天津大学半导体器件与集成电路2002年考研真题考研试题
天津大学电路考研真题
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2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
一．什么是空穴，说明其概念并简述其性质
二．试从能带结构角度分析金属与半导体导电原理有何不同
10V/m，由能带底到能带顶运动的时间三．设晶格常数为 2.5A，计算电子在E=7
10 JS)
（h=6.625*34
四．简述理想半导体与实际半导体的区别
五．两块硅材料的电子浓度比是n1/n2=e（e为科学常数），第一块材料的费米能级在导带一下3KT处，问第二块材料的费米能级EF的位置，两块材料中空穴浓度比p1/p2是多少？
六．解释海恩斯-肖克莱实验的基本原理
七．画出杂质半导体电导率随温度变化的曲线，并解释原因。
八．画出P-N结能带结构（零偏，正偏，反偏），注明导带，价带，费米能级，解释耗尽近似现象。
九．解释pn结与SDB的电流特性区别，SDB的优点与其在VISL上的应用。
十．画出P型MIS结构的电容随电压变化的曲线，包括反型，高频，低频，深耗尽状态，解释原因
十一．推导爱因斯坦关系式
十二．试述导质结能带结构特点，解释异质结比pn结高光注入率的原因
十三．从能量，动量，能带结构出发解释硅与砷化镓跃迁原理，若作发光材料，选用哪种材料比较好？
十四．简述太阳能电池原理，画出开路电压，短路电流随光照强度增强变化曲线。
十五．简述制冷器的原理
十六．分别试述热探针法与Hall法测半导体类型的原理。
天津大学电路原理考研试题1998年（附答案）
求得：
U2 I3 ((1 C) M ) 1 (15 5) 10V ， UR2 U2 Cos30 10Cos30 8 66V， UX2 U2 Sin 30 10Sin 30 5V ，
R2 UR2 I2 8 66 1 8 66 。
求得：
求得：
X 2 U X 2 I2 5 1 5 ，
解：求初始值(K 闭合前)的电路为下图，由节点法得
L L(0 )
C
+-uC(0
)
2
+
UR 3
3
2 -
4
-
12V
+
UR
3
12 2 111
6 V，
632
U C (0)
2 6
U
R
3
2 V，
iL(0)
U R3 3
U R3 12 2
1A
K 闭合后原电路可分成如下两个一阶电路
+ uC+ 0.5F 2
-
6V
L2 X2 M 5 5 10 。
P2
I
2 2
R2
12
866
866W ，
P1 P P2 136 866 5W ，
求得：
R1 PR1 I12 5 12 5 。
QX 2
I
2 2
X
2
12
(10 5)
5Var
，
QX 3
I
2 3
X
3
I32 (5 15)
12
(10)
10Var
，
QX 1 Q QX 2 QX3 3 66 5 (10) 8 66Va r，
（2）该树 t 所对应的基本回路矩阵[ Bf ]；
天津大学考研 811电路1996-2006十年试题超详细解答
PU S1 = U S1 (
PU S 2
U1 - U 3 U1 - U 2 20 - 8 20 - 19 + ) = 20 ´ ( ) = 62 W ； R3 R2 4 10 = -U S 2 I = -4 ´ 2 = -8 W
PU S1 = U S1 ( I - I 1 ) = 20 ´ (2 - ( -1 .1)) = 62 W PU S 2 = -U S 2 I = -4 ´ 2 = -8 W
；
；
PI S = I S ( R 2 ( I S + I 1 ) + R3 ( I S + I ) + R 4 I S ) = 1 ´ (10(1 - 1.1) + 4(1 + 2) + 3 ´ 1)) = 14 W 。
-5 = 3A 。 8 13
解：1. 将 R 左侧用戴维南等效电路替代后有左下图（a）电路。
图(a)
图(b)
由已知条件可有如下方程组 ì U OC ´3 =3 ï ï Rin + 3 í U ï OC ´ 6 = 4.8 ï î Rin + 6 解得 U OC = 12 V ， Rin = 9W 。
(1) (1) 2 (1) IL = (I S ) R1 = 2 2 ´ 60 = 240 W 2 = 2A， P
二次谐波
Z L 2 // Z C = & =I & ( 2) I L2 S
(j 2wL2 )( - 1 2wC ) j120 ´ ( - j 30) = = - j 40W (j 2wL2 ) + ( - 1 2wC ) j120 - j 30 R1 - 1 2wC 60 - j 30 = 4.5 ´ R1 + R 2 (j 2wL2 ) + (- 1 2wC ) 60 + 30 j120 - j 30
2002年考研真题及详解
