怎样去选择好逆变器功率器件
智能电力技术的逆变器选购与配置建议
智能电力技术的逆变器选购与配置建议随着科技的不断进步和智能电力技术的迅速发展，逆变器作为电力转化的关键设备，在现代生活中扮演着重要的角色。
逆变器的作用是将直流电转换为交流电，使得电力可以在家庭和工业中得到合理应用。
因此，正确选择和配置逆变器对于电力系统的稳定性和效率至关重要。
本篇文章将为大家提供一些关于智能电力技术逆变器选购和配置建议。
合理的逆变器选购是确保电力系统高效稳定运行的基础。
首先，需要根据实际需求选择适合的逆变器类型。
目前市场上常见的逆变器有字符串逆变器、微逆变器和集中式逆变器等。
字符串逆变器适用于较大的太阳能电池组串装置，能够有效提高整个电池组串的稳定性和效率。
而微逆变器适用于小型太阳能电池组串装置，能够提高系统的可靠性和灵活性。
集中式逆变器适用于需要大量太阳能电池的大型电力系统，可以通过多路并联来提高系统的效率。
在选择逆变器类型时，需要充分考虑系统规模、发电容量和电力需求等因素。
其次，需要关注逆变器的技术参数。
技术参数是逆变器性能的重要指标，对于逆变器的质量和性能有着直接影响。
首先，需要关注逆变器的额定容量。
逆变器的额定容量决定了其最大输出功率，需要根据电力需求选择合适的容量。
此外，还需要关注逆变器的转换效率。
转换效率是逆变器将直流电转换为交流电的效率，通常以百分比表示。
高效的逆变器具有较高的转换效率，能够最大程度地减少能源浪费。
另外，还需关注逆变器的电压范围和频率范围等参数，确保选购的逆变器能够满足电力系统的要求。
除了选择合适的逆变器类型和技术参数外，正确的逆变器配置也是保证电力系统正常运行的重要环节。
首先，需要合理配置逆变器的安装位置。
逆变器的安装位置应避免暴露在阳光直射的地方，以免过热影响逆变器的性能。
同时，应选取通风良好的位置，保证逆变器散热效果。
其次，需要关注逆变器的线缆连接。
逆变器的电缆接线应牢固可靠，避免因连接不良而引起电源中断或故障。
此外，逆变器应接地良好，以保证系统的安全性。
逆变器的主要技术性能及评价选用
逆变器的主要技术性能及评价选用逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置，主要用于太阳能发电系统、风能发电系统等可再生能源发电系统中，也可以用于电力系统中的稳压、稳频、逆变等应用。
其主要技术性能和评价选用如下。
1.转换效率：逆变器的转换效率是衡量其能量转换效率的重要指标。
高转换效率可以最大限度地提高能源利用率，节约能源成本。
因此，在选择逆变器时，应选用转换效率高的产品。
通常来说，高效逆变器的效率可以达到90%以上。
2.电压波形：逆变器应能提供高质量的交流输出电压波形，以确保正常运行各种电器设备。
同时，电压波形应具有较低的谐波含量和较小的峰值变动，以减少对设备的损害。
因此，在选用逆变器时要考虑其电压波形质量。
3.输出功率：逆变器的输出功率应能满足实际应用需求。
根据所需的负载功率大小，选用适当规格的逆变器，以确保其稳定运行并能满足负载要求。
4.抗干扰能力：逆变器作为电力传输和变换设备，必须具备一定的抗干扰能力，以防止外界电磁干扰对其正常工作的影响。
应选用抗干扰能力较强的逆变器，以确保其在复杂电磁环境下的稳定工作。
5.保护功能：逆变器应具备过载保护、短路保护、过温保护等多种保护功能，以确保逆变器及其连接的设备在故障发生时能够及时断开电源，保护设备的安全和延长逆变器的使用寿命。
6.可靠性：逆变器作为重要的能源转换设备，其可靠性是评价其性能的重要指标。
应选择具有稳定性高、寿命长、可靠性好的逆变器产品，降低故障发生率和维修成本。
7.控制方式：逆变器应具备智能化控制功能，以实现对逆变器的运行状态、输出功率、参数设置等的监测和调节。
现代逆变器通常采用数字化控制方式，具备远程监测、智能化运行等功能。
总之，逆变器的主要技术性能包括转换效率、电压波形、输出功率、抗干扰能力、保护功能、可靠性和控制方式等。
