2014年-2016年电子科技大学839自动控制原理考研真题试题试卷汇编
6、 （共 15 分）设某复合校正控制系统如图 6 所示。其中 N ( s ) 为可量测扰动。若要求系统输 出 C ( s ) 完全不受 N ( s ) 影响 ， 且 系统 跟踪阶跃 信号的误差为 零，试 确定补偿装置 Gr ( s ) 和
GN ( s ) 。
Gn (s ) K1 s
N (s)
R (s)
R (s)
+
−
10 s ( s + 2)
1+τ s
图4
C (s)
5、 （共 15 分）某最小相位系统的开环对数幅频特性图如图 5 所示。
L(ω) -20dB/dec
2
-40dB/dec
10
ω
1
-60dB/dec
图5 1） 试确定系统相角裕度γ=60°时的系统开环传递函数。 2） 输入为单位斜坡信号时系统稳态误差 ess =0.2,试确定此时系统开环传递函数，判断系统的 稳定性，并计算系统此时的幅值裕度 Kg
+
−
Gr (s )
+
+ −
−
+ +
K2 C (s) Ts + 1
图6
自动控制原理试题 共 3 页 第 2 页
第 3 页，共 10 页
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7、 （共 15 分）某非线性系统如图 7 所示，其中非线性元件的描述函数为
N ( A) =
&1 0 1 x1 0 x x = + u &2 −2 −3 x2 1 x y = [1 a ] 1 x2
1） 试求该系统的状态转移矩阵。 2） 试用李雅普诺夫第二法判断该系统的稳定性。
10、 （共 15 分） 设某系统传递函数 φ ( s ) =
U(s)
1 s
x2
1 s
x1
K1
+ +
C (s)
K2
图2
3、 （共 15 分）某负反馈系统框图如图 3 所示。如要求系统同时满足 1）闭环阻尼比 ζ≤0.707；2）调整时间 ts ≤3 (误差带∆=5%)；3）输入信号为单位斜坡信号时，系统稳态误 差 ess ≤0.35，试分析系统参数 K , T 应满足的条件。
4M h 1-( )2 , A ≥ h πA A
R(s ) +
M -h
−
h -M
K s ( s + 1) 2
C (s)
N ( A)
图7 1) 当 M = 2, h = 0, K = 10 时，判断系统是否会产生自持振荡，如产生自持振荡，则求出自 持振荡的频率和幅值。 2) 欲使系统稳定，试分析系统参数 M , h和K 满足的条件。
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：839 自动控制原理
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效 1、 （共 15 分）某反馈系统框图如图 1 所示。试求出当输入 R ( s ) 和 N ( s ) 共同作用下的系统 输出 C ( s ) 。
R (s)
+
+
-
图2
100 s2 ts
Y (s)
3、 （共 20 分）某直流电机随动系统框图如图 3(a)所示。通过反馈校正的方式改善系统的动 态性能，如图 3(b)所示。反馈校正支路上串接的高通滤波器参数为：R=1M W,C=10mF, k = 0.2875 ,试求： 1） 试求校正前原系统的超调量、调节时间； 2） 试求校正后系统的闭环传递函数，并计算在单位斜坡函数激励下的系统稳态误差。
8、 （共 15 分）某离散系统如图 8 所示，其中，采样周期 T=0.2 秒
r (t )
+
e(t )
+
−
T
−
T
1 − e −T s s 0.5 s
10 s2
c(t )
图8 1) 试判断该系统的稳定性。 2) 当输入 r (t ) = t 时，试求系统的稳态误差。
9、 （共 15 分）设某系统的状态空间表达式如下，其中 a 为系统参变量。
R (s)
+
−
+
−
图3
K s ( s + 2)
Ts
C (s)
自动控制原理试题 共 3 页 第 1 页
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4、 （共 15 分）某系统的框图如图 4 所示，试绘制参数τ由 0→∞变化时，系统的根轨迹图。
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电子科技大学 2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：839 自动控制原理
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
1、 （共 15 分）某控制系统框图如图 1 所示。试求：当输入 R1 ( s ) = 下的系统输出 Y ( s ) 。
R1 ( s )
Y ( s) 10 = ， 试用状态反馈使系统闭环 U ( s ) s ( s + 1)( s + 2) 极点配置到 −2, −1 ± j ，试求状态反馈矩阵 K = [ k0 k1 k2 ] 。
自动控制原理试题 共 3 页 第 3 页
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R (s)
+
+
−
G1 ( s )
G4 ( s )
N (s)
+
−
G2 ( s ) H (s) G3 ( s )
图1
+
−
C (s)
+
2、 （共 15 分）某控制系统框图如图 2 所示，选取图中 x1，x2 为状态变量 1） 试求系统的状态方程与输出方程。 2） 试判断系统的能控性和能观性，并给出满足系统能控和能观时 K1 , K 2 的取值条件。 3） 求出系统的闭环极点。
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目 录
2014 年电子科技大学 839 自动控制原理考研真题试题试卷········································ 2 2015 年电子科技大学 839 自动控制原理考研真题试题试卷········································ 5 2016 年电子科技大学 839 自动控制原理考研真题试题试卷········································ 8
1 和 R2 ( s ) = 1 共同作用 s
+ +
-
1 s+2 a s +1
图1
+
+
1 s
+
Y (s)
+
R2 (s)
2、 （共 15 分）某控制系统框图如图 2 所示。 1） 当系统输入 R ( s ) 为单位斜坡函数时，求系统的稳态误差。 2） 试求参数 t ，可使系统满足：在超调量为零的前提下，调整时间 ts 尽可能短。
