肖特基二极管应用选择
开关电源中的肖特基二极管
开关电源中的肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，由肖特基效应得名。
肖特基效应是指当P型半导体与n型半导体接触时，由于能带差异，形成一个肖特势垒。
肖特基二极管的结构与普通二极管类似，但其由P型半导体和n型半导体组成，而不是P型半导体和N型半导体。
肖特基二极管具有许多优点，使其在开关电源中得到广泛应用。
首先，肖特基二极管的正向压降较低，通常在0.2至0.4伏之间，远低于普通二极管的正向压降。
这意味着在开关电源中，使用肖特基二极管可以减少能量损耗，提高整体效率。
肖特基二极管具有快速恢复特性。
在开关电源中，当开关管关闭时，负载电感中的能量需要通过反向恢复二极管释放。
普通二极管的恢复时间较长，而肖特基二极管由于其低载流子浓度和短载流子寿命，其恢复时间非常短，可以有效减少开关过程中的电压尖峰。
肖特基二极管还具有低漏电流和低容量的特点。
漏电流是指在反向偏置情况下，二极管的泄漏电流。
肖特基二极管由于其特殊的结构，其漏电流较低，可以减少功耗。
容量是指二极管的结电容，肖特基二极管由于其载流子浓度低，其结电容也较低，可以提高开关速度。
在开关电源中，肖特基二极管主要用于整流电路和反向恢复电路。
在整流电路中，肖特基二极管可以实现高效的整流，减少能量损耗。
在反向恢复电路中，肖特基二极管可以快速释放负载电感中的能量，保护开关管，提高开关电源的可靠性。
肖特基二极管虽然具有许多优点，但也存在一些局限性。
首先，由于肖特基二极管的制造工艺较为复杂，成本较高。
其次，肖特基二极管的反向耐压较普通二极管低，一般在30伏以下，不适用于高压应用场景。
此外，肖特基二极管的温度特性较为敏感，在高温环境下，其性能可能会受到影响。
肖特基二极管在开关电源中具有重要的应用价值。
其低正向压降、快速恢复、低漏电流和低容量等特点，使其成为提高开关电源效率、减少能量损耗的重要元件。
随着半导体技术的不断发展，肖特基二极管的性能将进一步提升，应用范围也将更加广泛。
肖特基二极管典型应用
肖特基二极管典型应用
肖特基二极管是一种具有快速开关速度和极低漏电流的半导体器件，被广泛应用于电子学和电路设计中。
1. 电源稳压：肖特基二极管可以用作电源稳压器件，能够快速响
应电路中负载变化，保证电路输出电压的稳定性。
2. 信号检测：肖特基二极管可以用于检测高频信号，例如用于无
线电接收机中的低噪声前置放大器。
3. 信号混频：肖特基二极管也可以用作信号混频器件，将两个不
同频率的信号混合产生出新的信号，广泛应用于通信系统和广播接收
机中。
4. 快速开关：肖特基二极管的快速开关速度可以用于高频低功耗
电路中，例如广泛应用于平板显示器、移动设备和电子闪光灯等领域。
总之，肖特基二极管具有广泛的应用领域，其优异的特性使得它
成为电子学中不可或缺的器件之一。
1n5822 肖特基整流二极管作整流二级管
1n5822 肖特基整流二极管作整流二级管在电子学领域，1n5822 肖特基整流二极管作整流二级管是一个具有重要意义的组件。
肖特基二极管由德国物理学家沃尔特·肖特基发明，它比普通整流二极管具有更快的开关速度和较低的开关电压，因此被广泛应用于高频和高速电路中。
本文将深入探讨1n5822 肖特基整流二极管作为整流二级管的功能、用途以及其在电子领域中的重要性。
1. 肖特基整流二极管的基本原理肖特基整流二极管是利用金属与半导体接触的肖特基效应制成的二极管。
与普通整流二极管相比，肖特基二极管不具有P-N结，因而具有更快的开关速度和更低的开关电压，这使得它在高频和高速电路中有着独特的优势。
肖特基二极管中的金属为阴极、半导体为阳极，其工作原理是当金属与半导体结合时，会形成能带势垒，从而使电子在这一界面上运动更加迅速和顺畅。
