《致电离辐射探测学》练习题
南京航空航天大学868电离辐射探测学12-18年真题
南京航空航天大学
2012年硕士研究生入学考试初试试题 A
科目代码： 868 科目名称： 致电离辐射探测学 满分： 150 分注意:①认真阅读答题纸上的注意事项；②所有答案必须写在答题纸上，写在本试题纸或草稿纸上均无效；③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回！
一.选择题: (每题8分，共40分)
1、γ射线能谱上的全能峰归因于
（1）康普顿散射；
（2）电子对效应；
（3）光电效应；
（4）特征X射线。
2、气体探测器输出的脉冲信号是由
（1）收集慢离子形成的；
（2）电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的；
（3）电极完全收集电子和离子后形成的；
（4）收集快电子形成的。
3、用电离室测量电离辐射时，电离室中存在的负电性气体分子会：
（1）捕获电子形成负离子，增加复合损失；
（2）捕获电子形成负离子，减小复合损失；
（3）捕获离子，形成负离子，增加复合损失；
（4）捕获离子，形成负离子，减小复合损失。
4、电离辐射在半导体探测器中，将射线能量转换成
（1）电子-光子；
（2）光电子；
（3）电子-空穴对；
（4）电子-离子对。
(完整word版)核辐射探测学习题参考答案(修改)
第一章射线与物质的相互作用1.不同射线在同一物质中的射程问题如果已知质子在某一物质中的射程和能量关系曲线，能否从这一曲线求得d （氘核）与t （氚核）在同一物质中的射程值？如能够，请说明如何计算？解：P12”利用Bethe 公式，也可以推算不同带点例子在某一种吸收材料的射程。
”根据公式：)()(22v R M M v R b abb a a ZZ =，可求出。
步骤：1先求其初速度。
2查出速度相同的粒子在同一材料的射程。
3带入公式。
2：阻止时间计算：请估算4MeV α粒子在硅中的阻止时间。
已知4MeV α粒子的射程为17.8μm 。
解：解：由题意得 4MeV α粒子在硅中的射程为17.8um 由T ≌1.2×107-REMa，Ma=4得 T ≌1.2×107-×17.8×106-×44()s ＝2.136×1012-()s3：能量损失率计算课本3题，第一小问错误，应该改为“电离损失率之比”。
更具公式1.12-重带点粒子电离能量损失率精确表达式。
及公式1.12-电子由于电离和激发引起的电离能量损失率公式。
代参数入求解。
第二小问：快电子的电离能量损失率与辐射能量损失率计算：()20822.34700700()rad iondE E Z dx dEdx*⨯≅=≈4光电子能量：光电子能量：（带入B K ） 康普顿反冲电子能量：200.511m c Mev =ie hv E ε-=220200(1cos ) 2.04(1cos 20) 4.16160.060.3947(1cos )0.511 2.04(1cos 20)0.511 2.040.06Er Ee Mev m c Er θθ--⨯====+-+-+⨯5:Y 射线束的吸收解：由题意可得线性吸收系数10.6cm μ-=，311.2/pb g cm ρ=12220.6 5.3610/11.2/m pb cm cm g g cm μμρ--∴===⨯质量吸收系数 由r N μσ=*可得吸收截面：12322230.6 1.84103.2810/r cm cm N cmμσ--===⨯⨯ 其中N 为吸收物质单位体积中的原子数2233.2810/N cm =⨯ 0()t I t I e μ-=要求射到容器外时强度减弱99.9% 0()0.1%0.001t I t e I μ-∴=∴=即t=5In10 =11.513cm6：已知)1()(tι--=e A t f t 是自变量。
【精编版】2021年电离辐射放射性培训考试题及答案
【精编版】2021年电离辐射放射性培训考试题及答案2021年电离辐射放射性培训考试题及答案一、判断题(正确的打√，错误的打×)1、GB 10252-1996 规定60Co辐照源贮源井水中①总β值不得超过1 Bq ·L-1。
( )答：×②总β值不得超过10 Bq ·L-1。
