单晶硅设备工艺培训
拉晶操作培训
二、热场的安装与煅烧
安装电极→炉底碳毡 反射底板 下保温罩→石墨环 石英环→加热 安装电极 炉底碳毡→反射底板 下保温罩 石墨环、石英环 加热 炉底碳毡 反射底板→下保温罩 石墨环、 中保温罩→石墨托杆 石墨托盘→装三瓣埚 下降主炉室→上保 器→中保温罩 石墨托杆 石墨托盘 装三瓣埚 下降主炉室 上保 中保温罩 石墨托杆→石墨托盘 装三瓣埚→下降主炉室 温罩→导气孔 保温盖板→装导流筒 导气孔→保温盖板 装导流筒→压环 温罩 导气孔 保温盖板 装导流筒 压环
装料
装料前要穿好结晶的工作服，戴上工作帽，防护眼镜， 装料前要穿好结晶的工作服，戴上工作帽，防护眼镜，一层棉 手套，一层一次性手套。 手套，一层一次性手套。 在装料时因轻拿轻放，防止碰伤石英坩埚。 在装料时因轻拿轻放，防止碰伤石英坩埚。 液面以下部分尽量加满不要有空隙， 液面以下部分尽量加满不要有空隙，液面以上于石英坩埚接触 采用点接触并重心往里，防止熔化时产生挂边； 采用点接触并重心往里，防止熔化时产生挂边； 装料完毕之后因用吸尘器将石英坩埚口和石墨件上的硅料粉吸 掉； 注意：吸尘器吸粉料时吸尘管不要碰到硅料和石英坩埚， 注意：吸尘器吸粉料时吸尘管不要碰到硅料和石英坩埚，防止 被污染。 被污染。 装料时，先将埚升升到到最高位置，在进行装料。 装料时，先将埚升升到到最高位置，在进行装料。 最高位置
装料完成后埚转为2/rpm左右旋转，查看坩埚旋转情况， 装料完成后埚转为2/rpm最低熔料位置，关闭旋转。 降至最低熔料位置，关闭旋转。
装籽晶
安装前应穿好洁净的专用工作服及工作帽并带好洁净的一次性手套 防止异物进入石英坩埚内。 ，防止异物进入石英坩埚内。 根据规格要求选择籽晶（一般 ），现在 根据规格要求选择籽晶（一般1-0-0），现在 ），现在CZ1#厂房所使用籽晶一 厂房所使用籽晶一 般是（ 般是（100）晶向的籽晶。 ）晶向的籽晶。 确认定位开槽是否有损伤 确认定位开槽是否有损伤 定位开槽 用定位销将籽晶固定于籽晶夹具上并用双手垂直 用力拉一下确认有无问题 装完籽晶后用酒精和无尘纸将其擦拭干净 装完籽晶后用酒精和无尘纸将其擦拭干净 酒精 每次安装前因取下籽晶夹具检查确认籽晶 绳有无折痕， 绳有无折痕，如有因急时更换防止拉晶时造成籽晶晃动
单晶硅实训报告
一、实训目的通过本次单晶硅实训，旨在了解单晶硅的生产工艺流程，掌握单晶硅生长的基本原理和操作技能，提高对光伏产业的认知，为今后从事相关领域的工作打下坚实基础。
二、实训环境实训地点：某光伏企业单晶硅生产车间实训设备：单晶炉、切割机、抛光机、检测设备等实训人员：本实训小组共5人，分别担任操作员、观察员、记录员等角色。
三、实训原理单晶硅生产过程主要包括：石英砂的提纯、硅料的制备、单晶硅的生长、切割、抛光和检测等环节。
1. 石英砂提纯：通过化学方法将石英砂中的杂质去除，得到高纯度的石英砂。
2. 硅料的制备：将提纯后的石英砂与碳还原剂在高温下反应，生成硅料。
3. 单晶硅生长：采用直拉法或区熔法等工艺，将硅料熔化后，通过提拉方式生长出单晶硅。
4. 切割：将生长出的单晶硅棒切割成所需尺寸的硅片。
5. 抛光：对切割后的硅片进行抛光处理，提高其表面质量。
6. 检测：对抛光后的硅片进行检测，确保其质量符合要求。
四、实训过程1. 实训第一天：参观单晶硅生产车间，了解生产工艺流程及设备功能。
2. 实训第二天：学习石英砂提纯、硅料制备等理论知识，并进行实际操作。
（1）石英砂提纯：学习化学提纯方法，实际操作包括溶解、过滤、结晶等步骤。
（2）硅料制备：学习碳还原法，实际操作包括高温还原、冷却、破碎等步骤。
3. 实训第三天：学习单晶硅生长原理，实际操作包括直拉法生长单晶硅。
（1）直拉法生长单晶硅：学习设备操作、温度控制、生长参数调整等技能。
（2）实际操作：按照规范操作步骤，进行单晶硅生长实验。
4. 实训第四天：学习切割、抛光和检测等工艺。
（1）切割：学习切割机操作，实际操作包括切割单晶硅棒、硅片等。
（2）抛光：学习抛光机操作，实际操作包括抛光单晶硅片。
（3）检测：学习检测设备操作，实际操作包括检测硅片质量。
5. 实训第五天：总结实训过程，撰写实训报告。
五、实训结果1. 通过本次实训，我们掌握了单晶硅的生产工艺流程，了解了各环节的操作要点。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 简介单晶硅和多晶硅是用于制造半导体器件的重要材料。
