光量子假说到激光技术 张安玉

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宏观傅里叶叠层技术远距离成像实验研究

宏观傅里叶叠层技术远距离成像实验研究

航天返回与遥感第44卷第6期38 SPACECRAFT RECOVERY & REMOTE SENSING2023年12月宏观傅里叶叠层技术远距离成像实验研究田芷铭赵明王森李剑(大连海事大学,大连116026)摘要傅里叶叠层是一新型的宽视场高分辨成像技术,但是其在宏观成像领域的应用中,成像模型在米级成像距离下通常仅有2 cm左右的成像视场,难以满足使用要求。

为了提高宏观傅里叶叠层技术的成像距离和视场,文章开展了远距离宏观反射式傅里叶叠层成像模型的理论研究,提出了一种新的宏观傅里叶叠层成像模型,该模型使用发散光束照明,通过球面波移位对目标傅里叶谱进行扫描重建高分辨率目标图像;此外,还分析了宏观相干成像机理和傅里叶成像模型近似条件,由此推导出模型的近似范围,为模型推广提供了理论基础;最后,利用搭建的实验系统对10 m外目标成像,使目标分辨率从1.4 mm提升到0.35 mm,分辨率提升4倍以上,验证了模型具有通过合成孔径技术提升目标成像分辨率的能力。

关键词宏观成像傅里叶叠层成像模型远距离成像超分辨技术傅里叶叠层实验中图分类号: TP391.41文献标志码: A 文章编号: 1009-8518(2023)06-0038-07 DOI: 10.3969/j.issn.1009-8518.2023.06.004Experimental Research on Long-Range Imaging Using MacroscopicFourier Ptychographic TechnologyTIAN Zhiming ZHAO Ming WANG Sen LI Jian(Dalian Maritime University, Dalian 116026, China)Abstract Fourier ptychography is a promising high-resolution imaging technique that has been gradually applied in the field of macroscopic imaging. However, its imaging model typically provides a limited field-of-view of around 2 cm at meter-level imaging distances, which often falls short of practical requirements. To enhance the imaging distance and field-of-view of macroscopic Fourier ptychography, this article conducted theoretical research on the long-distance macro reflection Fourier stack imaging model. The proposed model utilizes diverging light beams for illumination, scans the target Fourier spectrum using spherical wavefront shifting, and reconstructs high-resolution target images. The article analyzes the mechanism of macroscopic coherent imaging and the approximation conditions of the Fourier imaging model, deriving the approximate range of the model and establishing a theoretical foundation for its extension. Finally, the built experimental system was used to image a target 10 meters away, increasing the target resolution from 1.4 mm to 0.35 mm, a resolution increase of more than 4 times, verifying the model’s capability to improve target imaging resolution through the synthetic aperture technology.收稿日期:2023-06-20引用格式:田芷铭, 赵明, 王森, 等. 宏观傅里叶叠层技术远距离成像实验研究[J]. 航天返回与遥感, 2023, 44(6): 38-44.TIAN Zhiming, ZHAO Ming, WANG Sen, et al. Experimental Research on Long-Range Imaging Using Macroscopic Fourier Ptychographic Technology[J]. Spacecraft Recovery & Remote Sensing, 2023, 44(6): 38-44. (in Chinese)第6期 田芷铭 等: 宏观傅里叶叠层技术远距离成像实验研究 39Keywords macroscopic imaging; Fourier ptychographic model; long-range imaging; super-resolution technology; Fourier ptychographic experiment0 引言目前,在监视、遥感等领域,高分辨率成像问题面临着重要挑战。

