厚膜NTC热敏电阻浆料的讲义共38页文档
顺络电子关于NTC热敏电阻的讲义
Sunlord
片式NTC热敏电阻
温度感知型NTC的应用（3）
¾电池温度控制
ห้องสมุดไป่ตู้
在笔记本电脑、手机等通讯设备中都用锂氢、镍离子等充电电 池，在充电过程中电池急剧发热，如果对其温度不进行控制，不仅 会引起错误工作状态也可能引起电池发烟等危险。用NTC做感温元 件的控制电路做温度控制，就可以保证充电速度和确保电池最终充 满电。
0.1-1 0.2-2 0.2-3 1-4 1.5-5 2.5-6 4-12
Sunlord
片式NTC热敏电阻
贴片功率NTC的优势
插件性功率NTC的直径范围从6.5mm到30mm不等，而具有相同稳态电流的片 式NTC面积比插件减小50%以上，可以大大节省整机PCB面积； 贴片NTC外形轻薄，其高度只有插件产品的1/4甚至以下，可以使整机产品更 为纤薄； 贴片元件可以实现PCB两面贴装，避免过孔，方便布线； 贴片元件使整机实现全自动化贴片生产，节约组装的人工成本，大大提高生产 效率；
Sunlord
片式NTC热敏电阻
顺络贴片功率NTC的性能范围
顺络贴片功率型 NTC
零功率电阻值 材料常数B值
R25（Ω）
（K）
最大电流时近 似电阻（Ω）
最大稳态电 流（A）
SDNT4516 SDNT4532 SDNT4532/5056 SDNT5056 SDNT5056/8063 SDNT8063 SDNT10080
片式NTC热敏电阻
顺络定制新型插件功率NTC
根据客户原插件NTC的引线间距定 制插件型NTC, 与原物料完美兼容；
内电极结构，实现低零功率电阻， 高可靠性；
采用创新的高阻率，高B值材料， 有效降低最大电流时近似电阻，提高 最大稳态电流；
厚膜2-罗文博
六）贱金属厚膜电阻材料 以贱金属代替贵金属是厚膜电路材料的一个发展 方向，但只有少数达到实用化程度。
1. MoO2系电阻材料
由MoO3、B及玻璃材料组成(在烧成过程中，MoO3与 B作用被还原成MoO2并以针状结晶析出，重叠成树枝 状结构，在整个膜内形成三维导电网络） 方阻30~100K/ ，TCR350ppm/C，烧成温度720 ~760C
3 陶瓷颗粒的成分 这些陶瓷颗粒（一般均为铁电陶瓷）成分和 结构都比较复杂，很容易发生化学偏离，这种化 学偏离会引起介质膜损耗增大，绝缘电阻减小。 4 粉料的颗粒大小和形状
(23C)
6000 5000 4000 3000 2000 1000 0.01 0.1 1 10
正确选择颗粒尺寸 颗粒尺寸均匀，分布集中 通常1-10μm为宜
性能要求
1介电常数
多层布线和交叉布线介质要求材料的介电常数小。 对电容器等用的介质膜则需要介电常数大。
2烧结特性
烧结时无明显扩散和化学反应
热膨胀系数匹配，与上电极实现共烧。
3 其他特性
耐压强度高 ，绝缘电阻大，损耗小，电容温度系数小
结构
厚膜介质是印刷在基板上的浆料经烘干、烧结等工艺后制成的。 有机载体被烧掉，而玻璃将陶瓷等材料粘接在基板上，形成介 质膜。
2 电阻温度系数
反映阻值随温度变化的特性，通常用TCR表示。
TCR=1/R*(dR/dT)
表示温度每变化1℃时电阻的相对变化值
TCR平均=(R2-R1)/R1*(T2-T1)=(R2-R1)/R1*ΔT
表示在一定温度范围内温度每变化1℃时电阻的平均变化值， 其中参考温度T1为25℃，T2一般规定为125℃或-55℃。
4“导电链位垒隧道效应”模型的缺点
SMD NTC热敏电阻
Feed direction • Cumulative pitch hole shift is within ±0.3mm over a 10-pitch interval.
窃侏（EIA 号鯉） A B C D E F G H J
• 淫廾倖方 2000 倖 / 壌
Feed direction • Cumulative pitch hole shift is within ±0.3mm over a 10-pitch interval.