( )答：√([7]-1)2、辐射工作(放射工作)是指在从事本职工作时，所受的辐射照射可能大于职业性照射①年剂量当量限值的十分之一的工作，这个数值由有关的主管部门规定。
( )答：×②年剂量当量限值的某一分数的工作，这个数值由有关的主管部门规定。
( )([2]-22)3、关键核素是指①在某一给定实践所涉及的对人体照射的各种核素中，具有最重要意义的核素。
( )答：√②在某一给定实践所涉及的对人体照射的各种核素中，浓度最大的核素。
( )答：×③在某一给定实践所涉及的对人体照射的各种核素中，量最大的核素。
( )答：×([2]-30)4、辐射警告标志是指①在实际或可能发射出电离辐射的物质、材料(及其容器)和设备(及其所在区域)上需要附加的有一定规格和颜色的标志。
( ) 答：√②超过某一照射剂量而发出的警报声或信号。
( )([2]-23)5、3H的测量方法一般是液体闪烁法( )。
用半导体探测器或气体探测器也能测量( )。
答：√×6、γ辐射剂量率连续监测系统的测量系统可以采用气体探测器( )，金硅面垒型探测器( )和NaI探测器( )。
答：√×√7、有效剂量当量是当所考虑的效应是随机效应时，①在全身受到非均匀照射的情况下，受到危险的各器官和组织的剂量当量与相应的权重因子乘积的总和。
( )答：√②在全身受到均匀照射的情况下，受到危险的各器官和组织的剂量当量与相应的权重因子乘积的总和。
( )答：×([2]-73)一、(选择)填空题8、氡气测量是使用氡气仪测量土壤、水或大气中的氡浓度，以寻找（）矿和圈定地质构造，也可用于（）预测等。
电离辐射探测学2017年南京航空航天大学硕士研究生考试真题
南京航空航天大学2017年硕士研究生入学考试初试试题（A卷）科目代码:868满分:150 分科目名称:电离辐射探测学注意:①认真阅读答题纸上的注意事项；②所有答案必须写在答题纸上，写在本试题纸或草稿纸上均无效；③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回！一、选择题（每题5分，共20分）1.闪烁探测器中的闪烁体，在探测电离辐射时发光是因为(1). 电离辐射使闪烁体电离而产生的(2). 电离辐射使闪烁体的电子激发和退激发而产生的(3). 电离辐射使闪烁体的电子和空穴的漂移而产生的(4). 电子的雪崩现象。
2.半导体探测器探测射线时，射线沉积在耗尽区的能量将激发产生(1).电子-离子对；(2).电子-光子(3).光电子；(4).电子-空穴对3.γ射线能谱上的单逃逸峰是由(1). 一个电子逃逸造成的；(2). 一个正电子逃逸造成的；(3). 一个湮灭光子的逃逸造成的；(4). . 一对湮灭光子的逃逸造成的。
4. 造成γ射线能谱上的反散射峰的原因是(1). 探测器晶体中康普顿反散射；(2). 探测器周围材料中康普顿反散射；(3). 探测器周围材料中湮灭光子；(4). 探测器晶体中的多次康普顿散射二、简答题（每题6分，共30分）1. 周围材料对探测器的影响如下图所示，请画出探测器测得的能谱。
2.如何测试正比计数器的正比性？3.试述负电性气体杂质对三种气体探测器性能的影响。
4.在γ能谱测量中，常在全能峰的右边（更高能量处）会出现一个或几个峰，这些是什么峰？如何产生的？5.中子按照能量可分为哪几类？常用的中子探测方法有哪些？说明中子活化分析法中活化的流程，并大致画出活化片中放射性核素的变化情况。
三、计算和分析题：（每题20分，共100分1. 在一次放射性测量中，已知样品的计数率约1000min-1，本底计数率约250min-1。
如果要求测量误差≤1%，测量样品和本底的时间各取多少？2.已知GM管的分辨时间τ为350μs，测量得到的计数率为真实计数率的1/2，请分别利用漏计数校正的两个模型，求出真实的计数率。
《致电离辐射探测学》练习题
一.选择题:1、写出放射性原子核衰变时所服从的泊松分布和高斯分布表达式。
答：mnenmnP-=!)(222)(21)(σσπmnenP--=。
2、描述探测器分辨时间的模型如下图所示，请给出这两个模型对测量计数的修正公式。