高度集成的μLED 显示技术研究进展

高度集成的μLED 显示技术研究进展

第41卷㊀第10期2020年10月发㊀光㊀学㊀报CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEVol 41No 10Oct.ꎬ2020㊀㊀收稿日期:2020 ̄07 ̄03ꎻ修订日期:2020 ̄08 ̄04㊀㊀基金项目:国家自然科学基金面上项目(11674016)ꎻ国家重点研发计划(2017YFB0403102)资助项目SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(11674016)ꎻNationalKeyR&DProgramofChina(2017YFB0403102)文章编号:1000 ̄7032(2020)10 ̄1309 ̄09高度集成的μLED显示技术研究进展严子雯1ꎬ2ꎬ严㊀群1ꎬ2ꎬ李典伦1ꎬ2ꎬ张永爱1ꎬ2ꎬ周雄图1ꎬ2ꎬ叶㊀芸1ꎬ2ꎬ郭太良1ꎬ2ꎬ孙㊀捷1ꎬ2∗(1.福州大学物理与信息工程学院ꎬ福建福州㊀350108ꎻ2.中国福建光电信息科学与技术创新实验室ꎬ福建福州㊀350117)摘要:微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一ꎬ它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列ꎮμLED相对于液晶显示(LCD)㊁有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长㊁响应时间短㊁亮度高ꎮ最重要的是ꎬ它可以实现高度集成显示ꎬ既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件ꎬ也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)ꎮ在许多显示技术的指标上ꎬμLED的性能都很优异ꎮ但是ꎬ由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小ꎬ且往往密度提高ꎬ因此产生了许多新的技术和物理上的挑战ꎬ例如巨量转移技术㊁全彩化显示等ꎬ所以μLED尚未实现真正意义上的产业化ꎮ本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述ꎬ首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍ꎬ然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评ꎬ最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析ꎮ关㊀键㊀词:微型发光二极管(μLED)ꎻ驱动ꎻ巨量转移ꎻ全彩化ꎻ高度集成中图分类号:TN312.8㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀DOI:10.37188/CJL.20200191ResearchProgressofHighIntegrationDensityμLEDDisplayTechnologyYANZi ̄wen1ꎬ2ꎬYANQun1ꎬ2ꎬLIDian ̄lun1ꎬ2ꎬZHANGYong ̄ai1ꎬ2ꎬZHOUXiong ̄tu1ꎬ2ꎬYEYun1ꎬ2ꎬGUOTai ̄liang1ꎬ2ꎬSUNJie1ꎬ2∗(1.CollegeofPhysicsandInformationEngineeringꎬFuzhouUniversityꎬFuzhou350108ꎬChinaꎻ2.FujianScience&TechnologyInnovationLaboratoryforOptoelectronicInformationofChinaꎬFuzhou350117ꎬChina)∗CorrespondingAuthorꎬE ̄mail:jie.sun@fzu.edu.cnAbstract:Microlight ̄emittingdiode(μLED)isoneofthemostcutting ̄edgedisplaytechnologiesintheworld.ItgenerallyreferstotheLEDarraywithasinglemesasizelessthan50microns.Com ̄paredwithliquidcrystaldisplay(LCD)andorganiclightemittingdiode(OLED)displayꎬμLEDdisplaytechnologyhasitsuniqueadvantages:longlifetimeꎬshortresponsetimeꎬandhighbright ̄ness.Mostimportantlyꎬitenablestherealizationofhighlyintegrateddisplaysꎬwhichincludesbothhigh ̄PPIdisplayswithmuchhigherpixeldensitiesthanconventionaldisplaytechnologiesꎬandhigh ̄lyintegratedsemiconductorinformationdisplays(HISID)thathavebeenproposedfirstbyusandcontaincertainnon ̄displaycomponents.InmanyfiguresofmeritofdisplaytechnologyꎬμLEDsper ̄formexcellently.HoweverꎬasμLEDsgreatlyreducethesizeofconventionalLEDdevicesandtypi ̄callyhaveanincreaseddevicedensityꎬmanynewtechnicalandphysicalchallengeshavearisenꎬsuchasmasstransfertechnologyꎬfull ̄colordisplayꎬetc.ThereforeꎬμLEDshavenotyetachieved1310㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷anyrealindustrialization.InthispaperꎬthehighlyintegratedμLEDdisplaytechnologyresearchandprogressaredescribedsystematically.FirstofallꎬthebasicprincipleandstructureofμLEDsarein ̄troducedꎬfollowedbytheclassificationandreviewofthekeytechnologies.FinallyꎬthedevelopmenttrendsandapplicationprospectsoftheμLEDdisplaytechnologyareanalyzed.Keywords:microlight ̄emittingdiode(μLED)ꎻdriverꎻmasstransfertechnologyꎻcolorizationꎻhighintegrationdensity1㊀引㊀㊀言20世纪以来ꎬ随着信息时代的发展ꎬ显示技术逐渐进入人们的生活中ꎬ其应用领域覆盖从医疗㊁教育㊁娱乐到工业㊁军事㊁航空航天的方方面面ꎮ显示技术也从最初的阴极射线管(CRT)逐渐发展到如今的平板显示ꎮ液晶显示(LCD)和等离子显示(PDP)两种新的平板显示技术推出后ꎬ它们凭借节能㊁体积较小等优点ꎬ逐渐取代了占据显示市场数十年的CRTꎮ由于LCD不断降低成本和提高性能ꎬPDP在不久后失去了竞争力ꎬ但是LCD需要使用背光通过液晶矩阵发光产生图像ꎬ所以存在响应时间慢㊁转换效率低㊁均匀性差㊁色彩饱和度低等缺点ꎮ近年来ꎬ新型显示技术逐渐发展起来ꎬ例如有机发光二极管(OLED)显示㊁发光二极管(LED)显示等ꎮ与LCD相比ꎬOLED显示是自发光显示ꎬ无需背光㊁视角宽㊁对比度高㊁省电㊁响应速度快㊁每个像素都可以独立控制ꎮ而且ꎬOLED的组成为固态结构ꎬ没有液态物质ꎬ抗机械振动性能更好ꎮ然而ꎬOLED显示屏寿命相对较短ꎬ加上色彩纯度不够以及成本略高等因素ꎬOLED的市场占有率并未超过LCDꎮLED显示则较多用于大型户外显示屏ꎬ具有寿命长㊁功耗低㊁亮度高㊁色彩饱和度高等优点ꎮ目前ꎬLED显示技术中ꎬ像素日趋微型化ꎮ越来越多的科研人员开始了关于微型LED(μLED)的研究[1 ̄13]ꎬ并将其视为下一代显示技术ꎮ相比于LCD和OLEDꎬμLED具有很多优势ꎬ如效率高㊁耐候性好㊁寿命长㊁分辨率可以很高等ꎬ更重要的是ꎬ它可以实现所谓 高度集成显示 ꎮ本文中ꎬ这一概念有两重含义ꎮ其一ꎬ由于μLED单个像素面积极小ꎬ因此可实现超高分辨率显示ꎻ其二ꎬ也可适当降低像素密度ꎬ而在其间隙处集成微传感器等非显示元素ꎬ与用户互动ꎮ这些都是传统技术很难实现的ꎮ但目前μLED尚未产业化ꎬ主要是因为μLED将LED器件尺寸缩小ꎬ且往往密度很高ꎬ所以许多新的技术挑战随之产生ꎬ如巨量转移技术和全彩化显示等ꎮ一方面ꎬ由于难以将驱动电路直接制备在μLED衬底上ꎬ因此需要将μLED器件从其衬底上转移并键合到互补金属氧化物半导体(CMOS)或薄膜晶体管(TFT)驱动电路衬底上ꎮ然而ꎬ转移的μLED尺寸小㊁数量多㊁需要精确对位且良率至少大于99.9999%ꎬ所以这种巨量转移是μLED公认的一个关键性技术ꎮ另一方面ꎬ由于在GaN上制备的红光μLED的效率比较低ꎬ所以实现全彩化显示也是μLED的一个重要技术难点ꎮ本文主要介绍高度集成的μLED显示技术的研究现状ꎬ将结合我们的科研实践ꎬ分别从μLED显示技术的基本原理㊁结构与性能㊁驱动方式㊁重点技术等方面进行分析说明ꎬ最后介绍其最新市场应用ꎬ提出在显示领域有革命性意义的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)的理念ꎬ并加以评述ꎮ2㊀μLED基本原理、结构与性能LED[14]是一种将电能转化为光能的电致发光器件ꎬ其核心结构是由半导体材料形成的PN结ꎮ当对LED施加正向电压时ꎬ通过电极从N区和P区分别向空间电荷区注入电子和空穴ꎬ并在结区复合发光ꎮμLED技术就是将LED微缩化和矩阵化ꎬ其发光单元尺寸在50μm以下ꎬ且较高密度地集成在芯片上ꎮμLED可以通过巨量转移的方式批量地转移到驱动电路基板上ꎬ该基板可以为硬性或柔性㊁透明或不透明ꎮ然后ꎬ再利用物理气相沉积等方法在其上制备保护层和外接电极ꎬ并进行封装ꎮ制备μLED的材料一般是GaN基半导体ꎮμLED主要由以下几部分组成:衬底㊁缓冲层㊁N型半导体㊁MQWs(多量子阱)㊁P型半导体以及电极ꎬ有些还有P ̄AlGaN电子阻挡层ꎮ为进一步提高性能ꎬ还可加入光栅㊁光子晶体㊁分布式布拉格㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1311㊀反射镜(DBR)等附加结构ꎮμLED芯片的结构主要分为正装结构㊁倒装结构㊁垂直结构等ꎮ如图1(a)所示ꎬ正装结构较为简单且易于加工ꎬ但是由于顶部需要制备电极因而使得出光面积减少ꎬ且散热性能较差ꎻ倒装结构如图1(b)所示ꎬ相比较于正装结构ꎬ光提取效率更高ꎬ器件的散热性能㊁可靠性和寿命也都得到了提高ꎮP 鄄G a N M Q W s N 鄄G a NU 鄄G a N蓝宝石电极凸点(a )(b )I T O P 鄄GaN MQWs电极U 鄄G a N 图1㊀(a)μLED正装结构ꎻ(b)μLED倒装结构ꎮFig.1㊀(a)Structureofface ̄uppackagedμLED.