MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT
mbr20100ct_to_00001工作原理
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MBR20100CT是一种常规PN结肖特基二极管，它的工作原理与其他PN结二极管相似。
当正向偏置应用到二极管的正极（阳极），并且负向偏置应用到二极管的负极（阴极）时，一个内部电场会在PN结附近形成。
在这种情况下，当电子从P区向N区移动时，空穴从N区向
P区移动。
当电子和空穴进入PN结区域时，由于电场的作用，空穴和电子将被迫朝着反方向移动。
这种电子和空穴的移动会导致产生一个被称为正向偏置电流的电流流动。
然而，当逆向偏置应用到二极管时，电子和空穴都受到电场的压制，因此电流流动非常小。
MBR20100CT具有较高的额定电流和电压，因此在正向偏置
下工作时可以处理更大的电流。
此外，由于其肖特基结的特殊设计，它具有较低的开启电压和快速的切换特性。
总体而言，MBR20100CT的工作原理基于PN结肖特基二极管的基本工作原理，它在正向偏置下形成导电路径，而在逆向偏置下具有高阻抗。
这使得它成为电源线保护、电压调节和开关应用的理想选择。
MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格
MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管
肖特基二极管MBR10200CT参数规格：
肖特基二极管MBR10200CT电流：10A；
肖特基二极管MBR10200CT电压：200V；
肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料
MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，
应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。
MBR10200CT肖特基相关参数如下：
MBR10200CT电压Vrrm:200V
MBR10200CT电流If平均：10A
MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V
MBR10200CT电流，Ifs最大：150A
MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA
肖特基系列型号：
MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT
肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,
TO-220,TO-247,TO-3P。
MBR1040CT-MBR1040FCT ASEMI高压大功率肖特基二极管规格
MBR1040CT MBR1040FCT MBR1040DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR1040FCT等肖特基均采用俄罗斯Mikron芯片，28条台湾健鼎测试线，确保MBR1040FCT的高可靠性肖特基二极管MBR1040FCT参数规格：肖特基二极管MBR1040FCT电流：10A；肖特基二极管MBR1040FCT电压：40V；肖特基二极管MBR1040FCT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR1040CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR1040CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。
MBR1040CT肖特基相关参数如下：MBR1040CT电压Vrrm:40VMBR1040CT电流If平均：10AMBR1040CT正向电压Vf最大：0.54VMBR1040CT电流，Ifs最大：120AMBR1040CT工作温度范围：-40°C to+150°CMBR1040CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220MBR1040CT反向恢复电流，Irrm:20UA肖特基系列型号：MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT,MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT,MBR10200FCT,MBR10200CT肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。
2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。
3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
肖特基二极管的原理介绍
肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
加负偏压-E时，势垒宽度就增加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
常用肖特基二极管型号
常用肖特基二极管型号:常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。
特基二极管F5KQ100F5KQ100肖特基二极管30CPQ14030CPQ140肖特基二极管30CPQ10030CPQ100肖特基二极管30CPQ09030CPQ090肖特基二极管30CPQ06030CPQ060肖特基二极管30CPQ04530CPQ045肖特基二极管MBRS260T3GMBRS260T3G肖特基二极管MBRS130T3GMBRS130T3G肖特基二极管MBRS320T3GMBRS320T3G肖特基二极管MBRS340T3GMBRS340T3G肖特基二极管MBRS140T3GMBRS140T3G肖特基二极管MBRS240LT3MBRS240LT3肖特基二极管MBRS230LT3MBRS230LT3肖特基二极管MBRS2040LTMBRS2040LT肖特基二极管MBR20100MBR20100肖特基二极管MBR3045MBR3045肖特基二极管MBR2545MBR2545肖特基二极管MBR2045MBR2045肖特基二极管MBR1545MBR1545肖特基二极管MBR1045MBR1045肖特基二极管MBR745MBR745肖特基二极管MBR3100MBR3100肖特基二极管MBR360MBR360肖特基二极管DSC01232DSC01232肖特基二极管SB3040SB3040肖特基二极管IN5817IN5817肖特基二极管IN5819IN5819肖特基二极管IN5818IN5818肖特基二极管IN5822IN5822肖特基二极管HER107HER107肖特基二极管HER207HER207肖特基二极管HER307HER307肖特基二极管FR105FR105肖特基二极管FR2050。
MBR20100FCT ASEMI品牌肖特基二极管
MBR20100FCT ASEMI品牌肖特基二极管原装MBR20100FCT 型号：MBR20100FCT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：MBR20200FCT
电性参数：20A 100V
芯片材质：Mikron
正向电流(Io)：20A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.87V
芯片尺寸：102mil
浪涌电流Ifsm：150A
漏电流(Ir)：150A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：>5nS
引线数量：3
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；
肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。
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MBR20100CT
Package
Primary Use
◆ Low Voltage High Frequency Switching Power Supply. ◆ Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆ Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit.
ITO-220AB TO-220AB
Summarize
MBR20100 Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes: Silicon epitaxial substrate, P+ loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology, the device uses the two chip, the common cathode, the plastic half package structure.
VDC IFAV
DHale Waihona Puke ta 100100 20 10
Unit V
V A
maximal DC interdiction voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃ Whole Device unilateral
Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3 Half Mssine Wave-According to JEDEC Method) Operating Junction Temperature Storage Temperature
IFSM TJ TSTG
150 -40- +170 -40- +170
A ℃ ℃
Electricity Character
Item IR VF Test Condition Minimum representative TJ =25℃ VR=VRRM TJ =125℃ TJ =25℃ IF=10A Maximum Value 100 10 0.82 Unit uA mA v
Character Curve
The forward voltage and forward current curve.
The reverse leak current and the reverse voltage (single-device) curve.
The crunode capacitance curve
Typical Reference Data
VRRM=100V IF(AV)= 20A
Internal Equivalent Principle
Absolute Maximum Ratings
Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Symbol VRRM
ELECTRONIC
Productor Character
◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure. Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. Low Power Waste，High Efficiency. Beautiful High Temperature Character. Have Over Voltage protect loop，high reliability. RoHs Product.