纯电阻负载设计难点

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单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)解读

单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)解读

1 单相桥式全控整流电路的功能要求及设计方案介绍1.1 单相桥式全控整流电路设计方案1.1.1 设计方案图1设计方案1.1.2 整流电路的设计主电路原理图及其工作波形图2 主电路原理图及工作波形主电路原理说明:(1)在u2正半波的(0~α)区间,晶闸管VT1、VT4承受正向电压,但无触发脉冲,晶闸管VT2、VT3承受反向电压。

因此在0~α区间,4个晶闸管都不导通。

(2)在u2正半波的(α~π)区间,在ωt=α时刻,触发晶闸管VT1、VT4使其导通。

(3)在u2负半波的(π~π+α)区间,在π~π+α间,晶闸管VT2、VT3承受正向电压,因无触发脉冲而处于关断状态,晶闸管VT1、VT4承受反向电压也不导通。

(4)在u2负半波的(π+α~2π)区间,在ωt=π+α时刻,触发晶闸管VT2、VT3使其元件导通,负载电流沿b→VT3→R→VT2→α→T的二次绕组→b流通,电源电压沿正半周期的方向施加到负载电阻上,负载上有输出电压(ud=-u2)和电流,且波形相位相同。

2 触发电路的设计2.1 晶闸管触发电路触发电路在变流装置中所起的基本作用是向晶闸管提供门极电压和门极电流,使晶闸管在需要导通的时刻可靠导通。

根据控制要求决定晶闸管的导通时刻,对变流装置的输出功率进行控制。

触发电路是变流装置中的一个重要组成部分,变流装置是否能正常工作,与触发电路有直接关系,因此,正确合理地选择设计触发电路及其各项技术指标是保证晶闸管变流装置安全,可靠,经济运行的前提。

,开始启动A/D转换;在A/D转换期间,START应保持低电平。

2.1.1 晶闸管触发电路的要求晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。

触发电路对其产生的触发脉冲要求:(1)触发信号可为直流、交流或脉冲电压。

(2)触发信号应有足够的功率(触发电压和触发电流)。

(3)触发脉冲应有一定的宽度,脉冲的前沿尽可能陡,以使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。

电力电子设计(单相全控桥式-纯电阻负载)

电力电子设计(单相全控桥式-纯电阻负载)

电力电子课程设计单相全控桥式晶闸管整流电路设计(纯电阻负载)院别:机械与电子工程学院专业班级:电气工程自动化0803姓名:徐浩学号:2008011251指导老师:施云2011年1 月6日电力电子课程设计一、设计课题目单相全控桥式晶闸管整流电路设计(纯电阻负载)二、设计要求1、单相全控桥式晶闸管整流电路的设计要求为:负载为阻性负载.2、技术要求:(1).电网供电电压:交流100V/50Hz;(2).输出功率:500W;(3).移相范围:0度—180度;三、课程设计的性质和目的1、性质:是电气信息专业的必修实践环节;2、目的:(1).培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力;(2).加深理解《电力电子技术》课程的基本理论;(3).初步掌握电力电子电路的设计方法。

前言电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。

它主要研究各种电力电子器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置,以完成对电能的变换和控制。

它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支,又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支,或者说是强弱电相结合的新科学。

电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。

随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。

在电能的生产和传输上,目前是以交流电为主。

电力网供给用户的是交流电,而在许多场合,例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等,需要用直流电。

要得到直流电,除了直流发电机外,最普遍应用的是利用各种半导体元件产生直流电。

这个方法中,整流是最基础的一步。

整流,即利用具有单向导电特性的器件,把方向和大小交变的电流变换为直流电。

整流的基础是整流电路。

单相桥式整流电路纯电阻负载课程设计

单相桥式整流电路纯电阻负载课程设计

1引言什么是电力电子技术?顾名思义,可以认为,所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。

具体地说,电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

目前所用的电力电子器件均由半导体制成,故也称“电力半导体器件”。

电力电子技术所变换的“电力”功率可以大到数百兆瓦甚至吉瓦,也可以小到数瓦甚至毫瓦级。

本文以单相桥式全控整流电路电阻性负载为研究对象,介绍了单相桥式全控整流电路的工作原理,并对MATLAB/SIMULINK模块中电力电子仿真所需要的电力系统模块做了简要的说明,介绍了单相桥式全控整流电路的主要环节及工作原理,并且分析了触发角为30°的情况,在此基础上运用MATLAB软件分别对电路的仿真进行了设计,实现了对单相桥式全控整流电路的仿真,并对仿真结果进行分析。