2. 1n5822 肖特基整流二极管作整流二级管的功能整流二级管的主要功能是将交流电信号转换为直流电信号，以便于电子设备的正常工作。
1n5822 肖特基整流二极管在作为整流二级管时，其较低的开关电压和较快的开关速度能够更有效地将交流电转换为直流电，从而提高整个电路的效率和稳定性。
由于肖特基二极管不具有P-N结，因此其反向漏电流更小，具有更好的反向击穿电压，这使得其在整流二级管中有着更为稳定的表现。
3. 1n5822 肖特基整流二极管在电子领域中的重要性在现代电子领域中，对于高频和高速电路的需求越来越大。
1n5822 肖特基整流二极管以其优越的特性，在诸多电子设备中发挥着重要作用。
比如在通信设备、电源管理、变换器等领域中，肖特基整流二极管作为整流二级管的应用越来越广泛。
其快速的响应速度和稳定的性能，使得整个电子设备在工作时能够更高效、更稳定地运行，为电子领域的发展提供了有力支持。
总结本文对1n5822 肖特基整流二极管作整流二级管的功能、用途以及其在电子领域中的重要性进行了深入探讨。
dcdc肖特基参数选择
dcdc肖特基参数选择DC/DC升压转换器通常使用肖特基二极管作为有源整流器，以提高转换效率和减小开关损耗。
在选择肖特基二极管的参数时，需要考虑一系列因素，如额定电压、工作频率、反向恢复时间等。
以下是对肖特基二极管参数选择的详细讨论：1. 额定电压（VRRM）：肖特基二极管的额定电压应考虑到工作电压的峰值，一般选择比工作电压稍高的额定电压。
这是为了确保安全裕度，避免电压过高超过二极管的额定电压而损坏。
2. 工作频率：工作频率对肖特基二极管的选择也有一定影响。
肖特基二极管具有较快的开关速度和反向恢复时间，适合高频应用。
因此，在高频应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的肖特基二极管。
3. 反向恢复时间（trr）：反向恢复时间是指二极管从导通状态转变为关断状态所需的时间。
较短的反向恢复时间意味着二极管能够更快地恢复被关闭时的状态，有利于减小反向恢复电流和功耗。
在高频应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的肖特基二极管。
4. 正向压降（VF）：正向压降表示二极管正向导通时的压降，对转换效率有一定影响。
较低的正向压降有利于减小转换过程中的功耗。
因此，在选择肖特基二极管时，需要考虑较低的正向压降。
5. 电流容量：电流容量表示肖特基二极管能够承受的最大电流。
在选择肖特基二极管时，需要根据具体应用需求选择合适的电流容量，以确保二极管能够正常工作。
综上所述，选择肖特基二极管的参数可以根据应用的具体需求而定。
一般来说，需要考虑额定电压、工作频率、反向恢复时间、正向压降和电流容量等因素。
选择合适的肖特基二极管参数可以提高转换效率，减小功耗，从而实现更高性能的DC/DC升压转换器设计。
开关电源中常用肖特基二极管
开关电源中常用肖特基二极管一、引言开关电源是现代电子设备中广泛应用的电源类型之一，其主要特点是高效率、小体积、轻重量等。
在开关电源中，肖特基二极管作为一种重要的元器件，被广泛应用于整流、反向保护等方面。
本文将从肖特基二极管的原理入手，介绍其在开关电源中的应用。
二、肖特基二极管原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有快速开关速度和低压降的半导体器件。
与普通PN结二极管相比，它的正向压降更低，反向漏电流更小。
肖特基二极管由金属与半导体P型区域形成，因此也被称为金属半导体接触器件（Metal-Semiconductor Contact Device）。
图1 肖特基二极管示意图当肖特基二极管正向偏置时，金属与P型区域形成一个势垒，在势垒处产生了一个空穴井和一个电子井。
