脉冲电子束对材料破坏效应的数值研究
焦耳汤姆逊效应公式

焦耳汤姆逊效应公式焦耳汤姆逊效应是指当电子束经过金属靶材时,由于电子与金属原子的相互作用,电子束中的电子会散射并损失能量的现象。
这一现象是由英国物理学家焦耳和汤姆姆逊在19世纪末发现并研究的。
焦耳汤姆逊效应在物理学和材料科学领域有着重要的应用和意义。
焦耳汤姆逊效应的公式可以用以下方式表示:ΔE = 2πe^4Z^2n/3mε_0^2hv^2其中,ΔE表示电子束中的电子在金属靶材中损失的能量,e为基本电荷,Z为金属原子的原子序数,n为金属中的自由电子密度,m 为电子的质量,ε_0为真空介电常数,h为普朗克常数,v为电子束的速度。
焦耳汤姆逊效应的产生主要是由于电子与金属原子之间的库仑相互作用。
当电子束穿过金属靶材时,电子与金属原子发生碰撞,由于库仑相互作用,电子会在碰撞过程中散射,并损失能量。
这种能量损失可以通过焦耳汤姆逊效应公式来计算。
焦耳汤姆逊效应的研究对于理解材料的电子结构和电子与原子之间的相互作用有着重要的意义。
通过研究电子束在金属靶材中的散射和能量损失,可以推断出金属的电子结构和原子的电子分布。
这对于材料科学的研究和应用具有重要的指导作用。
除了研究金属材料的电子结构外,焦耳汤姆逊效应还在其他领域得到了广泛的应用。
例如,在电子显微镜中,焦耳汤姆逊效应可以用来观察材料的表面形貌和内部结构。
通过测量电子束在材料中的散射和能量损失,可以获取材料的成分和晶体结构等信息。
这对于材料科学、纳米技术等领域的研究具有重要的意义。
焦耳汤姆逊效应还可以用于测量材料的电导率和电子密度等物理性质。
通过测量电子束在材料中的能量损失和散射角度,可以计算出材料的电导率和电子密度,并进一步了解材料的导电机制和电子运动规律。
焦耳汤姆逊效应是电子束经过金属靶材时产生的散射和能量损失现象。
通过研究焦耳汤姆逊效应,可以了解材料的电子结构、电子与原子的相互作用以及材料的物理性质。
焦耳汤姆逊效应在物理学和材料科学领域有着广泛的应用,对于材料研究和技术发展具有重要的意义。
钢结构损伤的数值模拟研究

钢结构损伤的数值模拟研究彭成波【摘要】基于钢结构损伤的本构模型及损伤演化,对其在数值计算中的实现给出了简便的方法.通过一个节点实例的对比计算表明:损伤的存在将加速节点刚度的退化,降低节点的承载力,更符合材料真实特性.为更真实地描述钢结构的弹塑性反应分析,需考虑材料损伤累积效应对结构的影响.【期刊名称】《结构工程师》【年(卷),期】2019(035)002【总页数】5页(P118-122)【关键词】钢结构损伤;梁柱节点;损伤演化【作者】彭成波【作者单位】中建八局钢结构工程公司,上海200125【正文语种】中文0 引言工程中金属结构在荷载的循环作用下,材料中的微裂纹、微空洞、剪切带等细观损伤萌生、汇合、扩展,从而形成损伤的动态演化,进而影响结构的性能。
损伤的演化是一个复杂的过程,受到较多方面因素的影响,尤其是对材料和构件静力强度影响很小的因素,对损伤的演化仍会有一定影响。
Kachanov和Raboinov描述了材料中复杂的损伤演化过程,通过定义一个连续性变量来表征,这个连续性变量就是损伤变量,并且建立了损伤本构方程,这为以后的研究奠定了理论基础,后来李红孝在此基础之上更加明确的定义了损伤概念[1]。
Chow和Wang[2]在塑性耗散势函数中用有效应力张量替代原Cauchy应力张量,根据正交法则,得到各向异性塑性本构方程,并由损伤耗散势函数提出了损伤演化模型。
沈祖炎等[3-5]提出了钢材在反复荷载作用下的损伤累积力学模型,并在分析高层钢结构的地震作用时将损伤及其累积效应考虑进去。
为了能够更真实地描述钢结构经受循环荷载作用时的弹塑性反应分析,需考虑材料损伤累积效应对结构的影响。
钢结构的损伤演化具有很大的复杂性,确定其演化规律更是极其困难,找出适用于工程实际应用的简便方法是亟待解决的问题。
本文介绍了钢材的损伤演化规律及在ABAQUS软件中钢材损伤如何通过简便方法的实现,并对某一钢结构梁柱节点进行数值分析,研究损伤对钢结构性能的影响,从而为损伤在工程中的应用提供参考。
GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究

GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究GaAs PHEMT强电磁脉冲损伤效应研究引言:强电磁脉冲(EMP)作为一种高能电磁辐射,对电子设备的损害效应已经成为一个重要的研究领域。
其中,GaAs PHEMT (Gallium Arsenide Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)是一种常用的高频高功率电子器件,广泛应用于军事通信、雷达等领域。
然而,GaAs PHEMT在遭受EMP辐射时容易出现损伤,这对其应用造成了一定的限制。
