磁电阻材料及其应用
巨型磁电阻材料的研究进展
巨型磁电阻材料的研究进展近年来，随着信息技术的不断发展，巨型磁电阻材料因其独特的磁电效应得到了广泛的研究与应用。
巨型磁电阻材料的研究进展对于现代信息技术的发展具有重要的意义。
本文将综述近年来巨型磁电阻材料研究领域的进展。
一、简介所谓磁电阻效应，就是材料在磁场影响下，其电阻产生变化。
巨型磁电阻是指在外加磁场作用下，其电阻随磁场方向的变化而变化的磁性材料。
这一效应的发现和研究可以追溯到20世纪70年代，在过去的几十年中，巨型磁电阻材料的性能得到不断地提高和发展。
这种材料具有广泛的应用前景，在高灵敏度传感器、存储芯片以及磁性存储等领域都有重要的应用。
二、巨型磁电阻材料的种类巨型磁电阻材料一般分为二维和三维结构的材料。
其中，二维结构的巨型磁电阻材料主要有沿轴或层状晶体结构的磁性柔性瓷体、铁电薄膜和纳米晶体。
三维结构的巨型磁电阻材料一般为磁性金属，如铁、镍和钴等材料。
这些材料具有优良的性能，可用于磁存储器、传感器、磁性导航等领域。
三、磁电阻效应机理巨型磁电阻材料的磁电阻效应是由于磁畴旋转或移动引起的。
磁畴旋转和移动可以改变材料的电阻，从而显示出磁电阻效应的特性。
磁性颗粒的微观结构和磁畴结构的变化及其与电子结构等方面的研究对于磁电阻效应机理的研究尤为重要。
四、巨型磁电阻材料的制备方法目前，制备巨型磁电阻材料的方法主要有物理气相沉积法、溅射法、化学还原法、层状堆垛法、溶胶-凝胶法等。
其中，物理气相沉积法因其薄膜制备的优势被广泛应用于界面磁电材料的研究。
溅射法也是一种常用的制备方法，在制备厚膜和薄膜方面较为常用。
化学还原法制备巨型磁电阻材料可以控制材料的尺寸和形貌，具有制备复杂结构样品的优势。
五、巨型磁电阻材料的应用前景巨型磁电阻材料具有广泛的应用前景，可用于磁传感器、磁存储器、自动控制系统、磁性导航等领域。
同时，随着新一代信息技术的不断发展，巨型磁电阻材料在高密度存储器、磁性芯片以及磁性传感器等领域的应用将会越来越广泛。
让你彻底明白0欧姆电阻和磁珠及电感的区别和应用
0欧姆电阻 磁珠 电感电阻标值为0欧姆的电阻为0欧电阻。
0欧电阻是蛮有用的。
大概有以下几个功能：①做为跳线使用。
这样既美观，安装也方便。
②在数字和模拟等混合电路中，往往要求两个地分开，并且单点连接。
我们可以用一个0欧的电阻来连接这两个地，而不是直接连在一起。
这样做的好处就是，地线被分成了两个网络，在大面积铺铜等处理时，就会方便得多。
附带提示一下，这样的场合，有时也会用电感或者磁珠等来连接。
③做保险丝用。
由于PCB上走线的熔断电流较大，如果发生短路过流等故障时，很难熔断，可能会带来更大的事故。
由于0欧电阻电流承受能力比较弱（其实0欧电阻也是有一定的电阻的，只是很小而已），过流时就先将0欧电阻熔断了，从而将电路断开，防止 了更大事故的发生。
有时也会用一些阻值为零点几或者几欧的小电阻来做保险丝。
不过不太推荐这样来用，但有些厂商为了节约成本，就用此将就了。
④为调试预留的位置。
可以根据需要，决定是否安装，或者其它的值。
有时也会用*来标注，表示由调试时决定。
⑤作为配置电路使用。
这个作用跟跳线或者拨码开关类似，但是通过焊接固定上去的，这样就避免了普通用户随意修改配置。
通过安装不同位置的电阻，就可以更改电路的功能或者设置地址。
磁珠磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过 50MHZ。
磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号，而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。
要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。
隧道磁阻技术(TMR)及其应用简介
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（浙江巨磁智能技术有限公司Magtron段康靖）一、概述1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻（Magnetoresistance）。
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。
同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。
从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、异向磁阻（AMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。
2、磁阻应用：磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。
磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。
3、穿隧磁阻效应（TMR）：穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。
TMR效应由于具有磁电阻效应大、磁场灵敏度高等独特优势，从而展示出十分诱人的应用前景。
此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。
二、穿隧磁阻效应（TMR）的物理简释从经典物理学观点看来，铁磁层（F1）+绝缘层（I）+铁磁层（F2）的三明治结构根本无法实现电子在磁层中的穿通，而量子力学却可以完美解释这一现象。