汽了：mm
窃侏（EIA 号鯉） A B C D
0603 0.38±0.05 0.68±0.05 8±0.3 3.5±0.05
1005
(8) 淫廾侘塀
T
園揮
B
柊廾
(9) 云巷望紛艶催：園揮号鯉蛍窃
1
炎彈
B
0603 侏炎彈
(4/13)
淫廾侘塀 園揮号鯉 0603，1005，1608 侏
øJ
Pitch hole
D
E
Paper carrier tape
0.45max.(0603)
Press-pocket type for 0603
0.7max.(1005) 1.1max.(1608)
3850K
22kΩ 33kΩ
4000K
47kΩ 68kΩ
4150K
100kΩ 150kΩ
∗ B constant is calculated from the resistance at 25˚C and 85˚C
1MΩ 1MΩ
B械方燕幣巣減塞窮怦峙議梁業議㌢哘延晒議寄弌，頁貫窮怦峙-梁業蒙來和議販吭2倖梁業箔竃議議械方。
3435K to 4550K 3435K to 4100K 3435K to 4550K 3435K to 4550K 4550K 4100K to 4550K 3435K to 4550K
不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料的制备与性能研究
表 明：固定浆料 中玻璃相的成分与含量（ ｗ％） ３ ｔ ，控制功能相 中 Ｒ Ｏ 的比例（５ ｗ％一 ８ ｗ％） ０ ｕ２ ４ ． ｔ ８． ｔ ４ ９
或功 能相 的粒 度（． Ｏ３ Ｏ～１ ，可制 得具 有 不 同方 阻（．～２８ 口和 Ｔ Ｒ ２０ ． ｍ） Ｏ １ １． ） ５ Ｃ （１０～２０ ｘ ０ ℃） ９０ １ ／
ｐ ａｅ ｇ ａ ｕａｉ ｆ ｈ ｏ ｄ ｃｉｇｐ ａ ｅｏ ｈ ｅ ｓｓ ｖｔ ｎ ｍｐ ｒｔｒ ｏ ｆ ｃｅ ｔ ｅｉ ｉｉ Ｔ ｈ ｓ ， ｒｎ ｌｒ ｙｏ ｅｃ ｎ ｕ ｔ ｈ ｓ ｎｓ ｅ ｔｅ ｉ ｉｉ ａ ｄｔ ｅａｕｅｃ ｅ ｉｎ ｓｓ ｖｔ ＣＲ） ｆ ｔ ｔ ｎ ｒ ｔ ｙ ｅ ｉ ｒ ｔ ｙ（ ｏ
随着 电子技 术 的迅猛 发展 ，热敏 电阻 的应用 领
应用受到了限制；同时由于陶瓷材料本身的缺陷也
导致此类热敏电阻的不足：机械强度较低 ，抗冲击 性能较差等。不锈钢具有 良好的机械性能及耐热冲 击 的能力 等优点 ，成 为大 功率厚 膜 电路用 基片 的理
想选 择 。
域日 益增多。 厚膜 Ｐ Ｃ热敏电阻即采用厚膜制作工 Ｔ 艺 融合热 敏 电阻 的独特 性质 而制 作 的 Ｐ Ｃ 热敏 电 Ｔ
的厚膜 Ｐ Ｃ热敏 电阻。 Ｔ
关键词 ：金属 材料 ；厚膜 Ｐ Ｃ；热敏 电阻浆料：不锈 钢 基板：二 氧化 钌 Ｔ 中图分 类号 ：０６ ３ ６ 文献标 识码 ：Ａ ４． ３ 文章 编 号 ：１０ ．６ ６２ ０ ）２０ ０ ．５ ０ ４０ ７ （０ ７０ ．０ １０
Ｓ ｎｔ ｅ ｉ ｎｄ Ｐｒ ｐ ｒ ｉｓｏ ｉ ｋ Ｆｉ ｙ ｈ ｓｓａ ｏ ｅ ｔｅ ｆＴｈ ｃ ｌ ＰＴＣ ｅ ｍ ｉｔ ｒＰａ ｔ ｎ Ｓ ａ ｎｌｓ ｔ ｅ ｍ Ｔｈ ｒ ｓ ｏ ｓ ｅｏ ｔ ｉ ｅ ｓＳ ｅ ｌ Ｓｕｂ ｔ ａ ｅ ｓｒ ｔ
NTC热敏电阻
热敏电阻器(thermistor)——型号MZ、MF：是一种对温度反应较敏感、阻值会随着温度的变化而变化的非线性电阻器，通常由单晶、多晶半导体材料制成。
文字符号：“RT”或“R”热敏电阻器的种类：A．按结构及形状分类——圆片形（片状）、圆柱形（柱形）、圆圈形（垫圈形）等多种热敏电阻器。
B．按温度变化的灵敏度分类——高灵敏度型（突变型）、低灵敏度型（缓变型）热敏电阻器。
C．按受热方式分类——直热式热敏电阻器、旁热式热敏电阻器。