解：真实计数率为n, 探测器测得的计数率m, 探测器分辨时间为τ3、用正比计数管测量辐射如示意图，画出测得的微分能谱解：τmmn-=1τnnem-=非时滞延迟模型时滞延迟模型4、电离室中存在的负电性气体分子会： （1）捕获电子形成负离子，减小复合损失； （2）捕获离子，形成负离子，增加复合损失； （3）捕获电子形成负离子，增加复合损失； （4）捕获离子，形成负离子，增加复合损失（ ） 5、减小由于负离子的形成而造成的复合损失的措施 （1）增加工作气体的压力； （2）减小工作电压；（3）纯化气体，添加少量双原子气体； （4）减小电子的漂移速度（ ） 6、电离室输出的脉冲信号是由（1）电极完全收集电子和离子后形成的；（2）电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的； （3）收集快电子形成的； （4）收集慢离子形成的（ ） 7. 什么原因造成电离室在饱和区内电流仍随电压升高而增大？ （1）电压升高时，电极边缘的电场增强，使实际的灵敏体积扩大（2）由于负电性气体杂质的存在，消除负离子和正离子复合需要更强的电场。
8. 电离室测量辐射时，输出的电流或电压信号，试分析他们的成份，并画出随时间变化规律的示意图。
电离室的电流或电压信号是由电子和离子的定向漂移，在电极上感生电荷的变化形成的，其主要成分为，电子脉冲和离子脉冲， 其变化规律如图发射的光子，分析气体探测器中的电压信号的成分，并给出信号随时间变化的关系和变化曲线示意图。
答：主要有电子和离子的漂移感生的两种信号构成：其变化如图所示 0000000()() 3.13()(3.13)(3.13)C x eV t W W t t a C dW x d x eW t x t b C d W W d x et c C W +--+-++=+<-=+≤≤-==当（）当当9、画出气体脉冲电离室典型的输出脉冲波形，说明输出回路对波形的影响。
电离辐射放射性复习题及答案
电离辐射（放射性）复习题及参考答案（28题）参考资料[1]GB8703-88辐射防护规定[2]GB4960-85核科学技术术语[3]GB6764-86水中锶-90、铯-137及微量铀分析方法[4]GB5749-85生活饮用水卫生标准[5]GB5750-85总α放射性[6]GB/T8538-1995总β放射性[7]GB10252-1996钴-60辐照装置的辐射防护与安全标准[8]刘书田夏益华等编着，环境污染监测实用手册，原子能出版社，北京，1997（[文献号]-页）一、（选择）填空题1、氡气测量是使用氡气仪测量土壤、水或大气中的氡浓度，以寻找矿和圈定地质构造，也可用于预测等。
①铁②铀③金④水灾⑤旱灾⑥地震答：②铀⑥地震参考资料[2]GB4960-85核科学技术术语，P11，0158是以此点为中心，由密度为的软组织等效材2、某点处的剂量当量指数H1料所组成，其直径为 cm的球体内的剂量当量。
①1g/cm3②2g/cm3③10 ④15 ⑤30 ⑥平均⑦最大答：①1g/cm3⑤30 ⑦最大参考资料[2]GB4960-85核科学技术术语，P36，05573、辐射监测包括：；；；；。
①个人监测②工作场所监测③流出物(源项)监测④环境监测⑤事故监测⑥水体监测⑦大气监测⑧生物监测答：①个人监测②工作场所监测③流出物(源项)监测④环境监测⑤事故监测4、放射性平衡系在某一衰变链中，放射性核素的活度均按该链前驱核素的平均寿命随时间作指数衰变的状态。
这种放射性平衡只有在前驱核素的平均寿命比该衰变链中其他任何一代子体核素的平均寿命长时才是可能的。
如果前驱核素的平均寿命很长，以致在我们考察期间，前驱核素总体上的变化，那么所有核素的放射性活度将几乎相等，这种平衡称为。
否则，就称为。
①可以忽略②相对较小③长期平衡④永久平衡⑤暂时平衡答：①可以忽略③长期平衡⑤暂时平衡([2]－18)5、辐射防护的三原则是：(1) ：为了防止不必要的照射，在引进伴有辐射照射的任何实践之前，都必须经过正当性判断，确认这种实践，获得的净利益超过付出的代价。
南京航空航天大学868电离辐射探测学历年考研真题专业课考试试题
目 录
2011年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题2012年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题2013年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题2014年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题2015年南京航空航天大学868电离辐射探测学考研真题2016年南京航空航天大学868电离辐射探测学考研真题2017年南京航空航天大学868电离辐射探测学考研真题2018年南京航空航天大学868电离辐射探测学考研真题
