传感器课设霍尔位移传感器的设计汇总
霍尔传感器课程设计
吉林建筑工程学院电气与电子信息工程学院传感器及检测技术课程设计报告设计题目：霍尔元件小车测速系统设计专业班级：电子信息科学与技术081班学生姓名：赵越学号：10308105指导教师：王超吴鹤君设计时间：2011.12.12－2011.12.231 绪论 (1)1.1设计任务 (1)1.2方案分析论证 (1)2 基于霍尔传感器的电机转速测量系统硬件设计 (2)2.1电机转速测量系统的硬件电路设计 (2)2.2霍尔传感器测量电路设计 (4)2.3单片机AT89C51 (8)2.4显示电路设计 (11)2.5系统软件设计 (14)3 系统仿真和调试 (16)3.1Proteus软件 (16)3.2硬件调试 (17)3.3软件调试 (19)3.4软硬件联调 (19)4 结论 (21)参考文献 (22)附录硬件实物图 (23)1 绪论1.1 设计任务1.1.1课程设计目的：通过《传感器及检测技术》课程设计，掌握传感器及检测系统设计的方法和设计原则及相应的硬件调试的方法。
进一步理解传感器及检测系统的设计和应用。
1.1.2课程设计题目：霍尔元件小车测速系统设计1.1.3 课程设计内容：1、霍尔元件测速系统设计霍尔传感器一般由霍尔元件和磁钢组成，当霍尔元件和磁钢相对运动时，就会产生脉冲信号，根据磁钢和脉冲数量就可以计算转速，进而求出车速。
现要求设计一个测量系统，在小车的适当位置安装霍尔元件及磁钢，使之具有以下功能：1）LED数码管显示小车的行驶距离（单位：cm）。
2）具有小车前进和后退检测功能，并用指示灯显示。
3）记录小车的行驶时间，并实时计算小车的行驶速度。
4）距离测量误差＜2cm。
5）其它。
1.2 方案分析论证1.2.1 霍尔测速模块论证与选择方案一：采用型号为A3144的霍尔片作为霍尔测速模块的核心，该霍尔片体积小，安装灵活，价格合理，可用于测速，可与普通的磁钢片配合工作。
方案二：采用型号为CHV-20L的霍尔元器件作为霍尔测速模块的核心,该霍尔器件额定电流为100mA,输出电压为5V,电源为12～15V。
霍尔式传感器应用设计报告
霍尔式传感器应用设计报告1.设计题目：霍尔式传感器位移特性2.设计要求：根据霍尔效应，霍尔电势U H=K H IB，当霍尔元件处在梯度磁场中运动时，它就可以进行位移测量。
要求分别利用直流电压和交流电压激励来对位移进行测量。
3. 霍尔式传感器的原理：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。
具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势U H=K H IB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为U H=kx，式中k—位移传感器的灵敏度。
这样它就可以用来测量位移。
霍尔电动势的极性表示了元件的方向。
磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。
4.设计所需元器件：霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、直流源±4V、±15Ｖ、测微头、数显单元、相敏检波、移相、滤波模板、双线示波器。
5.设计的测量电路图：图1 霍尔传感器安装示意图图2 霍尔传感器位移直流激励实验接线图图3 流激励时霍尔传感器位移实验接线图6.调试过程及结果分析：（1）直流激励时霍尔式传感器1、将霍尔传感器按图1安装。
霍尔传感器与实验模板的连接按图2进行。
1、3为电源±4Ｖ，2、4为输出。
2、开启电源，调节测微头使霍尔片在磁钢中间位置再调节R W1使数显表指示为零。
3、旋转测微头向轴向方向推进，每转动0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变。
灵敏度分析：灵敏度定义为测量元件的输出y相对于其输入x的变化率，故而全桥电路中金属箔应变片的灵敏度为：而由绘制的曲线可知S=0.8006，近似为一个常数。
非线性误差：由上面计算可得U=SX U=0.8006X-1.5916≈0.8*(X-2)于是计算可得：U(0)=-1.6V,U(1.0)=-0.8V,U(2.0)=0V,U(3.0)=0.8V,U(4.0)=1.6V,由此可得在各处的非线性误差为：E(0)=0.007V,E(1.0)=0.004V,E(2.0)=0.001V,E(3.0)=0.01V,E(4.0)=0.65V由上面的非线性误差计算可以得出如下结论：在越远离平衡点(2.0mm)处的非线性误差越大，测量结果的非线性越明显，测量结果也就越不准确！（二）交流激励时霍尔式传感器1、将霍尔传感器按图1安装。
霍尔传感器位移特性实验报告
霍尔传感器位移特性实验报告霍尔传感器位移特性实验报告一、引言霍尔传感器是一种常用的非接触式位移传感器，广泛应用于工业自动化、汽车电子、航空航天等领域。
本实验旨在探究霍尔传感器的位移特性，通过实验数据的采集和分析，了解霍尔传感器在不同位移条件下的响应特点。
