厚的负型光刻胶制作的电镀模型
浅谈光刻与边缘曝光系统对电镀的作用
设计与工艺♦Sheji yu Gongyi浅谈光刻与边缘曝光系统对电镀的作用张良波(上海微电子装备集团股份有限公司，上海201203)摘要:微电子领域应用的先进封装技术包括凸点互连技术、再布线、倒装片、3D堆叠等，而光刻与电镀工艺流程是先进封装技术中的重要环节。
光刻工艺是运用光学、化学反应等原理将图形传递到单晶表面或介质层上。
电镀工艺运用电化学反应，在金属介质层上镀出所需金属，构成金属导线。
光刻作为电镀的，到上的作用。
光刻与光出发对电镀工艺进行探讨，分析了光刻胶分率表电镀工艺的公光对电镀的作用，对光刻工艺分辨率电镀率技术进行。
关键词:先进封装;光刻光；电镀0引言先进封装技术的重要工艺流程包括涂胶一曝光一显电镀胶，先在片上层光刻胶，光刻胶光发生化学反应，然后通过显影将所需要的微图形片上，最后实施电镀等工艺。
随着电子产品向轻、薄、小及功能多样化，未来半导体封装技术对光刻胶线宽、电镀金属导电率、可靠性等要求会越来越高。
1工艺流程与模型表达式1.1工艺流程介绍在涂胶光一显影一硬烘一电镀一去胶一清洗的封装工艺流程中，有作用。
胶胶的厚度和均一性与胶的粘度和转速息息相关。
曝光：分正性和负性光刻胶，正性光刻胶感光部分可溶，负性不感光分。
面为光重要，的胶，所需要的曝光剂量不同。
显影:将曝光区域的光刻胶进行溶解，常用有机溶剂TMAH2.38%，浓度和时间为关键参数。
间长，导致胶过显，反之，足。
有去除水分坚膜的果。
电镀预镀金属为阳极，硅片为阴极，在酸性溶液中进行氧化还原反应，电流密度、电镀时 间为电镀重要。
片需要留出金属层，使其接触电镀引脚才能形成导通电路。
去胶：使用丙酮对光刻胶进行除，异丙醇清洗,使其无残留。
晶圆边缘曝光：晶圆边缘多余的光刻胶可以通过曝光的办法来清除，称为边缘曝光系统(wafer edge exposure，WEE)，可替代传统的EBR(去胶剂)喷射晶圆进行洗边处理。
在胶完成，晶圆被传送到光单元，光是光刻的分，分被光，将使光刻胶里的光、光酸化学反应。
负性光刻胶的工作原理
负性光刻胶的工作原理负性光刻胶是半导体工艺中常用的一种光刻胶，它在制备光刻图形方面具有许多优点。
其工作原理主要是通过光敏化剂的作用，使得光刻胶在紫外光照射下发生化学反应，从而实现图形的转移。
一、光刻胶的成分和特性负性光刻胶是由聚合物基质、光敏化剂以及各种助剂组成的。
其中，聚合物基质是负责光刻胶的基本性质，如粘度、耐溶剂性和抗化学品腐蚀性等。
光敏化剂是负责使光刻胶在紫外光照射下发生化学反应的关键成分。
负性光刻胶的工作原理主要涉及到光敏化剂的吸收光能和发挥作用的过程。
一般来说，光敏化剂会吸收紫外光的能量，经过电荷转移反应，生成具有化学活性的中间态。
这种化学活性中间态会与聚合物链发生反应，产生化学键的断裂或形成，从而改变光刻胶的溶解性和物理性质。
二、光刻胶的制备和处理过程光刻胶的制备和处理过程包括胶涂覆、预烘烤、曝光和显影等步骤。
在这个过程中，光刻胶会经历从液态到固态的转变，形成图形转移所需的光刻胶膜。
首先，将光刻胶涂覆在晶圆表面，并进行均匀的旋涂，使得光刻胶均匀地覆盖在整个晶圆表面。
然后，通过预烘烤将光刻胶中的溶剂挥发掉，使得光刻胶开始固化。
此时，光刻胶变得有一定的粘度和强度，可以承受曝光过程中的应力。
接下来，使用光刻机进行曝光，将预先设计好的图形光掩模放置于光刻胶上方，通过紫外光照射，使得光刻胶中的光敏化剂发生活化反应。
曝光过程中，光刻胶中的活化部分发生化学变化，将紫外光的信息转化为化学信息。
最后，进行显影过程，即用显影剂将未暴露的光刻胶溶解掉，只留下已经暴露的部分。
显影剂能够与光刻胶中的活化部分发生化学反应，从而改变光刻胶的溶解性质。
未暴露部分的光刻胶溶解掉后，暴露部分的光刻胶留下来，形成所需的图形结构。
三、负性光刻胶的优点和应用负性光刻胶相比于正性光刻胶具有一些显著的优点。
首先，负性光刻胶具有更高的分辨率和更好的图形保真度。