本文将介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由纯度极高的硅原料制成的。
下面是单晶硅的生产工艺步骤：2.1 原料准备原料准备阶段是整个生产过程的第一步。
常用的硅源包括硅石、三氯化硅等。
在这个阶段，硅源会经过多次加热、冷却和化学处理，以提高其纯度。
2.2 硅棒生长在硅棒生长阶段，通过将高纯度的硅溶液注入到石英坩埚中，然后慢慢降低温度，硅原料会逐渐结晶并形成硅棒。
这个过程需要精确的温度控制和其他参数调节，以确保硅棒的质量。
2.3 硅棒加工硅棒生长完成后，需要将其进行加工。
这个过程包括将硅棒切割成小块、研磨和抛光。
最终得到的是一系列小块的单晶硅片，它们可以用于制造半导体器件。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅与单晶硅不同，它的结晶结构是无序的。
下面是多晶硅的生产工艺步骤：3.1 原料准备多晶硅的原料准备阶段与单晶硅类似，也需要对硅源进行加热、冷却和化学处理，以提高纯度。
3.2 硅片生长在硅片生长阶段，通过将高纯度的硅原料加热至熔化状态，并引入掺杂物，在特定的温度和压力下，硅原料会结晶并形成多晶硅。
这个过程需要精确的温度和压力控制，以确保多晶硅的质量。
3.3 硅片加工多晶硅生长完成后，需要将其进行加工。
与单晶硅类似，多晶硅需要经过切割、研磨和抛光等步骤，以得到最终的多晶硅片。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在性质特点上有一些区别：4.1 结晶结构单晶硅具有有序的结晶结构，原子排列有规律，这使得单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
多晶硅的结晶结构是无序的，原子排列无规律，电子迁移率和电阻率相对较低。
4.2 成本由于生产工艺的复杂性，单晶硅的生产成本相对较高。
多晶硅的生产成本相对较低。
4.3 应用范围单晶硅通常用于制造高性能的半导体器件，如集成电路和太阳能电池等。
多晶硅由于成本较低，通常用于制造一些低成本的半导体器件，如显示器件和光电器件等。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 引言单晶硅和多晶硅是半导体行业中常见的材料，它们在太阳能电池、集成电路等领域得到广泛应用。
本文将为您介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由高纯度硅材料制成的晶体，它具有较高的电子迁移率和较低的杂质浓度，适用于制造高性能的光电器件。
以下是单晶硅的主要生产工艺：2.1. Czochralski法生长单晶硅Czochralski法是目前最常用的单晶硅生长方法之一。
其基本过程如下：1.准备硅原料：将高纯度硅材料溶解在熔融的硅中，制备成硅锭。
2.调节温度和附加剂：控制硅锭的温度和加入适量的掺杂剂，以调节硅材料的电性能。
3.生长晶体：将铜制的拉杆浸入熔融硅中，形成硅锭的结晶核心，通过拉杆的旋转和上拉控制晶体的生长方向、速度和尺寸。
4.切割晶体：待晶体生长到一定程度后，将其从硅锭中切割成片，得到单晶硅片。
2.2. Float-zone法生长单晶硅Float-zone法是另一种单晶硅生长方法，它主要用于生产直径较小的单晶硅。
其生产过程相对复杂，但能够获得较高纯度的单晶硅。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅是由粉末状硅材料制成的，其晶体结构不规则，具有较高的电阻率和较高的杂质浓度。
以下是多晶硅的主要生产工艺：3.1. 气相淀积法制备多晶硅气相淀积法是最常用的多晶硅制备方法之一。
其基本过程如下：1.原料气体制备：将硅材料化为气态，如通过热解硅烷（SiH4）制备硅含氢气体。
2.沉积硅层：将硅含氢气体引入反应室，在衬底上沉积出一层硅薄膜。
3.重复沉积：重复沉积步骤，使硅薄膜逐渐增厚，形成多晶硅。
3.2. 其他多晶硅制备方法除了气相淀积法，还有一些其他的多晶硅制备方法，如溶液法、电化学沉积法等。
这些方法在特定的应用领域有其独特的优势和适用性。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在晶体结构、电子性能和应用方面存在一定的差异。
以下是它们的性质特点：4.1. 晶体结构单晶硅具有有序的晶体结构，晶界较少，晶粒较大。
单晶硅工艺学习计划
单晶硅工艺学习计划一、学习目的单晶硅工艺是半导体制造领域的核心技术之一，对于理解半导体制造工艺以及提高自身综合素质具有重要意义。