本文将探讨GaAs PHEMT在受到EMP辐射后的损伤效应,并提出相应的研究方法和应对措施。
一、GaAs PHEMT结构及工作原理GaAs PHEMT是一种基于砷化镓(GaAs)材料的器件。
它主要由源极、漏极、栅极、衬底等部分组成,其中栅极由铝镓合金制成。
在正常工作状态下,当栅极电压施加到一定值时,形成一个电子气层。
该电子气层使得电子从源区注入到漏极区,从而实现信号放大的功能。
二、EMP辐射的损伤机理1. 高电压击穿:强电磁脉冲辐射会产生较高的电场强度,当电场强度超过GaAs PHEMT的击穿电场强度时,会导致击穿现象的发生。
这会导致器件内部结构的破坏,严重影响其正常工作。
2. 能量损失:强电磁脉冲辐射会引起材料内部电荷的位移和能量的转移。
这些能量转移过程中产生的热量会导致器件结构的热膨胀和热应力的产生,从而引起器件损伤。
3. 电子注入效应:当GaAs PHEMT受到EMP辐射时,电磁场会引起电子气层的运动和电子的注入,从而改变晶体管的电学特性。
这会导致晶体管的增益降低和参数漂移。
三、GaAs PHEMT强EMP辐射实验研究实验研究表明,当GaAs PHEMT受到较强的EMP辐射时,其性能会发生明显的变化。
例如,源-漏电流的增加、增益的减小、频率响应的变窄等。
这些变化表明GaAs PHEMT存在着强电磁脉冲损伤的效应。
核物理在材料辐照损伤研究中的应用

核物理在材料辐照损伤研究中的应用在当今科技飞速发展的时代,材料科学领域的研究不断取得新的突破,其中核物理在材料辐照损伤研究中的应用具有极其重要的意义。
材料在核反应堆、太空探索、医疗设备等众多领域中会受到各种辐射的影响,导致其性能下降甚至失效。
为了保障这些关键应用的可靠性和安全性,深入研究材料的辐照损伤机制并开发出抗辐照性能优异的材料显得至关重要。
首先,我们来了解一下什么是材料辐照损伤。
当材料暴露在高能粒子(如中子、质子、电子等)的辐射下,粒子与材料中的原子发生相互作用,传递能量,从而导致原子移位、产生缺陷、化学键断裂等一系列微观结构的变化。
这些变化会逐渐累积,影响材料的力学性能、电学性能、热学性能等宏观特性。
核物理在材料辐照损伤研究中的一个重要应用是利用粒子加速器产生的高能粒子束对材料进行辐照实验。
通过精确控制粒子的种类、能量、剂量等参数,可以模拟材料在不同辐射环境下的损伤情况。
例如,在研究核反应堆材料时,可以使用中子源模拟反应堆内的中子辐照环境,观察材料在长期辐照下的微观结构演变和性能变化。
这种实验方法能够为材料的设计和优化提供直接的依据。
同步辐射光源也是核物理研究中的重要工具,在材料辐照损伤研究中发挥着关键作用。
同步辐射光源具有高强度、高准直性、宽频谱等优异特性,能够为材料的微观结构分析提供极其灵敏和精确的手段。
例如,利用 X 射线衍射技术可以研究辐照后材料的晶体结构变化;小角 X 射线散射技术可以探测材料中纳米尺度的缺陷和析出相;X 射线吸收精细结构谱能够获取材料中原子的局域结构和化学环境信息。
这些技术的综合应用使得我们能够深入理解辐照损伤对材料微观结构的影响机制。
核物理中的各种探测技术对于研究材料辐照损伤也是不可或缺的。
例如,正电子湮没技术可以探测材料中的空位型缺陷;电子显微镜技术能够直接观察辐照导致的微观结构变化,如位错、晶界等;离子束分析技术可以确定材料中元素的分布和浓度变化。
这些探测技术相互补充,为全面揭示材料辐照损伤的本质提供了有力的支持。
超短激光脉冲序列烧蚀镍薄膜的研究

超短激光脉冲序列烧蚀镍薄膜的研究韩飞;闫寒;周海波;王琼娥【摘要】超短(飞秒)激光脉冲序列技术能有效地提高激光加工金属的加工精度,它在微/纳制造中具有重要的理论意义和生产价值。
为了研究脉冲间隔对激光烧蚀金属加工精度的影响,以过渡金属镍为研究对象,采用双温模型和分子动力学模拟相结合的方法,对飞秒激光脉冲序列(脉冲间隔不同)烧蚀金属镍的过程、现象进行了研究,取得了脉冲序列烧蚀镍薄膜的动态表层电子温度和晶格温度随时间演化的数据和烧蚀区域在不同时刻的快照。
结果表明,一定范围内,随着脉冲间隔的增加,脉冲序列烧蚀镍薄膜所产生的纳米粒子更加均匀,烧蚀平面更加平整,初始熔化速度、烧蚀率呈降低趋势,有利于提高加工的精度。
%Micromaching by ultrashort laser pulse-train can effectively improve femtosecond laser ablation of metal , which are important both theoretically and practically in micro /nano-laser fabrication applications.In order to study the effect of separation of pulse on the accuracy of laser ablation , the phenomena and