(b)Struc ̄tureofflip ̄chippackagedμLED.3㊀μLED显示的驱动μLED的驱动方式主要有两种模式:无源寻址驱动和有源寻址驱动ꎮ3.1㊀无源寻址驱动(PM)无源寻址驱动[15]是指在μLED阵列中使用金属连线分别将每列像素阳极相连ꎬ每行像素阴极相连ꎬ由外加行列控制器对行列电极进行动态Data current sourceScan driver图2㊀无源寻址驱动Fig.2㊀Passiveaddressingdriver扫描ꎮ图2是无源寻址驱动的典型电路结构ꎬ当第x行和第y列选通时ꎬ其交点(xꎬy)处像素被点亮ꎮ使用无源寻址驱动方式对屏幕高速地逐点扫描ꎬ就可以实现全屏画面显示ꎮ无源寻址驱动方式结构简单且易实现ꎬ在设计和制备方面具有成本优势ꎮ图3是典型的无源寻址驱动阵列的剖面和三维结构示意图ꎮP m et a l N metalA c t i v e r eg i o n Insulating layerITOP m e t a lI n s u l a t i n g l a y e r N 鄄G a NS a p ph i r e滋LEDN metal图3㊀无源寻址驱动阵列ꎮ(a)剖面图ꎻ(b)3D结构图ꎮFig.3㊀Passiveaddressingdriverarray.(a)Cross ̄sectionalstructure.(b)3Dviewofthepassiveaddressingdriver.3.2㊀有源寻址驱动(AM)典型的有源寻址驱动[16 ̄18]方式一般是指采用金属键合工艺将μLED芯片倒装在驱动基板上(如CMOS)ꎬ每个像素的阴极通过共用N型GaN连接ꎬ阳极则与CMOS驱动基板金属键合ꎮ使用这种方式ꎬ每个像素都有独立的驱动电路ꎬ可以方便地单独寻址控制ꎮ有源寻址驱动方式中ꎬ经常使用两个晶体管一个电容(2T1C)驱动电路ꎬ如图4所示ꎮ每个μLED的电流控制通过寻址晶体管T1㊁驱动晶体管T2和一个存储电容C实现ꎮ信号存储在电容中ꎬ使得像素器件处于保持状态ꎬ直至下一帧信号刷新ꎬ从而在整个周期产生所需的连续电流[12]ꎮ此处介绍2T1C结构是因为它是有源驱动的一种基本电路ꎬ简单且易实现ꎬ但其本质是电压控制电流源ꎬ而μLED是电流型器件ꎬ所以该电路较难控制显示灰度ꎮ更精细的设计ꎬ例如4T2C电路ꎬ是一种电流控制电流源的电流比例型1312㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷驱动电路ꎬ对实现μLED的灰阶更有利ꎬ此处不详述ꎮLEDT2V DDCT1V scanV data图4㊀2T1C有源寻址驱动电路图Fig.4㊀Schematicofa2T1CAMdrivingcircuit目前主要有整片转移和晶粒转移两种方式来组装有源寻址驱动μLEDꎮ整片转移方式是将外延片制成μLED阵列后ꎬ整体倒装在驱动基板上ꎬ但由于目前很难在同一基板上有选择地生长不同颜色的μLEDꎬ所以很难实现全彩化ꎮ晶粒转移方式是将μLED衬底切割成单晶粒ꎬ通过巨量转移方式转移到驱动基板上ꎮ但是当前巨量转移技术还不成熟ꎬ所以组装成本较高ꎮ3.3㊀两种驱动方式对比与无源寻址驱动方式相比ꎬ有源寻址驱动方式更适合应用在μLED器件中ꎬ它有着显著的优势ꎮ虽然无源寻址驱动方式结构简单且易实现ꎬ但是也存在许多不足:它采用共行共列的电极ꎬ会产生较大的寄生电阻和电容ꎬ导致功耗大ꎻ驱动电压较高时ꎬ驱动电流从选定像素通过ꎬ但其周围像素也会受到电流影响ꎬ产生像素串扰ꎬ影响显示质量ꎻ由于外部集成电路的驱动能力有限ꎬ每个像素的亮度受这一行或列中已经亮起像素的数量影响ꎬ当行或列亮起的像素个数不同时ꎬ施加到每个像素上的驱动电流不同ꎬ亮度产生差异ꎬ对于大面积的显示应用而言ꎬ会极大地影响屏幕亮度的均匀性及对比度ꎻ对于彩色μLED阵列ꎬ单个像素中包含3种不同的μLEDꎬ每种μLED需要的驱动电压不同ꎬ需要更复杂的驱动电路ꎬ使得驱动的难度增大ꎮ图3为无源寻址驱动阵列剖面图和3D结构图ꎮ因为需要深刻蚀到衬底以确保每个μLED之间都是电学隔离的ꎬ所以电极经过深隔离槽时有可能会出现断裂ꎬ器件可靠性降低ꎬ并且这种结构使得发光单元的间距增大ꎬ像素密度受到影响ꎮ所以无源寻址驱动方式不是非常适合于大尺寸和超高分辨率的显示ꎮ与此相反ꎬ对于有源寻址驱动方式ꎬ其驱动能力更强ꎬ驱动速度更快ꎬ所以更加适合大面积和高分辨率的μLED显示ꎻ有源寻址驱动方式无行列扫描损耗ꎬ功耗更小ꎬ效率更高ꎻ有源寻址驱动方式的亮度均匀性和对比度也较好ꎻ每个像素都有独立的驱动电路ꎬ被点亮像素不影响周围的像素ꎬ可以较好地解决串扰问题ꎮ4㊀μLED巨量转移技术μLED巨量转移技术主要是指将生长在外延衬底上的μLED阵列快速精准地转移到驱动电路基板上ꎬ并与驱动电路之间形成良好的电气连接和机械固定的技术ꎬ也是当前限制μLED产业化的一个瓶颈技术ꎬ能否大量㊁快速㊁准确地转移μLED芯片到目标基板上决定着μLED是否能够真正实现量产ꎮ巨量转移技术在μLED显示中之所以十分必要ꎬ主要是由于以下几点:由于GaNμLED表1㊀主要巨量转移技术Tab.1㊀Majormasstransfertechnologies方法主要机理具体细节流体自组装重力和毛细管力利用重力和毛细管力驱动悬浮在液体中的μLED到达指定位置ꎬ并与基板表面合金产生电气连接ꎮ范德华力利用弹性印章和μLED之间的范德华力作用ꎬ将μLED转移到目标基板上ꎮ印章抓取磁力通过电磁力控制μLED芯片的吸取和放置ꎮ静电力印章头被介电层分开ꎬ形成一对分别带有正电和负电的硅电极ꎬ通过控制电极正负来抓取和放置芯片ꎮ选择性释放激光剥离利用激光将μLED与原衬底之间的界面层分离ꎬ通过局部产生的机械力将μLED芯片推向目标衬底ꎮ滚轴转印滚轴式印章通过滚轮将TFT与μLED转移到目标衬底上ꎮ㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1313㊀外延片与GaN晶体管外延片结构差异很大ꎬ在GaNμLED外延片上直接制备基于GaN晶体管的驱动电路需要二次外延生长ꎬ工艺复杂且可靠性较差ꎬ因此需要巨量转移μLED到另外的驱动衬底上ꎻ为了实现可穿戴设备ꎬ需要将μLED转移到柔性或可拉伸衬底上ꎻ有时需要通过巨量转移技术来有选择地转移部分μLEDꎬ以匹配不同分辨率显示设备的像素间距ꎻ巨量转移技术可以用于实现μLED全彩化显示ꎬ亦即通过巨量转移技术分别将红绿蓝(RGB)三色μLED晶粒转移到驱动电路基板上ꎬ以实现全彩化ꎻHISID器件中ꎬ也需要采用巨量转移技术加入非显示元件等ꎮ目前μLED巨量转移技术主要有流体自组装技术㊁印章抓取技术㊁选择性释放技术㊁滚轴转印技术等ꎮ4.1㊀流体自组装技术(FSA)流体自组装技术[19 ̄20]是通过重力和毛细管力驱动并捕获μLED至驱动电路基板的一种转移方式ꎮ自组装一般是在液体中进行ꎬμLED在液体中悬浮并在目标基板表面流动ꎬ到达被捕获的位置ꎬ与目标基板表面合金接触并与目标基板形成电气连接ꎮCho等[21]采用流体自组装方式ꎬ将圆形芯片㊁表面具有低熔点合金涂层的基板和组装溶液放入玻璃小瓶ꎬ加热并振荡ꎬ芯片在流动时被低熔点合金捕获并与基板形成电气连接ꎬ在1min内将19000多块直径为45μm的蓝色μLED组装在基板上ꎬ成功率达99.9%ꎮ4.2㊀印章抓取技术印章抓取技术是指通过范德华力㊁磁力或者静电力将μLED芯片黏附在转移用的印章上ꎬ然后放置在目标基板上[22]ꎮX ̄Celeprint[23]在2015年提出一种弹性印章技术ꎬ如图5所示ꎬ弹性印章一般由聚二甲基硅氧烷(PDMS)为载体ꎮ为了使μLED芯片更好地被印章抓取并脱离原基板ꎬ在制备μLED过程中加入一层牺牲层ꎬ去除牺牲层后ꎬμLED器件与原基板中间有一部分镂空ꎮ印章和器件之间通过范德华力结合ꎬ提起印章将使器件与原基板镂空处的连接断裂ꎬ并按原有阵列排布的格局转移到印章上ꎬ良率大于99.9%ꎮITRI提出将μLED中混入铁钴镍等材料ꎬ通过电磁力控制芯片抓取ꎮLuxVue[24]提出采用静电力抓取芯片ꎬ通过对印章施加正负电压来控制μLED的抓取和放置ꎮNative substrate with滋LED devicesElastomer stamp(PDMS)Devices are transferred onto stampDevices are printed onto target substrate图5㊀印章抓取技术示意图Fig.5㊀Illustrationofthestamp ̄basedpick&placetech ̄nique4.3㊀选择性释放技术选择性释放技术[25]是使用激光束将μLED从衬底上剥离ꎬ然后再转移到目标基板上ꎮ如图6所示ꎬ在激光照射下ꎬ原始衬底与μLED的界面处发生反应ꎬ分解界面层ꎬμLED脱离衬底ꎬ同时有局部的机械力将μLED推向目标基板ꎮ目前有报道使用大规模并行激光转移技术ꎬ实现了每小时1亿次以上的转移效率ꎮThin filmLaser sourceBeam shapingDonorsubstrateReceiversubstrate图6㊀选择性释放技术示意图Fig.6㊀Illustrationofthelaser ̄inducedforwardtransfer4.4㊀滚轴转印技术滚轴转印技术[26]是由韩国KIMM提出的一种μLED转移方式ꎬ可以用于转移厚度小于10μm㊁尺寸小于100μm的μLED芯片ꎮ这个方法可以用于柔性㊁可拉伸和轻量级的显示设备ꎬ转移速率高达每秒10000个ꎮ如图7所示ꎬ首先利用涂覆一次性转移膜的滚轮将TFT阵列拾取并放置在临时基板上ꎻ然后将μLED用同样的方法拾取放置在有TFT的临时基板上ꎬ与TFT焊接ꎻ最后ꎬ将μLED和TFT互联阵列滚动转移到目标衬底上ꎮ1314㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷图7㊀滚轴转印技术示意图Fig.7㊀Illustrationoftheroll ̄to ̄rolltransfer目前ꎬ与流体自组装技术㊁选择性释放技术㊁滚轴转印技术相比ꎬ有关印章抓取技术的研究更加广泛ꎮ我们认为ꎬ这种技术是更有可能使μLED实现产业化的巨量转移技术ꎮ流体自组装技术虽然转移方式简单㊁成本低㊁可以并行组装ꎬ但是这种方式组装成品率低ꎬ对芯片形状有要求ꎬ并且需要解决如何将芯片准确定位于结合点这个问题ꎻ滚轴转印技术虽然工艺步骤比之前减少ꎬ生产速度有所提高ꎬ但是技术难度较大ꎬ很难保证生产良率ꎮ相比之下ꎬ印章抓取技术则可以有效地实现大批量有选择性的转移ꎮ该方法可控性强㊁转移效率高㊁成品率高㊁印章易于加工且灵活性大ꎬ因此我们认为相比较于其他几种转移方式ꎬ印章抓取技术更有可能成为日后进行巨量转移的主要转移方法ꎮ下一阶段应主要追求进一步提高准确性和降低技术成本ꎮ5㊀μLED彩色化技术对于大多数显示器而言ꎬ其显示的图像都需要全色(红㊁绿㊁蓝三原色组成)ꎬ因此μLED显示的彩色化也是一个重要的研究方向ꎮ目前主流的彩色化方式有3种:三色RGB法㊁短波长μLED+发光介质法以及将图像色彩化的透镜合成法ꎮ5.1㊀三色RGB法三色RGB法是指分别在不同的衬底上外延并制作红色㊁绿色㊁蓝色的μLED芯片ꎬ然后将其切割ꎬ转移到目标基板上ꎮPeng等[27]利用垂直结构的红光μLED器件和正装结构的蓝㊁绿光μLED器件ꎬ通过板上芯片(COB)技术在石英衬底上制备了全彩μLED显示器ꎮ如图8所示ꎬ这种全彩技术中ꎬ每个像素中都包含RGB3个μLED器件ꎬ通过不同电流来控制亮度ꎬ使得三原色混合实现全彩化ꎮ但是ꎬ这种方式也存在一些问题待解决:RGB3种μLED所使用的材料不同ꎬ所以寿命㊁温度等方面的性能也不相同ꎻ需要复杂的驱动电路来维持工作ꎻ需要将3种不同的μLED转移到目标基板上ꎬ对巨量转移要求很高ꎮ例如ꎬ制造一个4k分辨率的显示器ꎬ需要将2500万个μLED精确地(误差在1μm以下)组装和连接在基板上ꎬ转移如此大量的3个不同的μLED是非常困难的ꎮ滋LED array图8㊀三色RGB法阵列Fig.8㊀RGBμLEDfull ̄colordisplayarray5.2㊀短波长μLED+发光介质法短波长μLED+发光介质法是指利用沉积在短波长μLED上的发光介质(目前常用荧光粉或者量子点)作为颜色转换层来实现全彩化显示ꎮ2020年ꎬKim等[28]使用光固化丙烯酸材料与纳米有机复合材料的混合物ꎬ通过光刻技术在蓝光μLED上沉积红色㊁绿色颜色转换层ꎮ该转换层在底部蓝光照射下光致发光ꎬ产生红光和绿光ꎬ与无转换层的蓝光混合形成白光ꎬ实现全彩显示ꎮ为避免像素间颜色串扰ꎬ还在μLED之间沉积了黑色胶ꎮLi等[29]在蓝宝石上制备蓝/绿双波长μLED器件ꎬ使用红色量子点作为颜色转换层实现了全彩显示ꎬ与其他报道的结果相比ꎬ提高了量子点的转换效率ꎮZhuang等[30]在紫光/蓝光μLED上制备纳米孔阵列并填充量子点ꎬ形成白光光源ꎮ这些有序的纳米孔阵列作为光子晶体ꎬ与无纳米孔阵列的平面结构相比ꎬ光的提取效率显著增强ꎮ本课题组先通过在蓝光μLED台面上用纳米压印和干法刻蚀的方法制备纳米孔阵列ꎬ再填入对高温有较强耐受性的红光量子点ꎬ成功地实现了将蓝光高效地转换成红光ꎬ如图9所示ꎮ短波长μLED+发光介质法可以回避目前很难将μLED芯片巨量转移到目标基板的问题ꎬ它㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1315㊀5滋m1滋m(a )(b )图9㊀使用纳米孔结构的蓝光μLED的色彩转换ꎮ(a)填入量子点后纳米孔SEM图ꎻ(b)填入红色量子点后μLED发光图ꎮFig.9㊀ColorconversionofblueμLEDusingnanoholestruc ̄ture.(a)SEMimageofthenanoholeafterfillinginthequantumdots.(b)μLEDluminescencefigureaf ̄terfillingintheredquantumdots.也无需复杂的驱动电路ꎮ但这个方法需要将颜色转换层精确地放置在尺寸很小的像素上ꎬ并且由于颜色转换层会吸收部分能量ꎬ所以整体的亮度和色彩转换效率都较低ꎮ目前常用的荧光粉材料的颗粒尺寸大ꎬ对于小尺寸的像素容易造成沉积不均匀ꎬ量子点材料尺寸小ꎬ但是材料存在稳定性较差且寿命短等缺点ꎮ5.3㊀透镜合成法透镜合成法是指通过透镜将红光㊁绿光和蓝光进行合成ꎬ从而实现彩色化的方法ꎬ但是这种方法中像素仍为单色ꎬ它只是一种将图像彩色化的方式ꎮ2013年ꎬLiu等[31]使用三色棱镜和投影透镜来制备全彩微显示器ꎮ如图10所示ꎬ分别制备红色㊁绿色和蓝色的微显示器ꎬ使用三色棱镜将从3个单独控制的微显示器产生的图案组合成彩色的图像ꎬ再通过在三色棱镜前增加投影透镜ꎬ可以调整图像颜色并将图像投影到屏幕ꎮ投影出来的颜色可以通过改变3个单色微显示器的强度来调整ꎮ这种方法在技术上较易实现ꎬ但仅限于在投影技术方面的应用ꎮProjection lensTrichroic prismRed 滋LEDBlue 滋LEDGreen 滋LED图10㊀透镜合成法示意图Fig.10㊀Schematicdiagramoflenssynthesis6㊀μLED产业发展现状目前ꎬμLED的潜在市场主要是平板显示ꎮ随着消费者对于节能㊁亮度㊁分辨率等方面需求的提高ꎬ以及μLED技术不断地发展ꎬμLED市场将不断地增长ꎮ根据国际市场研究机构ResearchandMarkets的预测ꎬ全球潜在μLED显示市场2025年将达到205亿美元ꎮ手机㊁智能手表㊁电视㊁笔记本电脑㊁增强现实/虚拟现实(AR/VR)等设备的需求ꎬ是市场增长的主要原因ꎮ随着μLED显示的优势日益凸显ꎬ国内外大批企业都开始着手μLED显示的研发ꎮ2012年ꎬ索尼公司首先将μLED显示技术在消费电子领域试用ꎬ在国际消费电子展(InternationalConsumerElectron ̄icsShow)上展出了尺寸为55寸的 CrystalLEDDisplay 电视ꎬ其上像素约600万个ꎬ亮度约400cd/m2ꎮ2014年ꎬ苹果公司收购了拥有多项μLED显示技术专利的LuxVue公司ꎬ将μLED技术用于AppleWatch及AR/VR方面ꎮ2019年ꎬ三星推出75英寸μLED电视ꎬ芯片尺寸为之前的1/15ꎬPPI较之前增加了4倍左右ꎮ在国内ꎬ重庆惠科与MikroMe ̄sa于2017年初创立μLED面板实验室ꎮ2019年ꎬ京东方公司与美国Rohinni成立μLED合资公司ꎬ主要针对μLED显示器和MiniLED背光方面进行研发ꎮ7㊀μLED应用前景如前所述ꎬμLED的效率㊁速度㊁寿命㊁亮度及分辨率都很高ꎬ同时具备轻薄㊁省电和全天候使用的优势ꎬ使得它在显示方面的应用尤为突出ꎮ初期应用包括柔性㊁透明显示屏ꎬAR/VR的微显示㊁1316㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷中小尺寸车载/机载显示和大尺寸显示屏等ꎮ本实验室率先提出HISID的概念ꎬ得到了国际信息显示学会(SID)的认可ꎮ由于μLED器件尺寸在微米级ꎬ远小于正常显示像素(通常在几百微米或更大)ꎬ发光的μLED芯片面积往往只占像素全部面积的千分之一ꎬ所以有足够的空间来通过巨量转移技术集成微型集成电路(IC)和各类微米级传感器等非显示元件ꎬ并使之成为交互式富媒体信息显示终端ꎬ即HISIDꎮ其产品形态已经不是传统的显示屏ꎬ而很有可能有机地融入在室内和户外装潢之中ꎮ它将拥有许多非显示功能ꎬ甚至可以与用户进行一定程度的互动ꎬ实现浸入式 效果ꎬ特别是在游戏㊁影视领域潜力巨大ꎮ若能实现基于μLED的照明㊁空间三维显示㊁空间定位及信息通信高度集成的系统ꎬ并将μLED引入人工智能技术完成高度智能型高速信息交互空间网络ꎬ这将成为继互联网㊁移动通信之后的第三代信息高速网络ꎬ在民生和军事上具有重大战略性意义ꎬ同时也可以促成可交互的富媒体崭新产业ꎮ目前ꎬ本实验室联合外延㊁显示㊁封装龙头企业及科研院所ꎬ正在积极推进HISID研究ꎬ力争使我国在新一轮国际竞争中先发制人ꎮ8㊀结㊀㊀论本文介绍了μLED显示技术的研究和进展情况ꎬ对μLED的基本原理和结构㊁重点技术以及研究发展现状都做出了分析ꎮμLED相比OLED㊁LCD等显示技术有着显著的优势ꎬ但是目前还面临许多问题亟待解决ꎬ如巨量转移技术㊁全彩化方案㊁驱动电路的设计和实现以及后续的检测和修复技术都尚不成熟ꎬ这些问题直接影响μLED显示的量产和商业发展ꎮ这些问题多为工程技术问题而非本征性科学问题ꎬ产学两界现在正在对其进行广泛的研究ꎮ结合μLED在可穿戴㊁AR/VR等高端显示方面的巨大潜力ꎬ我们有理由期待未来的研究在这些领域中取得突破ꎬ实现μLED显示技术光明的前景ꎮ在μLED走向产业化的过程中ꎬ各国处在同一起跑线上ꎬ只要我们抓住机遇ꎬ就能掌握核心技术和自主知识产权ꎬ避免在未来显示中被 卡脖子 ꎮ参㊀考㊀文㊀献:[1]BIXPꎬXIETꎬFANBꎬetal..Aflexibleꎬmicro ̄lens ̄coupledLEDstimulatorforopticalneuromodulation[J].IEEETrans.Biomed.CircuitsSyst.ꎬ2016ꎬ10(5):972 ̄978.[2]SANDAꎬRAKKOLAINENI.Mixedrealitywithmultimodalhead ̄mountedpicoprojector[C].ProceedingsofVirtualRe ̄alityInternationalConference:LavalVirtualꎬLavalꎬFranceꎬ2013:1 ̄2.[3]LEEVWꎬTWUNꎬKYMISSISI.Micro ̄LEDtechnologiesandapplications[J].Inf.Disp.ꎬ2016ꎬ32(6):16 ̄23. [4]HENRYW.MicroLEDarraysfindapplicationsintheverysmall[J].PhotonicsSpectraꎬ2013ꎬ47(3):52 ̄55. [5]李继军ꎬ聂晓梦ꎬ李根生ꎬ等.平板显示技术比较及研究进展[J].中国光学ꎬ2018ꎬ11(5):695 ̄710.LIJJꎬNIEXMꎬLIGSꎬetal..Comparisonandresearchprogressofflatpaneldisplaytechnology[J].Chin.J.Opt.