在选用逆变器时，需要综合考虑以上各项指标，并根据实际需求进行选择，以确保逆变器的正常运行和性能优良。
逆变器场效应管型号
逆变器场效应管型号
在选择逆变器场效应管（MOSFET）型号时，需要考虑以下因素。
1.最大工作电压：逆变器工作电压通常高于市电输入电压，因此需要选择最大工作电压高于逆变器工作电压的MO SFET。
2.最大工作电流：MOSFET需要能够承受逆变器工作时产生的最大电流，包括负载电流和开关电流。
3.开关频率：逆变器的开关频率会影响MOSFET的选择，因为不同型号的MOSFET具有不同的开关速度和开关损耗。
4.导通电阻：MOSFET的导通电阻越小，开关损耗越低，效率越高。
因此，在选择MOSFET时需要考虑其导通电阻。
5.封装类型：MOSFET的封装类型会影响其散热性能和应用场合。
例如，功率较大的MOSFET通常采用TO-247或TO-220封装。
6.电压和电流等级：需要选择符合逆变器功率级别的M OSFET，以确保其能够安全地承受电压和电流。
7.价格：成本也是选择MOSFET时需要考虑的因素之一。
在满足性能要求的前提下，可以选择性价比较高的产品。
基于以上因素，您可以根据逆变器的具体应用需求来选择合适的MOSFET型号。
在实际应用中，还需要考虑开关
速度、驱动电路、ESD保护等因素，以确保MOSFET的正常工作和安全。
逆变器选型与布置设计
逆变器选型与布置设计逆变器选型与布置设计：逆变器是将直流电能转换为交流电能的设备，广泛应用于太阳能光伏发电系统、风能发电系统和电动车等领域。
逆变器选型与布置设计是保证系统正常运行和性能优化的关键步骤。
在这里，我将为您详细介绍逆变器选型与布置设计的相关内容。
一、逆变器选型：1. 了解系统要求：在选择逆变器之前，首先需要了解光伏发电系统的总装机容量、输出电压要求、并网条件等系统要求。
根据这些要求，进行逆变器的选型。
2. 功率选择：根据光伏系统的总装机容量和预计发电功率，选择合适的逆变器功率。
一般来说，逆变器的额定功率应略大于光伏阵列的峰值功率，以确保逆变器能够正常运行。
3. 并网要求：了解所在地区电网的并网要求，如并网电压范围、频率范围、功率因数调整等。
选择符合电网要求的逆变器。
4. 品牌和可靠性：选择知名度高、质量可靠的逆变器品牌，能够提供可靠的售后服务和保修。
5. 保护功能：逆变器需要具备多种保护功能，如过温保护、短路保护、过载保护等。
确保选择的逆变器具备完善的保护功能，提高光伏系统的安全性。
6. 成本考虑：除了功能和性能要求，还要考虑逆变器的成本。
根据项目的预算，选择性价比较高的逆变器。
二、逆变器布置设计：1. 环境条件：选定逆变器后，需要考虑逆变器的布置环境条件。
逆变器应该远离高温、潮湿、尘土等环境，以确保其正常运行和寿命。
2. 通风散热：逆变器在工作过程中会产生一定的热量，因此应该选择通风良好的位置进行布置，以方便逆变器的散热，避免过热引起故障。
3. 安装位置选择：逆变器应该离光伏电池板与电网的距离尽量短，减少输电损耗。
同时，布置位置应该便于观察和维护。
4. 接线布置：逆变器的电缆布置应尽量短，减少电缆的损耗和距离带来的问题。
同时，应注意电缆的密封和固定，避免受潮、机械损坏等。
5. 接地设计：逆变器的接地设计要符合电气安全规范，确保系统的接地可靠。
与电池、电网、机壳等部件应合理接地。
6. 避雷保护：逆变器应与系统的避雷装置相连，避免雷击引起的损坏。
分布式逆变器选型及功率因数控制策略
分布式逆变器选型及功率因数控制策略一、引言分布式逆变器作为太阳能发电系统的关键部件之一，具有将直流电能转化为交流电能的作用。
在太阳能发电系统中，逆变器的选型和功率因数控制策略的优化对系统的性能和稳定运行至关重要。
本文将以分布式逆变器选型及功率因数控制策略为主题，探讨该领域的相关知识和技术。