process of laser ablation with different separation of pulse train were studied in detail by combining the molecular dynamic simulation and two -temperature model, the electron and lattice temperatures of the layers next to dynamic film surfaces and the snapshots of nickel thin films irradiated by the femtosecond laser pulse trains were obtained .The resultis that ,within a certain range, as the increase of the separation of pulse, femtosecond pulse train laser ablation of Ni films can apparently cause more flat ablation plane , slower initial melting speed, smaller and moreuniform nanoparticles , smaller ablation ratio,which can effectively improve femtosecond laser ablation of metal .【期刊名称】《激光技术》【年(卷),期】2013(000)004【总页数】5页(P478-482)【关键词】激光技术;脉冲序列;飞秒激光;双温模型;分子动力学;脉冲间隔【作者】韩飞;闫寒;周海波;王琼娥【作者单位】北京航星机器制造公司,北京100013;北京航星机器制造公司,北京100013;北京航星机器制造公司,北京100013;北京航星机器制造公司,北京100013【正文语种】中文【中图分类】TB43脉冲序列是由时间间隔为飞秒到皮秒的多个激光脉冲组成。
ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析吴东岩;谭志良【摘要】为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因.在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁.%In order to obtain the damage rule of microwave semiconductor devices caused by electromagnetic pulse and study the electrostatic damage mechanism of the devices,the failure mode of semiconductor devices caused by ESD,such as apparent failure and potential failure,is introduced.The damage modeling is analyzed.Finally,the inherent damage reason of the device under electrostatic discharge stress is obtained by analyzing the physics mechanism of the burned device.Breakdown may happen under the action of ESD EMP,the internal electric field and the current density of the device increase,which cause the temperature rise and result in microwave semiconductor device burned.【期刊名称】《河北科技大学学报》【年(卷),期】2013(034)004【总页数】6页(P308-312,349)【关键词】静电放电;半导体器件;损伤;模式;物理机理【作者】吴东岩;谭志良【作者单位】军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北石家庄 050003;军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北石家庄 050003【正文语种】中文【中图分类】TN385随着电子技术的迅速发展,电子系统面临的电磁环境日益复杂,各种形式的电磁脉冲可以通过孔缝或者天线耦合等方式进入电子设备内部,影响电子设备的正常工作[1-3]。
