半导体照明术语对照表
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resistX射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method 电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma 刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling又称“离子磨削”。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
最全LED 半导体 电子行业术语
ASIC（专用集成电路）
28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49
ASP 原子轨道 AV 输入 后端 背光照明 频带 带隙 带通滤波器 光束发散度（与 PN 结平 行的 FWHM） BEF（增亮膜） BEOL（后端制程） 偏压 偏压控制 施加偏压 BIN（分选） 双极 双极晶体管 位 黑色封装 BLU（背光模组） 已键合晶圆
AEL（可接近放射限值）
9
AFS（高级前照明系统）
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AGC（自动增益控制） ALCVD ALE AlGaAs AllnGaP AllnGaP 芯片 (LED) 字母数字显示器 交流电 (AC) 电流计 非晶体 模拟显示器 模拟仪 阳极
键合 击穿电压 (VBR) 亮度 降压/升压调节器（转换 器） 旁路电容器 C 安装/cs 安装 坎德拉 电容 载波频率 载流子/电荷载流子 阴极 阴极发光 (CL) CBE CCD 传感器 CCFL（冷阴极荧光灯） CCT（相关色温） CCTV（闭路电视） CDM（带电器件模型） 质心波长 CFD（计算流体动力学）分 析 电荷载流子 电荷耦合器件 化学腐蚀加工 化学机械抛光 (CMP) 化学气相沉淀 (CVD) 芯片 芯片载体 板上芯片 (COB) 软膜覆晶接合技术 (COF) 晶玻接装 (COG)
(CMP) 化学机械抛光 涂层 COB（板载芯片）技术 CoD（按需选色） 集电极电流 (Ic) 集电极发射极饱和电压 集电极发射极电压 集电极浪涌电流 颜色坐标 色谱 彩色超扭曲向列 (CSTN) 型显示器 比较器 互补 化合物半导体 传导带 导体 连接器插入损耗 非接触式 (SMT) 传感器 对比度 对比率 控制器 x 位 转换技术 线芯 耦合 CPU（中央处理器） CRI（显色指数） CRT（阴极射线管） 晶体 CTE（热膨胀系数） 电流 电流传输比 (CTR) 定制集成电路 CW（模式/脉冲）
半导体照明术语对照表
(半导体)二极管
发光二极管；
当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。
发光二极管
固态照明
采用固体发光材料，如发光二极管（）、场致发光（）、有机发光（）等作为光源的照明方式。
固态照明
半导体照明
采用作为光源的照明方式。
由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。
眩光
光轴
关于主辐射能分布中心的一条直线。
注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。
半导体照明
衬底
用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单芯片。
基板
外延片
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。
磊芯片
发光二极管芯片
具有结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体芯片。
发光二极管芯片(粒)
模块
由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。
外部量子效率
二、类型
单色光
发出单一颜色光的，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。
单色ห้องสมุดไป่ตู้
白光
用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的。
白光
直插式；
带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的。
炮弹型封装
贴片式；
正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的。
表面封装型
小功率
单芯片工作电流在（含）以下的发光二极管。
( )
将芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的或支架相应的位置上。
固晶
LED照明专业术语中英文对照