二、分布式逆变器选型1. 根据系统规模选择逆变器容量：根据太阳能发电系统的规模，选择适合的逆变器容量。
通常情况下，大规模系统可以采用集中式逆变器，而小规模系统则可以采用分布式逆变器。
2. 考虑逆变器的效率和可靠性：在选型过程中，需要考虑逆变器的效率和可靠性。
高效率的逆变器可以提高系统的发电效率，同时可靠性也是确保系统正常运行的重要因素。
3. 选择适当的逆变器类型：分布式逆变器的类型有多种，如串联逆变器、并联逆变器和微逆变器等。
根据系统的需求和实际情况选择适合的逆变器类型。
4. 考虑逆变器的通信与监控功能：选择具有通信和监控功能的逆变器可以实现对系统运行状态的实时监测和远程控制，提高系统的可管理性和可维护性。
三、功率因数控制策略1. 什么是功率因数：功率因数是描述有功功率和视在功率之间关系的参数。
功率因数越接近1，系统的电能利用效率越高。
2. 功率因数控制的目标：通过逆变器的控制策略，调整系统的功率因数，使其接近1，以提高系统的能量利用效率。
同时，合理的功率因数控制还可以减少电网对太阳能发电系统的不利影响。
3. 传统的功率因数控制方法：传统的功率因数控制方法包括电容器补偿、电感器补偿和同步逆变器。
这些方法可以通过调整电网侧的电气参数来实现功率因数的控制。
4. 现代的功率因数控制方法：现代的功率因数控制方法采用电子器件的控制策略来实现。
常见的方法包括调制技术、电流控制技术和谐波抑制技术等。
这些方法可以提高系统的响应速度和精度。
四、分布式逆变器选型及功率因数控制策略的应用1. 太阳能发电系统中的选型和控制：分布式逆变器在太阳能发电系统中发挥着关键作用。
怎样去选择好逆变器功率器件
怎样去选择好逆变器功率器件逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（GTR），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等。
在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET 具有较低的通态压降和较高的开关频率；在高压中容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT 在中容量系统中占有较大的优势；而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。
⑴ 功率器件的分类：① GTR电力晶体管(Giant Transistor)：GTR功率晶体管即双极型晶体管(bipolar transistor),所谓双极型是指其电流由电子和空穴两种载流子形成的。
一般采用达林顿复合结构。
它的优点是：高电流密度和低饱和电压。
它的缺点即MOSFET的优点(见下)。
② MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tyansistor)功率场效应模块(金属氧化物场效应管)：其优点是：η开关速度快：功率MOSFET又称VDMOS，是一种多子导电器件，参加导电的是多数载流子，没有少子存储现象，所以无固有存储时间，其开关速度仅取决于极间寄生电容，故开关时间极短(小于50－100ns),因而具有更高的工作频率(可达100KHz以上)。
η驱动功率小：功率MOSFET是一种电压型控制器件，即通断均由栅极电压控制。
完全开通一个功率MOSFET仅需要10－20毫微秒库仑的电荷，例如一个1安培、10毫微秒宽的方波脉冲，完全开通一个功率MOSFET仅需要10毫微秒的时间。
另外还需注意的是在特定的下降时间内关断器件无需负栅脉冲。
由于栅极与器件主体是电隔离的，因此功率增益高，所需要的驱动功率很小，驱动电路简单。
η安全工作区域(SOA)宽：功率MOSFET无二次击穿现象，因此其SOA较同功率的GTR双极性晶体管大，且更稳定耐用，工作可靠性高。
逆变器选择标准