电子束熔融辐照对EVA绝缘性能的影响
绝缘材料 2024,57(3)黄亚琼等:电子束熔融辐照对EVA绝缘性能的影响电子束熔融辐照对EVA绝缘性能的影响黄亚琼1,李建喜2(1.湖北科技学院核技术与化学生物学院,湖北咸宁437000;2.中国科学院上海应用物理研究所,上海201800)摘要:采用电子束熔融辐照的方法对EVA材料进行辐照改性,研究不同辐照剂量对EVA样品凝胶含量、力学性能、体积电阻率、介电性能、击穿特性和分子结构的影响。
结果表明:EVA样品的凝胶含量随着辐照剂量的增加先升高后降低,在辐照剂量为100 kGy时,凝胶含量达到了95.7%;辐照会降低EVA样品的断裂伸长率,而拉伸强度随着辐照剂量的增加先升高后降低;辐照后EVA样品的绝缘性能均有不同程度的提高,随着辐照剂量的增加,体积电阻率先增大后减小,介电常数先减小后增大,电气强度先增大后减小。
关键词:EVA;电子束辐照;熔融;绝缘性能中图分类号:TM215 DOI:10.16790/ki.1009-9239.im.2024.03.005Effect of electron beam melting irradiation on insulating properties of EVAHUANG Yaqiong1, LI Jianxi2(1. College of Nuclear Technology and Chemical Biology, Hubei University of Sscience and Technology,Xianning 437000, China;2. Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) Abstract: The EVA material was modified by electron beam melting irradiation, and the effects of different irradiation does on gel content, mechanical properties, volume resistivity, dielectric properties, breakdown characteristics and molecular structure of EVA samples were studied. The results show that the gel content of EVA sample first increases and then decreases with the increase of irradiation dose. When the irradiation dose is 100 kGy, the gel content reaches 95.7%. Irradiation can reduce the elongation at break of EVA samples, while the tensile strength first increases and then decreases with the increase of irradiation dose. After irradiation, the insulating properties of EVA samples improve to varying degrees, with the increase of irradiation dose, the volume resistivity first increases and then decreases, the dielectric constant first decreases and then increases, and the electric strength first increases and then decreases.Key words: EVA; electron beam irradiation; melting; insulating properties0 引言绝缘材料用于隔离带电或不同电位的导体,使电流能沿着特定方向流动,这类材料主要由聚合物构成。
材料破坏分析实验报告
材料破坏分析实验报告
一、实验目的
本实验旨在通过对材料破坏样品进行分析,探究材料破坏的机理和原因,为材料设计和工程应用提供参考依据。
二、实验仪器和材料
1. 金相显微镜
2. 扫描电子显微镜(SEM)
3. 电子探针X射线能谱仪(EDS)
4. 破坏样品
三、实验步骤
1. 初步观察:通过金相显微镜对破坏样品进行初步观察,确定破坏表面的特征。
2. 微观结构分析:利用SEM对破坏样品进行高倍放大观察,分析破坏表面的微观结构。
3. 化学成分分析:利用EDS对破坏样品进行化学成分分析,确定材料的元素成分。