其次，负性光刻胶对溶剂、酸和碱等化学物质具有较好的耐受性和稳定性。
同时，负性光刻胶制作工艺相对简单，成本相对较低。
基于SU-8厚胶光刻技术的爆炸箔加速膛工艺研究
基于SU-8厚胶光刻技术的爆炸箔加速膛工艺研究姚艺龙陶允刚郑国强余传杰（中国电子科技集团公司第四十三研究所安徽·合肥230088）摘要SU-8光刻胶是厚胶工艺常用的光刻胶，它是一种基于EPON SU-8树脂的环氧型、负性、近紫外线光刻厚胶，由于曝光时SU-8光刻胶层能够得到均匀一致的曝光量，故使用SU-8光刻胶可获得具有垂直侧壁和较大高深宽比的厚膜图形。
本文基于爆炸箔加速膛产品要求，研究了决定SU-8厚胶光刻后产品质量的主要工艺参数：胶厚与涂胶转速的关系、前后烘温度与时间、曝光量、显影时间等。
获得了适用于片式薄膜爆炸箔加速膛的SU-8厚胶光刻方案。
关键词SU-8光刻胶光刻工艺加速膛爆炸箔中图分类号：TN405文献标识码：A0引言SU-8光刻胶是一种基于EPON SU-8树脂的负性、环氧型、近紫外光刻胶。
它在近紫外光范围内光吸收度低，故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁外形和高深宽比的厚膜图形。
它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性，能形成结构复杂的图形。
SU-8不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用，主要用于微机电系统及其它厚膜光刻胶应用领域，如微传感器、微转动系统、线圈的模具，同时SU-8采用特殊的环氧成膜材料，能在强刻蚀液及电铸工艺中使用。
在薄膜光刻工艺技术中，SU-8是一种具有特殊功能的不可替代的一种光刻胶，和光刻常用的正胶、负胶及PI胶相比，SU-8能够实现厚胶图像光刻技术，使用SU-8可获得从几十微米达一千微米的胶，而同样工艺中常用的正胶、PI胶等厚度一般小于5微米。
即使膜厚达1000微米，其光刻图形边缘仍近乎垂直，深宽比可达50：1，利用这一特性SU-8可实现产品特殊结构制备，如片式薄膜爆炸箔加速膛。
当前，国内军用火工品与欧美先进国家有较大的差距，仍以第二代为主，多代并存。
第二代火工品使用桥丝式换能元，敏感传爆药，受到外部环境的干扰时较易殉爆，武器装备系统的安全性与可靠性难以保障。
AZ4620紫外厚胶制备金属小零件工艺研究
AZ4620紫外厚胶制备金属小零件工艺研究采用AZ4620紫外光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了高深宽比MESM微结构。
研究曝光、显影关键工艺因素对图形微结构的影响，解决匀胶、烘培等关键工艺问题，优化了AZ4620胶光刻工艺，成功制作出了近30μm厚的AZ4620光刻胶微结构图形，并通过电铸铜得到了具有垂直侧壁和高深宽比的精细镀铜MESM微结构。
标签：光刻胶；烘焙；曝光；显影；电铸引言MEMS（微机电系统）是21世纪科技与产业的热点之一，而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础。
MEMS器件都需要高深宽比结构，同时还要求侧壁陡直。
目前能够满足该技术要求的主要有LIGA技术和干法刻蚀技术。
LIGA 技术是利用同步辐射X射线深层光刻、电铸成型和微复制三种工艺手段有机结合的一种技术。
具有批量生产三维微小零件的能力，可加工尺寸从亚微米到毫米，高度达1.5mm以上，深宽比达500的微小零件，并且保持微小零件侧壁陡直。
但LIGA技术需要昂贵的同步辐射X光光源和X光掩模板，且加工周期较长，因此限制其广泛应用。
干法刻蚀技术由于只能在硅材料上进行，也限制了其使用。
为了解决LIGA技术同步辐射X射线成本高昂问题，近几年探索出了一种利用常规紫外光刻蚀及掩模的UV-LIGA技术，用它来制作高深宽比的金属微小零件。
虽然UV-LIGA技术制作的高深宽比微小零件在一些指标上与LIGA技术还存在着一些差距，但是已经能够满足微机械制作中的很多需要。