电子科技大学836信号与系统和数字电路考研历年真题及解析
电子科技大学考研历年真题解析——836信号与系统和数字电路主编：弘毅考研编者：阿欢弘毅教育出品【资料说明】《信号与系统和数字电路历年真题解析（专业课）》系电子科技大学优秀考研辅导团队集体编撰的“历年考研真题解析系列资料”之一。
历年真题是除了参考教材之外的最重要的一份资料，其实，这也是我们聚团队之力，编撰此资料的原因所在。
历年真题除了能直接告诉我们历年考研试题中考了哪些内容、哪一年考试难、哪一年考试容易之外，还能告诉我们很多东西。
1.命题风格与试题难易第一眼看到电子科技大学历年试题的同学，都觉得试题“简单”。
其实，这也是很多学生选择电子科技大学的原因吧。
电子科技大学的试题不偏、不怪，80% 的题目可以在课本上找到部分的答案。
这不同于一些学校的试题，比如清华大学，理论性很强，说不会答，一点也答不上来。
电子科大的试题，不管你复习的怎么样，一般都能答上一点，至于能答到什么程度，则因人而异。
试题很“简单”或者“很难”与“能得高分”根本不是一回事。
试题很基础，所以每个学生都能答上，但是想得高分，就要比其他学生强，要答出别人答不出来的东西。
要答出别人答不出来的东西，这容易吗？大家不要被试题表象所迷惑。
、2.考试题型与分值大家要了解有哪些题型，每个题型的分值。
从最近五年看，电子科技大学的题型基本没变，个别年份有选择题和判断对错题。
每个题型的分值是不一样的，一个选择题或者填空题解释一般也就是3-5分，可一个计算题就是15分以上。
这要求我们平时一定要注意计算正确性和书写整洁的练习。
对于数字电路，比较重要的是组合逻辑电路的分析与设计和时序逻辑电路的分析与设计的题目，对于分析类的题目，只要按照分析的步骤分析就可以了，而对于设计类的题目，可能每种类型的设计有其特定的设计方法和步骤，这就要求考生多练习了。
3.各章节的出题比重对于信号与系统，熟练掌握傅里叶变换，S变换，Z变换的性质，熟练掌握这三个变换的常见变换对，及常见题型即可。
(NEW)西安电子科技大学843自动控制原理历年考研真题汇编
2009年西安电子科技大学843自动 控制原理考研真题
2008年西安电子科技大学843自动 控制原理考研真题
2007年西安电子科技大学443自动 控制原理考研真题
2006年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
目 录
2014年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题（部分） 2013年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2012年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2011年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2010年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2009年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2008年西安电子科技大学843自动控制原理考研真题 2007年西安电子科技大学443自动控制原理考研真题 2006年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题 2005年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题 2004年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题 2003年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题 2002年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题 2001年西安电子科技大学414自动控制原理考研真题
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2005年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
2004年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
2003年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
2002年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
2001年西安电子科技大学414自动 控制原理考研真题
2014年西安电子科技大学843自动 控制原理考研真题（部分）
2013年西安电子科技大学843自动 控制原理考研真题
2012年西安电子科技大学843自动 控制原理考研真题
全国名校自动控制原理考研真题汇编(含部分答案)
2013年中国 学技术大学848 动控制原理
2014年中国 学技术大学848 动控制原理
5．北京
天大学 动控制原பைடு நூலகம் 合
2012年北京
天大学931 动控制原理 合
2013年北京
天大学931 动控制原理 合
2014年北京
天大学931 动控制原理 合
6．山东大学 动控制原理
2016年山东大学847 动控制原理（含现代控制理 ）
8．其他院校自动控制原理考研 真题（含部分答案）
2010年华中科技大学829自动控制原理考研真 题及答案
2011年南京大学961自动控制原理考研真题
2011年重庆大学839自动控制原理一考研真题
2013年厦门大学844自动控制原理考研真题
2013年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2014年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2015年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2016年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2017年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2018年华南理工大学813自动控制原理考研真 题
2012年电子科技大学839自动控制原理考研真 题及详解
参 案：
2013年电子科技大学839自动控制原理考研真 题及详解
