EEPROM存储器概述
eeprom原理
eeprom原理
EEPROM原理及其应用
EEPROM是一种可擦写可编程只读存储器，它是一种非易失性存储器，可以在不需要电源的情况下保持数据。
EEPROM的工作原理是通过在存储器单元中存储电荷来存储数据。
当需要读取数据时，电荷被读取并转换为数字信号，然后传输到计算机或其他设备。
EEPROM的应用非常广泛，它可以用于存储各种类型的数据，包括程序代码、配置文件、用户设置等。
它还可以用于存储加密密钥和其他敏感信息，因为它可以在不需要电源的情况下保持数据，这使得它非常适合用于安全应用。
EEPROM的另一个重要应用是在微控制器和其他嵌入式系统中。
它可以用于存储程序代码和数据，这使得它非常适合用于小型设备和嵌入式系统。
由于EEPROM可以在不需要电源的情况下保持数据，因此它可以用于存储关键数据，例如系统配置和用户设置。
EEPROM的优点是它可以被多次擦写和编程，这使得它非常适合用于开发和测试。
它还可以在不需要电源的情况下保持数据，这使得它非常适合用于移动设备和其他需要长时间存储数据的应用。
EEPROM是一种非常有用的存储器，它可以用于各种应用，包括安全应用、嵌入式系统和移动设备。
它的优点是它可以被多次擦写和编程，并且可以在不需要电源的情况下保持数据。
因此，它是一种
非常有用的存储器，可以帮助开发人员和制造商开发出更好的产品。
EEPROM简介演示
EEPROM在智能家居中心设备中用于存储场景设置、设备联动规则、语音助手配置等。 这些设置可以实现智能家居设备的智能化、自动化和互联互通。
医疗器械
医疗设备配置
EEPROM在医疗设备中用于存储设备配置参数，如输液泵流速设置、呼吸机潮气量设定、心电监护仪导联配置等。这 些配置参数对于设备的正常运行和治疗效果至关重要。
并行EEPROM使用并行接口 进行数据传输，它提供了更
高的读取和写入速度。
SPI（Serial Peripheral Interface）EEPROM是一种 使用SPI接口进行通信的串行 EEPROM，它具有高速和简
单的特点。
I2C（Inter-Integrated Circuit）EEPROM是一种使 用I2C接口进行通信的串行 EEPROM，它适用于多设备
EEPROM市场发展趋势
技术创新
随着技术的不断发展，EEPROM 在存储容量、读写速度、耐久性 等方面将持续提升，满足更多应
用场景的需求。
环保趋势
环保成为全球电子产业的重要议 题，EEPROM厂商将更加注重产 品的环保性能，推广无铅、低功
耗等环保型EEPROM产品。
市场拓展
随着物联网、智能家居、汽车电 子等新兴市场的崛起，EEPROM 将在更多领域得到应用，市场空
通信和长距离传输。
02
EEPROM的特点和优势
可重复编程
灵活性高
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可被多次编程和擦除， 使得其在存储器应用中具有很高的灵 活性。
无需外部编程器
与一次性可编程（OTP）存储器相比 ，EEPROM无需外部编程器进行编程 操作，进一步降低了开发和生产成本 。
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解
什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解什么是EEPROM？EEPROM 基础知识详解EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。
一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。
不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。
在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPR OM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EEPROM-背景知识在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
RO M是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
eeprom的写入时序
eeprom的写入时序EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，它可以被多次擦除和写入。