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年 试 题 精 读 透 析 Nhomakorabea 年全国硕士研究生入学考试英语试题
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天津大学研究生院2000-2005年招收硕士生入学试题429概要
天津大学研究生院2000年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．如图所示，求指定杆a,b,c,d,e的内力。
（15分）×6＝18一．如图所示多跨静定梁。
EI为常数，求：（1）C铰两侧的相对转角；（2）E端的竖向位移。
（15分）三。
已知三铰拱，拱长L，拱高为f.求：截面弯矩M K的影响线方程。
（10分）二．用位移法计算图示结构的弯矩图。
计算时不考虑轴力和剪力对位移的影响。
两段固定等截面直杆在均匀荷载作用下的固端剪力和固端弯矩为：212AB ql m =-212AB ql m = 2AB ql Q = 2AB ql Q =- 三．用力法求杆件AB 的轴力。
其中，AB 杆的拉伸刚度为EA 。
其余各杆弯曲刚度为EI.除AB 外，其余各杆计算时均不考虑轴力和剪力对位移的影响。
（20分）四．图示简支刚架，质点质量均为m.，杆的自重不计。
动力荷载()sin t P P t θ=，不考虑阻尼，EI 为常数。
1． 建立运动方程2． 求出结构的自振频率3． 求出质量处的最大动位移。
（20分）θ天津大学研究生院2001年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学题号：429 一．是非题（将判断结果填入括弧，以O表示正确，以×表示错误）本大题共4小题，合计14分1．（本小题3分）弹性体系虚功的特点是：（1）在作功过程中，力的数值保持不变;(2)作功的力与相应的位移无因果关系，位移由其他力系或其他因素所产生。
（）2．（本小题3分）力法只能用于线性变形体系。
（）3．（本小题4分）结构的温度变化及单位荷载作用下的内力如图a,b所示，梁截面为矩形，h=0.6m,材料线膨胀系数为α，则C,D两点的相对水平位移为400α。
（）°°°°°°4．（本小题4分）图示珩架各杆EA相同，C点受水平荷载P作用，则AB杆内力/2N=.( )AB二．选择题（将选中答案的字母填入括弧内）本大题共4个小题，合计16分。
2015年天津大学半导体物理真题解析,考研心态,考研真题,考研经验,真题解析
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半导体物理或电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n 结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例（一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际MOS 结构C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V 特性的影响），表面电场对p-n 结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n 结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
天津大学招收2000年硕士学位研究生入学考试(电路)(高清优化修正版)
I R3 I + US 4U
b + U CS -
IC S
答案： PUS 22 . 5 W ； PI S 1 W 。 解法 1：用节点法。设参考点和两独立节点 a 和 b 如图，则有U b U CS 3I ，可列如下方 程组
1 1 1 15 ( )U a 3I 4U 2 4 3 3 4 U U a 3I 4 U a 15 I 4
uC z i uC (0 ) e
t 4
10 e V 。
t 4
由已知条件和互易定理得知，在零状态条件下 iC z s 2 A ，即电容中电流的零状态响应为
iC z s 2 e 4 A ，
其 u C 的零状态响应为
t
uC z s
最后得 u C 的全响应为
1 t 1 t 0 iC z s d t 0 2 e 4 d t 4(1 e 4 ) V 。 C 2
i L (0 ) i L (0 ) 2A ； uC (0 ) uC (0 ) 6 V 。
-6-
开关 S 闭合后的运算电路为
+ S
2V
- IL ( s )
s
2 +
.
+
UR 2( s ) 1 -
.
由节点法得
sV - 1 +2 s s -6 V - s
4
2s 2 2 4 2s 5 1 2s 2 s 2s U R 2 (s) 2 1 1 s 2 5s 1 5 1 2s 1 2s 2s 2s 2s 5 k1 k 2 ( s 1 5)(s 1) s 1 5 s 1