14章 题库——半导体器件+答案
现代半导体器件及先进制造智慧树知到答案章节测试2023年浙江大学
第一章测试1.本征硅的费米能级位于：（）A:B:C:略偏向D:略偏向答案:C2.硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）A:空穴浓度大于电子浓度B:硅的晶体结构将发生改变C:与磷掺杂硅的导电类型一致D:电子浓度大于空穴浓度答案:A3.抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。
A:降低离子注入能量B:衬底表面沉积非晶薄膜C:倾斜衬底D:升高衬底温度答案:BCD4.制造单晶硅衬底的方法包括（）。
A:直拉法B:氧化还原法C:区域熔融法D:外延生长法答案:AC5.当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。
（）A:对B:错答案:A第二章测试1.对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。
A:Vg≥Vd+VthB:沟道中漏极一侧的电位为0C:Vg继续增加，Id不会继续增大D:答案:ABC2.沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。
A:阈值电压增大B:器件的漏极电流增大C:器件的集成度增加D:器件的可靠性劣化答案:BCD3.有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）A:亚阈值摆幅的单位是mVB:C:D:温度升高，亚阈值摆幅增大答案:A4.有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）A:仅与器件的结构参数有关B:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小C:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小D:与器件的沟道长度呈正比答案:C5.MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。
（）A:错B:对答案:B第三章测试1.下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）A:能够减小光的波长B:在目镜和衬底间填充水C:能够增大物镜的数值孔径D:由台积电的工程师林本坚发明答案:ACD2.相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器B:减小未沉积铬区域的石英板厚度C:改变石英掩膜板的倾斜角D:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度答案:ABD3.根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）A:B:C:D:答案:C4.正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）A:交联催化剂，交联催化剂B:交联催化剂，提供自由基C:提供自由基，提供自由基D:提供自由基，交联催化剂答案:D5.光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。
半导体器件智慧树知到答案2024年西安邮电大学
半导体器件西安邮电大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.不属于化合物半导体的有（）。
A:砷化铝 B:磷化镓 C:锗 D:磷化铝答案:C2.硅单晶晶体结构为（）。
A:正四面体结构 B:面心结构 C:立方体结构 D:体心结构答案:D3.属于化合物半导体有（）。
A:氧化镓 B:砷化镓 C:氮化镓 D:硅答案:ABC4.Si是一种IV族元素半导体（四主族）。
（）A:对 B:错答案:A5.半导体材料一般分为三种类型：无定型、多晶和单晶。
（）A:对 B:错答案:A第二章测试1.以下关于半导体中电子有效质量的描述，不对的选项是（）。
A:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用 B:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量 C:有效质量具有质量的量纲 D:有效质量是一个常数答案:D2.杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。
（）A:对 B:错答案:B3.在单晶硅中掺入少量（）杂质元素会形成N型半导体？A:硼 B:磷 C:锗 D:镓答案:B4.单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。
（）A:对 B:错答案:B5.关于半导体表面态的描述，下列（）是错误的？A:慢态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层 B:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态 C:快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层 D:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态答案:BC第三章测试1.以下关于PN结的描述，正确的的选项是（）。
A:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级 B:PN结具有单向导电性 C:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同D:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率答案:BD2.对于金属和N型半导体紧密接触，当Wm>Ws时，在界面处形成阻挡层（）A:对 B:错答案:A3.对于单边突变结，正确的的选项是（）A:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧 B:内建电势主要降落在轻掺杂一侧 C:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧 D:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别答案:ABD4.正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加（）A:错 B:对答案:A5.对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有（）A:选用禁带宽度更大的半导体材料 B:选用禁带宽度较窄的半导体材料 C:增加轻掺杂一侧掺杂浓度 D:降低轻掺杂一侧掺杂浓度答案:AD6.以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（）A:增大P区少子的扩散长度 B:减小P区少子的寿命 C:提高串联电阻R D:降低正向电流答案:BD第四章测试1.双极晶体管的基区特点（）。
半导体器件作业有包括答案.docx