空穴井和电子井之间形成了一个势垒高度ΦB，这个高度比PN结势垒高度低得多。
因此，肖特基二极管的正向压降比PN结二极管低得多。
当肖特基二极管反向偏置时，金属与P型区域之间的势垒加深，形成一个反向势垒。
由于金属与P型区域之间没有N型区域，因此不存在PN结中的扩散电流。
同时，由于金属与P型区域之间的势垒高度较低，使得反向漏电流比PN结二极管小得多。
三、肖特基二极管在开关电源中的应用1.整流开关电源中需要将交流输入转换为直流输出。
传统的整流电路使用PN 结二极管进行整流，但由于其正向压降较高，在高频应用中会产生较大的功耗和热量。
而肖特基二极管具有快速开关速度和低压降等优点，在高频应用中更为适合。
图2 肖特基二极管整流电路如图2所示，将肖特基二极管作为整流器使用时，其正向压降比PN结二极管低得多，可以减少功耗和热量，并且具有快速响应速度和较小的反向漏电流。
2.反向保护在开关电源中，由于电感元件的存在，当开关管关闭时，电感元件会产生反向高压脉冲。
如果这个脉冲超过了开关管和其他器件的耐受范围，就会对系统造成损害。
因此，在开关电源中需要使用反向保护电路来限制这种脉冲。
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管是一种常用的小型的二极管，它们在电子行业中的应用非常
普遍，它们的封装形式相对于普通的二极管更加紧凑，可以节省空间。
下面我们来看看贴片肖特基二极管一些常见型号。
首先，BJT系列贴片肖特基二极管，它们紧凑型的设计具有象芯片一样的封装，使其具有良好的耐热性及耐腐蚀性，具有较高的耐电压能力，经常用于控制电源。
常见型号有BC547、BC548和BC549，它们具有良好的导通性和抗干扰能力。
其次，PNP系列贴片肖特基二极管，它具有高可靠性和良好的稳定性，可以用
于模拟信号处理和放大，它们的信号噪声及纹波电压也比较低。
常见型号是2SB54、2SB55、2SB56，它们可以用于模拟视频信号的输入和处理，同时可以兼容CMOS芯片。
最后，NMOSFET系列贴片肖特基二极管，它具有良好的高压和热稳定性，经常
用于高速电路中。
常见型号有IRF 4905、IRF5305和IRF 5705，它们可以用于频
繁转换的输出电路和高速电路中，同时还具有良好的功率效率。
总之，贴片肖特基二极管具有高效性、稳定性及耐热性等特点，有其独特的优势。
不同类型的贴片肖特基二极管都用在各种电子设备中，发挥着不可替代的作用。
共阴极肖特基二极管的电路应用
共阴极肖特基二极管的电路应用1.引言1.1 概述概述部分的内容旨在介绍共阴极肖特基二极管的电路应用，为读者提供本文的背景和整体框架。
共阴极肖特基二极管是一种特殊的二极管，它融合了肖特基二极管和共阴极放大电路的特点。
它具有独特的极性，即只允许电流从阴极向阳极流动，且其整流特性优于传统二极管。
这使得它能够在各种电路中发挥重要的作用。
本文将首先介绍共阴极肖特基二极管的基本原理，包括其内部构造和工作原理。
接着，我们将详细探讨它在电路中的特点，如高频特性、低功耗、高转导率等。
这些特点使得共阴极肖特基二极管在许多电路应用中具有独特的优势。
在正文的后半部分，我们将重点讨论共阴极肖特基二极管在电路中的应用。
这包括放大电路、混频器、频率锁定环路等。
我们将通过具体的电路示例和实际应用案例来说明共阴极肖特基二极管在这些应用中的作用和效果。
最后，我们将总结共阴极肖特基二极管的优势和局限性。
虽然它在很多方面表现出色，但也存在一些限制因素，如工作温度范围较窄、价格较高等。
我们将更加客观地评估共阴极肖特基二极管在电路设计中的可行性和适用性。
通过全面而系统的介绍，本文旨在帮助读者更好地了解共阴极肖特基二极管的电路应用，并为他们在实际工程中的选型和设计提供参考。
同时，我们也希望能够促进共阴极肖特基二极管技术的进一步发展和应用的拓展。