因此，我决定进行单晶硅工艺学习，以提高自己在半导体制造领域的技术水平和综合素质。
二、学习内容1. 基础知识单晶硅工艺制备的基本原理和工艺流程，包括单晶硅的制备方法、晶体生长原理、晶体生长设备等；2. 设备介绍单晶硅工艺中所使用的设备及其原理，包括Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等；3. 工艺流程单晶硅从原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等流程的详细介绍；4. 质量控制单晶硅质量控制的关键技术和方法，如控制晶体缺陷、杂质控制等；5. 工艺改进单晶硅工艺中的优化和改进方法，如提高生长速率、减少晶体缺陷等。
三、学习计划1. 第一阶段：基础知识学习第一阶段主要学习单晶硅制备的基本原理和工艺流程。
计划通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅的制备方法、晶体生长原理等，为后续学习打下基础。
预计耗时1个月。
2. 第二阶段：设备介绍第二阶段主要学习单晶硅工艺中所使用的设备及其原理。
计划通过查阅相关资料，了解Czochralski法生长炉、Float Zone法设备等的工作原理、性能特点等。
预计耗时1个月。
3. 第三阶段：工艺流程学习第三阶段主要学习单晶硅工艺中的详细流程，包括原料净化、晶体拉制、切割、抛光、清洗等。
计划通过学习相关资料和实际操作，了解每个工艺环节的具体要求和操作方法。
预计耗时2个月。
4. 第四阶段：质量控制学习第四阶段主要学习单晶硅质量控制的关键技术和方法。
计划通过学习相关资料和参与实际项目，了解控制晶体缺陷、杂质控制等的具体方法和手段。
预计耗时2个月。
5. 第五阶段：工艺改进学习第五阶段主要学习单晶硅工艺中的优化和改进方法。
计划通过阅读相关资料和参与项目实践，了解提高生长速率、减少晶体缺陷等的具体技术和流程。
预计耗时1个月。
四、学习方法1. 自主学习通过阅读相关书籍、资料，了解单晶硅工艺的基本知识和具体流程；2. 实践操作参与实际项目，亲自操作设备和工艺流程，了解实际操作流程和技术要求；3. 参与讨论参加相关学术沙龙、讨论会，与行业专家和同行交流经验，深入了解行业发展动态和前沿技术。
半导体第三讲：单晶硅生长技术、工艺、设备培训课件
采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入 Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到 0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制， 熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流， 单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改 善。
2022/5/2
氧浓度的控制
在直拉单晶硅生长过程中, 由于石英坩埚的 溶解, 一部分氧通常会进入到单晶硅中, 这些 氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙 氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解 度时, 间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来, 形成 单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅 片中的氧沉淀进行控制, 将会对集成电路造 成危害。
2022/5/2
由于生长过程中熔区始终处于悬浮状态, 不与任何物质接触,生长过程中的杂质分凝 效应和蒸发效应显著等原因, 因此产品纯度 高, 各项性能好。
但由于其生产成本高, 对设备和技术的 要求较为苛刻, 所以一般仅用于军工。太空 等高要求硅片的生长。
2022/5/2
Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量 低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧 形成的施主与沉积物，但其机械强度却不 如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产 生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高 其强度。
