《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案整理版
中职《电工电子技术基础》期中考试试卷及答案
中职第一学期电工班级： 姓名： 得分：一、填空题：（每空1分，共 30 分）1. 任何一个完整的电路都一般由 电源 、 负载 和 中间环节（导线和开关） 三个基本部分组成。
2、根据电源的外特性和全电路欧姆定律U=E-Ir 的概念，可见，电源端电压U 随着电流I 的增大而 减小 ，而电源的电动势随着内阻的增大而 减小 。
一般电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态，电源 短路 是严重的故障状态，必须避免发生。
3、一般规定参考点的电位规定为 零电位 ，低于参考点的电位是 负电位 ,而高于参考点电位是 正电位 。
4取决于导体的 长度 、 横截面积 和 自身的材料 ，其表达式 5电压和功率的最大值都有一定的限制，分别称为 额定电流 、 额定电压 、 额定功率 。
6、分析和计算复杂电路的主要依据是： 基尔霍夫 定律和 欧姆 定律。
7内阻r 数值 不变 ，电路图改为 并 联。
8、用一个恒定的电动势与内阻r 串 联表示的电源称为 电压源 。
用一个恒定的电流Is 与内阻r 并 联表示的电源称为 电流源 。
9、电磁铁的形式很多，但基本组成部分相同，一般由 励磁线圈 、 铁心 、 衔铁 三个主要部分组成。
二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 10 分1、（ × ）电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。
2、（ × ）电压是产生电流的根本原因。
因此电路中有电压必有电流。
3、（ × ）绝缘体两端的电压无论再高，都不可能通过电流。
4、（ × ）电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。
5、（ √ ）理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。
6、（ √ ）对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，但方向相反。
7、（ × ）电阻并联后的总电阻大于其中任一只电阻的阻值。
8、（ × ）在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。
中职电子技术基础期中试题
2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷（A 卷） 考试形式：闭卷■、开卷□ 出卷人：康洋 考试时间： 60分钟一、判断题（本大题共10小题，每小题3分，共30分，请将其答案写在答题卡内。
）1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通，加反向电压截止，这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压（二极管正极接高电位，负极接低电位）时的特性。
5. 二极管导通后，二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构，因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向，箭头朝外的是 NPN 型三极管，箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是：用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题（本大题共10小题，每小题4分，共40分，请将其答案写在答题卡内。
）1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极，又称（ ）。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号（ ）可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是（ ）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏 6. NPN 型三极管中，当V C >V B >V E ，三极管处于（ ）A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号（ ）A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中， 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V ， -10 V ， -9.3 V ， 则这只三极管是（ ）。
中职电子技术基础期中试卷
2012年秋学期《电子技术基础》期中测试2012.11.一、填空题（0.5’×50）1、半导体中有两种载流子：和。
2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个PN 结：和；三个电极：、和，分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是：、工艺条件（内部条件）是：、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。
三极管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V；锗管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V。
10、若测得某晶体三极管的电流为：当I B=20µA时，I C=2mA；当I B=60µA时，I C=5.4mA，则可求出该管β为，I CEO为，I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式I C =βI B才成立；当三极管工作在区时，I C≈0；当三极管工作在区时，V CE≈0；三极管在区时，具有恒流特性。
二、判断题（2’×10）1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。