LED照明专业术语中英文对照1 backplane 背板2 Band gap voltage reference 带隙电压参考3 benchtop supply 工作台电源4 Block Diagram 方块图5 Bode Plot 波特图6 Bootstrap 自举7 Bottom FET Bottom FET8 bucket capcitor 桶形电容9 chassis 机架10 Combi-sense Combi-sense11 constant current source 恒流源12 Core Sataration 铁芯饱和13 crossover frequency 交叉频率14 current ripple 纹波电流15 Cycle by Cycle 逐周期16 cycle skipping 周期跳步17 Dead Time 死区时间18 DIE Temperature 核心温度19 Disable 非使能，无效，禁用，关断20 dominant pole 主极点21 Enable 使能，有效，启用22 ESD Rating ESD额定值23 Evaluation Board 评估板24 Exceeding the specifications below may result in perman ent damage to the device, or device malfunction. Operation outside of the parameters specified in the Electrical Characte ristics section is not implied.超过下面的规格使用可能引起永久的设备损害或设备故障。
建议不要工作在电特性表规定的参数范围以外。
25 Failling edge 下降沿26 figure of merit 品质因数27 float charge voltage 浮充电压28 flyback power stage 反驰式功率级29 forward voltage drop 前向压降30 free-running 自由运行31 Freewheel diode 续流二极管32 Full load 满负载33 gate drive 栅极驱动34 gate drive stage 栅极驱动级35 gerber plot Gerber 图36 ground plane 接地层37 Henry 电感单位：亨利38 Human Body Model 人体模式39 Hysteresis 滞回40 inrush current 涌入电流41 Inverting 反相42 jittery 抖动43 Junction 结点44 Kelvin connection 开尔文连接45 Lead Frame 引脚框架46 Lead Free 无铅47 level-shift 电平移动48 Line regulation 电源调整率49 load regulation 负载调整率50 Lot Number 批号51 Low Dropout 低压差52 Miller 密勒53 node 节点54 Non-Inverting 非反相55 novel 新颖的56 off state 关断状态57 Operating supply voltage 电源工作电压58 out drive stage 输出驱动级59 Out of Phase 异相60 Part Number 产品型号61 pass transistor pass transistor62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET63 Phase margin 相位裕度64 Phase Node 开关节点65 portable electronics 便携式电子设备66 power down 掉电67 Power Good 电源正常68 Power Groud 功率地69 Power Save Mode 节电模式70 Power up 上电71 pull down 下拉72 pull up 上拉73 Pulse by Pulse 逐脉冲（Pulse by Pulse）74 push pull converter 推挽转换器75 ramp down 斜降76 ramp up 斜升77 redundant diode 冗余二极管78 resistive divider 电阻分压器79 ringing 振铃80 ripple current 纹波电流81 rising edge 上升沿82 sense resistor 检测电阻83 Sequenced Power Supplys 序列电源84 shoot-through 直通，同时导通85 stray inductances. 杂散电感86 sub-circuit 子电路87 substrate 基板88 Telecom 电信89 Thermal Information 热性能信息90 thermal slug 散热片91 Threshold 阈值92 timing resistor 振荡电阻93 Top FET Top FET94 Trace 线路，走线，引线95 Transfer function 传递函数96 Trip Point 跳变点97 turns ratio 匝数比，＝Np / Ns。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长〔Epitaxy〕2、量子阱〔Quantum Well〕3、能带工程〔Energyband engineering〕4、半导体发光二极管〔Light Emitting Diode〕5、PN 结的击穿〔PN junction Striking〕6 、金属有机化学汽相沉淀积〔Metal Organic Chemical Vapor Deposition〕7、异质构造〔Heterogeneous Structure〕8、量子阱半导体激光器〔Quantum Well Laser〕9、超晶格〔Super Lattice〕InGaN AlGaN 铟镓氮 铝镓氮3、Hall ：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子〔对 n-GaN 载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴〕迁移率〔mobility 〕以及 Sheet Resistance ，分析时同构造假设有一样的掺杂〔Doping 〕，假设是量测的迁移率 mobility 较小，可以推想此构造有较多的缺陷〔Defects 〕。