2022/5/2
对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
2022/5/2
区熔(FZ )法生长硅单晶
无坩埚悬浮区熔法。 原理：在气氛或真空的炉室中，利用高频
另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开 系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流 的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱， 不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡 消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶 液界面吹拂能力加强。
单晶技能操作培训手册
目录一半导体概况 (2)1、半导体物理基础知识 (2)1.1导体，绝缘体和半导体 (2)1.2半导体材料的类别 (3)1.3晶体与非晶体 (3)1.4多晶体和单晶体 (4)1.5 N型半导体和P型半导体 (4)1.6多数载流子与少数载流子 (4)1.7杂质补偿 (5)1.8电阻率 (5)1.9结晶 (6)2、硅材料 (7)2.1硅石 (7)2.2硅单晶 (8)3、半导体技术 (12)二车间概况 (18)1、生产流程 (18)2、组织结构 (19)3、岗位职责 (19)三硅料简介 (20)四设备概况 (21)1、TDR-70A/B型单晶炉 (21)2、JRDL-800型单晶炉 (22)五生产工艺 (34)1、作业准备 (34)2、设备装载与清洁 (35)2.1真空过滤器清洗 (35)2.2真空泵油检查更换 (35)2.3石墨件清洗 (35)2.4单晶炉室清洗 (36)2.5石墨件安装 (37)2.6石英坩埚安装 (38)3、拉晶工艺 (38)3.1硅料安装 (38)3.2籽晶安装 (39)3.3抽空检漏 (39)3.4充氩气 (40)3.5升功率 (40)3.6熔料 (40)3.7拉晶步骤 (42)3.8降功率 (47)3.9停炉冷却 (47)3.10热态检漏 (47)3.11取单晶和籽晶 (48)4、设备拆卸与检修 (48)4.1石墨件取出冷却 (48)5、母合金 (49)六设备维护 (50)七其他 (51)1、5S管理 (51)一半导体概况1、半导体物理基础知识1.1导体，绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。
因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。
单晶硅设备工艺流程
单晶硅设备工艺流程
1.原料准备：单晶硅的主要原料是冶炼用石英砂，通常经过洗选、干
燥等处理，使得原料的杂质含量满足要求。
2.熔炼：将原料石英砂与还原剂等掺混后投入石墨电阻加热炉内进行
熔炼。
石墨电阻加热炉会使原料达到熔点，经过高温处理，熔融的石英砂
会逐渐凝固形成单晶硅。
3.拔取：在熔炼过程中会用到拔取技术。
拔取是通过将单晶硅的种子
晶体插入熔液中，然后逐渐向上拉取，使单晶硅沿着晶体方向生长。
4.矫整：拔取后的单晶硅棒需要进行矫整处理。
矫整是通过加热、旋
转和拉伸等过程，使单晶硅棒达到所需的直径和形状。
5.切割：矫整后的单晶硅棒会被切割成所需的长度，通常使用激光或
钻孔方式进行切割。
6.清洗和提纯：切割后的单晶硅棒需要进行清洗和提纯处理。
清洗是
为了去除表面的杂质和污染物，提纯是为了进一步提高单晶硅的纯度。
7.化学机械抛光：通过机械研磨和腐蚀的方式，对单晶硅棒进行抛光
处理。
抛光是为了获得更加光滑和平整的表面，以便后续工艺的进行。
8.晶片制备：将单晶硅棒切割成薄片，通常使用金刚石锯片进行切割。
切割后的单晶硅薄片可以用来制备太阳能电池、集成电路等。
9.检测和测试：对制备的单晶硅材料进行检测和测试，包括物理性能、光学性能等方面。
这是为了确保单晶硅材料达到所需的质量和性能要求。
以上是单晶硅设备工艺流程的主要步骤，每个步骤都需要精确控制各种工艺参数和设备条件，以确保最终制备的单晶硅材料具有高纯度和良好的性能。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