（ ）2、N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。
（ ）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。
（ ）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。
（ ）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R ×10K Ω挡。
（ ） 6．用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“＋”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
《电子技术基础》期中考试试卷(数字部分)
《电子技术基础》期末考试试卷(数字部分)（时间：60分钟；满分：100分）姓名班号得分一、填空：（每空1分，共24分）1、整流电路有三种，分别有整流、整流和整流。
其作用是将电变成电。
2、二极管主要特性是，即二极管加正向电压，加反向电压。
二极管的正向压降大约为V。
3、三极管有三极二结, 三极分别是极、极、极。
二结分别是结和结。
4、三极管饱和和导通状态相当于开关的状态，截止状态相当于状态。
5、根据半导体基片材料不同，三极管可分为型和型两大类。
6、放大器无信号输入时的直流工作状态叫做____________。
7、在数字电路中最基本的逻辑门有，，。
“1”表示“0”表示是正逻辑；“1”表示低电平，“0”表示高电平是负逻辑。
二、判断下列公式或定律是否正确。
(每题1分，共5分)1、A+AB=A （）2、（）4、AB+AC+BC=AB+AC ( )三、写出下列逻辑代数基本公式的结果。
（每个1分，共8分）A+0= ; A+1= ;A·0= ; A·1= ;A+A= ; A·A= ;; 。
四、完成下面表格：(每空1分，共13分)门电路基本量逻辑符号逻辑函数式逻辑功能与门Y＝A·B或门Y＝A＋B非门有0出1；有1出0与非门或非门异或门五、逻辑图与逻辑函数式的互换。
1、画出逻辑函数的逻辑图。
(4分)2、写出下图所示电路的逻辑表达式。
(6分)六、计算题。
（16分，要求格式正确，要有计算过程）1、二——十进制计算。
（2×2=4分）=①[1111]2=②[10101]22、十——二进制计算。
（2分）[3625]10=3、八——十进制计算。
（2分）=[3625]84、十——八进制计算。
（2分）[3625]10=5、十六——十进制计算。
（2分）[3BC5F]16=6、十——十六进制计算。
（2分）[3625]10=7、二——十六进制计算。
(2分)[ 1111000100001011]2=七、根据下题图逻辑符号和输入波形，试分别画出相应的输出波形。
《电子技术基础二》期终考试试卷(A)及答案
8、当触发器Q=0，1=Q 时称触发器处于“0”状态。
（ ） 9、施密特触发器工作时具有两个稳定状态，但只有一个触发电平。
（ ） 10、边沿触发器是指触发器的状态在CP 脉冲的边沿处发生触发翻转。
（ ）三、选择题（每题2分，共20分）1、下列结果错误的是（ ）A. B A AB +=B. B B B =+C. 1+A=12、下列状态方程中（ ）是T / 触发器。
A. Q n+1＝T ⊕Q n B. Q n+1＝Q n C. Q n+1＝D3、下列结论是正确的是（ ）A.（5C ）16 =（95）10B. （10101）2 ＝（20）10C.（25）8 =（10101）24、下列逻辑图中表示 Y ＝A ⊕B 的是 （ ）（A ） （B ） （C ）5、在相同的时钟脉冲作用下，同步和异步计数器比较其工作速度。
（ ）A. 较快B.较慢C.不确定6分，共24分）1、用代数法化简 C B A C B A Y +=2、试将J-K触发器转换成T触发器画出逻辑图。
3、用卡诺图法将Y(A、B、C、D)=Σm（1、3、5、7、9、11、13）化简。
4、根据逻辑图写出Y的逻辑表达式。
五、分析思考题（每题8分，共16分） 1、下图是用555定时器构成的多谐振荡器，其中R 1=10K ，R 2=1K ，C=0.1uF ，试计算输出频率f 和周期T 。
2、用反馈置数法将同步二进制计数器74LS163转为10进制计数器，如图a 所示。
μFO O OQ0Q1Q2Q3D0D1D2D3CT T CT P CP C0CR LD 74LS163电子技术基础(二)期终考试试卷（A ）参考答案一、填空（每空2分，共30分）1、组合电路、存储电路2、n Q K Q J Q n1n +=+3、单稳电路、多谐振荡器、4、“1”、“0”5、100100、00110110、6、59、1110117、模拟、数字8、异步计数器9、跃变 10、输人输出数据 二、判断题（每题2 分 共20分）1、√2、×3、×4、√5、×6、×7、√8、√9、×10、√三、选择题（每题2分，共10分）1、B2、B3、C4、C5、A四、化简、画图（每题7分，共28分）1、()C B A B A C C B A C B A Y =+=+= 24、B A AB Y +=00 01 11 10五、分析思考题 1、()()KHZT f SCR R T 02.1 1098.0111098.0 101.01022107.0 27.0336321=⨯==⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=---2、。
电子技术期中试题及答案
电子技术基础试卷（A）卷班级姓名得分一、填空（30分每空2分）1．二极管最主要的特性是。
2．差分放大电路，若两个输入信号u I1=u I2，则输出电压，u O=；若u I1=100μV，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id=μV；共模输入电压u Ic= μV3．若三级放大电路中A u1=A u2=30 d B，A u3=20 d B，则其总电压增益为dB，折合为倍。
4．．集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
5．只读存储器的类型有固定ROM、_________________和EEPROM三种。
6．四位二进制异步减法计数器有________________________个计数状态。
7．BCD编码中最常用的编码是______________________。