2 单相桥式全控整流电路纯电阻负载2.1 理论设计2.1.1 电路分析与工作原理单相桥式全控整流电路带电阻负载电路如图(1):图(1)1)闸管VT1和VT4组成一对桥臂,VT2和VT3组成另一对桥臂。

2)在U2正半周(即a 点电位高于b 点电位)√若4个晶闸管均不导通,id=0,ud=0,VT1、VT4串联承受电压U2。

√在触发角α处给VT1和VT4加触发脉冲,VT1和VT4即导通,电流从电源a 端经VT1、R 、VT4流回电源b 端。

3)当U2过零时,流经晶闸管的电流也降到零,VT1和VT4关断。

4)在U2负半周,仍在触发角α处触发VT2和VT3,VT2和VT3导通,电流从电源b 端流出,经VT3、R 、VT2流回电源a 端。

5)到U2过零时,电流又降为零,VT2和VT3关断。

单相全控桥式带电阻负载时的电路及波形如图(2)所示:图(2)2.1.2 参数计算1)晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为和 。

2)整流电压平均值为:b)c)d)uVT222U 22U ⎰+=+==παααπωωπ2cos 19.02cos 122)(d sin 21222U U t t U U dα=0时,Ud= Ud0=0.9U2。

单相桥式全控整流电路设计纯电阻负载.doc

单相桥式全控整流电路设计纯电阻负载.doc

单相桥式全控整流电路的设计 一、1. 设计方案及原理1.1 原理方框图1.2 主电路的设计电阻负载主电路主电路原理图如下:Rid1.3主电路原理说明1.3.1电阻负载主电路原理(1)在u2正半波的(0~α)区间,晶闸管VT1、VT4承受正向电压,但无触发脉冲,晶闸管VT2、VT3承受反向电压。

因此在0~α区间,4个晶闸管都不导通。

假如4个晶闸管的漏电阻相等,则Ut1.4= Ut2.3=1/2u2。

(2)在u2正半波的(α~π)区间,在ωt=α时刻,触发晶闸管VT1、VT4使其导通。

(3)在u2负半波的(π~π+α)区间,在π~π+α区间,晶闸管VT2、VT3承受正向电压,因无触发脉冲而处于关断状态,晶闸管VT1、VT4承受反向电压也不导通。

(4)在u2负半波的(π+α~2π)区间,在ωt=π+α时刻,触发晶闸管VT2、VT3使其元件导通,负载电流沿b→VT3→R→VT2→α→T的二次绕组→b流通,电源电压沿正半周期的方向施加到负载电阻上,负载上有输出电压(ud=-u2)和电流,且波形相位相同。

1.4整流电路参数的计算电阻负载的参数计算如下:(1)整流输出电压的平均值可按下式计算U d=0.45U2(1+cos错误!未找到引用源。

)(1-1)当α=0时,U取得最大值,即d U= 0.9 2U,取2U=100V则U d =90V,dα=180o 时,d U =0。

α角的移相范围为180o 。

(2) 负载电流平均值为I d =U d /R=0.45U 2(1+cos 错误!未找到引用源。

)/R(1-2)(3)负载电流有效值,即变压器二次侧绕组电流的有效值为 I2=U2/R )sin 21(παπαπ-+ (1-3) (4)流过晶闸管电流有效值为 IVT= I2/2 (1-4)二、元器件的选择晶闸管的选取晶闸管的主要参数如下:①额定电压U TN通常取DRM U 和RRM U 中较小的,再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。

mosfet降压斩波电路 (纯电阻负载)介绍

mosfet降压斩波电路 (纯电阻负载)介绍

mosfet降压斩波电路 (纯电阻负载)介绍MOSFET降压斩波电路是一种常用的直流电源控制电路,在纯电阻负载方面被广泛应用。

下面将从以下几个方面进行介绍。

一、电路原理MOSFET降压斩波电路是通过MOSFET管的导通和截止来实现直流电压的控制。

当MOSFET管导通时,电流通过MOSFET管和负载形成一个电压降,从而将原直流电压降低;当MOSFET管截止时,负载中的电流就会被磁场感应电压带回直流电源中,这就实现了负载电流的轻松控制。