2011年南京航空航天大学868致电离辐射探测学考研真题。
X射线探伤电离辐射安全与防护基础知识考核试题及答案
X射线探伤-电离辐射安全与防护基础知识一、选择题1、731i中,各个字母和数字的含义正确的是（>［单选题］*A、左上角的7表示的是质子数B、左下角的3表示的是核子数C、左上角的7表示的是核子数，等于质子数加上中子数，D、左下角的3表示的是中子数2、关于固定工作场所在线监测系统应具备的功能，下列属于非必备的功能是（\［单选题］*A、可靠性好B、具有能谱分析功能VC、超阈值报警D、与防护门联锁3、对于一切可以增加辐射照射的人类活动（或称作实践），电离辐射防护基本原则是（）［单选题］*A、实践的正当性、辐射防护最优化、个人剂量限值VB、时间、距离、屏蔽C、同时设计、同时施工、同时投入使用D、采取屏蔽措施、进行剂量监测、加强行政管理4、电离辐射标志是（\［单选题］*A、B、c、一XD、■5、辐射事故主要指除核设施事故以外，（）丢失、被盗、失控，或者放射性同位素和射线装置失控造成人员受到意外的异常照射或环境放射性污染的事件。
［单选题］*A、放射源√B、射线装置C、非密封放射性物质D、货包6、辐射事故主要指除核设施事故以外，放射性源丢失、被盗、失控，或者放射性物质或者（）失控造成人员受到意外的异常照射或环境放射性污染的事件［单选题］*A、放射性物质B、射线装置VC、非密封放射性物质D、密封源7、以下（）事故不是辐射事故［单选题］*A、核技术利用中发生的辐射事故B、放射性废物处理、处置设施发生的辐射事故C、铀矿冶及伴生矿开发利用中发生的环境辐射污染事故D、放射性物质运输中发生了翻车事故，但放射性物质没有泄漏与失控。
√8、辐射事故主要指放射源丢失、被盗、失控，或者放射性同位素和射线装置失控造成人员受到意外的异常照射或（）的事件［单选题］*A、密封源破损B、非密封放射性物质丢失C、环境放射性污染√D、射线装置损毁9、IV、V类放射源丢失、被盗或失控；或放射性同位素和射线装置失控导致人员受到超过年剂量限值的照射的事故属于（）辐射事故。
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一. 选择题:1、写出放射性原子核衰变时所服从的泊松分布和高斯分布表达式。
答：mn en m n P -=!)(222)(21)(σσπm n en P --=。
2、描述探测器分辨时间的模型如下图所示，请给出这两个模型对测量计数的修正公式。
解：真实计数率为n, 探测器测得的计数率 m, 探测器分辨时间为τ3、用正比计数管测量辐射如示意图，画出测得的微分能谱解：τm m n -=1τn nem -=非时滞延迟模型 时滞延迟模型4、电离室中存在的负电性气体分子会： （1）捕获电子形成负离子，减小复合损失； （2）捕获离子，形成负离子，增加复合损失； （3）捕获电子形成负离子，增加复合损失； （4）捕获离子，形成负离子，增加复合损失（ ） 5、减小由于负离子的形成而造成的复合损失的措施 （1）增加工作气体的压力； （2）减小工作电压；（3）纯化气体，添加少量双原子气体； （4）减小电子的漂移速度（ ） 6、电离室输出的脉冲信号是由（1）电极完全收集电子和离子后形成的；（2）电极收集电子和离子过程中，电极上感生电荷的变化形成的； （3）收集快电子形成的； （4）收集慢离子形成的（ ） 7. 什么原因造成电离室在饱和区内电流仍随电压升高而增大？ （1）电压升高时，电极边缘的电场增强，使实际的灵敏体积扩大（2）由于负电性气体杂质的存在，消除负离子和正离子复合需要更强的电场。
8. 电离室测量辐射时，输出的电流或电压信号，试分析他们的成份，并画出随时间变化规律的示意图。
电离室的电流或电压信号是由电子和离子的定向漂移，在电极上感生电荷的变化形成的，其主要成分为，电子脉冲和离子脉冲， 其变化规律如图发射的光子，分析气体探测器中的电压信号的成分，并给出信号随时间变化的关系和变化曲线示意图。