4. 结果分析:综合观察和分析实验结果,得出对材料破坏机理的初步认识。
四、实验结果与分析
经过实验观察和分析,我们发现破坏样品表面出现了明显的拉伸裂纹,并伴有扩展变形的迹象。
在SEM观察中发现,破坏表面呈现出典型的韧性断裂特征,裂纹扩展较为平稳。
通过EDS分析,确定破坏样品的主要成分为铝合金,并含有少量的镁、锌等元素。
综合分析结果可以初步推断,该材料发生破坏是由于外部受力导致材料内部应力集中,最终引起断裂。
五、结论
本实验通过对材料破坏样品的观察和分析,初步揭示了材料破坏的机理和原因。
破坏过程主要受外部受力和内部结构因素影响,不同材料在破坏过程中呈现出不同的特征。
通过深入研究材料破坏机理,可以为材料设计和应用提供重要参考,并进一步提高材料的性能和可靠性。
以上就是本次材料破坏分析实验报告的全部内容,希望能够对您有所帮助。
感谢阅读。
高能通量脉冲电子束作用下钽靶破坏初步研究
第17卷 第10期强激光与粒子束Vol.17,No.10 2005年10月H I GH P OW ER LASER AND P ARTI CLE BEAMS Oct.,2005 文章编号: 100124322(2005)1021581204高能通量脉冲电子束作用下钽靶破坏初步研究3朱 隽, 章林文, 龙继东, 李 劲, 禹海军, 石金水(中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621900) 摘 要: 使用Monte2Carl o程序MC NP在2维情况下模拟得到了高能通量脉冲电子束在钽金属靶中的能量沉积。
根据能量沉积的模拟结果以及实验后靶上穿孔的大小和形貌,提出了电子束对不同结构钽金属靶破坏的物理机制。
由于能量沉积的差异,1mm实心靶中的热激波在一定时间内沿径向和轴向持续对靶材进行压缩,而在叠靶中这种压缩效果并不明显,因此实验后1mm实心靶上穿孔的大小几乎是叠靶上的两倍。
根据理论模型分析得到的靶材熔融喷射和层裂现象与实验结果相吻合。
关键词: 脉冲电子束; 钽靶; 热激波; 能量沉积 中图分类号: T L503.92 文献标识码: A 当数十ns的脉冲电子束与靶相互作用时,将产生多种物理效应,如力学效应和热效应。
靶材料、电子束能量以及电子束在靶内的能通量密度不同时,材料的各种效应响应一般也不一样。
在“闪光二号”[1~3]上电子束的能量约为1Me V,靶上的能通量为100J/c m2左右。
靶内热激波的应力峰值约为0.5~2.5GPa,材料一般工作在弹塑性区。
在12Me V直线感应加速器上,靶上的能通量可达4kJ/c m2。
在热激波和稀疏波的作用下靶上最终呈现为对称撕裂的破坏形态[4]。
在美国的DARHT装置上,能量20Me V、流强2kA、脉冲宽度60ns的电子束经过加速聚焦后(F WH M焦斑1.3mm)与钽金属靶作用,靶上的能通量可达到6.3×104J/c m2。
模拟结果表明电子束的能量沉积可将靶中心处温度加热到几个e V,喷出的等离子体速度可达c m/μs的量级[5]。
长脉冲激光与金属相互作用的影响
长脉冲激光与金属相互作用的影响作者:庞博来源:《电子技术与软件工程》2018年第02期摘要文章主要研究对象为长脉冲激光和金属材料,首先分析了长脉冲激光可能对金属产生的影响,然后通过理论与实际相结合的方式,又针对长脉冲激光对物质的作用展开了探究,希望文中讨论的内容可以在某些方面给相关人员以启发。
【关键词】长脉冲激光金属相互作用长脉冲激光和金属之间发生相互作用后,产生的结果之一便是金属材料被激光破坏,能够影响相互作用过程及结果的因素不仅局限于激光和金属材料特性这两个方面,也会受到外部环境的影响。
以波长、脉宽、重复率为代表的与长脉冲激光特性密切相关的因素,都会对相互作用的过程产生影响,针对其所开展的研究工作,也具有一定的现实意义。
1 长脉冲激光对金属的影响1.1 热物理性质利用激光束对向同性均匀物体进行加热,可以通过对激光能量进行吸收以及热扩散的方式,使得物体边界发生相应的热流运动,各处温度自然也会出现相应的变化。
物体形状、边界条件、热物理性质和激光加载条件,对物体温度场的变化具有决定性作用。
针对激光加热所进行的计算,需要应用到物体热导率、比热容以及热扩散率,另外,在变化过程中还需要对潜热、气化温度和熔化温度的数值加以考虑,这主要是因为上述内容均与物体温度之间存在着密切的联系。
1.2 物体温度场的变化想要对物体温度场加以确定,关键在于明确激光加载的条件,一般来说,体热源或面热源所对应数值应为被吸收光强或是激光能量,当然,在特定条件下,还会有表面辐射损失等其他冷却或热源条件存在于边界之上。
对不同介质而言,想要实现界面热接触的条件较为复杂,在理想状况下,界面两侧所对应温度以及热流量数值应当相同,但是热接触面两侧温度在大多数情况下都会出现间断的问题,此时对热阻进行计算应用的公式则是:对温度差通关热量值进行除法处理,最终得出的商数便是该界面的热阻。