本文采用AZ4620紫外光刻胶，进行UV-LIGA工艺实验。
给出了加工制作的工艺过程，重点分析了该技术中曝光、显影对微结构的影响，通过优化过程工艺参数，实现了高深宽比的金属微结构加工制作。
1 实验试验采用紫外光刻技术具体实验工艺步骤包括以下几步：溅射镀膜→匀胶→烘培→二次匀胶→二次烘培→曝光→显影→电铸→去胶选用氧化铝陶瓷做实验用基板，采用真空溅射镀膜的方法，在陶瓷基板上涂覆一层钛钨金复合膜。
厚的负型光刻胶制作的电镀模型
用厚的负性干膜光致抗蚀剂做电镀模型摘要本文报道了基于用（负）丙烯酸酯聚合物干薄膜的光致抗蚀剂ORDY P-50100制造电镀模型的可行性进程。
商业可行性，来源于ELGA欧洲。
基于光致抗蚀剂，我们用这种光致抗蚀剂作为一种替代负环氧SU8，它是很难在电镀之后加工冲洗和移除的。
Ordyl p-50100很容易加工之后移除。
一个单层的p-50100 Ordyl能够沉积出20微米厚的层状物。
厚层（200微米或者更多）可以手工的达到多层。
我们应用发现Ordyl p-50100干膜光致抗蚀剂是一种很好的SU8的替代品。
可以实现100微米厚。
这个结果将打开新的可能性对于低成本的LIGA技术在微机电系统的应用过程。
1介绍高厚光刻胶已经被开发应用于大量不同的微机电系统。
它已被作为结构材料，用于制造复杂的三维（3D）的微观结构，金属模具电镀及封装材料。
目前，存在的一系列技术已经实现复杂的三维的微观结构，金属模具电镀，包装材料的结构。
最初的X射线LIGA技术已经用于实现这样的结构。
然而，这种技术因为自同步辐射源是必需的所以包含大量复杂的工艺、成本高。
这促使我们用便宜和简单的方法来搜索微模型。
那两个基于紫外光LIGA技术和深反应离子刻蚀最有前途的和可能的替代品。
对于高宽比结构的技术报告在微细加工的最新进展上基于微模型和用干膜（丙烯酸酯聚合物）的电镀。
干膜抗蚀剂有许多优点：良好的一致性，在任何基材上优异的附着力，尽管没有溶剂也不是液体，高处理速度，整个晶片良好的厚度均匀性，操作简单，没有形成珠边，低曝光能量，成本低，处理时间短，近乎垂直于侧壁。
做为非常粘稠的液体干膜（干的）抗蚀剂加工提供了抗蚀剂的配方。
夹在聚烯烃片和聚酯基体，卷起一个支持的核心，削减或完成的各种宽度和卷的长度，如图所示图1。
该光致抗蚀剂应用于以下：聚烯烃片材层压的前除去在基板上的抗蚀剂。
构象是通过加热在压力下。
抗蚀剂暴露在一个标准的紫外光源头。
压层和暴晒后聚酯剥离离开。
正_负双层光刻胶厚膜剥离技术
第36卷 第4期 激光与红外Vol.36,No.4 2006年4月 LASER & I N FRARE D Ap ril,2006 文章编号:100125078(2006)0420282203正/负双层光刻胶厚膜剥离技术林 立1,韦书领1,杨春莉1,刘理天2, 程绍椿1(1.华北光电技术研究所,北京100015;2.清华大学微电子所,北京100086)摘 要:首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。
对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。
10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。