二、电路特点MOSFET降压斩波电路具有很多优点,如可靠性高、速度快等,但其中最重要的是其高效率和稳定性。

其高效率使其可以大幅降低功耗,提高设备的运行效率。

而稳定性则可以保证电路在各种应用场合下都能稳定地工作。

三、电路实现MOSFET降压斩波电路的实现可以分为以下几个环节:1.设计合适的MOSFET管:选用合适的MOSFET管可以实现电路的高效率和稳定性。

2.设计适当的电压控制电路:电压控制电路的设计要适应负载电流的变化,从而实现电路的高效率控制。

3.设计合适的滤波电路:滤波电路可以减少输出电压的纹波,从而保证输出电压的稳定性。

4.安装合适的保护电路:保护电路可以避免电路在过载、短路等情况下受到损坏。

四、实际应用MOSFET降压斩波电路在工业和家庭应用中都有广泛的应用。

例如,在电子设备中,MOSFET降压斩波电路可以控制设备的输出电压,这可以在电路工作时减少电能的浪费,提高电能的利用效率。

另外,MOSFET 降压斩波电路还可以应用于太阳能、风能等新型能源的发电电路中,提高发电的效率和稳定性。

总之,MOSFET降压斩波电路是一种有效的直流电源控制电路,在纯电阻负载方面被广泛应用。

其高效率和稳定性使其成为电子设备和新型能源应用等领域中不可替代的关键技术。

IGBT降压斩波电路设计(纯电阻负载)解读

IGBT降压斩波电路设计(纯电阻负载)解读

课程设计任务书学生姓名:专业班级:指导教师:工作单位:题目:IGBT降压斩波电路设计(纯电阻负载)设计条件:1、输入直流电压:Ud=150V2、输出功率:250W3、开关频率4KHz4、占空比5%~50%5、输出电压脉率:小于5%要求完成的主要任务:1、根据课程设计题目,收集相关资料、设计主电路、控制电路;2、用MATLAB/Simulink对设计的电路进行仿真;3、撰写课程设计报告——画出主电路、控制电路原理图,说明主电路的工作原理、选择元器件参数,说明控制电路的工作原理、绘出主电路典型波形,绘出触发信号(驱动信号)波形,并给出仿真波形,说明仿真过程中遇到的问题和解决问题的方法,附参考资料;4、通过答辩。

时间安排:2012.12.24-12.29指导教师签名:年月日系主任(或责任教师)签名:年月日目录1原理分析及电路设计 (1)1.1IGBT降压斩波电路组成 (1)1.2主电路工作原理及结构说明 (1)2各模块电路设计 (3)2.1主电路带纯电阻负载 (3)2.2控制电路 (4)2.3驱动电路 (6)2.4保护电路 (7)2.5各器件参数确定 (8)3系统仿真及结果分析 (10)3.1建立仿真电路模型 (10)3.2设置仿真参数 (11)3.3仿真结果分析 (14)3.4结论 (16)心得体会 (17)参考文献 (18)I GBT 降压斩波电路设计1原理分析及电路设计1.1IGBT 降压斩波电路组成直流-直流变流电路的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电,包括直接直流变流电路和间接直流变流电路,IGBT 降压斩波电路是直接直流变流电路。

直流降压斩波电路不需要输入输出间的隔离。

直流电压变换电路主要可控器件为全控器件IGBT ,其所带负载可为阻性感性以及容性。

与一般电子电路结构类似,直流降压斩波电路主要分为三个部分,分别为主电路模块,控制电路模块和驱动电路模块。

电路的结构框图如图1所示。

单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)

单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)

1 绪论晶闸管出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明时期。

晶闸管由于其优越的电气性能和控制性能,使之很快就取代了水银整流器和旋转变流机组。

并且,其应用范围也迅速扩大。

电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。

晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。

对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制式,简称相控方式。

晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。

这就使得晶闸管的应用受到了很大的局限。

70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。

全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。

在80年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)为表的复合型器件异军突起。

它是MOSFET和BJT的复合,综合了两者的优点。

与此相对,MOS控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)复合了MOSFET和GTO。

电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。

它主要研究各种电力电子器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置,以完成对电能的变换和控制。

它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支,又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支,或者说是强弱电相结合的新科学。

电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。

在电气自动化专业中已成为一门专业基础性强且与生产紧密联系的不可缺少的专业基础课。

本课程体现了弱电对强电的控制,又具有很强的实践性。

能够理论联系实际,在培养自动化专业人才中占有重要地位。

它包括了晶闸管的结构和分类、晶闸管的过电压和过电流保护方法、可控整流电路、晶闸管有源逆变电路、晶闸管无源逆变电路、PWM控制技术、交流调压、直流斩波以及变频电路的工作原理。