ꎬ2018ꎬ11(5):695 ̄710.(inChinese)[6]CHONGWCꎬCHOWKꎬLIUZJꎬetal..1700pixelsperinch(PPI)passive ̄matrixmicro ̄LEDdisplaypoweredbyASIC[C].Proceedingsof2014IEEECompoundSemiconductorIntegratedCircuitSymposiumꎬLaJollaꎬCAꎬUSAꎬ2014:1 ̄4. [7]WANGZꎬSHANXYꎬCUIXGꎬetal..CharacteristicsandtechniquesofGaN ̄basedmicro ̄LEDsforapplicationinnext ̄generationdisplay[J].J.Semicond.ꎬ2020ꎬ41(4):041606.[8]TEMPLIEF.GaN ̄basedemissivemicrodisplays:averypromisingtechnologyforcompactꎬultra ̄highbrightnessdisplaysys ̄tems[J].J.SIDꎬ2016ꎬ24(11):669 ̄675.[9]WONGMSꎬHWANGDꎬALHASSANAIꎬetal..HighefficiencyofⅢ ̄nitridemicro ̄light ̄emittingdiodesbysidewallpas ̄sivationusingatomiclayerdeposition[J].Opt.Expressꎬ2018ꎬ26(16):21324 ̄21331.[10]KIMHMꎬUMJGꎬLEESꎬetal..66 ̄4:highbrightnessactivematrixmicro ̄LEDswithLTPSTFTbackplane[J].SIDSymp.Dig.Tech.Pap.ꎬ2018ꎬ49(1):880 ̄883.[11]OLIVIERFꎬTIRANOSꎬDUPRÉLꎬetal..Influenceofsize ̄reductionontheperformancesofGaN ̄basedmicro ̄LEDsfordisplayapplication[J].J.Lumin.ꎬ2017ꎬ191:112 ̄116.[12]ZHANGKꎬPENGDꎬCHONGWCꎬetal..Investigationofphoton ̄generatedleakagecurrentforhigh ̄performanceactivematrixmicro ̄LEDdisplays[J].IEEETrans.ElectronDevicesꎬ2016ꎬ63(12):4832 ̄4838.㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1317㊀[13]LIUZJꎬCHONGWCꎬWONGKMꎬetal..360PPIflip ̄chipmountedactivematrixaddressablelightemittingdiodeonsilicon(LEDoS)micro ̄displays[J].J.DisplayTechnol.ꎬ2013ꎬ9(8):678 ̄682.[14]MUKAIT.Recentprogressingroup ̄Ⅲnitridelight ̄emittingdiodes[J].IEEEJ.Sel.Top.QuantumElectron.ꎬ2002ꎬ8(2):264 ̄270.[15]MCGOVERNBꎬBERLINGUERPALMINIRꎬGROSSMANNꎬetal..Anewindividuallyaddressablemicro ̄LEDarrayforphotogeneticneuralstimulation[J].IEEETrans.Biomed.CircuitsSyst.ꎬ2010ꎬ4(6):469 ̄476.[16]UMJGꎬJEONGDYꎬJUNGYꎬetal..Active ̄matrixGaNμ ̄LEDdisplayusingoxidethin ̄filmtransistorbackplaneandflipchipLEDbonding[J].Adv.Electron.Mater.ꎬ2019ꎬ5(3):1800617 ̄1 ̄8.[17]CHENCJꎬCHENHCꎬLIAOJHꎬetal..Fabricationandcharacterizationofactive ̄matrix960ˑ540blueGaN ̄basedmi ̄cro ̄LEDdisplay[J].IEEEJ.QuantumElectron.ꎬ2019ꎬ55(2):3300106 ̄1 ̄6.[18]ZHANGXꎬLIPAꎬZOUXBꎬetal..ActivematrixmonolithicLEDmicro ̄displayusingGaN ̄on ̄Siepilayers[J].IEEEPhoton.Technol.Lett.ꎬ2019ꎬ31(11):865 ̄868.[19]VANDOMMELENRꎬFANZIOPꎬSASSOL.Surfaceself ̄assemblyofcolloidalcrystalsformicro ̄andnano ̄patterning[J].Adv.ColloidInterfaceSci.ꎬ2018ꎬ251:97 ̄114.[20]PARKSCꎬFANGJꎬBISWASSꎬetal..Approachingroll ̄to ̄rollfluidicself ̄assembly:relevantparametersꎬmachinedesignꎬandapplications[J].J.Microelectromech.Syst.ꎬ2015ꎬ24(6):1928 ̄1937.[21]CHOSꎬLEEDꎬKWONS.Fluidicself ̄assemblytransfertechnologyforMicro ̄LEDdisplay[C].ProceedingsofThe201920thInternationalConferenceonSolid ̄StateSensorsꎬActuatorsandMicrosystems&EurosensorsⅩⅩⅩⅢꎬBerlinꎬGermanyꎬ2019:402 ̄404.[22]CORBETTBꎬLOIRꎬZHOUWDꎬetal..Transferprinttechniquesforheterogeneousintegrationofphotoniccomponents[J].Prog.QuantumElectron.ꎬ2017ꎬ52:1 ̄17.[23]BOWERCAꎬMEITLMAꎬBONAFEDESꎬetal..Heterogeneousintegrationofmicroscalecompoundsemiconductorde ̄vicesbymicro ̄transfer ̄printing[C].ProceedingsofThe2015IEEE65thElectronicComponentsandTechnologyConfer ̄enceꎬSanDiegoꎬCAꎬUSAꎬ2015:963 ̄967.[24]BIBLAꎬHIGGINSONJAꎬHUHHꎬetal..Methodoftransferringandbondinganarrayofmicrodevices:USAꎬWO/2013/119671[P].2013 ̄08 ̄15.[25]DELAPORTEPꎬALLONCLEAP.Laser ̄inducedforwardtransfer:ahighresolutionadditivemanufacturingtechnology[J].Opt.LaserTechnol.ꎬ2016ꎬ78:33 ̄41.[26]SHARMABKꎬJANGBꎬLEEJEꎬetal..Load ̄controlledrolltransferofoxidetransistorsforstretchableelectronics[J].Adv.Funct.Mater.ꎬ2013ꎬ23(16):2024 ̄2032.[27]PENGDꎬZHANGKꎬCHAOVSDꎬetal..Full ̄colorpixelated ̄addressablelightemittingdiodeontransparentsubstrate(LEDoTS)micro ̄displaysbyCoB[J].J.DisplayTechnol.ꎬ2016ꎬ12(7):742 ̄746.[28]KIMWHꎬJANGYJꎬKIMJYꎬetal..High ̄performancecolor ̄convertedfull ̄colormicro ̄LEDarray[J].Appl.Sci.ꎬ2020ꎬ10(6):2112.[29]LIPAꎬZHANGXꎬLIYFꎬetal..Monolithicfull ̄colorLEDmicro ̄displayusingdualwavelengthLEDepilayers[C].ProceedingsofInternationalDisplayWorkshopsꎬSapporoꎬJapanꎬ2019:770 ̄773.[30]ZHUANGZꎬGUOXꎬLIUBꎬetal..HighcolorrenderingindexhybridⅢ ̄nitride/nanocrystalswhitelight ̄emittingdiodes[J].Adv.Funct.Mater.ꎬ2016ꎬ26(1):36 ̄43.[31]LIUZJꎬCHONGWCꎬWONGKMꎬetal..AnovelBLU ̄freefull ̄colorLEDprojectorusingLEDonsiliconmicro ̄displays[J].IEEEPhoton.Technol.Lett.ꎬ2013ꎬ25(23):2267 ̄2270.严子雯(1995-)ꎬ女ꎬ陕西西安人ꎬ硕士研究生ꎬ2017年于西安邮电大学获得学士学位ꎬ主要从事化学液相沉积法制备氧化物薄膜及应用㊁以及氮化镓μLED微显示的研究ꎮE ̄mail:729384816@qq.com孙捷(1977-)ꎬ男ꎬ内蒙古阿拉善人ꎬ博士ꎬ教授ꎬ博士研究生导师ꎬ2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位ꎬ主要从事氮化镓μLED集成信息显示㊁二维半导体材料生长及其在纳米电子学中应用的研究ꎮE ̄mail:jie.sun@fzu.edu.cn。