当两层铁磁层的磁化方向互相平行，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，总的隧穿电流较大，此时器件为低阻状态；当两层的磁铁层的磁化方向反平行，情况则刚好相反，即多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，而少数自旋子带的电子也进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，此时隧穿电流较小，器件为高阻状态。
巨磁电阻效应及在物理实验中的应用
图５中可以看出，线性最佳范围应在外磁感应强 度０．１５～１．０ ｍＴ，精确测量时可选外磁感应强度在该 范围内。从图５所显示的巨磁电阻Ｒ（Ｂ）与磁感应强 度日关系数据可知：①当磁感应强度曰增加时，巨磁 电阻阻值Ｒ（日）减小；②当磁感应强度Ｂ增加到某一 值Ｂ。时，巨磁电阻中所有磁矩方向均与外磁场方向一 致，这时就达到了电阻阻值饱和，外磁场增加，巨磁电 阻阻值不变。上述这两个特点只能用多层膜巨磁电阻 的自旋电子学理论才能解释。
它是由４个相同的巨磁电阻（Ｒ。＝Ｒ：＝Ｒ，＝Ｒ。＝Ｒ）组
成的直流电桥结构，Ｒ：和Ｒ。由高导磁率的材料（坡莫 合金层）覆盖屏蔽，阻值对外磁场无响应。Ｕ＋端和Ｕ．
端间开路，∥。。和０端为待测电阻的两端，当传感器处 于外磁场时，Ｒ２＝Ｒ４＝Ｒ；Ｒｌ＝Ｒ３＝Ｒ＋ＡＲ，ＡＲ为外磁 场磁感应强度为口时，单个巨磁电阻的电阻改变量；
万方数据
地急剧增加。他们认为，巨磁电阻效应是一种全新的 物理现象，其物理根源可能归因于磁性导体中传导电 子的自旋相关散射口－。巨磁电阻效应的发现极大地 推动了凝聚态物理学和信息存储领域的发展，并逐渐 形成了一门新的学科——磁电子学（又称自旋电子 学）。巨磁电阻效应的研究不仅在学术界引起了广泛 的关注，在经济领域也取得了巨大的成功，计算机上使 用的巨磁电阻（ＧＭＲ）读出磁头在多媒体信息库、网络 服务等方面已经产生了巨大的商业价值和深远的影 响，利用磁电阻效应制成的各类磁传感器，也将在汽 车工业、国防、航天等方面创造出巨大的社会财富。
万方数据
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Ｖ －一
（ｂ）郐铁磁层磁矩平行排列 图２电子受散射示意图
8实验八-锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用
实验八 锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs ）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb ）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。
一、实验目的1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。
2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。
二、实验仪器FD-MR-Ⅱ型磁阻效应实验仪（直流双路恒流电源、 0~2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等）、示波器、电阻箱、正弦交流低频发生器及导线若干。
三、实验原理在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效应。
如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。
如果将图43-1中的 a 端和 b 端短路，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 )0(/ρρ∆表示。
其中)0(ρ为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为B 的磁场作用下的电阻率为)B (ρ，则 )0()B (ρρρ-=∆。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率 △R/R(0)正比于)0(/ρρ∆，这里△R = R(B)－R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小。
超巨磁电阻薄膜物理及应用
超巨磁电阻薄膜物理及应用摘要：由于在外界温度变化和磁场作用下表现出巨大的磁电阻效应(CMR)，超巨磁电阻材料成为一个热点研究课题。
CMR材料在硬盘读出磁头，随机存储器上极具潜力，在磁传感器、光热辐射探测器、场效应晶体管及磁制冷等方面的应用也崭露头角。
首先介绍了CMR薄膜材料的结构和机理，接着详细讨论了它们在器件应用上，尤其是在激光感生电压热电电压效应(LITV)、Bolometer、传感器等有关方面的应用进展。
最后展望了CMR薄膜未来的应用前景。
引言众所周知，许多物质在外磁场作用下都可观察到磁致电阻效应，但一般材料最大只有2％～3％。
l988年，法国巴黎大学的巴西学者Baibich等⋯首次报道了Fe／Cr超晶格的磁电阻变化率达到50％，比通常的磁电阻效应大一个数量级，而且远远超过多层膜中Fe层磁电阻变化的总和，这一现象被称为巨磁电阻效应(GiantMagnetoresistance，简记为GMR)。
此后，人们相继在自旋阀，颗粒膜，非连续膜和隧道结以及钙钛矿锰氧化物薄膜中发现了巨磁电阻效应。
值得关注的是，1993年，Helmolt等在LaBaMnO3薄膜中观察到了更巨大的负磁阻效应，其MR效应可达到l0 ％～l0。