1．半导体硅材料的晶格结构是（A）A 金刚石B闪锌矿C纤锌矿2．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（C）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体3．硅单晶中的层错属于（C）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷4．施主杂质电离后向半导体提供（B），受主杂质电离后向半导体提供（ A），本征激发后向半导体提供（ A B）。
A 空穴B电子5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（A）A 直接复合B间接复合C俄歇复合6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级D缺陷能级7．载流子的迁移率是描述载流子(A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子 ( B )的一个物理量。
A 在电场作用下的运动快慢B在浓度梯度作用下的运动快慢8．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为 1.1 ×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B），空穴浓度为（ D），费米能级（ G）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度约为（ F），少子浓度为（ F），费米能级（ I）。
（已知：室温下，ni ≈ 1.5 × 1010cm－3，－ 3570K 时， ni ≈ 2× 1017cm ）－ 3－ 3－ 3－ 3A 1014cmB 1015cmC 1.1 × 1015cmD 2.25× 105cmE 1.2 × 1015cm －3F 2× 1017cm －3 G高于 Ei H 低于Ei I等于Ei9． 载流子的扩散运动产生（CA 漂移B隧道）电流，漂移运动产生（C 扩散A）电流。
10. 下列器件属于多子器件的是（B D ）Ａ 稳压二极管Ｂ 肖特基二极管Ｃ 发光二极管D隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度流 子的复合率（ C ）产生率n0p0=ni2 ，载流子的产生率等于复合率，而当np<ni2时，载Ａ 大于Ｂ 等于Ｃ 小于12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A ）Ａ 重掺杂的半导体与金属接触Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）A BVCEOB BVCBOC BVEBO14．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B）。
《半导体器件》习题及参考答案模板
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
(完整word版)半导体器件作业-有答案
1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ）A 金刚石B 闪锌矿C 纤锌矿2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体3．硅单晶中的层错属于（ C ）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（A B ）。
A 空穴B 电子5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）A 直接复合B 间接复合C 俄歇复合6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。
A 在电场作用下的运动快慢B 在浓度梯度作用下的运动快慢8．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（G ）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（I ）。
（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时，ni≈2×1017cm－3）A 1014cm－3B 1015cm－3C 1.1×1015cm－3D 2.25×105cm－3E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－3G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。
A 漂移B 隧道C 扩散10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np<ni2 时，载流子的复合率（ C ）产生率Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ）Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）A BVCEOB BVCBOC BVEBO14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。
半导体器件原理简明教程习题答案Word版
半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点.解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料;原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料.1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小.解 有效质量指的是对加速度的阻力.kE h m k ∂∂=21*1 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以Ge μ>Si μ.GaAs 为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说GaAs μ>Ge μ>Si μ.1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2的禁带宽度为3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件?解 本征载流子浓度:)exp()(1082.4215Tdp dn i k Eg m m m n ⨯= 两种半导体除禁带以外的其他性质相同∴)9.1exp()exp()exp(0.31.121Tk k k n n T T ==-- T k 9.1>0 ∴21n n > ∴在高温环境下2n 更合适 1.11 在300K 下硅中电子浓度330102-⨯=cm n ,计算硅中空穴浓度0p ,画出半导体能带图,判断该半导体是n 型还是p 型半导体.解 317321002020010125.1102)105.1(p -⨯=⨯⨯==→=cm n n n p n i i ∴>00n p 是p 型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为31710-cm ,计算在300K 下的载流子浓度0n 和0p ,计算费米能级相对于本征费米能级的位置,画出能带图.解 317010-==cm N p A 200i n p n = T=300K →310105.1-⨯=cm n i330201025.2-⨯==∴cm p nn i 00n p > ∴该半导体是p 型半导体)105.110ln(0259.0)ln(10170⨯⨯==-i FPi n p KT E E1.27 砷化镓中施主杂质浓度为31610-cm ，分别计算T=300K 、400K 的电阻率和电导率。