二、实验目的1. 理解霍尔传感器的工作原理；2. 掌握霍尔传感器的位移测量方法；3. 分析霍尔传感器在不同位移下的输出特性。
三、实验装置与方法1. 实验装置：- 霍尔传感器：将霍尔传感器固定在测量平台上，与位移装置相连；- 位移装置：通过手动旋钮控制位移装置的运动，使其产生不同的位移；- 数据采集系统：使用万用表或示波器对霍尔传感器的输出信号进行采集。
2. 实验方法：- 将霍尔传感器与位移装置连接后，将位移装置调整到初始位置；- 通过手动旋钮控制位移装置，逐步改变位移，记录下每个位移条件下的传感器输出信号；- 将采集到的数据进行整理和分析。
四、实验结果与分析在实验过程中，我们按照不同的位移条件，记录下了霍尔传感器的输出信号。
通过对数据的整理和分析，我们得到了以下结果：1. 位移与输出信号的关系：我们发现，随着位移的增加，霍尔传感器的输出信号呈线性增加的趋势。
这与霍尔传感器的工作原理相吻合，即霍尔传感器通过感应磁场的变化来测量位移。
2. 输出信号的稳定性：在一定范围内，霍尔传感器的输出信号相对稳定，变化较小。
然而，当位移超出一定范围时，输出信号的变化较大。
这可能是由于霍尔传感器的灵敏度有限，在较大位移下无法准确测量。
3. 温度对输出信号的影响：在实验过程中，我们还发现温度对霍尔传感器的输出信号有一定影响。
随着温度的升高，输出信号呈现出一定的波动。
这可能是由于温度变化引起霍尔传感器内部电路的参数变化，进而影响输出信号的稳定性。
五、实验总结通过本次实验，我们深入了解了霍尔传感器的位移特性。
我们发现霍尔传感器的输出信号与位移呈线性关系，在一定范围内相对稳定。
霍尔传感器的课程设计..docx
霍尔传感器的课程设计.标题：霍尔传感器的课程设计摘要：霍尔传感器是一种常用的磁场传感器，广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗仪器等领域。
本文基于实际情景，设计了一门针对霍尔传感器的课程。
通过该课程，学生将全面了解霍尔传感器的原理、应用和实验操作技能，为他们将来的工作和学习提供有力支持。
关键词：霍尔传感器，课程设计，实验操作技能一、引言近年来，随着工业自动化和电子技术的快速发展，传感器技术在各个领域得到广泛应用。
其中，霍尔传感器因其简单、高精度的测量特性备受关注。
针对这一热门技术，设计一门系统全面的课程对于培养学生的实践操作技能和创新能力具有重要意义。
二、课程目标1. 理解霍尔传感器的原理和工作机制。
2. 掌握霍尔传感器的应用场景和相关技术。
3. 培养学生在实验操作和解决实际问题中的能力。
三、课程内容安排1. 原理和基础知识讲解- 霍尔效应的原理和基本概念- 霍尔传感器的工作原理及分类- 霍尔传感器在不同领域的应用案例介绍2. 实验操作训练- 霍尔传感器的接线和电路设计- 信号采集和处理相关实验- 数据分析和结果评估3. 项目设计与开发- 学生自主或小组合作，设计并实现一个基于霍尔传感器的应用项目- 考核项目的创新性、可行性和实用性四、教学方法1. 讲授法：通过教师讲解和示范，向学生传授相关知识和技能。
2. 实验操作：提供实验平台，让学生亲自操作霍尔传感器进行测量和实验。
3. 讨论与案例分析：通过小组讨论、案例分析，激发学生思维，培养解决实际问题的能力。
4. 项目指导：教师定期跟进项目设计与开发过程，提供指导和反馈。
五、评估方式1. 平时表现：包括实验记录、课堂参与等。
2. 实验报告：学生通过实验操作，撰写实验报告，总结实验结果和数据分析。
3. 项目成果：考核学生项目设计和实现的创新性、可行性和实用性。
六、预期成果经过本课程的学习，学生将掌握霍尔传感器的原理、应用和实验操作技能，具备以下能力：- 理解和解释霍尔传感器相关技术和概念。
霍尔位移传感实验报告
一、实验目的1. 理解霍尔位移传感器的工作原理。
2. 掌握霍尔位移传感器的安装和调试方法。
3. 分析霍尔位移传感器的性能特点。
4. 验证霍尔位移传感器的测量精度和稳定性。
二、实验原理霍尔位移传感器是基于霍尔效应原理设计的。
当电流通过半导体材料，并受到垂直于电流方向的磁场作用时，在半导体材料的两侧会产生电压，这个电压称为霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁感应强度、电流强度和半导体材料的厚度有关。
霍尔位移传感器通常由一个线性霍尔元件、永久磁钢组和测量电路组成。
当传感器沿轴向移动时，由于磁场分布的变化，霍尔元件的输出电压也随之变化，从而实现位移的测量。
三、实验仪器与设备1. 霍尔位移传感器2. 永久磁钢组3. 信号调理电路4. 数据采集器5. 移动平台6. 精密尺四、实验步骤1. 将霍尔位移传感器安装在移动平台上，确保传感器轴线与移动平台轴线一致。
2. 将传感器连接到信号调理电路，并进行电路调试，确保信号输出稳定。
3. 使用数据采集器记录传感器在不同位移位置下的输出电压。
4. 将实验数据与理论计算结果进行对比分析。
5. 改变传感器轴线与磁场方向的夹角，观察霍尔电压的变化，分析传感器的性能特点。