1.2 文章结构本文共阴极肖特基二极管的电路应用，主要分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分首先对共阴极肖特基二极管的电路应用进行了概述，介绍了它在现代电子领域中的重要性和广泛应用的背景。
接着对文章的结构进行了说明，即文章包含引言、正文和结论三个部分。
最后明确了文章的目的，即探讨共阴极肖特基二极管在电路中的具体应用及其优势和局限性。
正文部分首先详细介绍了共阴极肖特基二极管的基本原理，包括其组成结构和工作原理。
然后分析了共阴极肖特基二极管的特点，包括其高频特性、低噪声特性和高温特性等方面。
通过对这些特点的介绍，读者可以更加深入地了解共阴极肖特基二极管的性能和特性。
肖特基二极管步进电机的应用原理
一、概述肖特基二极管是一种特殊的二极管，由德国物理学家沃尔特·肖特基在20世纪初发明。
它具有低功耗、高转换效率等特点，因此在电子工程中应用广泛。
而肖特基二极管步进电机是利用肖特基二极管的特性来驱动步进电机运转的一种新型电机。
接下来，我们将重点介绍肖特基二极管步进电机的应用原理。
二、肖特基二极管的特点肖特基二极管是一种具有低开启电压和高速度的二极管，主要应用在高频电路、快速开关电路等领域。
相比于普通二极管，它有以下几个显著的特点：1. 低开启电压。
肖特基二极管的开启电压较低，通常为0.5V以下，这使得其在低电压下也能正常工作。
2. 高速度。
肖特基二极管的开启和关闭速度非常快，能够在微秒内完成响应，适用于高速开关电路。
3. 低功耗。
由于其低开启电压和高速度，肖特基二极管在工作时能够降低能量损耗，节省能源。
三、步进电机的工作原理为了更好地理解肖特基二极管步进电机的应用原理，首先需要了解步进电机的工作原理。
步进电机是一种能够根据输入的脉冲信号按照一定的步进角度旋转的电机，其工作原理如下：1. 电磁线圈。
步进电机中包含多个电磁线圈，通过控制这些线圈通电和断电，可以实现对电机转动的控制。
2. 磁性定位。
步进电机内部还包含有磁性定位装置，通过对磁性定位的控制，可以使电机按照一定的步进角度进行旋转。
3. 脉冲驱动。
步进电机的转动是根据输入的脉冲信号进行驱动的，不同的脉冲信号可以控制电机按照不同的步进角度旋转。
四、肖特基二极管步进电机的应用原理有了对肖特基二极管和步进电机的工作原理的了解，接下来我们就可以来介绍肖特基二极管步进电机的应用原理了。
1. 肖特基二极管的驱动特性。
肖特基二极管具有低开启电压和高速度的特点，这使得它非常适合用于步进电机的驱动。
在步进电机中使用肖特基二极管可以降低功耗，提高转换效率。
2. 肖特基二极管的脉冲控制。
步进电机的转动是根据输入的脉冲信号进行控制的，而肖特基二极管的高速响应特性使得它能够快速地对脉冲信号进行响应，从而实现对电机的灵活控制。
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肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，一般只有100V左右；二是反向漏电流I R较大。
但随着半导体技术的不断发展，V R已超过100V，如我所生产的2DK10140，V R为140V；I R也达到μA级，已接近普通硅管的水平。
二．我所肖特基二极管的生产状况：我所研制和生产肖特基二极管已有十余年的历史, 并为重要军工项目成功地提供了许多种类的肖特基产品。
目前济半所的肖特基二极管在种类和产量上均据国内第一位，产品畅销国内外。
近年来，为了最大程度地满足军工配套的各种需求，扩大产量，面向国内外两大市场，我们对原肖特基二极管生产线实施了技术改造，引进了许多关键设备和工艺技术，突破了许多技术难点，使产品的成品率、电参数性能以及可靠性均有大幅度的提高，品种及封装形式已形成系列化。
