相器结构:这种结构使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来实现反相功能。

MOSFET有两个基本模式:增强型(Enhancement Mode)和耗尽型(Depletion Mode)。

在反相器结构中,常用的是增强型MOSFET。

输入信号通过控制栅极电压来控制MOSFET的导通和截止,从而实现反向输出。

具体的连接方式是将输入信号连接到MOSFET的栅极,输出信号从MOSFET的漏极获取。

当输入为高电平时,MOSFET截止,输出为高电平;当输入为低电平时,MOSFET 导通,输出为低电平。

这些是常见的反相器结构,它们在数字电路和逻辑电路中被广泛应用,用于信号处理、逻辑运算和数据传输等方面。

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晶体三极管反相器
一、反相器的工作原理
反相器又称“非门”。

图3.10 (a)和(b)分别给出了晶体三极管反相器的电路图和逻辑符号。

图中,负电源UB的作用是保证输入ui为低电平时晶体管T能可靠截止。

图中,二极管DQ和电源UQ组成钳位电路,使输出高电平稳定在规定的标准值(3.2V)。

电路中给定的参数可以保证当输入ui为高电平3.2V时晶体管T可靠饱和导通,输出电压uo为低电平0.3V,;而当ui为低电平0.3V时,T可靠截止,输出电压uo等于钳位电源UQ与钳位二极管DQ的导通压降之和,即uo=2.5V+0.7V=3.2V,为高电平。

输出与输入之间满足逻辑"非"的关系,实现了反相器的功能。

二、反相器的负载能力
反相器的负载:是指反相器输出端所接的其他电路(如图3.11中虚线框所示的电路)。

它分为"灌电流负载"和"拉电流负载”两种情况。

灌电流负载:是指负载电流IL从负载流入反相器。

拉电流负载:是指负载电流IL从反相器流入负载。

1.灌电流负载
图3.11所示为一个带有两个带灌电流负载的晶体管反相器电路。

当晶体管T饱和导通时,反相器输出低电平,负载电流IL流入T的集电极,形成灌电流负载。

集电极电流IC=IRc+IL,IL随负载个数的增加而增大。

当IC随着IL的增加而变大时,对应的基极饱和电流IBS也变大,致使三极管的饱和程度减轻。

一旦因IL继续增加而导致Ib>IBS(基极临界饱和电流)这一关系被破坏时,T将由饱和状态进入放大状态,输出电压uo就会随着管压降uce的上升而变高,从而偏离输出标准低电平,严重时将破坏反相器的逻辑功能。

为了使反相器正常工作,在带灌电流负载的情况下,不能破坏条件Ib>IBS。

通常用ILmax表示三极管从饱和退到临界饱和时所允许灌入的最大负载电流,该电流反映了三极管带灌电流负载的能力。

此条件限制了反相器带负载的数量。

提高带灌电流负载能力的关键是加大三极管的饱和深度,饱和越深,带负载能力越强。

三极管T截止时,反相器输出uo为高电平(3.2V),负载电流IL和IRc都流入钳位电源UQ。

2.拉电流负载
图3.12所示为一个带拉电流负载的晶体管反相器电路,负载等效电路如图中虚线框所示。

当反相器输入低电平时,三极管截止,电流IL从反相器中流出来,形成拉电流负载。

由于三极管截止,所以Ic≈0,IRc=IL+IQ,假设输出uo=3.2V不变,则IRc=(UCC-3.2V)/Rc 是一个定值。

随着负载电流IL的增加,IQ必然减小,当IL≈IRc时,IQ≈0,此时钳位二极管失去作用。

若IL继续增大,则IRc将不再是定值而是随之增大,从而使Rc上压降增大,致使输出电压uo降低。

因此,反相器的最大拉电流应小于IRc,即
ILmax<IRc≈(UCC-3.2V)/Rc
当T饱和时,输出低电平uo≈0.3V,IQ=0,IRc=IL+Ic,IL增大,Ic变小,这有利于饱和。

但要求IL不超过IRc最大值,否则将破坏反相器的正常工作。

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