D．按温变（温度变化）特性分类——正温度系数（PTC）、负正温度系数（NTC）热敏电阻器。
热敏电阻器的主要参数：除标称阻值、额定功率和允许偏差等基本指标外，还有如下指标：1）测量功率：指在规定的环境温度下，电阻体受测量电源加热而引起阻值变化不超过0. 1％时所消耗的功率。
2）材料常数：是反应热敏电阻器热灵敏度的指标。
通常，该值越大，热敏电阻器的灵敏度和电阻率越高。
3）电阻温度系数：表示热敏电阻器在零功率条件下，其温度每变化1℃所引起电阻值的相对变化量。
4）热时间常数：指热敏电阻器的热惰性。
即在无功功率状态下，当环境温度突变时，电阻体温度由初值变化到最终温度之差的63.2％所需的时间。
5）耗散系数：指热敏电阻器的温度每增加1℃所耗散的功率。
6）开关温度：指热敏电阻器的零功率电阻值为最低电阻值两倍时所对应的温度。
7）最高工作温度：指热敏电阻器在规定的标准条件下，长期连续工作时所允许承受的最高温度。
8）标称电压：指稳压用热敏电阻器在规定的温度下，与标称工作电流所对应的电压值。
9）工作电流：指稳压用热敏电阻器在在正常工作状态下的规定电流值。
10）稳压范围：指稳压用热敏电阻器在规定的环境温度范围内稳定电压的范围值。
11）最大电压：指在规定的环境温度下，热敏电阻器正常工作时所允许连续施加的最高电压值。
12）绝缘电阻：指在规定的环境条件下，热敏电阻器的电阻体与绝缘外壳之间的电阻值。
●正温度系数热敏电阻器（PTC—positive temperature coefficient thermistor）结构——用钛酸钡（BaTiO3）、锶（Sr）、锆（Zr）等材料制成的。
热敏电阻规格书word精品文档5页
NTC规格书1)型号: DAE-303AT-952)主要参数3)图纸5) 绝缘试验5-1) 绝缘试验在产品外层绝缘材料抗阻值为大于100MΩ，在绝缘层施加直流电压为500V 时此产品不会被击穿。
6)电气性能试验6-1)高温试验：在产品经过环境为100 ℃1,000 个小时后, 本产品变化幅度可以控制在±1% 以内。
.6-2) 恒温恒湿试验：在产品经过环境湿度为95% 环境温度为65℃情况下1,000小时后, 本产品变化幅度可以控制在±1%以内。
.6-3) 低温试验：在产品经过环境温度为-30℃1,000小时后, 本产品变化幅度可以控制在±1%以内6-4) 工作状态试验：电阻在经过1mA恒定电流状态下，在产品经过环境湿度为95%环境温度为65℃情况下1,000小时后, 本产品变化幅度可以控制在±1%以内6-5) 冲击试验：.在产品经过环境为-30℃30分钟，然后放置在室温3分钟进入.+ 90℃环境放置30 分钟。
再拿出在室温3分钟。
连续循环100次。
本产品变化幅度可以控制在±1%以内。
6-6) 通电高温试验：在产品经过直流为1mA电流，环境温度为+110℃1,000小时, 本产品变化幅度可以控制在±1%以内7)物理测试：7-1)拉力测试在产品经过2N拉力情况下时间1分钟，此款产品胶体与引线连接处不会脱落。
7-2) 自由落体测试：在经过1m高的位置此产品落下，此款产品不会产生破损现象。
.7-3) 焊接测试在产品经过距离芯片8.5 mm 处，焊接温度为260℃±10%，时间为2 ±0.5s, 本产品变化幅度可以控制在±1%以内.。
热敏电阻的介绍
热敏电阻的介绍随着电子产品向小型化、轻量化、薄型化及多功能化方向发展，印制电路板上元器件组装密度越来越大，要求元器件体积越来越小，促使元器件向片式化、集成化方向发展，贴片式元器件和表面组装技术的应用日益广泛。
电路系统中最重要的三种元件—电阻、电容器和电感器，最先实现片式化的就是电阻。
1热敏电阻热敏电阻是电阻值对温度极为敏感的一种电阻，也称为半导体热敏电阻，是热敏元件同时又是敏感电阻的一个种类。