半导体器件习题及答案
半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
半导体器件习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝μm x 总=x n +x p =μm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =*10-16A 。
＋时，I ＝μA ， －时，I ＝*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202=---pn n n n L p p dx p p d ，得： )sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
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D A
3kΩ 6V
12V O
(a)
A
3kΩ 15V
12V O
(b)
D1
D2
A
3kΩ 15V
12V
O (c)
D1
D2
A
3kΩ 6V
12V
O (d)
图 14-3-6
7、电路如图 14-3-7 所示，E=4 V, ui = 8sin ωt V。二极管的正向压降可忽略不计，试 根据给出的输入波形绘出相应输出电压 uo 的波形。
C．P 型半导体
D．5 价半导体
三、计算题
1、判断下图 14-3-1 电路中的二极管是导通还是截止，并求出输出电压 Uo（设二极管 为硅管，电阻 R 为 100Ω）。
VD
2V
R
U0
(a)
R
2V
VD
U0
(b)
R
2V
VD
U0
( c)
VD
2V
R
U0
R
2V
R
U0
VD
R
2V
R
U0
VD
(d)
(e)
(f )
图 14-3-1
C．D1 导通、D2 导通、Uo=4.3V
D．D1 截止、D2 截止、Uo=-5V
18、硅发光二极管的正常工作状态是
。
A．正向导通
B．反向截止
C．反向击穿
D．无法确定
19、某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的偏置分别为
。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏
20、在图 14-2-20 所示的电路中，二极管不具有理想特性，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。 若把电源电压调整到 V=10V，则电流 I 的大小将是_ _ _。
4.7kΩ
vI1
D1
v0
vI2
D2
图 14-3-3
4、电路如图 14-3-4 所示。利用硅二极管恒压降模型求电路的 I D 和 vD = V0 = ?
(10 ± 1)V
R 1kΩ
+ v0 D1 2vD D2
−
(10 ± 1)V R 1kΩ
+ v0
D1
D2
3vD
−
图 14-3-4
图 14-3-5
5、电路如图 14-3-5 所示，在上题的基础上，增加一只二极管 D3 以提高输出电压。利 用硅二极管恒压降模型求电路的 I D 和 Vo？
29、某晶体管的发射极电流等于 1mA，基极电流等于 20µA，则它的集电极电流等于 ______mA。
二、选择题
1、 判断下图 14-2-1 所示电路中各二极管是否导通，并求 A，B 两端的电压值。设二极
管正向压降为 0.7V。正确的答案为
。
图 14-2-1
A．D1 导通、D2 截止、UAB=-7.3V
9、导电性能介于______与_______之间的叫半导体。
10、将______封装起来并加上_______就构成了半导体二极管。
11、PN 结正向偏置时_____，反向偏置时______，这种特性称为 PN 结的_____，但是 当硅材料的 PN 结正向偏压小于______，锗材料的 PN 结正向偏压小于______时，PN 结仍不导通，我们把这个区域叫______。
第 14 章 半导体器件
一、填空题
1、PN 结的单向导电性指的是 _____________________。
2、硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压 UBE 分别为____V 和____V。
3、晶体三极管有两个 PN 结，分别是_____和_____，分三个区域_____、_____和_____。 晶体管的三种工作状态是________、________和_________。
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。
15、PN 结加正向电压时，其正向电流是_____________。
A、多子扩散而成； B、少子扩散而成； C、少子漂移而成； D、多子漂移而成。
16、三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为 VE＝ 2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于_______。
+15V U0
2kΩ VD1 VD2
(e)
+40V U0
2kΩ
VD1 VD2 U0
(f )
图 14-3-2
3、一二极管开关电路如图 14-3-3 所示。当 VI1 同组合情况下，输出电压 v0 的值。设二极管是理想的。
VCC 5V
22、已知某放大状态的晶体管的β＝50，现测得其 IE＝2mA，忽略 ICEO，则 IB 为 mA。
23、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别 处于那种工作状态（饱和、截止、放大、或已损坏）。（A 为锗材料，BC 为硅材料）
A 处于
；B 处于
；C 处于
。
24、PN 结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流（填“大于”或“小于”）， 耗尽层变_______（填“宽”或“窄”）。
图 14-3-10 11、在图 14-3-11 所示电路中，设 D 为理想二极管，已知输入电压 ui 的波形。试画出 输出电压 uo 的波形图。
图 14-3-11
12、某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－6.2V；管脚②对 地电位为－6V；管脚③对地电位为－9V，见图 14-3-12 所示。试判断各管脚所属电极及 管子类型（PNP 或 NPN）。
A. 电流为零
B. 电流基本正常
C. 击穿
D. 被烧坏
4、 二极管两端加正向电压时________。
A.一定导通 B. 超过死区电压才导通 C. 超过 0.7V 导通 D. 超过 0.3V 才导通
5、如图所示，处于正常状态的二极管是________。
−100V A.