关键词:光刻;正/负双层光刻胶;屋檐式边缘结构;厚膜剥离中图分类号:T N305.7 文献标识码:APositi ve/Negati ve Bi2l ayer Resist Techn i que for Thi ck Fil m L i ft2offL I N L i1,W E I Shu2ling1,Y ANG Chun2li1,L I U L i2tian2,CHENG Shao2chun1(1.North China Research I nstitute of Electr o2op tics,Beijing100015,China;2.I nstitute of M icr oelectr onics of Tsinghua University,Beijing100086,China)Abstract:A ne w technique of thick fil m lift2off with positive/negative bi2layer resist was p resented first in this paper.The overhang“eaves”structure was made at the edge of resist layer by coating a thinner layer negative resist on athicker layer positive resist t o realize the lift2off of10μm evaporated fil m without high edge.The horizontal size p reci2si on of the left fil m s with different thickness can be contr olled by selecting suitable thickness of resists.I n this paper,the horizontal size difference of a10μm evaporated fil m s after lift2off can be contr olled less than5μm.Key words:phot olithography;positive/negative bi2layer resist;“eaves”edge structure;thick fil m lift2off1 引 言淀积膜层的光刻剥离工艺被广泛用于半导体及微米纳米技术中,人们已开发出“单层胶”、“双层胶”、“三层胶”等工艺[1]。
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用厚的负性干膜光致抗蚀剂做电镀模型摘要本文报道了基于用（负）丙烯酸酯聚合物干薄膜的光致抗蚀剂ORDY P-50100制造电镀模型的可行性进程。
商业可行性，来源于ELGA欧洲。
基于光致抗蚀剂，我们用这种光致抗蚀剂作为一种替代负环氧SU8，它是很难在电镀之后加工冲洗和移除的。
Ordyl p-50100很容易加工之后移除。
一个单层的p-50100 Ordyl能够沉积出20微米厚的层状物。
厚层（200微米或者更多）可以手工的达到多层。
我们应用发现Ordyl p-50100干膜光致抗蚀剂是一种很好的SU8的替代品。
可以实现100微米厚。
这个结果将打开新的可能性对于低成本的LIGA技术在微机电系统的应用过程。
1介绍高厚光刻胶已经被开发应用于大量不同的微机电系统。
它已被作为结构材料，用于制造复杂的三维（3D）的微观结构，金属模具电镀及封装材料。
目前，存在的一系列技术已经实现复杂的三维的微观结构，金属模具电镀，包装材料的结构。
最初的X射线LIGA技术已经用于实现这样的结构。
然而，这种技术因为自同步辐射源是必需的所以包含大量复杂的工艺、成本高。
这促使我们用便宜和简单的方法来搜索微模型。
那两个基于紫外光LIGA技术和深反应离子刻蚀最有前途的和可能的替代品。
对于高宽比结构的技术报告在微细加工的最新进展上基于微模型和用干膜（丙烯酸酯聚合物）的电镀。
干膜抗蚀剂有许多优点：良好的一致性，在任何基材上优异的附着力，尽管没有溶剂也不是液体，高处理速度，整个晶片良好的厚度均匀性，操作简单，没有形成珠边，低曝光能量，成本低，处理时间短，近乎垂直于侧壁。
做为非常粘稠的液体干膜（干的）抗蚀剂加工提供了抗蚀剂的配方。
夹在聚烯烃片和聚酯基体，卷起一个支持的核心，削减或完成的各种宽度和卷的长度，如图所示图1。
该光致抗蚀剂应用于以下：聚烯烃片材层压的前除去在基板上的抗蚀剂。