热敏电阻的主要特点是对温度灵敏度高、热惰性小、寿命长、体积小、结构简单、可以有不同的外形，成为目前应用十分广泛的敏感电阻。
1.1热敏电阻的主要参数热敏电阻有如下几个主要参数：(1)标称电阻值R1。
它是指元件上所标注的电阻值，也称为零功率电阻值，是指在25℃时采用引起电阻值变化不超过0.1%所测得的电阻值，故常用R25℃来表示(单位为Ω)。
(2)额定功率。
热敏电阻在规定的技术条件下，长期连续工作所允许消耗的功率称为额定功率，一般用P E表示(单位为W)。
厂家在参数表中提供的额定功率值是指在25℃时的功率值。
当温度高于25℃时，应当降额使用。
(3)电阻温度系数。
它是指在零功率条件下，温度每变化1℃时电阻值的变化量，一般用αT表示，单位为1/℃。
若温度变化前的电阻值是R，温度变化后电阻值的变化量为△R T，温度变化量为△T，则电阻温度系数可表示为αT=(△R T/R)△T。
(4)转变点温度。
一般指临界热敏电阻和开关型正温度系数热敏电阻的电阻—温度特性曲线上的拐点温度，通常用Tc表示，单位为℃或K。
转变点温度也称为居里点温度。
1.2热敏电阻的分类热敏电阻的种类繁多，按照电阻值温度系数分正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)两大类；按其阻值随温度变化的大小可分为缓变型(即线性)和突变型(即非线性)；按其受热方式不同可分为直热式和旁热式，按其工作温度范围可分为常温型(-55～315℃)、低温型(<-55℃)和高温型(>315℃)三大类；按所用材料可分为陶瓷热敏电阻、半导体(单晶)热敏电阻、金属膜热敏电阻、塑料热敏电阻、碳化硅(SiC)热敏电阻和玻璃态热敏电阻等；按其结构不同可分为棒状、球状、垫圈状、盘状、珠状、线管状、圆片、方片及薄膜与厚膜等热敏电阻；按其封装形式可分为传统引线式(适用于通孔式焊接)和贴片式(适用于表面组装)两种形式。
厚膜NTC热敏电阻浆料-讲义
0.35 eV。結構分析表明，此時
Ni-Mn体系热敏陶瓷的主晶相 為 NiMn2O4 。 而 当 Mn3O4 含 量
進一步增至80%以上时，热敏
陶瓷的电导率σ顯著而且綫性 降低，激活能ΔE明顯變化。
（4）含锰三元体系
含 锰 三元系热 敏陶瓷主要 有 Co-Mn-Ni、 Mn-Ni-Cu、CoMn-Cu 和Mn-Ni-Fe体系等。
在球磨过程中，粉末并不是可以无限制地细化的。 在一定条件下，当球磨到一定时间之后，粉末不 再细化，维持一定的粒度。这一现象叫粉末过程
达到平衡。
粉末过程达到平衡的原因是因为两个相反的过程 在球磨过程中同时进行着：粉碎和聚合。 聚合的原因是颗粒间的范德华力、静电力和磁力 的作用，以及机械压力产生的焊合。
为了解决球磨过程中粉末的聚合问题， 降低平衡粒度，最有效的措施是在球磨介 质中引入表面活性物质，即助磨剂。如三 乙醇胺等。 常用的机械粉碎方法有：滚动球磨、振 动球磨、搅动球磨、行星式球磨和气流磨 等。
烧结温度一般在1050 ~1400℃之间进行， 升温和降温速度对热敏相的结构与性能也 有较大的影响。 因此热敏相的烧结工艺控
（2）Co-Mn体系
主晶相为具有立方尖晶石结构的MnCo2O4 ，晶格常数a = 8.268Å和四方尖晶石的CoMn2O4，晶格常数a = 5.72Å，c = 9.828 Å。Co-Mn体系热敏陶瓷的电导率σ 在10-1 ~ 10-3s/m之
间。Co-Mn体系的特点是电导率σ有适当的变化，激活能ΔE
以上结构中两种异价阳离子同时位于B位，满足电子交换条 件，因而可形成半导体陶瓷。
尖晶石型半导体陶瓷的电子交换条件： 在尖晶石型氧化物中必须有均可以变价的异价阳 离子同时存在，而且两种异价阳离子必须同时存 在于B位，才能形成半导体。