％，引起了物理、计算机、材料和自动控制等领域的众多科学家的极大兴趣，因为这预示了巨磁电阻效应的研究不仅由金属、合金样品扩展到了氧化物材料，还提出许多前沿的物理问题，这无疑将对巨磁电阻材料的实际应用起到巨大的推动作用。
随后的进一步研究发现，掺杂稀土锰氧化物在磁场下的反常输运性质不同于金属磁性超晶格样品中的巨磁电阻效应，而是与氧化物高温超导体中电子的强关联和输运更相近。
因而，掺杂稀土锰氧化物的磁电阻随外磁场变化的现象又称为超巨磁电阻效应(ColossalMagnetoresistance，CMR)，并与强关联物理联系在一起。
本文简单介绍了超巨磁电阻材料的结构和机理，着重讨论了近年来CMR材料在LITV 器件，Bolometer，传感器及磁随机存储器等方面的应用进展，最后展望了CMR材料的发展前景。
巨磁电阻的应用
参考文献
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三巨磁电阻材料的应用现状1巨磁电阻传感器2巨磁阻磁记录读出磁头3巨磁电阻随机存储器mram1巨磁电阻传感器巨磁电阻传感器采用惠斯登电桥和磁屏蔽技术传感器基片上镀了一层很厚的磁性材料这层材料对其下方的巨磁电阻形成屏蔽不让任何外加磁场进入屏蔽的电阻器
一、巨磁电阻效应的定义
所谓巨磁电阻效应,是指材料的电阻率将受磁化状态 的变化而呈现显著改变的现象。一般定义为 GMR=[(P0-PH)/P0]×100% 其中,PH为在磁场H作用下材料的电阻率,P0指无外磁场作 用下材料的电阻率.
三、巨磁电阻材料的应用现状
1、巨磁电阻传感器 2、巨磁阻磁记录读出磁头 3、巨磁电阻随机存储器(MRAM)
1、巨磁电阻传感器
巨磁电阻传感器采用惠斯登 电桥和 磁屏蔽技术，传感器基 片上镀了一层很厚的磁性材料， 这层材料对其下方的巨磁电阻形 成屏蔽，不让任何外加磁场进入 屏蔽的电阻器。惠斯材料上方，受外加磁 场影响是电阻减少，而R2和R4 在磁性材料下方，被屏蔽阻值不 变。
巨磁电阻传感器由于具有巨大的GMR值和较大的磁场 灵敏度,表现出更强的竞争能力。 它大大提高传感器的分辨率,灵敏度、精确性等指标, 特别是在微弱磁场的传感方面,如可用于伪钞识别器等方 面,则显出更大的优势。更广泛的应用是各类运动传感器, 如对位置、速度、加速度、角度、转速等的传感,在机电 自动控制、汽车工业和航天工业等方面有广泛的应用。
巨磁电阻效应及其应用实验报告
巨磁电阻效应及其应用实验报告引言巨磁电阻（GMR）效应是一种在特定材料中的电阻随着磁场强度的改变而发生改变的现象，这个现象在1988年被发现并且被认为是一种非常重要的物理现象。
GMR效应的发现因其在信息存储和传输方面的应用而获得广泛的关注。
本实验旨在通过对GMR效应的测量来研究其基本性质以及应用。
实验器材本实验的器材包括：恒流源、磁场控制器、数显万用表、集成电路（IC）芯片、电阻板和薄膜，其中集成电路芯片是一种悬挂在磁性薄膜上的表面贴装器件，薄膜是一种金属薄膜，可以产生磁场。
实验步骤1.将IC芯片放置在电阻板的中心位置。
2.将磁性薄膜放置在IC芯片顶部，注意不要碰到芯片。
3.将恒流源的电流调节到正确的数值，根据实验需求选择恒流源的最大或最小电流值。
4.打开磁场控制器，使用磁场控制器来控制磁场的强度，根据需要进行改变。
5.使用数显万用表来测量芯片中的电压。
6.根据实验的需要调整电阻板和薄膜之间的距离。
实验结果实验结果表明，在施加不同大小的磁场时，IC芯片的电阻会发生变化，这种变化非常灵敏，能够实现高精度的控制。
此外，IC芯片的电阻随着磁场的强度增加而减小，这表明芯片的电阻具有“负巨磁电阻”效应。
讨论与结论巨磁电阻效应是一种非常重要的物理现象，它在信息存储和传输方面具有非常广泛的应用。
本实验展示了GMR效应的基本特性，并探讨了其在实际应用中的潜在价值。
我们可以通过调整材料的性质来提高其敏感度和精度，从而扩展其现有应用。
总之，GMR效应在信息技术领域是一个革命性的技术，它为我们提供了一种新的方式来控制和处理信息。
通过进一步研究和优化，我们可以更好地利用这个效应，实现更高效的数据传输和处理。
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磁电阻材料及其应用
摘要：磁电阻材料在现代科技中有着广泛的应用。
磁电阻材料种类很多，本文主要介绍了磁电阻材料中的磁各向异性材料和巨磁电阻材料，其中由于巨磁电阻材料有着及其广泛的应用，本文重点介绍了巨磁电阻效应和它的应用。
关键词：磁电阻材料，磁各向异性电阻，巨磁电阻，应用Magnetoresistance Materials And It’s Applications
Abstract: Magnetoresistance materials have a wide range of applications in contemporary society.The species of magnetoresistance materials are great.In this article,I mainly introduce the anisotropic magnetoresistance materials and giant magnetoresistance materials of magnetoresistance materials.As the giant magnetoresistance materials have a wide applications comparing to the magnetically anisotropic substance,so I will mainly introduce the giant magnetoresistance and it’s applications.