一旦物体某处与熔点数值持平,短时间内温度不再上升,待所积累热能能够满足该处熔融潜热所需,才会进一步熔化,成为固态液体。
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2
2 m
)
]
(17)
(4) 对于 T > T g 的情况 (热液相) :
Em a = T m [ ∃S +
Α 2
(
T T
2 g
2 m
-
1) ] -
ΑTT
g m
T
(18)
p m a = ΘT m (2Χ-
2 3) [ ∃S +
Α 2
(
T T
2 g
2 m
-
1) ] -
(2Χ-
2
3)
ΘΑTT
g m
T
它的能量损失, 而是等于总的能量损失减去次级电子带走的能量, 即只有激发损失才真正地沉
积在介质中。(9) 式中的 E c 是电子的切断能量, 用括号括上, 表示当 E < E c 时, 需要加上, 当 E
> E c 时不需要加上。
1. 2 物态方程
材料在沉积大量能量的情况下将发生熔化甚至汽化, 所以我们采用 GRA Y 三相物态方程
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第4期
汤文辉等: 脉冲电子束对材料破坏效应的数值研究
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应力的衰减较快, 而拉伸波则较弱。当入射电子能量增大时, 压缩波变弱, 峰值应力的衰减较 慢, 拉伸波增强。该拉伸波可以导致材料发生动态损伤甚至层裂破坏。 图3给出了迎光面粒子速度峰值随入射通量的变化, 其中实验数据取自文献[ 5 ]。当电子能 量较大时 (例如2M eV ) , 迎光面反冲速度峰值近似与入射通量成正比。与此不同, 当电子能量 较小时, 迎光面反冲速度峰值随入射通量非线性增大。我们认为这一现象来源于以下原因: 当 电子能量较大时, 能量沉积深度较大, 能沉剖面较平缓 (参见图 (1) ) , 所以即使入射通量足够 大, 迎光面附近所吸收的能量也不足以使材料熔化或汽化。随着电子能量的减小, 能沉剖面将 越来越陡, 迎光面附近所吸收能量增大, 所以当入射通量增大时, 迎光面处的材料将逐步进入 熔化态、液态甚至气态。由于固体原子间较强的相互作用, 固态迎光面的速度总是较小, 且以 前后振荡方式运动。当迎光面材料汽化后, 表面反冲速度将迅速增大到某一较大值。
长内沉积的能量为
∃ %D =
(
dE dS
)
I
∃S
+
(E c)
(9)
其中 (dE dS ) I 是电子由于激发原子所产生的能量损失, 也称为限制阻止本领, 且
(ddSE ) I = (ddSE ) t -
(
dE dS
)
e
(10)
其中 (dE dS ) e 为电离能量损失。(9) 式的意思是, 一个电子在一个步长内的能量沉积并不等于
(20)
中的常数, 其中 R 为普适气体常数。当温度升高到 T g 时, 液态比热等于理想气体的比热。当温 度进一步升高时, 液态比热将保持理想气体的比热不变, 这种状态在 GRA Y 物态方程中被称
为热液态。
在液气共存区, van der W aa ls 方程的描述是不正确的, 为此, 我们采用M axw ell 方法进行
618
强激光与粒子束
第9卷
-
1 Θ
(dE dS
)
c
=
2ΠN A e4
m v2
Z A
{
ln
[
2
I
2
m v2 (1 -
E
Β2 )
]
-
(2
1 - Β2 - 1 + Β2) ln2 +
12Β2 +
1 8
(1
-
1 - Β2 ) 2 - ∆}
(4)
式中, m 为电子静止质量; v 为电子速度; c 为光速; Z 为原子序数; A 为原子量; N A 为 A vo2
当固体靶受到脉冲电子束的辐照时, 其表层中会沉积大量能量, 能量沉积率可达到1010J cm - 2 s- 1以上。在能量沉积区域, 材料处于高温高压状态, 因此一部分或全部的被加热材料将 以气体形式从迎光面反冲。由于动量守恒, 将在剩余的固体靶中产生一冲量载荷, 并进而产 生一压力脉冲即热击波。 我们对铝靶在脉冲电子束作用下的热力学响应进行了研究。在数值模拟中, 能量沉积用 M on te Ca rlo 方法计算, 材料的动力学响应则是通过质量、动量和能量三个守恒方程的联立求 解来计算。材料的热力学状态用 GRA Y 三相物态方程[1]进行描述, 固态的本构关系采用简单 的弹塑模型。所有计算均由我们自行编制的程序DRAM 1D 完成。
第4期
汤文辉等: 脉冲电子束对材料破坏效应的数值研究
619
(1) 对于 T < T m - ∆T 的情况 (固相) :
Ema = pma = 0
(13)
(2) 对于 T m - ∆T ≤T < T m + ∆T 的情况 (熔化相) :
Em a = Τ(T - v ∆T ) (∃S - Α)
16 3
Α&2
r20
≈
0.