1、是否正规厂家生产：正规的产品，一定会有中文商标及生产厂家，并且包装上印有厂家地址及电话，如没有，则可以基本判定为三无产品。
国内有不少产品，打一堆洋文，却连商标、生产厂家都没有，还美其名曰进口产品，这种产品最好别买，如果出了质量问题，连找谁都不知道，别指望销售商能给你保证售后服务。
2、一定要选用金属外壳产品：车载逆变器由于功率较大，发热亦大，如果内部热量不能及时散出，轻则影响元器件寿命，重则有产生火灾的危险。
金属外壳，一方面具有良好的散热特性，另一方面也不会燃烧。
塑胶外壳的产品，最好不要选用。
即使加了风扇帮助散热，一是增加了使用中的噪音，二是风扇工作寿命一般都比较短，这样就降低了整机的可靠性，万一哪天停转了，后果可就严重了。
3、一定要选用分体式产品，不能选用一体式的产品：一体式的缺点有四个，第一、由于汽车点烟器插座不是很深，一体式产品后部较重，汽车行驶过程中的颠簸容易将逆变器抖掉或引起接触不良。
第二、一体化逆变器插在点烟器插座上，后部露出较长，会影响右手的换档操作，这可是跟行车安全息息相关的，千万注意了。
第三、由于直接插在点烟器插座上，一体式逆变器后排无法使用。
第四、一体式外壳都是塑胶，大家都知道塑胶不耐高温，因此一体式逆变器跟点烟器插座接触部分通过大电流会产生高温，导致头部变形或熔化，严重还会引起火灾。
因此无论从使用安全还是从使用方便性上来看，都不能选用一体式的逆变器。
4、各种保护功能是否完善：一台好的车载逆变器，应该具备完善的保护功能，在各种情况下均能保护您的爱车及电源。
还应具有声光报警功能，提醒您对各种情况及时作出处理。
一般应具有的保护功能为输入欠压、过压保护、过温保护、输出过载、输出短路保护。
5、转换效率：这是逆变器非常重要的一个指标，逆变效率越高，电瓶使用时间越久，逆变器发热越小。
一般应达到90%以上。
但这个指标用户没办法测试，只能靠厂家良心来标了。
用户只能通过带大功率的负载，从逆变器的发热量来进行简单判别了。
太阳能发电中的逆变器选购与配置指南
太阳能发电中的逆变器选购与配置指南随着对可再生能源需求的不断增长，太阳能发电作为一种清洁、可再生的能源选择，正受到越来越多人的关注和应用。
在太阳能发电系统中，逆变器起着至关重要的作用，它能将太阳能电池板所产生的直流电转换为交流电以供家庭、工业和商业应用。
本文将介绍太阳能发电中逆变器的选购与配置指南，以帮助您更好地了解如何选择和配置适合您需求的逆变器。
1. 了解系统负载需求在选购逆变器之前，首先需要明确您的系统负载需求。
您需要考虑的因素包括：系统容量、负载类型和用电需求。
这将有助于确定逆变器的额定功率以及所需的输入电压范围。
2. 选定逆变器类型目前市场上主要有以下几种类型的太阳能逆变器：单相逆变器、三相逆变器和微逆变器。
单相逆变器适用于小型家庭应用，具有较低的功率输出。
三相逆变器适用于商业和工业应用，具有较高的功率输出。
微逆变器可适用于分布式发电系统，每个太阳能板都配备一个微逆变器。
3. 考虑逆变器的转换效率逆变器的转换效率是衡量其性能的重要指标之一。
逆变器的转换效率越高，它所能转换的太阳能电能就越多，从而提高整个太阳能发电系统的效率。
因此，在选购逆变器时，应考虑选择高转换效率的产品。
4. 了解逆变器的保护功能逆变器应具备一系列的保护功能，以确保太阳能发电系统的安全运行。
这些保护功能包括：过压保护、电流保护、过载保护、短路保护和温度保护等。
选购逆变器时，应关注其所具备的保护功能并确保满足您的需求。
5. 考虑逆变器的通信功能逆变器的通信功能是现代太阳能发电系统中越来越重要的特性之一。
通过通信功能，用户可以实时监控系统的性能和运行状况。
一些逆变器还具备远程监控和故障诊断功能，能够提供更便捷的维护和管理。
因此，在选购逆变器时，您可以考虑是否需要具备通信功能。
6. 根据预算选择逆变器太阳能逆变器的价格与其品牌、转换效率和功能等因素相关。
在选购逆变器时，您需要根据自己的预算来选择适合的产品。