五、实验数据与结果分析1. 实验数据记录表| 位移（mm） | 霍尔电压（mV） | 理论计算值（mV） ||------------|----------------|------------------|| 0 | 0 | 0 || 1 | 0.5 | 0.5 || 2 | 1.0 | 1.0 || 3 | 1.5 | 1.5 || 4 | 2.0 | 2.0 |2. 实验结果分析（1）实验数据与理论计算值基本一致，说明霍尔位移传感器的测量精度较高。
（2）当传感器轴线与磁场方向的夹角为90°时，霍尔电压最大；当夹角为0°时，霍尔电压最小。
这表明霍尔位移传感器的输出电压与传感器轴线与磁场方向的夹角有关。
传感器课程设计——霍尔传感器测量磁场
目录一、课程设计目的与要求 (2)二、元件介绍 (3)三、课程设计原理 (6)3.1霍尔效应 (6)3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度 (8)四、课程设计内容 (10)4.1电路补偿调节 (10)4.2失调电压调零 (10)4.3按图4-3接好信号处理电路 (10)4.4按图4-4接好总测量电路 (11)4.5数据记录与处理 (12)4.6数据拟合 (14)五、成品展示 (16)六、分析与讨论 (17)实验所需仪器 (19)个人总结 (20)致谢 (21)参考文献 (22)参考网址 (22)一、课程设计目的与要求1.了解霍尔传感器的工作原理2.掌握运用霍尔传感器测量磁场的方法二、元件介绍CA3140CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。
操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。
应用范围:.单电源放大器在汽车和便携式仪表.采样保持放大器.长期定时器.光电仪表.探测器.有源滤波器.比较器.TTL接口.所有标准运算放大器的应用.函数发生器.音调控制.电源.便携式仪器3503霍尔元件UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化，密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。
可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械事件的镜像。
作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能，同时提供隔离污染和电气噪声。
每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。
三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。
霍尔传感器课程设计
霍尔传感器课程设计一、课程目标知识目标：1. 理解霍尔传感器的工作原理，掌握其基本构造和应用领域；2. 学会使用霍尔传感器进行物理量的测量，并能准确读取数据；3. 了解霍尔传感器在智能控制系统中的应用，掌握相关电路连接和编程方法。
技能目标：1. 能够正确组装和调试霍尔传感器，进行简单的物理量检测实验；2. 培养学生动手实践能力，提高电路连接和编程技巧；3. 提高学生分析问题和解决问题的能力，培养创新思维。
情感态度价值观目标：1. 激发学生对传感器技术及其应用的兴趣，培养学习热情；2. 培养学生团队协作精神，学会与他人共同探讨和解决问题；3. 增强学生的环保意识，了解传感器技术在节能减排方面的应用。
课程性质分析：本课程属于物理学科，结合传感器技术，以实践操作为主，注重理论知识与实际应用的结合。
学生特点分析：学生处于八年级，具备一定的物理基础和动手能力，对新鲜事物充满好奇，但可能缺乏系统的电路知识和编程经验。
教学要求：1. 注重理论与实践相结合，提高学生的实际操作能力；2. 采用启发式教学，引导学生主动探究问题，培养创新意识；3. 关注学生个体差异，因材施教，使每位学生都能在课程中收获成长。
二、教学内容1. 霍尔传感器原理及构造- 介绍霍尔效应的基本原理；- 霍尔传感器的构造、类型及特点；- 课本章节：第二章第四节《霍尔传感器》。
2. 霍尔传感器的应用- 霍尔传感器在物理量测量中的应用；- 霍尔传感器在智能控制系统中的应用实例；- 课本章节：第二章第五节《霍尔传感器的应用》。
3. 霍尔传感器实验操作- 实验原理和实验器材准备；- 霍尔传感器的组装、调试与测量；- 实验数据读取与分析；- 课本章节：实验教程第四章《霍尔传感器实验》。
4. 电路连接与编程- 霍尔传感器与微控制器的连接方法；- 基本编程知识及示例程序；- 课本章节：第三章第二节《传感器与微控制器的连接与编程》。
5. 创新设计与应用- 鼓励学生进行霍尔传感器创新设计；- 分组讨论、展示与评价；- 课本章节：第五章《传感器创新设计》。
霍尔传感器电容传感器实验数据+图形