构象是通过加热在压力下。
抗蚀剂暴露在一个标准的紫外光源头。
压层和暴晒后聚酯剥离离开。
图1：三层结构的干膜光致抗蚀剂有不同类型的干膜光致抗蚀剂广泛应用和商业交易，如名称为riston，OrdylBF 410，etertecr 5600，东风4615 ，dfr-15，riston 已经由劳伦兹等人成功的应用制造一个和多个，高边坡和高厚的电镀和微观结构。
在工作中我们用产品Ordyl p-50100，商业可行性可从欧洲ELGA公司获得。
我们用这种光致抗蚀剂的实现惯性传感应用，如微盘加速度计和陀螺仪。
该盘是通过电镀成干膜光致抗蚀剂的模具。
2 干膜光致抗蚀剂的工艺技术衬底晶圆是由脱水作用烘烤40分钟，140◦C和基板用发烟硝酸清洗。
在工作中我们用压片机（热轧机）（手动压片机/360度清洗），这就要求手动加载，抗裁剪和卸载。
抵抗不稀释溶剂的干燥步骤是不需要的。
然而，加热和挤压基板要在层压步骤做。
热辊温度为上辊130◦C，下辊120◦C。
压电加热，每一个是独立恒温控制。
热辊压力和分层速度分别为45磅和52厘米每1分钟，。
遮挡曝光，使用混合动力技术组（HTG）与紫外光刻光源（350–450 nm谱，水银灯）在1.6–1.9毫瓦厘米−2强度。
作为开发商，碳酸钠0.8–1.1% W / W是用于加工温度30◦C（耐±2◦C）。
研发的东西喷涂在基板上，随着15–30 磅每平方英寸。
颠装置组为成10–30%碳酸钠，氢氧化钠30–60%，偏硅酸钠10–30%。
商业化做为“清洁”罐。
3 微小晶圆的加工制造对惯性传感微盘的制作应用目前正在调查。
该盘将悬浮通过静电引力因此没有机械连接到基板。
因此，它必须通过该盘是完全的制造工艺保证释放。
光盘本身由电镀镍。
当系统断电时以机械抑制盘下来，它被电镀支柱保持在一侧和在顶部和底部释放电极。
一个七层掩模的工艺开发实现了这个设计。
图2显示了一个完整的过程示意图流。
该装置依靠将镍电镀到一个厚的干膜光致抗蚀剂的模具p-50100 上被制造。
组装的装置由两个高硼硅晶片上的制作的电极和电镀的盘。
在最后一步将晶片键合在一起。
底晶片制造的第一步是在薄的耐热玻璃上蒸发铬铜层（20 纳米的铬，500 纳米的铜）。
薄铜和铬将通过离子束被蚀刻和图案化以形成底部的电极，互连垫（图2（a））。
然后，薄的绝缘膜的硅氮化物（氮化硅，2000埃）和二氧化硅（二氧化硅，3000埃）将通过PECVD沉积（图2（b））。
二氧化硅和四氮化三硅将图案化和蚀刻在柱子被电镀的地方。
这些柱子也提供该电极的电连接到顶部电极。
一种薄的铜钛膜将蒸发作为电镀镍种子层（图2（c））。
这将是其次对Ordyl 厚层抗蚀剂层压片（图2（d）），它可以形成层高达100–200微米，之后Ordyl p-5010将会被图案化为支柱和模具盘。
在金种子层，镍暴露的区域将被电镀形成支柱和盘（图2（e））。
它在正确的时刻停止电镀非常困难，因此会有所谓的蘑菇形成。
这将是一个研磨和抛光去除步骤。
接下来，干膜光致抗蚀剂（20μM）将被切开和模仿成四个部分，镍锌的一个柱和薄层将会被电镀（图2（f））。
这包含了底部电极和晶片的处理。
在晶圆上部的制造，一个标准的带有面具的光刻胶将会被模仿形成在光盘和电极之间的一个间隙（图2（g））。
接下来，铬金层（20 纳米的铬，500 纳米的金）会被蒸发和模仿成上集电极（图2（h））。
然后，四氮化三硅和二氧化硅（2000埃）（3000埃）将通过PECVD沉积。
二氧化硅和四氮化三硅将被模仿去定义成底部的电极连接（图2（一））。
接下来，顶部和底部的晶片由倒装芯片接合被组装。
最后，两个晶片将由回流铅锡粘合在一起（图2（j））。
这提供了一种由于表面张力自动自对准的两片晶片。
顶部的晶圆将会被锯开，其Ordylp-50100 将使用清洁剂被脱掉，而不损坏电镀的结构。
接下来，底电极将被锯开、作为种子层的黄金将被蚀刻。
这将释放盘（图2（k））。