变压器 纯电阻负载

变压器 纯电阻负载

变压器纯电阻负载一、引言变压器是电力系统中常见的电力设备,用于改变交流电的电压水平。

在实际应用中,变压器常常需要承受各种负载,其中纯电阻负载是一种常见的负载类型。

本文将详细探讨变压器在纯电阻负载下的性能特点、工作原理以及影响因素。

二、纯电阻负载的定义与特点纯电阻负载是指负载电路中只包含电阻元件,不包含电感、电容等元件。

在纯电阻负载下,电流与电压之间呈线性关系,负载电路中不会产生电感电流和电容电流,电压和电流的相位角为零。

纯电阻负载具有以下特点: 1. 电流与电压呈线性关系:根据欧姆定律,电流与电压之间的关系为I=V/R,其中R为电阻值。

2. 无电感电流和电容电流:由于纯电阻负载中不包含电感和电容元件,因此不存在电感电流和电容电流。

3. 电压和电流的相位角为零:在纯电阻负载下,电压和电流的相位差为零,即电压和电流完全同相。

三、变压器在纯电阻负载下的工作原理变压器是由两个或多个线圈通过磁场耦合而成的电气设备,主要由铁芯和线圈组成。

在纯电阻负载下,变压器的工作原理如下:1.主线圈中的电流产生磁场:当主线圈中有电流流过时,根据安培环路定理,会在铁芯中产生磁场。

这个磁场会通过铁芯传导到副线圈中。

2.磁场感应副线圈中的电动势:由于磁场的存在,副线圈中会感应出电动势。

根据法拉第电磁感应定律,磁通量的变化会在线圈中产生电动势。

3.副线圈中的电流产生电压:当副线圈接入负载电路时,电动势会驱动电流流过负载电阻,产生电压。

4.电压的变化通过变比传递:根据变压器的变比关系,主副线圈的匝数比决定了输入电压和输出电压的比值。

在纯电阻负载下,输出电压与输入电压的比值等于变比。

四、影响变压器在纯电阻负载下性能的因素变压器在纯电阻负载下的性能受到多种因素的影响,主要包括以下几个方面:1.线圈的电阻:线圈的电阻决定了负载电路中的电流大小,同时也影响着线圈的发热情况。

较大的线圈电阻会导致较大的功率损耗。

2.线圈的电感:尽管在纯电阻负载下不存在电感电流,但线圈的电感仍然会对变压器的性能产生一定影响。

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纯电阻负载设计难点
使用功率电阻,例如氧化膜电阻,水泥电阻,以及可调功率电阻器做负载,对直流电源进行负载测试,是否是可行,稳定,精度足够的一种选择呢?
市场目前在实验室中测试电源管理芯片时,采用电子负载产品。

但是电子负载属于有源设备,其小电流时纹波大,以及有源器件固有的噪声,使得用其作为电源模块的测试负载,不利于分析产品故障或失效原因。

因此,尤其是芯片设计人员和应用工程师通常倾向于使用纯电阻可调负载,以规避电子负载的这些缺陷。

遗憾地是,目前功率可调电阻中可以用来做负载的,可选之物甚少。

功率电位器是一个选择。

但在功率和精度上都存在很多弱点。

首先,普通电位器功率偏小;其次,调节精度难以达到负载调节使用的要求。

拿目前市场上做的比较好的捷骏牌的10圈线绕功率电位器(/buy/s-592945.html),阻值100ohm(功率3W)来做举例如下。

一、电位器功率讨论
假设电压U不变化,r1表示限流电阻阻值,是一个已确定的参数,R表示电位器阻值,相当于一个可变化的电阻。

那么P表示电位器R 的功率,P随R的变化而变化。

如图1:
P=2
)1(2R r R U +
------------公式1 对P 以R 求导:
=dR dP 3
2)
1()
1(R r R r U +− ------------公式2 当
=dR
dP
0时,也即R=r1时, 取得极大值P Max =22141r r U =1
42
r U
假设r1=5Ω,U=5V,R=0-100Ω。

图1如下:
表1:部分靠近极值时的数据 R(Ω)
P(W)
R(Ω)
P(W) 4.4 1.244907 4.9 1.249872
4.5 1.246537 5 1.254.6
1.24783
5.1 1.2498774.7 1.248804 5.2 1.2495194.8 1.249479
5.3
1.24894
从该图和表1可以看出,当R=r1时,电位器功率P 的值达到最大。

又,根据功率极值公式P Max =1
42
r U 可知,电位器在回路中工作时,能消耗的最大功率,和回路的总电压的平方成正比,和该回路的限流电阻成反比。

下表2显示了不同负载电流,不同限流电阻值时,对应的电位器最大功率值的情况。

表2:
I U r1
P Max
1A 5V 5ohm(数值上=U) 1.25W(数值上=U/4) 2A 5V 2.5ohm(数值上=U/2)
2.5W(数值上=U/2)
3A 5V 1.66ohm(数值上=U/3) 3.75W(数值上=3U/4) 4A
5V
1.25ohm(数值上=U/4) 5W(数值上=U)
我们还可以根据公式P Max =1
42
r U 求得,当电位器可承载功率最大为
3W时,使用该电位器能得到的最大电流为:I max =
1
r U =U P Max
4=2.4A。