Epitaxy ：外延制程〔垒晶〕GaP ：磷化镓n-GaN ：N 型氮化镓p-GaN ：P 型氮化镓GaAs ：砷化镓GaN ：氮化镓AlInGaP ：磷化铝镓铟〔铝铟镓磷〕 AlGaAs ：砷化铝镓〔铝镓砷〕Wafer ：晶片、外延片器1、XRD ：X 射线衍射仪，主 peak GaN 器2、PL ：荧光光谱仪〔或光致发光光谱仪〕，Peak 强度越强，FWHM 越窄，表示有较佳的 QW 。
4、SEM 〔Scanning Electron Microscopy 〕：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope ：显微镜6、Differential Microscopy 〔Nikon-OPTI PHOT 〕：晶相〔金相〕显微镜，用以观测磊芯片外表的型态〔morphology 〕。
7、EDS ：能量分色散光谱仪，EDS 之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机ion implanterLSS理论Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应channeling effect射程分布range distribution深度分布depth distribution投影射程projected range阻止距离stopping distance阻止本领stopping power标准阻止截面standard stopping cross section 退火annealing激活能activation energy等温退火isothermal annealing激光退火laser annealing应力感生缺陷stress-induced defect择优取向preferred orientation制版工艺mask-making technology图形畸变pattern distortion初缩first minification精缩final minification母版master mask铬版chromium plate干版dry plate乳胶版emulsion plate透明版see-through plate高分辨率版high resolution plate, HRP超微粒干版plate for ultra-microminiaturization 掩模mask掩模对准mask alignment对准精度alignment precision光刻胶photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶negative photoresist正性光刻胶positive photoresist无机光刻胶inorganic resist多层光刻胶multilevel resist电子束光刻胶electron beam resistX射线光刻胶X-ray resist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresist coating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-ray lithography电子束光刻electron beam lithography离子束光刻ion beam lithography深紫外光刻deep-UV lithography光刻机mask aligner投影光刻机projection mask aligner曝光exposure接触式曝光法contact exposure method接近式曝光法proximity exposure method光学投影曝光法optical projection exposure method 电子束曝光系统electron beam exposure system分步重复系统step-and-repeat system显影development线宽linewidth去胶stripping of photoresist氧化去胶removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶removing of photoresist by plasma 刻蚀etching干法刻蚀dry etching反应离子刻蚀reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀isotropic etching各向异性刻蚀anisotropic etching反应溅射刻蚀reactive sputter etching离子铣ion beam milling又称“离子磨削”。
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发光二
极管
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
1-0
5
固态照
明
solid state lighti ng
采用固体发光材料，如 发光二极管（LED、场 致发光（EL）、有机发 光（OLED等作为光源 的照明方式。
采用LED作光源，为被 动显示提供光源的LED
LED背
光源
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区
术语
器件或模块。
五、封装
5-0
1
支架； 框架
leadframe
提供引线端子和芯片焊 接区域的一个或一组零 件。
支架
5-0
2
点胶
coat
在LED支架的相应位置 点上银胶或绝缘胶。
点胶
5-0
3
装架
die attachme n t (die bond)
LED模 块
1-1
2
LED组件
LED discrete n ess
由LED或LED模块和电 子兀器件组合在一起， 具有一定功能并可维修 或拆卸的组合单兀。
LED元
组件
1-1
3