EEPROM的写入时序是指在进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序。
下面是关于EEPROM写入时序的文章：EEPROM的写入时序是指在对EEPROM进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序。
EEPROM是一种非易失性存储器，它可以被多次擦除和写入，因此在实际应用中，对EEPROM进行数据写入是非常常见的操作。
在进行EEPROM写入时，首先需要确定要写入的数据，然后将数据发送给EEPROM，接着进行写入操作。
在进行写入操作时，需要遵循一定的时序要求，以确保数据能够正确地被写入并保持稳定。
通常，EEPROM的写入时序包括以下几个步骤：1. 发送写入命令，首先需要向EEPROM发送写入命令，以告知EEPROM即将进行数据写入操作。
2. 发送地址，接着需要发送要写入数据的地址，以指定数据写入的位置。
3. 发送数据，一旦地址确定，就可以发送要写入的数据。
4. 写入确认，在数据发送完成后，需要发送写入确认命令，以告知EEPROM可以开始写入数据。
5. 写入时间，EEPROM需要一定的时间来完成数据写入操作，这个时间通常是毫秒级别的。
6. 写入完成确认，最后，需要发送写入完成确认命令，以告知系统数据写入已经完成。
在进行EEPROM写入时，以上步骤需要严格遵循，以确保数据能够正确地被写入并保持稳定。
同时，EEPROM的写入时序也受到EEPROM型号和制造商的影响，因此在实际应用中，需要根据具体的EEPROM型号和规格来确定相应的写入时序。
总之，EEPROM的写入时序是进行数据写入时所需的操作步骤和时间顺序，严格遵循写入时序是确保数据写入正确和稳定的关键。
对于工程师和开发人员来说，了解并掌握EEPROM的写入时序是非常重要的，可以帮助他们更好地进行EEPROM的数据写入操作。
eeprom名词解释
eeprom名词解释
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦
除和可编程的只读存储器，属于非易失性存储器的一种。
它能够在通电和非通电的情况下保持存储的数据，即使在断电的情况下也能保留数据。
EEPROM通过电子
电荷来存储数据，具有读取和写入数据的能力。
EEPROM在计算机和电子设备中广泛应用。
它常用于储存系统的配置信息、
固件升级程序、加密算法、数据存储等需要长期保存且需要经常更新的数据。
相比于传统的ROM芯片，EEPROM的重要特点在于它的可编程和可擦除性。
用户可以通过特定的编程器将数据写入EEPROM，并且可以根据需要随时擦除和重写其中
的数据。
EEPROM的擦除和写入操作是通过在芯片上施加高电压和地电压来实现的。
当需要擦除数据时，EEPROM会根据数据位的0和1在特定的位置存储电子电荷。
在写入新数据时，EEPROM会自动将原有的电子电荷擦除，并将新的电荷存储到
相关位置。
由于EEPROM具有可擦除和可编程的特性，它在电子设备中的应用非常广泛。
它不仅被用于存储固件和程序代码，还可以用于存储关键性数据，如设备ID、序
列号、密钥和密码等。
这些数据的长期保存和保密性对于设备的正常运行和安全性至关重要。
总结来说，EEPROM是一种可擦除和可编程的只读存储器，用于长期保存数
据和程序代码。
由于其高度可靠性和可编程性，EEPROM成为了各类电子设备中
不可或缺的一部分。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
eeprom使用的流程
EEPROM使用的流程1. 简介EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种特殊的非易失性存储器，可以通过电子擦除的方式对其中的数据进行修改。
EEPROM 的使用可以在许多应用中存储重要的配置信息或用户数据，并在需要时进行读取、修改和擦除。
2. EEPROM流程概述使用EEPROM时，通常需要遵循以下基本流程：1.初始化EEPROM2.写入数据到EEPROM3.从EEPROM中读取数据4.擦除EEPROM中的数据下面将详细介绍每个流程的步骤和注意事项。
3. 初始化EEPROM在使用EEPROM之前，需要对其进行初始化。
初始化的过程可以包括确定EEPROM的地址、设置相关的控制寄存器等操作。
以下是初始化EEPROM的一般步骤：•确定EEPROM的地址：根据硬件设计和连线的方式，确定EEPROM 的地址。
通常情况下，EEPROM都会有一个唯一的I2C地址，可以通过连接敏感引脚或编程进行设置。