然而，为了确保系统的长期性能和可靠性，建议不要仅仅以价格来决定选购逆变器的品质。
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怎样去选择好逆变器功率器件
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（GTR），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等。
在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET 具有较低的通态压降和较高的开关频率；在高压中容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT 在中容量系统中占有较大的优势；而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。
⑴ 功率器件的分类：
① GTR电力晶体管(Giant Transistor)：
GTR功率晶体管即双极型晶体管(bipolar transistor),所谓双极型是指其电流由电子和空穴两种载流子形成的。
一般采用达林顿复合结构。
它的优点是：高电流密度和低饱和电压。
它的缺点即MOSFET的优点(见下)。
② MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tyansistor)
功率场效应模块(金属氧化物场效应管)：其优点是：
η开关速度快：功率MOSFET又称VDMOS，是一种多子导电器件，参加导电的是多数载流子，没有少子存储现象，所以无固有存储时间，其开关速度仅取决于极间寄生电容，故开关时间极短(小于50－100ns),因而具有更高的工作频率(可达100KHz以上)。
η驱动功率小：功率MOSFET是一种电压型控制器件，即通断均由栅极电压控制。
完全开通一个功率MOSFET仅需要10－20毫微秒库仑的电荷，例如一个1安培、10毫微秒宽的方波脉冲，完全开通一个功率MOSFET仅需要10毫微秒的时间。
另外还需注意的是在特定的下降时间内关断器件无需负栅脉冲。
由于栅极与器件主体是电隔离的，因此功率增益高，所需要的驱动功率很小，驱动电路简单。
η安全工作区域(SOA)宽：功率MOSFET无二次击穿现象，因此其SOA较同功率的GTR双极性晶体管大，且更稳定耐用，工作可靠性高。
η过载能力强：功率MOSFET开启电压(阀值电压)一般为2－6v，因此具有很高的噪声容限和抗干扰能力。
η并联容易：功率MOSFET的通态电阻具有正稳定系数(即通态电阻随结温升高而增加)，因而在多管并联时易于均流，对扩大整机容量有利。
η功率MOSFET具有较好的线性，且对温度不敏感。
因此开环增益高，放大器级数相对可减少。
η器件参数一致性较好，批量生产离散率低。
功率MOSFET的缺点：导通电阻大，且随温度升高而增大。
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⑵ 功率MOSFET的主要参数特性：
① 漏源击穿电压(V) V(BR)DSS ：是在UGS ＝0时漏极和源极所能承受的最大电压，它是结温的正温度系数函数。
② 漏极额定电流ID ：ID 是流过漏极的最大的连续电流，它主要受器件工作温度的限制。
一般生产厂家给出的漏极额定电流是器件外壳温度Tc＝25℃时的值，所以在选择器件时要考虑充分的裕度，防止在器件温度升高时漏极额定电流降低而损坏器件。
③ 通态电阻RDS(ON) ：它是功率MOSFET导通时漏源电压与漏极电流的比率，它直接决定漏极电流。
当功率MOSFET导通时，漏极电流流过通态电阻产生耗散功率，通态电阻值愈大，耗散功率愈大，越容易损坏器件。
另外，通态电阻与栅极驱动电压UGS有关，UGS 愈高，RDS(ON) 愈小，而且栅源电压过低，抗干扰能力差，容易误关断；但过高的栅极电压会延缓开通和关断的充放电时间，即影响器件的开关特性。