8．PN结反向偏置时，PN结的内电场被___________________。
9．在构成电压比较器时集成运放工作在开环或_________________________状态10．逻辑表达式中，异或的符号是，同或的符号是。
11．二进制码11100001表示的十进制数为。
二、选择（30分每空3）1．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型锗管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. PNP 型硅管2．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大3.如图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.304.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（）。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
(完整版)电子技术试卷与答案
2018年上期湖南永州九嶷工业学校《电子技术基础》期中考试试卷班级姓名得分一、填空题（每空格1 分共20分）1、晶体二极管具有导电性,即正向电阻小,反向电阻。
2、晶体三极管根据结构不同可分为型和型。
3、PN结加正向电压时导通, 加反向电压时。
4、半导体是导电能力介于和之间的物质。
5、晶体二极管导通后，其正向电压降硅管约为，锗管约为。
6、三极管的基极电流I B为10μA时，测得集电极电流I C为1mA。
当I B增至30μA时，I C增加2mA。
则β= 。
7、三极管的IE、IB、IC之间的关系为；某三极管的β=50，若IB=10uA，则IC= 。
8、放大器的级间耦合方式有耦合、耦合和耦合。
9、三极管分为三个工作区是、、。
10、硅二极管的门坎电压约为V，正向导通电压约为V。
二、判断题（答案填在表格中，对的打‘√’，错的打‘×’每小题3分，共24分）（）1、晶体管作为开关使用是工作在放大或截止状态。
（）2、发光二极管正常工作时应加正向电压（）3、发射结加反向电压时三极管进入饱和区。
（）4、放大器的静态工作点设置是否合适，是放大器能否正常工作的重要条件。
（）5、集电极电流ⅠC不受基极电流ⅠB的控制。
（）6、当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时，三极管会截止，相当于开关断开。
（）7、直接耦合放大器不能用于放大交流信号（）8、放大器的静态工作点一经设定后就不会改变。
三、单项选择题：（每小题3分，共30 分）1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变（）A、基极电阻B、集电极电阻C、发射极电阻D、三极管的值2、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.60mA 和3.59mA 。
则该管的β为（）A、70B、40C、60D、503、检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（）A、IBQB、UBEC、ICQD、UCEQ4、当晶体三极管工作在放大区时，为（）。
《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A卷)及答案
《电子技术基础（一）》期终考试试题 （A 卷）适用专业：题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数一、名词解释：（每小题2分，共10分）1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题（每空档0.5分，共20分）1、二极管的类型按材料分有 和 两类。
2、2CW 是 材料的 二极管。
3、三极管有 、 和放大三种工作状态。
4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
5、在放大电路中，静态工作点过高易出现 ，静态工作点过低易出现 。
6、三极管实现电流放大的外部条件是： ， 。
7、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号 源的负担，输出电阻要 些，以提高带负载的能力。
8、功放电路中，为了不失真地输出最大功率，功放管常采用 放大，功放电路是 电路。
9、放大电路级与级之间的连接方式有： 、 和直接耦合。
10、电压负反馈是稳定，反馈信号与成正比。
11、解决零点漂移最有效的办法是采用。
12、非线性比较器有和两种。
13、减法运算电路利用可以进行减法运算。
14、和运放工作在电压传输特性的非线性区，即。
15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。
16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。
17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。
18、单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压U2=100V，则负载两端电压为V；若接入滤波电容，则负载两端电压为V。
19、常用的滤波电路有、和π形滤波。
20、桥式整流二极管中，若某个二极管虚焊，则输出只有。
21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。
22、W78M05输出电压为，输出电流为。
三、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题1分，共12分）1、三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。
（）2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波，引入负反馈后不能改善失真波形。
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2017-2018学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷
班级：姓名：学号：得分：
一、填空题（每空格1分，共30 分）
1、半导体材料通常有、锗和砷等。
2、P型半导体中多数载流子是，少数载流子是。
3、PN结加正向电压时________，加反向电压时________，这种特性称为PN结的单向导电性。
4、硅二极管的死区电压约为左右，锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。
5、已知三极管的发射极电流IE＝3000uA ，基极电流IB＝50uA，则集电极电流IC＝。
6、三极管有三个管脚，分别称为、、。
7、整流是指将变换为的过程，常见的整流电路有整流电路、
整流电路和单相全波整流电路三种。
8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。
9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。
10、半导体三极管又称双极型三极管，它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为
器件；场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件，称为器件。
11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________，给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。
12、已知某三极管的IB1=10uA时，IC1=0.8mA，当IB2=30uA时，IC2=2.4mA，求该三极管的β值为，若IB3=60uA，那么IC3= 。
13、画交流通路时，是把较大的和视为短路，画直流通路时是把视为开路。
14、半波整流电路中，若变压器次级电压为V2=10V，那么负载两端电压V0= 。
15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时，输出电压平均值
=
o
V
________2
V；在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时，输出电压平均值=
o
V
________2
V。
二、判断题（每题2分，共10分）
（）1、二极管是非线性器件。
（）2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。
（）3、PNP型三极管一定是硅管，NPN型三极管是锗管。
（）4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
（ ）5、放大器是有源电路，放大信号所需要的能量来源是电源，晶体管本身并不能提供能量。
三、选择题（每题3分，共10题，共30分）
（ ）1、硅材料二极管正向导通时，则该二极管的管压降约为 。
A. 0.2V
B.0.3V
C. 0.7V
（ ）2、下图中二极管是否导通。
A 、导通
B 、截止
C 、不定
（ ）3、三极管工作时各极对地电位如右图所示，那么该三极
管工作在 状态。
A.放大
B.饱和
C.截止
（ ）4、三极管的放大倍数β为 。
A.C B I I β∆=
∆ B.E B I I β∆=∆ C.B C I I β∆=∆
（ ）5、在固定偏置放大电路中，基极电阻Rb 的作用是 。
A.放大电流
B.调节偏置电流IBQ
C.把放大的电流转换成电压
D.防止输入信号被短路
（ ）6、两只硅稳压管的稳压值分别为8V 和7.5V ，将它们串联使用，可获得的四种稳压值是 。
A. 15.5V 7.7V 7.2V 0.6V
B. 15.5V 8.3V 7.8V 1.4V
C. 15.5V 7.3V 6.8V 1.4V
D. 15.5V 8.7V 8.2V 1.4V
（ ）7、如图所示为单相桥式整流电路中,负载
RL1上获得电压V01为 。
A.12V
B.－12V
C.9V
D.－9V
（ ）8、桥式整流电路工作时最多有几只二极
管导通。
A ．1只 B.2只 C.3只
（）9、某半波整流电路，整流后输出电压为4.5V，现有如下二极管，不能用于该整流电路的为。
A．击穿电压为10V B.击穿电压为15V C.击穿电压为20V
（）10、某电路图如下图所示，二极管VD是导通的时间长还是截止的时间长？
A、导通的时间长
B、截止的时间长
C、一样长
四、计算题（每题10分，共2题，共20分）
1、电路如下图所示，其中电阻R为4KΩ，分析各二极管是导通还是截止？并求出AO两点间的电压VAO（二极管正向电阻为0，反向电阻为∞，即二极管为理想二极管，判断二极管是否导通时要说明判断依据）
2、如图所示放大电路，已知β＝50，Rc＝RL＝2kΩ，Rb1＝20kΩ，Rb2＝10kΩ，Re＝3.3 kΩ，rbe＝1kΩ，Vcc＝12V。
试求：
⑴画出交流通路和直流通路；
⑵计算静态工作点；
⑶求ri和rO；
⑷求电压放大倍数Av；
参考答案
一、填空题
1、硅
2、空穴、自由电子。
3、导通、截止
4、0.5V
5、2.95mA（2950uA）
6、基极、发射极、集电极
7、交流电、脉动直流电、单向半波、单向桥式
8、反向击穿。
9、放大、饱和、截止。
10、电流控制型、电压控制型。
11、静态、防止信号在传输过程中的非线性失真。
10、射极输出器、大、小、略小于1。
11、电容、直流电源，电容。
12、80，4.8mA
13、电容、直流电源、电容
14、4.5V
15、1、1.2
二、判断题
1、√，
2、⨯，
3、⨯，
4、⨯，
5、√
三、选择题
1、C.
2、B.
3、A.
4、A.
5、B .
6、D.
7、C.
8、B.
9、A. 10、B.
四、计算题
1、解： VD1导通、VD2截止，V A0=0V
2、⑴
⑵ 212101242010
b BQ c
c b b R V V V R R =⋅=⋅=++（） 40.713.3
BQ BEQ
CQ EQ e V V I I R --≈===（mA ） 10.0250
CQ
BQ I I μβ===（mA ）=20（A ） 121213.3 6.7CEQ cc CQ c EQ e V V I R I R V =--=-⋅-⋅=（）
⑶ 1i b r R =∥2b R ∥be r = 20∥10∥1≈1（k Ω）
2o c r R ≈=（k Ω） ⑷ 5022501c L v be R R A r β=-=-=-（）
（）。