•设置控制寄存器：根据EEPROM的型号和规格，设置相关的控制寄存器。
这些寄存器可以包括写使能、擦除使能、写保护等设置。
根据具体的硬件平台和开发工具，设置方法可能会有所不同。
•验证初始化：在进行后续的写入和读取操作之前，需要验证EEPROM的初始化是否成功。
这可以通过读取控制寄存器的值或执行简单的读取操作来实现。
4. 写入数据到EEPROM一旦EEPROM初始化完成，可以开始向其中写入数据了。
写入数据到EEPROM通常需要注意以下几个步骤：•选择写入的地址：根据EEPROM的规格和需求，选择要写入数据的地址。
EEPROM通常被分为多个字节或页面，每个页面都有其唯一的地址。
•编写写入算法：根据需要，编写适合特定EEPROM型号的写入算法。
这些算法可能包括将数据按字节或页面写入EEPROM、校验写入的数据等操作。
根据具体的硬件平台和开发工具，写入算法可能会有所不同。
EEPROM
常用串行EEPROM的编程应用EEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下方便完成数据的擦除和写入，这使EEPROM被用于广阔的的消费者范围，如：汽车、电信、医疗、工业和个人计算机相关的市场，主要用于存储个人数据和配置/调整数据。
EEPROM又分并行EEPROM和串行EEPROM，并行EEPROM器件虽然有很快的读写的速度，但要使用很多的电路引脚。
串行EEPROM器件功能上和并行EEPROM基本相同，提供更少的引脚数、更小的封装、更低的电压和更低的功耗，是现在使用的非易失性存储器中灵活性最高的类型。
串行EEPROM按总线分，常用的有I2C,SPI,Microwire总线。
本文将介绍这三种总线连接单片机的编程方法。
I2C总线I2C总线（Inter Integrated Circuit内部集成电路总线）是两线式串行总线，仅需要时钟和数据两根线就可以进行数据传输，仅需要占用微处理器的2个IO引脚，使用时十分方便。
I2C总线还可以在同一总线上挂多个器件，每个器件可以有自己的器件地址，读写操作时需要先发送器件地址，该地址的器件得到确认后便执行相应的操作，而在同一总线上的其它器件不做响应，称之为器件寻址，这个原理就像我们打电话的原理相当。
I2C总线产生80年代，由PHLIPS 公司开发，早期多用于音频和视频设备，如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。
最常见的采用I2C总线的EEPROM也已被广泛使用于各种家电、工业及通信设备中，主要用于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。
生产I2C总线EEPROM的厂商很多，如ATMEL、Microchip公司，它们都是以24来开头命名芯片型号，最常用就是24C系列。
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非易失性存储器概述一、介绍这篇文章论述了非易失性存储器（NVM）基本概况。
第1部分介绍了非易失性存储器的主要背景以及一些存储器的基本术语。
第2部分主要阐述了非易失性存储器的工作原理（通过热电子注入实现编程）。
第3部分包含了非易失性存储器的擦除原理，以及隧道效应。
第4部分介绍了用于预测非易失性存储器的编程特性的模型，用“幸运电子”模型来表述热电子注入模式。
第5部分主要介绍非易失性存储器可靠性，包括在数据保存、耐受力和干扰影响下的可靠性。
关键词：非易失性，存储器，热电子注入，隧道效应，可靠性，保存，存储干扰，EEPROM，Flash EEPROM。
存储器分为两大类：易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在掉电后会失去其所存储的数据，故而需要继续不断的电源才能保存数据。
大部分的随机存取存储器（RAM）都是易失性的。
非易失性存储器则在掉电后不会丢失数据。
一个非易失性存储器（NVM）本质上是一个MOS管，由一个源极、一个漏极、一个门极，以及一个浮栅。
与常用的MOSFET 不同的是，NVM多了一个浮栅，浮栅与其它部分是绝缘的。
非易失性存储器又细分为两个主要的分类：浮栅型和电子俘获型。
Kahng 和Sze在1967年发明了第一个浮栅型器件。
在这种器件中，电子受隧道效应的影响，通过一个3nm厚的二氧化硅层，从一个浮栅中转移到基层中。
通过隧道效应，非易失性存储器可以更容易地被擦除或改写，通常隧道效应只在厚度小于12nm的氧化物中存在。
浮栅中存储电子后，可以使得阈值电压被降低或者提高，而阈值电压的高低也就分别代表了逻辑值1或0。