中国科大成功实现最大的“薛定谔猫”态

中国科大成功实现最大的“薛定谔猫”态

中国科大成功实现最大的“薛定谔猫”态据从中国迷信技术大学得知,该校微尺度物质迷信国度实验室量子物理与量子信息研讨部成功制备出超纠缠光子〝薛定谔猫〞态,纠缠量子比特数目最高到达10个,刷新了纠缠态制备的世界记载。

量子力学的奠基人之一薛定谔在1935年提出著名的〝薛定谔猫〞佯谬:将一只猫关在装有大批放射性原子和毒药的密闭容器里。

放射性原子的衰变存在几率,假设发作衰变,会触发机关打碎装有毒药的瓶子,猫就会死;假设不发作衰变,猫就存活。

依据量子力学实际,由于放射性原子处于衰变和没有衰变两种形状的叠加,猫就理应处于死猫和活猫的叠加形状。

这只既死又活的猫就是所谓的〝薛定谔猫〞。

虽然〝薛定谔猫〞态在微观世界并不存在,但在微观量子世界中,迷信家可以用光子或原子等制造这样的形状。

两个和两个以上量子比特的〝猫态〞就是纠缠态。

据该研讨小组陈增兵教授引见,量子纠缠是研制具有超级计算才干的量子计算机和相对保密的量子通讯的基础。

2021年,中国科大在国际上初次成功完成5光子纠缠的操纵。

2021年底,美国和奥天时的研讨人员宣布完成6个和8个离子的纠缠态,并且不时坚持着这个记载。

中国科大潘建伟、陈增兵、彭承志等研讨人员发现,光子具有多种量子自在度,每个量子自在度在适宜的条件下都有能够当作一个量子比特,实际上这些不同的自在度之间也可以构成纠缠,即所谓的〝超纠缠〞——某个光子的两个自在度可以同时与另外某个光子的两个自在度纠缠起来,从而可以把一个光子当成两个量子比特用。

实验小组依据这一发现展开研讨,完成了由5个光子极化形状和空间形状相关叠加构成的10个量子比特〝薛定谔猫〞态。

该效果宣布在往年5月出版的«自然·物理»上。

审稿人以为,这是一个〝实验杰作,在光学量子计算和量子度量学方面有着重要的意义〞。

化深奥为浅显

化深奥为浅显

8有一天,你那不可思议的甜笑,穿过闲谈的缝隙,摇醒了我昏睡的青春。

著名量子信息学家郭光灿做客《开讲啦》,撒贝宁问道:“对于我这样的文科生来讲,量子几乎是一个全新、陌生的概念。

您能不能用一个比较简单的方式,给大家揭示一下量子世界到底神奇在哪儿?”郭光灿说:“比如从合肥到北京,可以坐飞机也可以坐高铁;在经典世界里我们只能二选一,但在量子世界里,我们可以同时坐飞机和高铁,量子就这么怪。

”撒贝宁恍然大悟道:“听完您的解释,我能不能这样理解:比如在一个宏观世界里,我现在想我的父亲,他要么在客厅,要么在卧室,肯定是只能在其中一个地方。

但是在量子世界里,我的父亲可以同时又在客厅又在卧室。

”郭光灿说:“理解对了。

”郭光灿没有使用生涩的术语,他用打比方的说明方法,通过高铁和飞机这两种交通工具的兴象喻比,就让人们明白了在量子世界一个事物可以同时拥有不同状态,而在我们现有的世界所有事物都是确定的。

也正因为郭光灿化繁为简、化抽象为具体,也让撒贝宁借用自己的“父亲”比喻,阐述了他对于量子的正确理解,进一步让人领悟到了量子世界的奥秘之处。

著名消化系统疾病专家、中国工程院院士樊代明有一套“姑息治疗”肿瘤的有效方法。

在一次医学会议上,他给大家妙解道:“小时候,我看别人扭秧歌,先是低头前跨两步,然后是后退一大步,退时伴以仰身、露面、双手扬绸。

欢喜极了,漂亮极了。

如果他们一直躬身前行,不仅不好看,还会发生危险。

如果前面有障碍,那会碰壁。

如果前面是悬崖,那会跌身。

所以,他们安全,他们漂亮,关键是后退那一大步,退出了境界。

世上万物的哲理是相通的。

我常在想,对那些杀不全、杀不到、杀不死的癌细胞,我们能否换一种方式,不要去动它。

因为动它不仅毫无作用,反倒伤了自身,到头来鸡飞蛋打,赔了夫人又折兵;还不如‘人不犯我,我不犯人’,想各种方法与肿瘤长期共存。

肿瘤姑息治疗用的就是这种理念……达到长期带瘤生存的目的,事实证明可以获得良好效果。

”关于癌症,传统治疗都是用手术刀切,用化疗药杀,但切来切去,杀来杀去,总有一些病例,肿瘤不但未被消灭,患者却被治死了。

2024届山东省泰安市高三第二轮复习质量检测(二模)理科综合物理高频考点试卷

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2024届山东省泰安市高三第二轮复习质量检测(二模)理科综合物理高频考点试卷一、单选题 (共6题)第(1)题一同学在室内空调显示屏上看到室内的空气温度,为了测出室外的空气温度,他将一近似球形的气球在室内吹大并放置较长一段时间后,测量其直径为之后拿到室外并放置较长一段时间后,测量其直径为,若不考虑气球表皮的弹力变化,且气球吹大后视为球体,大气压不变,室内、外的温度均保持不变,则( )A.气球内气体对外界做负功B.气球内气体对外界不做功C.室外温度比室内温度高D.气球在室外放出了热量第(2)题在研究大气现象时可把温度、压强相同的一部分气体作为研究对象,叫做气团。