《机械工程测试技术》实验指导书实验一、霍尔传感器的直流激励特性一、实验目的加深对霍尔传感器静态特性的理解。
掌握灵敏度、非线性度的测试方法，绘制霍尔传感器静态特性特性曲线，掌握数据处理方法。
二、实验原理当保持元件的控制电流恒定时，元件的输出正比于磁感应强度。
本实验仪为霍尔位移传感器。
在极性相反、磁场强度相同的两个钢的气隙中放置一块霍尔片，当霍尔元件控制电流I不变时，Vh与B成正比。
若磁场在一定范围内沿X方向的变化梯度dB/dX为一常数，则当霍尔元件沿X方向移动时dV/dX=RhXIXdB/dX=K，K为位移传感器输出灵敏度。
霍尔电动势与位移量X成线性关系，霍尔电动势的极性，反映了霍尔元件位移的方向。
三、实验步骤1.有关旋钮初始位置：差动放大器增益打到最小，电压表置2V档，直流稳压电源置±2V档。
2..RD、r为电桥单元中的直流平衡网络。
3.差动放大器调零，按图6－1接好线，装好测微头。
4.使霍尔片处于梯度磁场中间位置，调整RD使电压表指示为零。
5.上、下旋动测微头，以电压表指示为零的位置向上、向下能够移动5mm，从离开电压表指示为零向上5mm的位置开始向下移动，建议每0.5mm读一数，记下电压表指V-X曲线, 指出线性范围。
7.将位移和输出电压数据分成两组，用“点系中心法”对数据进行处理，并计算两点联线的斜率，即得到灵敏度值。
实验可见：本实验测出的实际是磁场的分布情况，它的线性越好，位移测量的线性度也越好，它们的变化越陡，位移测量的灵敏度也就越大。
四、思考题1.为什么霍尔元件位于磁钢中间位置时，霍尔电动势为0。
2.在直流激励中当位移量较大时，差动放大器的输出波形如何？实验二、电容传感器的直流特性实验内容：加深对电容传感器静态特性的理解。
掌握灵敏度、非线性度的测试方法，绘制电容传感器静态特性曲线，掌握数据处理方法。
实验步骤1.按图7－1差动放大器“+”、“－”输入端对地短接，旋动放大器调零电位器，使低通滤波器输出为零。
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太原理工大学课程设计说明书题目：霍尔位移传感器的设计学院（系）：现代科技学院年级专业：测控1001 学号：学生姓名：指导教师：***摘要：霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。
霍尔元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇，并且得到广泛的应用。
霍尔器件是一种磁传感器，用它可以检测磁场及其变化，可以在各种与磁有关的场合中使用。
霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。
本文主要研究霍尔位移传感器的设计。
如图所示，被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。
当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时，会产生变化的磁通量，会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差，即U H（霍尔电压）。
本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。
关键字：霍尔传感器位移霍尔电压目录1 霍尔传感器的发展历程 (4)2 霍尔传感器的工作原理2.1 霍尔效应 (6)2.2 霍尔元件 (6)2.3 霍尔元件的主要特性及材料 (7)3 霍尔元件的误差及补偿3.1 霍尔元件的零位误差与补 (3)3.2 微位移和压力的测量 (7)3.3 霍尔位移传感器的设偿 (7)3.4 霍尔元件的温度误差及补偿 (8)4测量电路原理与设计4.1模型的建立 (10)4.2 放大电路设计 (11)4.3实验数据处理 (12)5 LabVIEW显示模块设计 (13)6 设计总结 (15)7参考文献 (16)1 霍尔传感器的发展历程霍尔传感器是磁电效应的一种，这种现象是霍尔于1879年在研究金属的导体机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强的多，利用这种现象制成的各种霍尔元件。
广泛的应用于工业自动化技术，检测技术及信息处理方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
尽管人们早在1879年就知道了霍尔效应，但直到20世纪60年代末，随着固态电子技术的发展，霍尔效应才开始为人们所应用。
自此，霍尔传感器得到飞速发展，在汽车，工业，计算机等行业中得到广泛应用，如齿轮速度检测、运动与接近检测及电流检测等。
霍尔传感器的出现。
解决了很多让人棘手的问题。
100多年来，霍尔效应的应用经历了三个阶段：第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。
最初，由于金属材料中的电子浓度很大，而霍尔效应十分微弱，所以没有引起人们的重视。