结合表2列出的数据,可以看到,当被测电压更高,输出功率更高时,电位器当负载使用,难以实现。

市场上有更高功率的可调电阻器,但调节精度则很差了。

在实际调试时,使用P=
2
)1(2R r R
U +公式来分析时,可能略显不够直观,因为我们看到的只是P 随R 的变化关系。

假如在回路中加入一个数字显示的电流表(读数为I),实验者可能更希望直观地看一下电流I 的变化会引起电位器功率P 的变化的变化规律。

试讨论之:
P=(U-I.r1).I= -r1(I-12r U )2 +1
42
r U ------------公式3
假如r1,U是已知参数,那么P是I的一元二次函数,是一条抛物
线曲线,当I=12r U
时,有极大值P Max =1
42r U 。

假如r1=5Ω,U=5V 时,那么当I=0.5A 时,P Max =1.25W。

以此这个极大值点为参考,实验者在调节时,宜避免在此点停留过长时间,以延长
可调电阻器的寿命。

二、电位器电流精度讨论
通常,测试电源类产品,主要看当负载变化时,电压和电流的变化,其中尤其关注电流的变化。

根据上图,公式为:
I=
R
r U
+1 -----------公式4 假定U,r1为固定参数。

那么I 是随R 变化的函数。

对I 以R 求导,公式如下:
dR dI =-2
)1(R r U + -----------公式5
变形为:
dI = -
dR R r U
2
)1(+ -----------公式6
我们可以近似认为dR dI =R
I ΔΔ,因此替换后取绝对值,最后公式可为:
|I Δ|=
R R r U
Δ+2
)1( -----------公式7
该公式说明几点:
1、|I Δ| (电流的变化量)受到U,r1,R, R Δ四个因素的影响。

2、当U,r1,R Δ确定时,也即被测电源电压,回路中的限流电阻,电位器的调节情况(最小调节量)已经确定。

此时,|I Δ|是R Δ的单调递减函数,当R=0时,也就是当电位器调节到阻值为0时,|I Δ|有极大值:
|I Δ|max =
R r U
Δ21
-----------公式8 3、下面用图2进一步说明公式6中限流电阻r1的值,对于电流调节精度的影响。

在回路中负载电流较小时,r1阻值的不同,并不能造成电流调节精度的较大差异;而在回路中负载电流较大时,也即电位器调节到阻值较小的情况下,电流调节精度的差异较大。

下面用图表示。

图2:不同限流电阻阻值的精度曲线
4、在2所述情况中,电位器的调节精度R Δ由其本身产品特性决定。

仍以捷骏牌的10圈线绕功率电位器,阻值100ohm(功率3W)来做举例。

我们假设手工可以灵敏到精确调节1°的转角,那么
R Δ=
°
×°
×Ω360101100=0.028=1/36ΩΩ
代入如下公式|I Δ|max =R r U
Δ21
并制表3:
表3:不同电压,不同负载电流时的电流调节精度
从表3中可以看出:
1、电流变化的最大绝对值|I Δ|max ,和被测电压U成反比,也就是电压越小,电流调节的变化值越大,精度越差;高压下精度反而高。

2、在被测电压U不变的情况下,电流变化的最大绝对值|I Δ|max 和负载电流的平方成正比。

电流越大,电流调节的变化值就更大(以平
方的形式放大)。

综合以上所述,以纯电阻做负载,主要面临如何满足足够精度和功率的问题。

在低电压时,负载电流的调节精度是个比较突出的难点,尤其在低电压,大电流的情况下,电阻的较小变化,就能导致电流的极大变化(读者可自行演算,或根据公式7代算)。

而在高电压时,负载电流的调节精度容易得到保证,难点是如何提高电阻器的功率。

我公司常州市雨来科技有限公司出品的纯电阻负载,核心器件采用自主开发的可调功率电阻器,使得其在功率和精度上能有很好的契合,并总结了一整套产品技术方案。

不过如何实现该种可调功率电阻器达到足够大的功率和足够高的精度,涉及到技术保密,就不在文中详细说明了。

总之,常州市雨来科技有限公司采用的电阻调节技术,完全使用纯电阻器件,创新地采用非电子技术来实现可调功率电阻器的调节及大功率,达到了无源,无纹波,纯阻性,调节方便的特点。

常州市雨来科技有限公司
2007-12-11。

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