气团直径可达几千米,边缘部分与外界的热交换对整个气团没有明显影响,可以忽略。

可以用气团理论解释高空气温很低的原因,是因为地面的气团上升到高空的过程中( )A.剧烈收缩,外界对气团做功,导致气团温度降低B.剧烈收缩,同时从周围吸收大量热量,导致气团温度降低C.剧烈膨胀,同时大量对外放热,导致气团温度降低D.剧烈膨胀,气团对外做功,内能大量减少,导致气团温度降低第(3)题如图所示,质量均为m的木块A和B,并排放在光滑水平面上,A上固定一竖直轻杆,轻杆上端的O点系一长为L的细线,细线另一端系一质量为m0的球C,现将球C拉起使细线水平伸直,并由静止释放球C,则下列说法正确的是(重力加速度为g)( )A.运动过程中,A、B、C组成的系统动量守恒B.C球摆到最低点过程,C球的速度为C.C球第一次摆到最低点过程中,木块A、B向右移动的距离D.C向左运动能达到的最大高度第(4)题2023年诺贝尔物理学奖颁发给了研究阿秒激光脉冲做出贡献的科学家。

已知1阿秒为,光在真空中的速度为,某种光的波长为该光在真空中2187.7阿秒运动的距离,若该光是由氢原子能级跃迁发出的,根据如图所示的氢原子能级图和表格中不同光的波长与能量的对应关系,可知此光来源于氢原子( )波长()能量(eV)656.3 1.89486.4 2.55121.610.2102.612.09A.和能级之间的跃迁B.和能级之间的跃迁C.和能级之间的跃迁D.和能级之间的跃迁第(5)题直流特高压输电可以减少感抗和容抗的损耗,该技术已成为我国“西电东送”战略的技术基础,如图为特高压输电示意图,升压变压器、降压变压器均为理想变压器,整流及逆变等过程不计能量损失且有效值不变。

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可 调谐 半 导体 激 光 吸收 光 谱 中的 吸光度 反 演算 法研 究
许振 宇 , 文清 ,阚瑞峰 ,张玉钧 ,刘建 国,张 帅,束小文 , 刘 耿 辉 , 何 莹,汤媛媛
中 国科 学 院 安 徽 光 学 精 密 机 械研 究 所环 境 光 学 与 技 术 重 点 实 验 室 , 徽 合 肥 安 20 3 30 1
关 键 词 吸 光 度 ; 线 拟 合 ;非 线 性 最 小 二 乘 法 基 中图 分 类 号 : 3 . 文 献 标 识 码 :A 04 3 5 D :1. 9 4ji n 1 0—5 3 2 1 )82 0—4 OI 0 3 6/. s. 0 00 9 (0 0 0—2 1 s 0 比; c 为吸收光程长 。 L(m)
入射光经过气体吸收后的透射光强为
Iv ()一 I ( ) x l S T — V , ) y o e p — ( ) ( o丁 P LI () 1
参考光路和信号光路 , 参考光不 经过气体 吸收 , 据两束 的 根
分 束 能 量 比来 消 除 激 光 器 的 光 强 波 动 ;( ) 过 数 据 拟 合 处 2通
得 到 待 测 气 体 浓 度 。介 绍 了一 种 对 直 接 吸 收 光 谱处 理 得 到 吸 光 度 曲 线 以 及 积 分 吸 光 度 的 方 法 。由 于处 理 过 程 不 需 进 行 定
文对激光直接吸收光谱 中吸光度和吸光度积分反演算法进行
了研 究 ,采用 多项 式拟 合 基 线 方 法 来 消除 激 光 器 光 强 波 动 得
痕量气体检 测常 用 波长 调 制或 频 率 调制 的 T DI AS技 术, 具有较高 的检测灵敏度 ;而直接 吸收光谱技 术具有 能够 消除光强波动 、 吸收展宽影 响等 特点 ,而且能 够不需要标 准 气体而通过 Hi a0 数 据库 l 的 吸收线 强等 参数 直接反 演 t n4 r 2

新型多光子成像技术研究进展

新型多光子成像技术研究进展
microscopy
1 引 言
双光子吸收是指在强光激发下,介质分子吸 收第一个光子到达虚能级后,在几飞秒内吸收第 二个光子,获得足够的能量,从而跃迁到达激发态 的过程。在双光子吸收过程中,荧光分子吸收两 个能量较低(波长较长)的光子到达激发态,并在 跃迁回到基态时产生荧光,可用于荧光成像。与 单光子荧光成像相比,双光子荧光成像可以使用 波长更长的红外光作为激发光源,从而有效减少 生物组织对激发光的散射,并避免单光子自发荧 光的干扰,获得更大的成像深度和更好的信噪比; 并且,由于双光子激发过程需要更高的瞬时能量, 只有激发光焦点处的荧光分子会产生荧光,这减 少了组织其他部位的光损伤和荧光分子的光漂白 现象,并使得双光子成像具有良好的光学切片能 力,便于对组织进行成像与三维重建。
第一台微型化双光子显微镜原型机于 2001 年首 次 被 报 道,它 采 用 单 模 光 纤 尖 端 进 行 扫 描[10],扫描原理是利用一个压电材料元件包裹光 纤尖端,接通特定模式的交变电压,使得压电材料 元件振动,并控制其频率在光纤材料固有频率附 近,使光纤产生共振;这样在 x、y两个方向都加上 振动 就 可 以 合 成 一 个 二 维 扫 描 模 式,如 螺 线 扫
背景比,从而有效地解决了这一问题。 本文对近年来快速发展的多光子成像技术,
包括微型化双光子成像技术、双光子内窥技术和 三光子成像技术,对其基本原理、成像特点、发展 过程及在生物医学基础研究和临床上的应用进行 总结和讨论,并对其广泛的应用和发展前景进行 了展望。
2 微型化双光子荧光成像技术
神经系统,尤其是脑,拥有十分复杂而动态的 结构,研究对象的空间尺度从单个突触(~1μm) 到神 经 回 路 (cm),时 间 尺 度 从 通 道 的 开 闭 (<1ms)到 长 时 程 记 忆 (可 长 达 数 年 )[5]。 借 助 荧光指示剂,光学显微为时空尺度跨越几个数量 级的成像需求提供了可能[6]。