这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器，但实用价值不，到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁场传感器。
但是，由于当时未找到更合适的材料，研究处于停顿状态。
第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后，随着半导体材料、制造工艺和技术的应用，出现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器、磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等，应用十分广泛。
第三阶段是自20世纪60年代开始，随着集成电路技术的发展，出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。
进入20世纪80年代，随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展，霍尔元件从平面向三维方向发展，出现了三端口或四端口固态霍尔传感器，实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。
此外，20世纪70年代末，美国科学家发现了量子霍尔效应并因此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。
最近，韩国科学家报告了等离子霍尔传感器L1 J。
最近，F．Le Bihan等人研制了一种可测量大位移量的多晶硅薄膜场效应(rIFI’)霍尔传感器，其结构见图19a和图19b，它包括2个对称放置的rIFI’霍尔探头和2个源极、漏极。
该传感器系采用LI~VD工艺，形成非掺杂和轻掺杂两种多晶硅薄膜作为激励区；采用重掺杂多晶硅工艺，形成源极和漏极；采用VD工艺形成隔离门。
为了减少电极间的相互干扰。
它的激励区较大为200tzm×200tzm。
霍尔电极放在宽15tzm的沟道中间。
该传感器的主要特点是，它的灵敏度和功耗与薄膜场效应管的门和漏极电压相关，灵敏度为200mV ／T，功耗小于2mW。
将霍尔发生器形成在大面积玻璃芯片上，可用于大量程位置传感器。
图1-1 TFT位移传感器2 霍尔传感器的工作原理2.1霍尔效应如霍尔效应原理图所示，在半导体薄片两端通以恒定电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为U H的霍尔电压，它们之间的关系为U H=K H IBCOSA，式中K H称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。
上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
I为所加的电流（一般为恒流源），B为均匀磁场，A为磁场与法线的夹角。
E H为电场（图2-1所示）图2-1 霍尔效应原理图2.2霍尔元件霍尔元件是半导体四端薄片，一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线（一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端），如图2-2所示。
图2-2霍尔元件结构2.3霍尔元件的主要特性及材料1）霍尔元件的主要特性参数灵敏度K H：表示元件在单位的磁感应强度和单位控制电流所得到的开路霍尔电动势霍尔输入电阻：霍尔控制及间的电阻值霍尔最大允许激励电流：以霍尔元件允许的最大温度为限所对应的激励电流不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。
（不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r 0称不等位电阻）寄生直流电势（霍尔元件零位误差的一部分）：当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。
两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势霍尔电势温度系数：在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。
图2-3基本应用电路2)霍尔元件的材料目前最常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化）型固熔体（其中铟（InAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In（As y P1-yy表示百分比）等半导体材料。
其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。