在产品的研制、生产、检验过程中，我们严格按照军用标准和ISO9002国际质保体系的要求进行管理，使产品质量在生产过程中的每一个环节都得到良好的控制。
我所的国家级军用产品实验室，能对产品的各种性能进行测试。
任何岗位的员工上岗前都经过严格的培训，这些都确保我们能提供高品质的产品。
目前，我们能提供电流从几十mA到50A，电压从20V到一百多伏的肖特基产品。
并能提供下面的封装形式。
玻璃封装：DO-35、DO-41,DO-7,MELF,MiniMELF;金属封装, TO-247等；塑料树脂封装R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、TO-220、TO-3P、SMA、SMB、Mini、Smini等。
我所生产的军品级和工业品级的肖特基系列产品，已广泛应用于航空、航天设备、计算机设备、通讯设备等领域。
能用于高速开关电路，低压高频整流电路，信号检波、混频电路，IC& MOS静电保护电路，供电电源隔离电路和极性保护电路。
整机产品如开关电源、电子变压器、传感器、电话机等。
三．我所肖特基二极管的种类（1）军用产品：2DK030，2DK035，2DK12，2DK13,2DK14,2DK15,2DK162DK5100，2DK10100，2DK10140,2DK30100，1N60等（2）一般工业用产品：1N60，1N60P（I F（AV）=30-50mA, V R=40-45V）1A系列1N5817-1N5819，SR120-SR1A01.5A系列SR13-SR192A系列SR220-SR2A03A系列1N5820-1N5822,SR320-SR3A05A 系列SR520-SR5A08A 系列SR820-SR86010A 系列SR1020-SR106016A 系列SR1620-SR166020A系列SR2020-SR206030A系列SR3020-SR306040A系列SR4030-SR406050A系列SR5030-SR5060四．我所肖特基二极管的特点和性能质量分析：在通常情况下，一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面之间SiO2层的存在，使得接触电阻和表面态密度明显增大，致使器件的性能大大降低，为了解决这个问题，我们采用近十年国外研究的一项新工艺技术—金属硅化物—硅接触势垒工艺，形成了非常可靠且重复的肖特基势垒。
此外为了解决上层电极金属与硅化物层的兼容问题以及相互扩散和反应问题，我们采用了扩散势垒和多层金属化技术，为了提高反向性能，采用了保护环结构等新工艺技术。
由于我们采用了多项国内外新工艺技术，使器件的常温电参数和高温性能及反向抗浪涌冲击的能力等可靠性能标有了明显的提高。
其特点总结如下：（1）采用保护环结构（2）V F低，I R小（3）硬击穿特性（4）高温特性好（5）低损耗，高效率下面是本所制造的肖特基二极管的特性：1．直流电参数：按GB4032整流二极管总技术条件和测试方法，对产品主要电参数进行测试，表1、表2分别列出2DK10100和2DK1640的主要电参数，并与国外公司的同类产品10CTQ140、16CTQ140作了比较。
由表1、表2可以看出，本所制造的肖特基二极管的电参数水平已达到了国外公司同类产品的水平。
表1 2DK10100实测平均值与10CTQ140参数值的比较2．技改前后常温反向漏电特性及反向抗烧毁能力的检查常温下检查了反向漏电特性，并对样品进行了破坏性物理实验，以检查肖特基势垒的反向抗烧毁能力，测试结果列于表3。
3．高温反向漏电流的检查将目前产品2DK1630、技改前的产品2DK13F以及从国外进口封装成的管子SR1630各15支，分别测试了高温反向漏电流，结果为表4、表5。