面具中包含从800微米直径为4毫米的几种不同几何形状的阵列盘，盘的厚度100–200微米，盘的电极间隙2–4微米。
图2：制造悬浮镍盘的工艺过程图3:94微米的靠模工具机模型的反向位置生成图图4:90微米厚Ordyl P-50100的表征图片图5：8*7平方微米部分AFM剖视图图6：金属镍的生长结构4 结果4.1 模具的形成作为一个实验过程，20，90和100微米的 Ordyp-50100电单层镀模型已经被研究开发。
该表面轮廓仪显示厚度测量与图3中的曲线。
表1显示了分层最优的结果，曝光和显影的光致抗蚀干膜过程的使用。
图4显示了一个90微米厚的SEM照模具。
我们取得了很好的垂直侧壁。
侧壁斜率对应于93度角，这是光致抗蚀剂的典型值。
侧壁剖面表明整个过程中很好的厚度尺寸控制。
为了检查每个晶片的厚度均匀性，我们在几微米的范围内的不同地区进行了几个量。
为了获得一横切部分的表征，晶片被从模型中心切割。
图5显示一个100微平方米的光致抗蚀剂表面的AFM图像。
根据这一图像，RMS表面粗糙度约为20纳米，这表明无针孔。
因此，这种抵抗是非常合适的对于多层堆叠和打开一个多层电镀工艺的可能性。
4.2 电镀镍电镀成一个和两个级别的光致抗蚀剂模具。
采用氨基磺酸镍电解液和每平方分米18安培的电流密度电镀，对于单级电结构沉积速率为每小时4微米，采用直流电源。
表2列出了这样的解决方案的组合物和操作条件。
图6显示了100微米的干膜光致抗蚀剂镍电镀结构的表征照片。
观察到了一种生长结构。
对于制造电镀铅锡，悬浮盘柱子是必需的。
图7显示了一个显微照片的一种在光学显微镜下拍摄的柱子上视图。
我们使用锡铅电镀解决方案。
表3中是镀金时覆盖在表面的液体和操作条件的组成。
沉积速率为3到5微米每小时之间。
该电镀很容易在一个普通的烧杯在轻度搅拌室温下实现。
图7：显微镜下的柱微结构图8：每层厚37微米的双层电镀镍的表征图片作为Ordylp-50100的进一步应用，多个电镀结构实现了。
图8显示了一个一个两级实例电镀结构的演示，使用Ordylp-50100进行多层电镀过程的制造。
在这种情况下，氨基磺酸镍电解液溶被液采用。
直流电流密度为3.5安培每平方分米，这导致了35.8微米每小时的沉积速率。
对于微小电镀产品生产上，多层结构的类型有许多应用，如网格和筛产品，光学编码器，激光狭缝，精细公差垫圈和垫片。
4.3 抛光电镀后镍的原始表面非常粗糙。
图9扫描电镜照片（一）表明镍表面镀结构。
用表面轮廓仪测出其表面粗糙度是4–6微米，显示在图9（b）。
悬浮盘的制备中其表面光洁度不够。
为此，研磨和抛光步骤是必要的。
图10显示了三微米的三氧化二铝研磨1小时后在光学显微镜下的照片，不过表面很粗糙。
为了达到良好的表面质量，实验了通过在仪器SF1中最终抛光2小时。
图11显示了一个显微照片的表面，粗糙度为0.2微米，对于我们的应用这是足够的。
图9：a 金属镍的表面结构粗糙度的重要表征 b 镍金属表面在表面轮廓仪测出的数据图10：a 用3微米的三氧化二铝掩膜1小时的镍表面 b 镍在研磨后用表面轮廓仪测出的数据图11：a 镍表面在抛光2小时后的表面b 镍表面在抛光后的表面轮廓仪测出的数据5 总结我们已经提出了充分优化的结果，对于20和90微米的干膜光致抗蚀剂Ordylp-50100研究过程的可以性。
我们声明Ordyl p-50100干膜抗蚀剂是一种对于微机电系统模型的很有前途的高浓度的光致抗蚀剂。
表面分析表明这是适合于多层结构的光致抗蚀剂。
我们发现Ordyl p-50100具有优异的厚度一致性，整个晶片的均匀性和近乎垂直的侧壁，反应时间很短，很容易清除。
这是一个非常有前途的光致抗蚀剂的制备工艺，对于悬浮盘目前还在研究中。
优化抗蚀剂的工艺参数将是更进一步去做的工作以达到将Ordyl p-50100叠加层超过200微米厚。
优化电镀条件将进一步改善电镀镍结构镀层表面的质量。
表格1：厚的负性光致抗蚀剂Ordyl P-50100的最优化曝光和显影条件表2：氨基磺酸镍电解液的操作条件表3：锡电解液的组成。