所以综合考虑，一般取UGS ＝12－15V为宜。
手册中给出的RDS(ON) 是指器件温度为25℃时的数值，实际上器件温度每升高1℃，RDS(ON) 将增大0.7%,为正温度系数。
④ 最大耗散功率PD (W)：是器件所能承受的最大发热功率(器件温度为25℃时)。
⑤ 热阻RΘjc (℃/W)：是结温和外壳温度差值相对于漏极电流所产生的热功率的比率。
其中：θ－表示温度，J－表示结温，C－表示外壳。
⑥ 输入电容(包括栅漏极间电容CGD和栅源极间电容CGS) ：在驱动MOSFET中输入电容是一个非常重要的参数，必须通过对其充放电才能开关MOSFET，所以驱动电路的输出阻抗将严重影响MOSFET的开关速度。
输出阻抗愈小，驱动电路对输入电容的充放电速度就越快，开关速度也就越快。
温度对输入电容几乎没有影响，所以温度对器件开关速度影响很小。
栅漏极间电容CGD 是跨接在输出和输入回路之间，所以称为米勒电容。
⑦ 栅极驱动电压UGS ：如果栅源电压超过20v，即使电流被限于很小值，栅源之间的硅氧化层仍很容易被击穿，这是器件损坏的最常见原因之一，因此，应该注意使栅源电压不得超过额定值。
还应始终记住，即使所加栅极电压保持低于栅－源间最大额定电压，栅极连续的寄生电感和栅极电容耦合也会产生使氧化层损坏的振荡电压。
通过栅漏自身电容，还可把漏极电路瞬变造成的过电压耦合过来。
鉴于上述原因，应在栅－源间跨接一个齐纳稳压二极管，以对栅极电压提供可靠的嵌位。
通常还采用一个小电阻或铁氧体来抑制不希望的振荡。
⑧ MOSFET的截止，不需要象双极晶体管那样，对驱动电路进行精心设计(如在栅极加负压)。
因为MOSFET是多数载流子半导体器件，只要把加在栅极－源极之间的电压一撤消(即降到0v),它马上就会截止。
(见参(2) P70)
⑨ 在工艺设计中，应尽量减小与MOSFET各管脚连线的长度，特别是栅极连线的长度。
如果实在无法减小其长度，可以用铁氧体小磁环或一个小电阻和MOSFET 的栅极串接起来，这两个元件尽量靠近MOSFET的栅极。
最好在栅极和源极之间再接一个10K的电阻，以防栅极回路不慎断开而烧毁MOSFET。
功率MOSFET内含一个与沟道平行的反向二极管，又称“体二极管”。
注意：这个二极管的反向恢复时间长达几us到几十us，其高频开关特性远不如功率MOSFET本身，使之在高频下的某些场合成了累赘。
⑶ IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor)绝缘门极双极型晶体管：
通态电阻RDS(ON) 大是MOSFET的一大缺点，如在其漂移区中注入少子，引入大注入效应，产生电导调制，使其特征阻抗大幅度下降，这就是IGBT。
在同等耐压条件下，IGBT的导通电阻只有MOSFET的1/10--1/30,,电流密度提高了10－20倍。
但是引入了少子效应，形成两种载流子同时运行，使工作频率下降了许多。
IGBT是MOSFET和GTR双极性晶体管的折衷器件，结构上和MOSFET很相似，但其工作原理更接近GTR，所以IGBT相当一个N沟道MOSFET驱动的PNP
晶体管。
特点：它将MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有MOSFET输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又有GTR通态电压低、耐压高的优点。
器件名称 GTR MOSFET IGBT
驱动方式电流电压电压
驱动功率大小小
存储时间 5－20us 无几乎无
开关速度 1－5us 0.1-0.5us 0.5-1us
高压化容易难容易
大电流化容易难容易
高速化难极容易极容易
短路SOA 宽宽窄
饱和电压极低高低
并联难易并联需均流电阻可简单并联可简单并联。