−50V
V1
5V B.
4V V2
R 7V V3 1KΩ
2、如图 14-3-2 所示的电路中硅稳压管 VD1 和 VD 2 的稳压值 U z1 = 7V ﹑ U z2 = 12V ，求 各电路的输出电压 U0 。
2kΩ
2kΩ
2kΩ
+40V
VD1 VD2
+40V U0
+40V VD1
U0
VD2
VD1 U0
VD2
(a)
(b)
(c)
+40V
2kΩ VD1
VD2 (d)
A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。
17、判断下图 14-2-17 所示电路中各二极管的导通情况，并求电压 Uo（设二极管正向
导通压降为 0.7V）。以下说法正确的为
。
图 14-2-17
图 14-2-20
A．D1 导通、D2 截止、Uo=4.3V
B．D1 截止、D2 导通、Uo=2.3V
图 14-3-7
8、下图 14-3-8 所示的电路中，已知 ui=10sinωt，E=5V，二极管的正向导通电压为 0.7V， 试画出输出电压 uo 的波形，并在坐标轴上标上必要的标注。
图 14-3-8 9、电路和参数如图 14-3-9 所示，试求 Uo 的值。设二极管的正向压降为 0.7V。
图 14-3-9 10、计算图 14-3-10 所示电路的电位 UY（设 D 为理想二极管）。 （1）UA＝UB＝0 时； （2）UA＝E，UB＝0 时； （3）UA＝UB＝E 时。
16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 __________现象。
17、N 型半导体中多子是______，是通过掺入_____价元素后形成的掺杂半导体。
18、用一只万用表不同的欧姆档分两次测得某个二极管的电阻分别为 250Ω 和 ∞ ，产生 这种现象的原因是_______________________。
25、下图 14-1-25 中 D1-D3 为理想二极管，A，B，C 灯都相同，其中最亮的灯是 灯。
图 14-1-25
26、测得某 NPN 管的 VBE＝0.7V，VCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
27、当 PN 结反偏时，外加电场与内电场方向相
，使空间电荷区宽度变
。
28、测得放大电路中某三极管的三个管脚 A、B、C 的电位分别为 6V、2.2V、2.9V，则 该三极管的类型为______，材料为______，并可知管脚______为发射极。
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
D.I=1mA
21、如图 14-2-21 所示电路，设 Ui=sinωt(V)，E=2V，二极管具有理想特性，则输出电 压 Uo 的波形应为__ ___图所示。
图 14-2-21
22、判断下图 14-2-22 所示电路中各二极管是否导通,并求 A,B 两端的电压值。设二极
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
11、PN 结加正向电压时，空间电荷区宽度将
。
A．变窄
B．基本不变
C．变宽
D．以上都不对。
12、用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是 V1＝2V，V2＝6V，V3 ＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为___________。
7、某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该 三极管管脚“1”为_____极，管脚“2”为_____极，管脚“3”为_____极，且属于____ 材料_______型三极管。