单晶炉工艺流程： 单晶炉工艺流程：
准备作业 热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 籽晶安装 单晶炉室清洗 抽空，检漏 等径生长
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
充氩气，升功率，融料 收尾 降功率 停炉冷却
引晶，放大，放肩，转肩
详细介绍： 详细介绍：
• 1.准备作业：穿戴好洁净工作服，鞋，带好一次性手套，耐高温手套， 准备作业： 准备作业
水路接头
观察窗
主室内部： 主室内部：
籽晶夹
籽晶 单晶棒 三瓣埚 石棉碳粘 石英坩埚 加热器
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
6.单晶炉拉晶： 单晶炉拉晶： 单晶炉拉晶
7.硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。 硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。 硅棒检测 8.开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。 开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。 开断 9.包装：将开断后的单晶硅棒进行包装，送至下一道工序 包装：将开断后的单晶硅棒进行包装， 包装
晶体速度控制界面： 晶体速度控制界面：
加热器是热场中很重要的部件， 加热器是热场中很重要的部件， 是热场中很重要的部件 是直接的发热体， 是直接的发热体，温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 时候可以达到 ℃以上。 常见的加热器有三种形状， 常见的加热器有三种形状，筒 杯状、螺旋状。 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状， 多数加热器为筒状，硅单晶厂 房使用的是直筒式 直筒式形状的加热 房使用的是直筒式形状的加热 右图为加热器。 器。右图为加热器。
1.提拉头： 提拉头： 提拉头
提拉头：晶升电机，晶转电机，离合器，钢丝绳，光感 限位，磁流体等部件组成。 作用 ：在拉晶过程中，提供晶升与晶转速度，通过PCC控 制模块 的开关量变化，来控制晶体直径。
2.副室，翻板阀，主室： 副室，翻板阀，主室： 副室
炉盖： 炉盖：
。
6.真空泵注油：当油标高于1/2时，禁止注油。 真空泵注油： 真空泵注油
7.单晶炉室清洗： 单晶炉室清洗： 单晶炉室清洗
8.石墨件安装： 石墨件安装： 石墨件安装
9.硅料安装： 硅料安装： 硅料安装
10.籽晶安装：将副室旋出，重锤安装后，将籽晶安装，插好销头。 籽晶安装： 籽晶安装
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
单晶炉种类： 单晶炉种类：
• 单晶炉，目前可以分为：小松炉；642炉；70炉；莱宝炉；80炉；85 炉；90炉；95炉；97炉。 • 目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为80炉；85炉；90炉。 • 各个单晶炉的工作原理相同，都是根据4的速度进行晶体直径控制及 可控硅整流提供50V直流电源，进行加热。 • 小松炉；642炉；70炉，电气控制部分为按钮式；莱宝炉产生后，以 后的单晶炉都采用触摸屏式。
单晶硅设备工艺培训
人员安全部分
大纲
• • • • • • • • • • 1. 硅料的提炼 2.单晶硅片工艺流程 单晶硅片工艺流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
单晶硅片工艺流程： 单晶硅片工艺流程：
1.酸洗：使用稀硝酸HNO3,进行清洗，去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。
2.清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。
3.单晶硅料烘干：去除水分。 单晶硅料烘干：去除水分。 单晶硅料烘干
4.挑料：区分P型，N型硅料。 挑料：区分 型 型硅料。 挑料 型硅料 5.配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。 配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。 配料