内量子
效率
inner qua ntum efficie nc y
有源区产生的光子数与 所注入有源区的电子-空穴对数之比。
内部量 子效率
磊芯片
1-0
9
发光二 极管芯 片
light-emi tting diode chip
具有PN结结构、有独立 正负电极、加电后可辐 射发光的分立半导体芯 片。
发光二 极管芯 片（粒）
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
1-1
0
LED模 块
LED module
由单个或多个发光二极 管芯片和驱动电路、控 制电路封装在一起、带 有连接接口并具有发光 功能且不可拆卸的整体 单元。
工作电流在100mA以上 的发光二极管。
高功率
LED
2-0
7
LED数 码
管
LED
ni xietube
采用LED显示数字或字 符的器件或模块。
LED尼
士管
2-0
8
LED显示
器
LED displayer
采用LED显示数字、符 号或图形的器件或模 块。
LED显
示器
2-0
9
LED背 光
源
LED backlight
将LED芯片安装在涂有 银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。
固晶
5-0
4
烧结
sin ter
通过高温加热，使银胶 固化。
固化
5-0
5
引线键 合； 压焊
wire bonding
为了形成奥姆接触用金 属引线连接LED芯片电 极与支架（框架）的引 出端。
打线
5-0
LED封
LED
将LED芯片和焊线包封
合
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
5-1
3
透明介
质
tran spare nt medium
无色透明的一种导电或 非导电的胶状材料。
透明介
质
5-1
4
固化
cure
通过高温加热，使封装 环氧固化。
固化
5-1
5
切筋
dam-bar cut
切断LED支架的连筋。
切脚
5-1
6
气泡
2-0
4
贴片式
led
SMD LED
Surface
Mou nted
Devices
LED
正负电极在封装基板 上、适用于表面贴装工
艺的LED
表面封
装型
LED
2-0
5
小功率
LED
low power
LED
单芯片工作电流在
100mA（含100mA以下
的发光二极管。
小功率
LED
2-0
6
功率LED
)power LED
固态照
明
1-0
6
半导体
照明
semic ondu ctor lighti ng
采用LED作为光源的照 明方式。
半导体
照明
1-0
7
衬底
substrate
用于外延沉积、扩散、 离子注入等后序工艺操 作的基体单芯片。
基板
1-0
8
外延片
epitaxial wafer
用外延方法制备的具有 电致发光功能的结构 片。
半导体
器件
semic ondu ctor device
其基本特性是由在半导 体中的载流子流动所决 定的器件。
半导体
组件
1-0
3
［半导 体］二极 管
(semic ond uctor) diode
具有非对称的电压电流 特性的两引出端半导体 器件。
（半导 体）二 极管
1-0
4
发光二 极管；
LED
light-emi tting diode
点胶封
9
装
package
式，也称软包封。
装
5-1
0
热沉
heat sink
与功率芯片粘接在起 的可以传导热量的金属 或其它材料的导热体。
散热片
5-1
2
共晶焊
eutectic bonding
在LED芯片与支架或热 沉中间放置一种合金焊 料（例如金或铅锡等）， 通过加温加压使之共熔 的一种焊接方法。
共金结
LED封
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
6
装
package
起来，并提供电连接、 出光和散热通道、机械 和环境保护及外形尺
寸。
装
5-0
7
灌封
embeddi ng
采用模条灌装成型的封 装方式。
嵌入
5-0
8
塑封
mouldi ng
采用模压成型的封装方 式。
模具成 型
5-0
点胶封
coat ing
采用点胶成型的封装方
半导体照明术语对照表
海峡两岸信息产业技术标准论坛半导体照明术语对照表
2009年2月
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
、基本术语
1-0
1
半导体
semic ondu
ctor
两种载流子引起的总电 导率通常在导体和绝缘 体之间的一种材料，这 种材料中的载流子浓度 随外部条件改变而变 化。
半导体
1-0
2
率
1-1
6
夕卜量子 效率
outer qua ntum efficie nc y
逸出LED结构的光子数 与注入LED的电子-空 穴对数之比，等于内量 子效率与出光效率和注 入效率的乘积。
外部量
子效率
一、LED类型
2-0
1
单色光
LED
mono chrom
atic light
LED
发出单一颜色光的LED有红色、绿色、蓝色、 黄色、紫色等。
单色
LED
2-0
2
白光LED
white light
LED
用单色芯片加荧光粉或 多色芯片组合合成白色
光的LED
白光
LED
2-0
3
直插式
led
Dual
In-li ne
带有正负极引线、适用 于穿孔直插安装工艺的
炮弹型
封装
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
DIP LED
Package LED
LED
LED
1-1
4
出光效
率
light extractio n efficie nc
逸出LED结构的光子数 与有源区产生的光子数 之比。
英文
定义
台湾地 区
术语
y
1-1
5
注入效
率
Injectio n efficie nc y
注入LED的电子-空穴 对数与注入有源区的电 子-空穴对数之比。
注入效