在浮栅型存储器件中，电子（也即是数据）存储在浮栅中，故而掉电后，数据不会丢失。
所有的浮栅型存储器件都是一样的存储单元结构，如下图1所示，一个存储单元由门极MOS 管堆叠而成。
第一个门是浮栅门，被埋在栅氧化层（Gate Oxide）和内部多晶硅绝缘层（IPD）之间，位于控制门（Control Gate）的下方。
内部多晶硅绝缘层将浮栅隔绝起来，它可以是氧化物，或者氧化物-氮化物-氧化物层（ONO）。
SiO2绝缘层将MOS管包围起来，作为保护层，使其免受划伤和杂质污染。
第二个门极是控制门，这个门是可以被外部所接触到的。
浮栅门常用在EPROM里（Electrically Programmable Read Only Memory）和EEPROM 里（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）。
图1：基本的浮栅门结构电子俘获型器件最早于1967年发明，是最早的电改写（Electrically Alterable）半导体器件。
在这类器件中，电子（即数据）存储在分立的氮化物陷阱中，并且掉电后仍能保持。
电子俘获型器件通常用在MNOS (Metal Nitride Oxide Silicon，金属氮-氧化物半导体) [3], [4], SNOS (Silicon Nitride Oxide Semiconductor硅氮-氧化物半导体) [5], 和SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor硅氧化物-氮化物-氧化物半导体) [6]中。
典型的电子俘获型存储器结构可参考图2。
图2 ：MNOS存储单元MNOS存储器件中的电子是通过量子隧道效应，由沟道注入到氮化物中，注入要穿过一层超薄的氧化物，通常厚度在1.5-3nm之间。
第一个EPROM浮栅型器件，其浮栅是由重掺杂的多晶硅组成，这种材质之前通常用在雪崩注入MOS存储器中（FAMOS）。
其中的栅氧化层的厚度约为100nm，以防止浮栅与基层之间短路或者漏电。
EPROM写入时，对漏极（Drain）施加一个偏置电压，使之产生雪崩效应，此时电离物中的电子即可通过漏极注入到浮栅中。
FAMOS只能用VU或者X射线进行擦除。
EPROM一般被当作系统样机设计中的工具。
现在，EPROM有两种，一种陶瓷封装，提供了石英窗口，可供UV照射来进行改写；另一种塑封，没有石英窗口，这种器件是一次改写器件（OTP）。
OTP器件的优点是价格便宜，然而，组装后无法进行额外的测试。
陶瓷封装的EPROM相对较贵，组装后也可以进行额外的测试，存储内容也可由UV光来改写。
尽管早在1970年代，UV擦除、电编程的存储器件成功商业化，但制造一种电擦写的存储器件（EEPROM）仍有相当大的吸引力。
H.lizuka等人发明了第一只可电擦写的NVM，即层叠式雪崩注入MOS存储器件（SAMOS，专业名词，翻译不准，还是尽量搜英文吧）。
SAMOS 由一个外部控制极，两个多晶硅极组成。
外部控制极使得电擦除成为可能，并且能提高擦除效率。
EEPROM可以通过电来改写数据，从而取代了UV照射方法，相比UV照射来说，EEPROM 的优势在于更便宜的封装价格、更方便的擦写。
劣势就是EEPROM的存储单元的体积相比EPROM要大上两三倍，所以EEPROM的晶粒体积更大。
EEPROM存储单元由两个晶体管组成，一个浮栅晶体管，一个选择极晶体管，如图3所示。
当要改写数据时，通过选择极晶体管来选择或反选某个浮栅。
再加上纠错电路或者冗余电路，晶料的体积又变得更大了。
图3：具有选择极的EEPROM在20世纪80年代，一种新的非易失性存储器被发明出来，它就是Flash EEPROM。
这个产品最初只不过是把EPROM改变了一下，使其变得可以电擦写而已。
这种器件通过热电子注入效应来进行写入，通过隧道效应进行擦除。
Flash EEPROM不能按位擦写，每次都只能擦除整片芯片或者其中某一个扇区。
由于Flash不需要EEPROM进行位擦除所需要的选择极，故而Flash移除了选择极，因此flash的存储单元比EEPROM小两到三倍。
这种类型的Flash EEPROM的单元结构与图1的类似。
（术语翻译此处省略）二、基本编程方法针对浮栅型和电子俘获型器件，编程需要将电子分别注入到浮栅或氮化层中。
要改变NVM 中的电荷（或者说数据），有两个基本的方法可以使用：薄氧化物中的FN隧道效应（厚度小于12nm）或者是热电子注入。
1，隧道效应在NVM中最重要的改写方法之一就是隧道效应。
当一个大的电压Vcg施加于是控制极上时，它的能带结构会受到影响，如下图4所示。