钢丝绳 重锤
籽晶
11.抽空检漏：先用副泵抽到2700帕以下后，关闭副室球阀和副泵电源 抽空检漏： 抽空检漏
打开真空泵球阀，打开真空主泵。炉压达到<20帕时， 冲氩气，打开主，副室流量计，调节到30L/min，过5分钟后， 关闭氩气，流量计仍保持原来的位置，待炉压<5帕时关闭主室 球阀，关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时，漏速 <0.34帕/分。如达不到，需重复上述操作。
SL控制示意图： 控制示意图： 控制示意图
SL自动等径原理： 自动等径原理： 自动等径原理
晶升伺服电机： 晶升伺服电机：
晶升系统调试详解：1.将引晶器归0。 晶升系统调试详解：
2.给定速度0.5，等待2—3分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节Z (SL A/D)，使数值一样。 3.给定数值2，等待1—2分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节F (SL A/D) ，使数值一样。 4.重复2.3步骤，使给定0.5和2时，都于平均拉速相同。 5.给定0.5，调节Z (SL SP) ，使之相等。 6.给定2，调节Z (SL SP) ，使之相等。 7.调节DIS，调节引晶器数值。
石墨环、 安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器
→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩 →导气孔→保温盖板→装导流筒→压环
谢谢大家
10.磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。 磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。 磨圆
线切割原理： 线切割原理：
12.清洗： 清洗： 清洗
13.单晶硅片检测： 单晶硅片检测： 单晶硅片检测
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
• 2.热态检漏：检查上一炉功率关闭时间，在停炉冷却2小时后，关闭 热态检漏： 热态检漏
• 3.取单晶和籽晶：关闭2个速度，关闭氩气。打开翻板阀，将单晶替 取单晶和籽晶： 取单晶和籽晶
4.石墨件取出冷却：升炉盖，取出导流罩，保温盖。石英坩埚等放在指定位置。 石墨件取出冷却： 石墨件取出冷却
5.真空过滤器清洗： 5.真空过滤器清洗：用 洗尘管清理各个真空管道，并将真空过滤箱中的过滤器取出 真空过滤器清洗
硅的提炼： 硅的提炼：
硅，Si,地球上含硅的东西多的很好像90%以上都是晶硅的，也就是单晶硅。 太阳能级别的硅纯度6N以上就可以了。 开始是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把 气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气体 通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为 是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多晶硅。
目录
1.Si的介绍 的介绍 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
目录
1.Si的介绍 的介绍 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分
12.冲氩气，升功率，融料：打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/min 冲氩气，升功率，融料： 冲氩气
使炉内压力在1000—1500帕。功率每0.5小时加一次。
13.引晶，放大，放肩，转肩，等径： 引晶，放大，放肩，转肩，等径： 引晶
引晶
放大
放肩
转肩
等径
收尾
取硅棒
目录
1.硅料的提炼 硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 晶升， 10.加热部分 加热部分