039&2 r20
(6)
当 m c2ν E ν m c2 Α&1 3时
Ρr = 4Α{ln [ 2 (Σ+ 1) ] -
1 3
}&2 r20
(7)
当 E µ m c2 Α&1 3时
Ρr =
4Α[ ln [ 183&1 3) +
1 18
]
பைடு நூலகம்
&2
r20
(8)
当 E≈ m c2时, Ρr 没有解析表达式。式中 Α为精细结构常数; r20= (mec2 2 ) 2; Σ= mEc2。电子在一个步
1 计算方法
1. 1 能量沉积 采用M on te Ca rlo 方法并结合M o liere 多次散射理论和电子连续慢化近似计算电子的能 量损失过程。电子历史的终止能量取为8k eV 。计算中还考虑了次级效应和密度修正效应等。 设 E 为电子动能, 按照 B erger[2]的方法, 电子每走一步, 能量按对数减小。从第 n 到第 n+ 1步的能量变化为
来描述材料的热力学状态。GRA Y 物态方程的基本思想是将状态划分为固- 液和气- 液两大
相区。在固- 液相区, 热力学状态又被细分为固相、熔化相、液相和热液相四个相区, 并采用液
态金属的定标规律模型描述物态。在气- 液相区采用修正的 van der W aa ls 方程描述物态。固
- 液相区物态方程的基本公式为
E n+ 1 = K E n
(1)
其中 K = (1 2) 1 m。因此粒子每走 m 步, 能量降低一半, 经验表明, m 取8或16比较好。
电子的轨迹步长为
∫ ∃S =
En
[-
En+ 1
1 Θ
(
dE dS
)
t
]-
1dE
(2)
式中方括号内的量为运动电子在单位质量坐标内损失的总能量,
-
1 Θ
(
dE dS
图2 铝中的热击波, 入射通量为200J cm 2, (a) E k= 0. 2M eV , (b) E k= 2M eV
此, 电子束产生的热击波波形与飞片打靶或炸药加载产生冲击波有明显的差别, 同时也有别于 脉冲 X 射线产生的热击波[4]。如果电子能量较低, 应力波宽度较窄, 压缩波的幅度较大, 峰值
第9卷 第4期 1997年11月
强激光与粒子束
H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E B EAM S
V o l. 9, N o. 4 N ov. 9, 1997
脉冲电子束对材料破坏效应的数值研究
汤文辉 张若棋
(国防科技大学应用物理系, 长沙, 410073)
摘 要 利用M on te Carlo 方法计算了电子束的能量沉积, 用流体动力学方程 计算了热击波的传播, 所用物态方程为 GRA Y 三相物态方程。全部计算均由程序 DRAM 1D 完成。讨论了波的传播规律, 并给出了铝材迎光面反冲速度峰值及比质 量亏损与电子束的入射通量和能量之间的关系。 关键词6 电子束 冲击波 能量沉积 数值模拟
g rad ro 常数; I 为原子的平均电离能 (M eV ) ; e 为元电荷; ∆ 为电子密度效应的修正因子; Β=
v c。(3) 式右边第二项为一个电子在经过单位质量厚度时由于轫致辐射而损失的能量
-
1 Θ
(
dE dS
)
r
=
N Am c2 (Σ+
A
1) Ρr
(5)
当 E ν m c2时
Ρr =
图1 铝中的能量沉积剖面, 入射通量为1J cm 2, 其中 E k 为入射电子能量
F ig. 2 P rop aga tion of stress w ave in a lum inum expo sed to an inciden t fluence of 200J cm 2 fo r (a) 0. 2M eV electron s and fo r (b) 2M eV electron s
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强激光与粒子束
第9卷
导热击波的同时, 往往还伴随有热膨胀的作用, 此时表现为压缩波后紧跟一较弱的拉伸波。因
F ig. 1 Energy depo sition p rofiles in a lum inum fo r d ifferen t electron energ ies (a) and fo r d ifferen t inciden t ang les (b) , nom a lized to 1J cm 2 inciden t fluence, w here E k is the inciden t electron energy