图4：浮栅型存储器通过隧道效应编程时的能带结构示意图如上图：e c和e v分别为传导带和化合带，E g是能隙（对于硅材质来说为1.1电子伏带），f b 硅-二氧化硅能量垫垒（对电子来说是3.2电子伏特，对空洞来说是4.7电子伏特）。
施加电压V cg产生的电场形成电位势。
对于基带中的电子来说，势垒提供了一个隧道，最被电子通过栅氧化物，聚集到多晶硅浮栅中。
对于IPD和栅氧化层来说，它们的能带是不一样的，这主要是因为他们的材料厚度差异所导致。
IPD厚度在般在25到45nm之羊，而栅氧化层只有5~12nm。
浮栅中的电子会产生一个隧道电流，如下式：(1)其中：(2)(3)h表示普朗克常数；表示注射表面的能量垫垒（对硅-二氧化硅来说，是3.2电子伏特）；q表示每个电子所带的电荷（1.6x10-19库仑）m表示一个自由电子的质量；m*表示电子在能隙中的有效质量（0.42m），= h/2?inj表示注射表面的电场(V/cm)V app氧化物隧道的跨导电压；V fb表示平能带电压；t ox表示隧道氧化层的厚度；式1显示隧道电流随着电压Vapp的增加而呈指数增长，增加的电流同时又会增加氧化层上的电场强度。
图5显示了NVM跨扇区的电子隧道效应电位Vcg与源极电压Vs、漏极电压Vd以及基极电压Vsub是一致的。
图5：Flash编程中的隧道效应另外，还有一种方法可以进行Flash编程操作，此方法称为漏极隧道法。
在某些对编程速度有要求的场合，此方法可能更适用，如图6所示，更小的注射面积意味着更大的隧道电流。
图6：用漏极隧道法对Flash进行编程2，热电子注入（HCI）NVM也可以采用热电子注入方法来进行编程。
热电子注入方法如下：对于以P型半导体为基材，N型半导体作NVM的存储器，采用热电子注入；对于N型半导体为基材，P型半导体作NVM的存储器，采用热空穴注入。
热空穴注入的速度非常慢，因为空穴的质量和硅-二氧化硅能势垒问题。
也因为如此，目前所有NVM制造商均采用P型半导体为基材，N型半导体作NVM来制造存储器。
对于单个存储单元来说，热电子注入编程的时候是通过漏极给浮栅注入热电子。
当漏极加上电压Vd时，热电子被侧向电场加速，沿道沟道进入到更高电势的栅极耗尽区。
一旦电子获得足够能量，就可以穿过基层与绝缘层能量垫垒（3.2电子伏特）。
在正电压Vd和沟道电压的作用下，被注入到N沟道氧化物存储单元中的电子会返回到基材中，除非这时候有一个更高的正电压Vcg来将电子推回浮栅中。
NVM热电子注入过程中的能垫带如图7所示。
图7：NVM热电子注入过程中的能垫带当浮栅完全充电后，门电流Ig会减少到零为止。
这是因为氧化物电场电压Eox开始排斥电子（在注入过程中，是吸引电子）。
一般来说，Vcg给浮栅充电，而Vd增加编程的速度。
正如图8所示的跨扇区NVM热电子注入过程。
Vcg和Vd分别为15V和10V，而Vs和Vsub 为地电位。
图中P面也有显示，它也是分离N沟道和P型MOS管的必要步骤。
图8：热电子注入过程中的编程方法三、基本擦除方法第二部分讲到了两种编程方法，隧道效应法和热电子注入法。
为了对NVM重新编程，第一步就是要擦除其中的数据。
这一部分将介绍工业中通用的擦除方法。
注入到浮栅中的电子被电垫位3.2电子伏特的氧化物能势垒所困住。
由于硅氧化物的潜在电位势大于3.0电子伏特，所以电子本身的自发辐射可忽略不计。
由于浮栅中充满带负电荷的电子，故而阈值电压Vt变得更高。
有两种方法可以将电子从浮栅中移除。
UV照射隧道效应1， UV照射如图9：通过UV辐射，电子获得足够的能量来越过能势垒，这样电子会从浮栅中逃逸出来，回到基层的控制门中，这样就减少了Vt。
通常将Vt从编程状态变为中性或者擦除状态，需要10分钟的时间。
图9：UV照射擦除NVM时的能势带示意图2，隧道效应隧道效应也可以用来擦除NVM。
其中一个方法就是给控制极一个大的反向电压。
此时的能势带结构如图10所示。
Vcg增加了电场强度，从而产生一个势垒，这个垫垒使得电子可以从浮栅中逃逸出来，经过薄薄的氧化层，到达基层中。
图10：隧道效应擦除NVM时的能势带图图11a和图11b显示了两种擦除Flash的方法，对于均匀的隧道来说，可以加一个大的负电压Vcg，或者可以给漏极一侧的隧道加Vd电压，反向电压Vcg和正向电压Vd都会起作用。
图11a：均匀隧道效应擦除Flash图11b：漏极隧道效应擦除Flash一般来说，均匀隧道效应比漏极隧道效应要慢一点，但是漏极隧道效应容易引起一些可靠性的问题，这主要是由于漏极区域小，电流密度大，而大电子束会集中在漏极的一小部分区域上，从而有可能导致氧化层的损坏。