答：主要有电子和离子的漂移感生的两种信号构成：其变化如图所示 0000000()() 3.13()(3.13)(3.13)C x eV t W W t t a C dW x d x eW t x t b C d W W d x et c C W +--+-++=+<-=+≤≤-==当（）当当9、画出气体脉冲电离室典型的输出脉冲波形，说明输出回路对波形的影响。
10. 简述正比计数管中的雪崩现象当射线通过电极间气体时，电离产生的电子和正离子在电场作用下，分别向阳极和阴极漂移。
正离子的质量大，且沿漂移方向的电场又是由强盗弱，因此电场的加速不足以使它发生电离碰撞。
而电子则不然，漂移愈接近阳极，电场强度愈强。
到达某一距离后，电子在平均自由程上获得的能量足以与气体分子发生电离碰撞，产生新的离子对。
同样地，新的电子又被加速再次发生电离碰撞。
漂移愈接近，电离碰撞的概率愈大。
于是，不断增殖的结果将倍增出大量的电子和正离子，这就是电子雪崩的过程。
11.正比计数器在发生电子雪崩的过程中，除了加速电子与气体分子的碰撞产生的电子之外，还有哪些原因产生新的电子？光电效应：受激原子在退激发时发射的光子，以及复合等过程，只要能量足够大，都可能在气体分子或光阴极表面打出光电子阴极表面的二次电子发射：正离子或受激原子撞击阴极表面时可能发射二次电子12 .猝熄气体的主要作用是什么？吸收紫外光的作用抑制正离子发射作用13. 造成G-M管的死时间的原因是（1）电子雪崩产生的大量的电子，削弱阳极的电场强度；（2）电子雪崩产生的大量的正离子，削弱阳极的电场强度；（3）猝熄分子终止放电；（4）猝熄抑制正离子的发射。
14、在GM管中，引起多次放电的主要原因是什么？如何抑制这种现象？答：主要原因有两个：（1）受激气体退激发产生的紫外光在阴极上由于广电效应产生新的电子；（2）具有一定动能的正离子撞击在阴极上产生的二次电子发射。
这些新产生的电子在GM管中引起新的放电。
（2分）抑制的措施：引入多原子分子，由于它们具有密集的振动和转动能级，能强烈地吸收多种能量的光子，从而抑制光电子的产生；引入猝熄气体分子，利用它与正电荷气体分子的电荷交换，由于激发态猝熄分子的解离寿命比退激发光的寿命短很多，故大部分也超前解离而不发射光子，从而抑制正离子在阴极上的二次电子发射。
15. G-M管的坪曲线存在坪斜的原因？乱真放电随电压升高而增多，从而造成假计数增多，乱真放电有以下两个来源猝息不完全：猝息分子的正离子到达阴极有时还能打出少数电子；负离子的形成：电子被捕获形成负离子后漂移速度大大减慢，一直等到放电终止后才能到达强场区16、造成GM管死时间的原因是什么？如何确定GM管的分辨时间？答：入射粒子进入计数器引起放电后，形成了正离子鞘，使阳极周围的电场减小。
终止了放电，这时，进入计数器的粒子则不能引起放电，直到正离子鞘移出强场区，场强恢复到足以维持放电的强度为止，这段时间为死时间。
采用双源法17. 光电倍增管的光阴极的作用是(1) 将电离辐射转换为光子；（2）将电离辐射转换成电子；（3）将电子转换成光子；（4）将光子转换为光电子18. 闪烁体NaI晶体中掺元素铊（Tl）的作用是（1）增加光子转换效率；（2）增加光电效应（3）减小晶体对辐射产生的光子的自吸收；（4）改善晶体的发射光谱19、指出NaI(Tl)闪烁体的优缺点.密度大，平均原子序数高，对X射线Gamma射线阻止本领大能量转换效率高，相对发光效率相当于蒽晶体的两倍对自身的闪烁光不产生吸收，因此可做成大块闪烁体容易加工极易潮解，必须密封在带有光学玻璃的金属容器中使用20、下图是两种尺寸的半导体探测器的峰总比随能量变化的结果，试解释差异的原因。
答：γ射线入射到探测器中与物质相互作用的产生次级γ射线可以再次与物质发生作用，其结果使得全能峰的计数增加，产生累计效应；累积效应与探测器晶体的大小有关，与射线的能量有关，尺寸大的累计效应大，因此，大体积的晶体的峰总比大于小体积的峰总比。
21. 光电倍增与闪烁晶体的之间匹配目的是（1）增加光子的收集效率；（2）减小光子的反射；（3）输出更多的光电子；（4）减小光电子渡越时间22、引起光电倍增管的暗电流主要原因有哪些？答：热发射欧姆漏电残余气体电离场致发射切伦科夫光子玻璃管壳放电和玻璃荧光23.简述闪烁探测器工作的五个相互联系的过程（1）射线进入闪烁体，与之发生相互作用，闪烁体吸收带电粒子能量而使原子、分子的电离和激发；（2）受激原子、分子退激发时发射荧光光子；（3）光子收集到光电倍增管的光阴极上，由于光电效应，光子在光阴极上击出光电子；（4）光电子在光电倍增管中倍增，数量由一个倍增到104-109个，电子流在阳极负载上产生电信号；（5）此信号由电子仪器记录和分析。