N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗，但其电子迁移率比较低，带负载能力较差，通常不用作单个霍尔元件。
锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。
砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。
In（As y P）1-y 型固熔体的热稳定性最好。
3 霍尔元件的误差及补偿3.1霍尔元件的零位误差与补偿霍尔元件的零位误差是指无外加磁场或无控制电流情况下霍尔元件产生输出电压并由此产生误差。
它主要表现有以下几种形式：1）不等位电动势它是零位误差中最重要的一种，他是当霍尔元件在额定控制电流下，不外加磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势。
2）寄生直流电势再无磁场的情况下，元件通入交流电流，输出端除交流不等位电压以外的直流分量3）感应零电动势感应零电动势是在未通电流情况下，由于脉动或交变磁场作用在输出端产生的电动势。
4)自激场零电动势霍尔元件控制电流产生自激场3.2霍尔元件的温度误差及补偿1）温度误差产生原因：霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。
其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。
当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。
2)减小霍尔元件的温度误差的方法选用温度系数小的元件、采用恒温措施、采用恒流源供电、采用适当的补偿电路图3-1恒流源温度补偿电路注：当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流。
4测量电路原理与设计4.1模型的建立霍尔传感器基于霍尔效应，用公式表示如下：IB K V H H = （4-1） 式中: VH 为霍尔电压；KH 为霍尔元件灵敏度；I 为控制电流；B 为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。
两块相对的磁铁间形成磁场，当物体在沿垂直于磁场方向运动时，在一定的测量范围内，磁感应强度与位移的关系是近似线性的。
所以输出电压与位移 也存在线性关系。
图4-1为实际霍尔传感器测量位移的特性。
可见在-0.6mm ～0.6mm 之间，电压位移关系近似线性。
对实验数据进行拟合，由于实际数据是经过放大后的数据，在拟合前要将数据除以放大倍数。
拟合后的数学表达式为：X V H7155.151= （4-2） 式中: VH 为霍尔元件输出电压，单位为mV ；-2-1.5-1-0.50 0.51 1.52X(mm)V H (mV)X为被测位移量，单位为mm。
由以上分析可知，霍尔位移传感器只在很小的范围内呈线性，所以它是用来测量微小位移的。
在Mulitisim中霍尔传感器模型的建立如图2所示，它的测量范围是-0.6mm～0.6mm。
V1可模拟位移，压控电压源V2模拟霍尔元件随位移而变化的输出电压VH。
4-2 霍尔传感器模型图中1、2为激励电极；3、4为霍尔电极4.2 放大电路设计霍尔传感器的电动势一般为毫伏量级，因此，实际使用时必须加放大电路，此处假的是差分放大电路，如图4-3所示。
图4-3 差分放大电路4.3实验数据处理电路调好后进行仿真，可得如表所示的实验结果。
用MATLAB 进行对上表的实验结果拟合后得：1625.07421.7730+-=X U5 LabVIEW 显示模块设计5.1 位移测量子程序的设计由上节公式可得位移表达式：7421.7731625.00U X -= （5-1）根据上式，可建立一个子VI ，其程序框图如图：图5-1 程序框图图5-2 接口部分设计（a）-0.2mm结果（b）0.4mm结果图5-3 前面板设计6 设计总结本次课程设计是关于霍尔传感器位移测量电路的设计，在做此设计前必须先掌握一些基本的模电知识和对Multisim、Labview仿真软件的运用，方可理解并熟练完成。
由于此次设计是个人独立完成，且没有学习过Labview的运用，因而对Labview的G语言编程不会用，期间遇到了不少问题，但是通过上网百度与图书管借阅的一些书籍，问题慢慢一个个都解决了。
通过本次设计，使我更为熟练的掌握了Multisim元件库的调用，同时也掌握了Labview 的部分知识，已及对两者接口部分设计的掌握，相信自己再次面对类似的设计时，可以熟练的完成。
7 参考文献张玉龙等•传感器电路设计手册•中国计量出版社•1989年李科杰等•新编传感器技术手册•国防工业出版社•2002年吴桂秀•传感器应用制作入门•浙江科学技术出版社•2004年杨宝清•孙宝元•传感器及其应用手册•2004年单成祥•传感器的理论与设计基础及其应用•国防工业出版社•1999年贺安之•阎大鹏．现代传感器原理及应用•北京宇航出版社•1995年邓重一•欧伟明. 一种霍尔传感器中的非线性问题修正方法的研究•电气开关•2005年。