样品温度和空间约束两种方法相结合对激光诱导击穿光谱的影响

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YU Dan1,SUN Yan1,FENG Zhi-shu2,DAI Yu-yin3,CHEN An-min4,JIN Ming-xing4 * (1. Basic Aviation College, Air Force Aviation University, Changchun 130022, China; 2. Aviation Operations Service College, Air Force Aviation University, Changchun 130022, China; 3. Nuclear Medicine Department, The First Hospital of Jilin University, Changchun 130021, China; 4. Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University, Changchun 130012, China)
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2.2.4假说内容
光子有速度、能量、动量、质量,有凝聚。光子不可能静止。光子可以变成其它物质(如一对正负电子),但能量守恒、动量守恒。
2.2.5光量的性质
光子具有波粒二象性,即说光子既具有一粒一粒的粒子的特性又有像声波一样的波动性。当时间为瞬时值时,光子以粒子的形式传播;当时间为平均值时,光子以波的形式传播。光子的波动性有光子的衍射而证明,光子的粒子性是由光电效应证明。
3、激光技术
3.1.1激光技术的发展历史
激光具有单色性好、方向性强、亮度高等特点。现已发现的激光工作物质有几千种,波长范围从软X射线到远红外。激光技术的核心是激光器,激光器的种类很多,可按工作物质、激励方式、运转方式、工作波长等不同方法分类。根据不同的使用要求,采取一些专门的技术提高输出激光的光束质量和单项技术指标,比较广泛应用的单元技术有共振腔设计与选模、倍频、调谐、Q开关、锁模、稳频和放大技术等。
2.2.1光量子
光量子,简称光子,是传递电磁相互作用的基本粒子,是一种规范玻色子。光子是电磁辐射的载体,而在量子场论中光子被认为是电磁相互作用的媒介子。与大多数基本粒子(如电子和夸克)相比,光子没有静止质量(爱因斯坦的运动质量公式m=m0/sqr[1-(v/c)2]中,光子的v = C,使得公式分母为0,但光子的运动质量m具有有限值,故光子的静止质量必须为零。
1905年,年轻的科学家爱因斯坦发展了普朗克的量子说。他认为,电磁辐射在本质上就是一份一份不连续的,无论是在原子发射和吸收它们的时候,还是在传播过程中都是这样。爱因斯坦称它们为“光量子”,简称“光子”,并用光量子说解释了光电效应,这成为爱因斯坦获得1921年诺贝尔物理学奖的主要理由。其后,康普顿散射进一步证实了光的粒子性。它表明,不仅在吸收和发射时,而且在弹性碰撞时光也具有粒子性,是既有能量又有动量的粒子。如此,光就既具有波动性(电磁波),也具有粒子性(光子),即具有波粒二象性。后来,德布罗意又将波粒二象性推广到了所有的微观粒子。
根据计算:
中子的质量:1.674927211(84)×10-27千克;中子的半径:1.11337557(48)费米;
质子的质量:1.672621637(83)×10-27千克;质子的半径:1.11286448(48)费米;
电子的质量:9.10938215(45)×10-31千克;电子的半径:0.090880914(40)费米;
上面有人认为光子的动质量为零是错误的,光子的静质量为零,否则的话其动质量将为无穷大。但其动质量却是存在的,计算方法是这样的:首先,由于频率为v的光子的能量为E=hv,(其中h为普朗克常数),故由质能公式可得其质量为:
其中c2表示光速的平方,该方法由爱因斯坦首先提出。
经典的波有群速度与相速度之分。对于光子而言,光子的速度就是光速。
光子的概念是爱因斯坦在1905年至1917年间提出的,当时被普遍接受的关于光是电磁波的经典电磁理论无法解释光电效应等实验现象。相对于当时的其他半经典理论在麦克斯韦方程的框架下将物质吸收和发射光的能量量子化,爱因斯坦首先提出光本身就是量子化的,这种光量子被称作光子。这一概念的形成带动了实验和理论物理学在多个领域的巨大进展,例如激光、玻色-爱因斯坦凝聚、量子场论、量子力学的统计诠释、量子光学和量子计算等。根据粒子物理的标准模型,光子是所有电场和磁场的产生原因,而它们本身的存在,则是满足物理定律在时空内每一点具有特定对称性要求的结果。光子的内秉属性,例如质量、电荷、自旋等,则是由规范对称性所决定的。
爱因斯坦等人的工作证明了光子的存在,随之而来的问题是:如何将麦克斯韦关于光的电磁理论和光量子理论统一起来呢?爱因斯坦始终未能找到统一两者的理论,但如今这个问题的解答已经被包含在量子电动力学和其后续理论中。
2.1.2光子的提出
早在1900年,M.普朗克解释黑体辐射能量分布时作出量子假设,物质振子与辐射之间的能量交换是不连续的,一份一份的,每一份的能量为hν;1905年阿尔伯特•爱因斯坦进一步提出光波本身就不是连续的而具有粒子性,爱因斯坦称之为光量子;1923年A.H.康普顿成功地用光量子概念解释了X光被物质散射时波长变化的康普顿效应,从而光量子概念被广泛接受和应用,1926年正式命名为光子。
光子的质量:9.347543(38)×10-36千克;光子的半径:0.0031349374(29)费米。
光子的能量:4.200577(17)×10-19焦耳,2.621794(11)电子伏特;
光子的频率:6.339470(26)×1014赫兹;
光子的波长:472.8983(20)纳米,正好位于青蓝色的光的波长的中心位置473.5纳米附近。
a)光子可能加快时光进程,促进毁灭。但又能乘载我们穿越时光。
b)能量光子具有释放作用,改变作用,穿越作用和超穿越作用。
c)能量光子具有双反的改变作用。
粒子和其反粒子的湮灭过程一定产生至少两个光子。 原因是在质心系下粒子和其反粒子组成的系统总动量为零,由于能量守恒定律,产生的光子的总动量也必须为零;由于单个光子总具有不为零的的动量,系统只能产生两个或两个以上的光子来满足总动量为零。 产生光子的频率,即它们的能量,则由能量-动量守恒定律(四维动量守恒)决定。 而从能量-动量守恒可知,粒子和反粒子湮灭的逆过程,即双光子生成电子-反电子对的过程不可能在真空中自发产生。
关键词: 光量子假说 激光技术 应用
1、引言;
光量子假说,是爱因斯坦在当时缺乏足够实验结论的情况提出的大胆假设,虽遭到反驳但最终被证实是正确的,在法布里坎特提出粒子束反转后,使爱因斯坦手机辐射理论向构思激光器技术原理迈出了极为重要的一步。内容是:光和原子电子一样也具有粒子性,光就是以光速C运动着的粒子流,把这种粒子叫光量子。同普朗克的能量子一样,每个光量子的能量也是E=hν,根据相对论的质能关系式,每个光子的动量为p=E/c=h/λ。
光子的概念也应用到物理学外的其他领域当中,如光化学、双光子激发显微技术,以及分子间距的测量等。在当代相关研究中,光子是研究量子计算机的基本元素,也在复杂的光通信技术,例如量子密码学等领域有重要的研究价值。
与此同时,由众多物理学家进行的对于黑体辐射长达四十多年(1860-1900)的研究因普朗克建立的假说而得到终结,普朗克提出任何系统发射或吸收频率为 的电磁波的能量总是 的整数倍。爱因斯坦由此提出的光量子假说则能够成功对光电效应作出解释。爱因斯坦的理论先进性在于,在麦克斯韦的经典电磁理论中电磁场的能量是连续的,能够具有任意大小的值,而由于物质发射或吸收电磁波的能量是量子化的,这使得很多物理学家试图去寻找是怎样一种存在于物质中的约束限制了电磁波的能量只能为量子化的值;而爱因斯坦则开创性地提出电磁场的能量本身就是量子化的 。爱因斯坦并没有质疑麦克斯韦理论的正确性,但他也指出如果将麦克斯韦理论中的经典光波场的能量集中到一个个运动互不影响的光量子上,很多类似于光电效应的实验能够被很好地解释。在1909年和1916年,爱因斯坦指出如果普朗克的黑体辐射定律成立,则电磁波的量子必须具有hν∕c的动量,以赋予它们完美的粒子性。光子的动量在1926年由康普顿在实验中观测到。
2.2.3光子的作用
光子是传递电磁相互作用的基本粒子,是一种规范玻色子。光子是电磁辐射的载体,而在量子场论中光子被认为是电磁相互作用的媒介子。与大多数基本粒子相比,光子的静止质量为零,这意味着其在真空中的传播速度是光速。与其他量子一样,光子具有波粒二象性:光子能够表现出经典波的折射、干涉、衍射等性质;而光子的粒子性则表现为和物质相互作用时不像经典的粒子那样可以传递任意值的能量,光子只能传递量子化的能量,是点阵粒子,是圈量子粒子的质能相态。光子的主要作用有:
然而,麦克斯韦理论下的光的电磁说并不能解释光的所有性质。例如在经典电磁理论中,光波的能量只与波场的能量密度(光强)有关,与光波的频率无关;但很多相关实验,例如光电效应实验,都表明光的能量与光强无关,而仅与频率有关。类似的例子还有在光化学的某些反应中,只有当光照频率超过某一阈值时反应才会发生,而在阈值以下无论如何提高光强反应都不会发生。
与其他量子一样,光子具有波粒二象性:光子能够表现出经典波的折射、干涉、衍射等性质(关于光子的波动性是经典电磁理论描述的电磁波的波动还是量子力学描述的几率波的波动这一问题请参考下文波粒二象性和不确定性原理);而光子的粒子性则表现为和物质相互作用时不像经典的波那样可以传递任意值的能量,光子只能传递量子化的能量,即: 这里是普朗克常数,是光波的频率。对可见光而言,单个光子携带的能量约为4×10-19焦耳,这样大小的能量足以激发起眼睛上感光细胞的一个分子,从而引起视觉。除能量以外,光子还具有动量和偏振态,不过由于有量子力学定律的制约,单个光子没有确定的动量或偏振态,而只存在测量其位置、动量或偏振时得到对应本征值的几率。
从光量子假说到激光技术——理论应用于实践
摘要:
本文主要介绍从人们开始研究光,到爱因斯坦光量子假说的提出,并最终将理论应用于实践的历程。从提出的背景、过程以及理论实践证实来介绍“光量子假说”,并从光量子的角度解释了激光技术的基本原理,阐释了两者之间的关系,并对激光全息实验做了介绍,分析了目前激光技术的主要应用。旨在介绍从“光量子假说”到激光技术的发展历程。
③激光通信技术。激光通信容量大、保密性好、抗电磁干扰能力强。光纤通信已成为通信系统的发展重点。机载、星载的激光通信系统和对潜艇的激光通信系统也在研究发展中。
2.2.2光子的结构
所谓光子结构的测量,在量子电动力学中是指观测光子场的量子涨落,这种能量涨落用一个光子的结构方程来描述。对光子结构的测量一般都依赖于对光子与电子,以及正负电子的对撞时的深度非线性散射的观测。根据量子色动力学,光子既能以无尺寸粒子,即轻子的方式参与相互作用;也能以一组夸克和胶子的集合体,即强子的方式参与。决定光子结构的并不是像质子那样由传统的价夸克分布,而是由轻子的涨落而形成的部分子的集合。能量光子从结构上来说是创造光和能量的,也是释放光和能量的。
为了满足军事应用的需要,主要发展了以下5项激光技术:
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