24. 解释光电倍增管的渡越时间Delta函数光源的闪光到达阴极瞬间与阳极输出脉冲到达峰值时刻之间的时间间隔25. γ射线能谱上的全能峰归因于（1）光电效应；（2）康普顿散射；（3）电子对效应；（4）特征X射线26. 造成γ射线能谱上的反散射峰的原因是（1）探测器晶体中康普顿反散射；（2）探测器周围材料中康普顿反散射；（3）探测器周围材料中湮灭光子；（4）探测器晶体中的多次康普顿散射27、用一个大尺寸的探测器探测辐射，如下列示意图所示，请预期测得的能谱，并解释原因。
解：能谱（）答：γ射线入射到探测器中与物质相互作用的产生次级γ射线可以再次与物质发生作用，其结果使得全能峰的计数增加，产生累计效应28.（1）电子-离子对； （2）电子-光子 （3）光电子； （4）电子-空穴对29、如何增加半导体探测器的灵敏体积？ 答：PN 结的厚度为通过增加反向偏压V0，或减小半导体材料的杂质浓度的办法达到增加灵敏体积的目的。
30. PN 结探测射线的原理PN 结区内的载流子浓度很低，电阻很高， 当加上反向电场时，电压几乎完全降落在结区， 在结区形成一个很强的电场， 而几乎没有漏电流流过。
当带电粒子射入结区后， 通过与半导体材料的相互作用，很快地损失掉能量， 带电粒子所损失的能量将使电子由价带跳到满带上去， 于是导带中有了电子，在价带中留下空穴，形成导电的电子-空穴对。
在电场的作用下， 电子和空穴分别向两极漂移， 于是在回路中形成信号。
31、使用金硅面垒探测器时，为什么采用电荷灵敏放大器？ 答：金硅面垒探测器存在结电容因此探测器输出的电压信号则输出的电压信号会随加在PN 结上的偏压变化而变化，从而影响仪器的能量分辨率。
连接电荷灵敏放大器，则电压为 （1分）其中KCf 为电荷灵敏放大器的输入电容，K 为放大倍数，Cf 为放大电路的反馈电容，KCf>> Ci+Cd ，因此 从而消除结电容的影响。
32. 通常γ源伴有β射线， 实际测得的γ能谱中，康普顿坪台的低能部分向上倾斜的原因dn AC d ε=2/10)2(eN V d ε=CdCi Cd Ci NeVp +=分布电容结电容 KCfCd Ci NeVp ++=KCfNe Vp =（1）β能谱的叠加；（2）韧致辐射的结果；（3）多重电子散射；（4）电子的湮灭33. 随着探测器尺寸的增加，能谱的峰康比将（1）不变；（2）减小；（3）增大；（4）为零34、试从原理上分析Ge（Li）探测器对Gamma射线的能量分辨率好于NaI（Tl）晶体的主要原因。
解：半导体探测器的探测原理是射线在灵敏体积内消耗能量产生电子-空穴对，通过对它们的收集，得到电流，平均产生一对电子空穴对所需的能量为几eV;闪烁探测器的探测原理是射线在闪烁体中消耗能量，发出光子，通过光电转换为电流，平均产生一个光电子需约300eV;这两种探测器的能量分辨率分别决定于的涨落和光电子数的涨落，在相同射线能量下，半导体中产生的电子-空穴对数目远大于闪烁体中的光电子数目，根据关系σ，可知，电子-空穴对的涨落远小于光电子的涨落，Ge（Li）探测器对Gamma射N=线的能量分辨率好于NaI（Tl）晶体。
35、半导体探测器如简图所示，请画出图中各个作用点的输出脉冲Q(t)的时间变化曲线。
Array解：36、半导体探测器如简图所示，请画出图中各个作用点的输出脉冲Q(t)的时间变化曲线。
解：⑤e ④③②①37、在符合测量中，如何选择放射源的活度？ 在符合分辨时间确定时，为保证真符合率大于偶然符合率，源强必须小于1/2τ38、137Cs 的衰变纲图如下图所示，请基于符合测量原理，测量β1在铝中的射程（要求给出实验装置示意图）答：当x 大于或等β1的最大能量时，T1(x)=0，因此从变化曲线可定出β1的最大射程. （1分）说明中子活化分析法中活化的流程，并大致画出活化片中放射性核素的变化情况。
解：0112()()()c n F x n F x F x γγβ=Ω+ε39、周围材料对探测器的影响如下图所示，请画出探测器测得的能谱。