参 案：
2014年电子科技大学839自动控制原理考研真 题
4．中国科学技术大学自动控制 原理考研真题
2013年中国科学技术大学848自动控制原理考 研真题
6．山东大学自动控制原理考研 真题
2016年山东大学847自动控制原理（含现代控 制理论）考研真题
2017年山东大学847自动控制原理（含现代控 制理论）考研真题
电子科技大学834物理化学2014年考研专业课真题试卷
（5） RO2 ⋅ +RH k5→ ROOH + R ⋅
E5=17 KJ·mol-1
（6） 2RO2 ⋅ k6 → ROOR + O2
E6=0 KJ·mol-1
试导出该反应的速率公式，并求出总反应的表观活化能 Ea 。
共3页第3页
42
105
242
384
665
1070
p 总/kPa
52.9
58.3
66.3
71.6
78.3
83.6
试计算该反应的反应级数。
10.（15 分）异丙苯（C6H5C（CH3）2-H）氧化为过氧化氢异丙苯（C6H5C（CH3）2-OOH） 的反应式可简化为：RH + O2 → ROOH，要使该反应进行，须在异丙苯中先加入 2.5%的过氧 化氢异丙苯作为引发剂。此反应的机理如下：
5.（15 分） 323K 时，醋酸（A）和苯(B)的溶液的蒸气压数据为：
XA
0.0000
0.0835
0.2973
0.6604
0.9931
PA/Pa
－
1535
3306
5360
7293
PB/Pa
35197
33277
28158
18012
466.6
（1）以拉乌尔定律为基准，求 XA＝0.6604 时组分 A 和 B 的活度和活度系数；
（1） ROOH k1→ RO ⋅ +OH ⋅
E1=151 KJ·mol-1
（2） RO ⋅ +RH k2 → ROH + R ⋅
E2=17 KJ·mol-1
（3） OH ⋅ +RH k3→ R ⋅ +H 2O
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】832专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
电子科技大学839自动控制原理模拟题一
电子科技大学839自动控制原理模拟题一一(15分)已知系统如方框图所示，试求闭环传递函数及以输入端定义的误差传递函数二(20分)试求同时满足下列两个条件的K 值：(1) t t r =)(时，稳态误差25.2≤ss e ；(2) 阶跃响应无超调。
三(15分)试绘制T 由0→∞变化的根轨迹，并给出保证系统稳定的T 值范围。
四(15分)已知最小相位系统的开环对数幅频渐近特性如图所示，试求(1)系统的开环传递函数；(2)利用稳定裕度判别系统的稳定性； (3)若要求系统具有︒30五(20分)已知单位反馈系统的开环传递函数为12)1()(23++++=s s a s s K s G ；若使系统以s /rad 2=ω频率持续振荡，试确定相应的K 和a 的值。
六(15分)已知非线性系统如方框图所示，其中 输入0)(=t r ，初始条件为h c >)0(，0)0(=c 。
绘出0=τ及0>τ两种情况下的相轨迹的大致图形，并说明τ存在的作用。
七(15分)已知离散系统如图所示，其中 1=T 秒，试分析系统的稳定性。
八(15分)(1) (2) 九(15分)已知线性系统为u ⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=12x 1101x ，[]x 10=y ；⎥⎦⎤⎢⎣⎡=11)0(x ； (1) 试求⎩⎨⎧≥<=-0e 0)(t t t u t时，系统的状态响应和输出响应；(2) 确定系统的传递函数矩阵，这个传递函数能否给出系统的充分描述？为什么？十(15分)已知线性系统为u ⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎥⎦⎤⎢⎣⎡---=13x 9432x ，[]x 11=y ；(1) 利用状态反馈进行极点配置，使闭环极点配置在)21(j ±-处，求状态反馈矩阵K ； (2) 画出系统的状态变量图。
电子科技大学839自动控制原理模拟题一答案111H G L -=；232H G L -=；213213H H G G G L -=； 21312132123111H H G G H H G G G H G H G ++++=∆；计算)()(s R s C ，3211G G G P =；432G G P =；11=∆；1121H G +=∆； 213121321231111433211)1()()(H H G G H H G G G H G H G H G G G G G G s R s C ++++++=； 计算)()(s R s E ，11=P ；21432H H G G P-=；2311H G +=∆；12=∆； 213121321231121432311)()(H H G G H H G G G H G H G H H G G H G s R s E ++++-+=； ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------点评：正确理解“输入端定义的误差”是计算误差传递函数的要点；如下所述，本题可以应用方框图简化计算传递函数，解题过程过于烦琐； 还可以应用消元法计算传递函数。
(NEW)电子科技大学《839自动控制原理》历年考研真题汇编(含部分答案)
目 录
2014年电子科技大学839自动控制原理考研真题
2013年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2012年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2011年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2010年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2009年电子科技大学839自动控制原理考研真题（部分）及详解2008年电子科技大学839自动控制原理考研真题及详解
2007年电子科技大学436自动控制原理考研真题及详解
2006年电子科技大学436自动控制原理考研真题及详解
2005年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2004年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2003年电子科技大学426自动控制原理考研真题及详解
2014年电子科技大学839自动控制原理考研
真题。