经查阅，与2DK1630对应的国外同类产品为15CTQ030，其高温（125℃）反向漏电流为70mA，对照表4、表5，结论如下：①技改后的产品与技改前的产品比较，高温反向漏电流低1—2个数量级。
②技改后的芯片与从台湾进口的芯片一起封装后，在100℃下测试高温反向性能已达到国外同类产品的先进水平。
表4 2DK1630与2DK13F的高温反向漏电流比较（V R=30V）R可以看出，我所肖特基二极管产品的常温电参数性能以及高温电性能、正反向抗烧毁能力等可靠性指标均已达到国际先进水平，可以满足军工产品的需要。
五．介绍我所生产的两种肖特基二极管：1．2DK030小电流肖特基二极管（1）概述：2DK030是为替代2AK、2AP锗二极管系列产品而开发设计的肖特基二极管。
由于锗管温度特性较差，已满足不了重点工程电子系统的高可靠的要求。
普通的硅开关整流二极管虽有良好的温度特性，但其正向压降V F比锗管高，功耗大，也不具有高的开关速度。
为此，我们开发了2DK030硅肖特基二极管，其V F低（小于锗管的V F）、功耗小、反向恢复快、转化效率高，并且温度特性优于锗二极管，完全可以代替相应规格的锗二极管。
(2）2DK030肖特基二极管的设计指标(合同号: QJ/01RBJ018—97)V F≤0。
3V 测试条件I F=20mAV BR≥30VI R1≤5μA 测试条件V R=10V，T A=25℃I R2≤200μA 测试条件V R=10V，T A=85℃I FSM=600mA工作环境温度范围：-55℃TO +100℃(3) 2DK030 型肖特基二极管执行的标准该产品的详细规范QJ/01RBJ018—97是根据与航天总公司某院签定的9704Q004经济技术合同要求，按照国标GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉、GJB128〈〈半导体分立器件试验方法〉〉的具体规定制订的、并经电子部标准化所确定后，作为新品的企业军用标准。
质量一致型检验项目的所有A组、B组和C组的要求、试验方法与抽样方案均与GJB33和GJB128的要求相一致，保证了产品具有良好的开关特性、温度特性和正向电压低的特点，可靠性达到国军标要求的质量保证等级。
(4) 2DK030肖特基二极管的主要研制特点A．设计特点该管在设计中采用了势垒高度фB较低的金属，并尽量减小理想因子П值。
因为φB决定了伏安特性曲线的上升阈值，而П值决定了电流随电压上升的快慢。
适当调整工艺，使之形成富硅硅化物的肖特基的势垒接触，以达到正向电压阈值低、曲线起始上升快的目标。
B．结构特点该管设计和采用的零部件及组装均符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求，为减小封装串联电阻，降低正向压降，尽量加大了引线与芯片的接触面积。
采用了宽“S”形弯曲触须压力接触的镀金上引线，增强了抗浪涌电流的冲击能力。
用美军标准规定的DO-7玻壳封装，轴向引线，壳体透明，具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。
C．工艺与设备特点形成富硅硅化物势垒接触的工艺技术是影响该管电参数性能及可靠性的关键所在。
通过大量的优化实验，对溅射和退火等关键工艺的参数和条件进行了优化，选出了最佳的工艺方案，以达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面，使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率。
封装前对芯片进行100%的镜检，剔除有缺陷的芯片，采用从美国进口的BTU链式烧结炉和LORLIN计算机测试系统与其他符合美军标DO-7的封装生产线，使用低温烧结，高纯氮保护和不锈钢夹具等，保证了环境的洁净度和工艺的稳定性，大大提高了产品的封装成品率。