怎样快速判断场效应管的好坏
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。
2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。
3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。
如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。
4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。
如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。
5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。
6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。
具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。
通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。
如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。
场效应管怎么测量好坏
场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
场效应管好坏的判断方法
场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。
在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。
本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。
一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。
在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。
根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。
二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。
主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。
良品场效应管的静态参数应符合设计要求。
2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。
可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。
优质场效应管的动态性能应较好。
3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。
良品场效应管的栅极电阻应较大。
4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。
优质场效应管的漏极电流应较小。
5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。
优质场效应管的线性度应较好。
三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。
2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。
3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。
4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。
5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。
场效应管怎样测量好坏
场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。
若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。
同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。
(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。
在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。
用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。
若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。
用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。
(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。
用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。
对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。
若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。
用万用表定性判断场效应管、三极管
一、定性判断MOS型场效应管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。
1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）
对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。
2.判别发射极和集电极
注意事项：
（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。
三、晶体三极管管脚判别
如何定性判断场效应管、三极管的好坏？
如何定性判断场效应管、三极管的好坏？
场效应管和三极管的相同点就是都为半导体器件，并且都可以作为信号的放大和电子开关使用，既然都是半导体器件，那么其内部也都会有PN结的存在，而且大多数的损坏都表现为击穿，所以只要会测二极管，就可以测量这两种的好坏了，下面我们来看具体方法。
三极管的测量方法
我们可以将三极管看做是两个背靠背或面对面的二极管，使用数字万用表的二极管档位依次测量两个PN结就可以测出损坏了。
1.将数字万用表打至二极管档位，红黑表笔分别接触基极和集电极，正反测量只有一组读数则为正常。
否则为集电结击穿。
2.再将红黑表笔分别接触基极和发射极，正反测量只有一组读数为正常，否则为发射结击穿。
并且这个读数和第一步中的读数差不多大小为正常，如果偏差过大则视为性能不良。
3.红黑表笔分别接集电极和发射极，不管正反测量都没有读数显
示为正常，否则为损坏。
场效应管测量方法
场效应管和三极管一样同样有三个电极，分别为栅极、源极和漏极，使用数字万用表的200K电阻档位，分别测量每两个管脚的阻值，当有两个管脚的正反阻值差不多大小时，这两个即为源极和漏极，其余一脚为栅极。
下面我们以N沟道场效应管为例，来看下测量方法（测量前需短路放电）。
1.将万用表置于二极管档位，红黑表笔正反接源极和漏极，只有一组显示数值为正常，正反都有数值显示且很小说明漏源击穿。
2.将红表笔接漏极，黑表笔接源极，没有读数显示为正常，此时黑表笔不动，红表笔碰触一下栅极（栅源充电），然后再接回漏极，此时会有读数显示（漏源导通），且数值应该越来越大为正常。
3.将三个管脚短路放电，再用红表笔接漏极，黑表笔接源极，此时没有数值显示为正常。
场效应管好坏测量
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚ຫໍສະໝຸດ G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。�
检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
如何测试判断场效应管好坏？
如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
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怎样快速判断场效应管的好坏
将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。
先将黑表笔接在G极上，然后红表笔分别触碰D极和S极，然后再对换表笔，再测，如这两次测得的结果，都使万用表的指针不动，那么，初步判断这个场效应管是好的。
最后，在将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
经过这两次判断，这个场效应管就是好的。
如果所测的结果与上述不符，则这个场效应管就是坏的。
要么是击穿了，要么是性能不好了。
用万用表定性判断场效应管
一、定性判断MOS型场效应管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。
反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：
（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。
但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极
时，有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位
和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。
（2）也可以
用舌尖舔住栅极，现象同上。
场效应管有什么作用还有怎样来测量极性和判断好坏，放大倍数等
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加
到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。
无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。
为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。