Key words:magnetoresistance materials;anisotropic magnetoresistance; giant magnetoresistance;application
引言
在当今信息时代里，信息高速公路的逐步建立和发展，促使物理工作者不断地发掘和探索新型的功能材料，以适应高密度信息存储和快速读写的需要，磁电阻的研究正是在这种需要下应运发展起来的[1]。
各向异性磁电阻在磁头上的应用使磁记录有了重要的发展。
巨磁电阻材料是具有显著远大于一般磁电阻效应的磁性材料。
由于巨磁电阻在磁传感器和磁记录的读出磁头等高新技术中有着广泛和重要的应用，因而成为当前的重要科学研究项目[2]。
1 磁电阻材料
1.1 磁电阻效应及其应用
所谓磁电阻(magnetoresistance，MR)效应，是指某些铁磁性材料在受到外加磁场作用时引起电阻变化的现象[3]。
磁电阻效应是近几年凝聚态物理、材料科学的研究热点，由于其具有重要的科学意义和极其广泛的应用前景，使磁电阻材料的研究在最近十几年内取得了重大的进展。
并且已在许多领域内开始应用。
众所周知，磁场可以使许多金属的电阻发生改变，只不过变化率很小，这种磁场引起的电阻变化被称为磁致电阻或磁电阻[4]。
在磁电阻效应发现后的不长时间内，
不断开发出一系列崭新的磁电子学器件，使计算机外存储器的容量获得了突破性进展，并使家用电器、自动化技术和汽车工业中应用的传感器得以更新。
最近对半导体．金属复合结构的超大几何磁电阻进行了研究。
首先对一种非磁性半导体．金属复合器件进行研究，观测到其室温磁电阻在0．05 T和4 T时可以达到100％和7．5×105％。
目前已经研制成读写磁头传感器，可以使磁盘的存储密度达到116 Gb每平方英寸[5]。
1.2 各向异性磁电阻(AMR)效应及其应用
在铁磁金属及其合金中，可以观察到明显的磁电阻效应，这是和物质的磁化有关的效应，是由于铁磁性磁畴在外场的作用下各向异性运动造成的。
由于磁电阻效应的大小与磁化强度的取向有，所以称为各向异性磁电阻(anisotropic magneoresistance)效应[6]。
各向异性磁电阻效应尽管不大，但将其应用于磁头使磁记录有了革命性的发展。
此外，利用各向异性磁电阻效应的位移传感器可用于数控机床、非接触开关；角度传感器可用于汽车测速与控速及旋转解码器等。
所有这类磁电阻传感器具有灵敏度高、功耗小、体积小、可靠性高等一系列优点[7]。
1.3 巨磁电阻材料
巨磁电阻(GMR．giant magnetoresistance)材料是指在外磁场的作用下电阻发生显著变化(通常是指电阻降低)的一类功能性材料，当该类材料的电阻随外磁场的变化十分巨大时，也被称为超磁电阻(CMR，colossal magnetoresistance)材料[8]。
1.3.1 具有GMR效应的材料
（1）磁性金属多层膜
铁磁层和非磁层交替重叠构成的金属磁性多层膜常具有巨磁电阻效应，其中每层膜的厚度均在纳米量级。
（2）自旋阀
目前，实用多层膜是所谓的自旋阀，典型的自旋阀结构主要由铁磁层（自由层）+ 隔离层（非磁性层）+ 铁磁层（钉扎层）+ 反铁磁层组成。
（3）金属颗粒膜
所谓金属颗粒膜，是指铁磁性金属以颗粒的形式分散地镶嵌于非互熔的非磁性金属的母体中，其巨磁电阻效应普遍认为是来源于自由传导电子在颗粒与母体之间的界面上及磁性颗粒内部的自旋相关散射。
（4）磁性隧道结
通过两个铁磁金属膜之间的金属氧化物势垒的自旋极化隧穿过程也可以产生GMR效应。
（5）超巨磁电阻
目前已发现的具有GMR效应的材料有掺杂稀土锰氧化物，铊系锰氧化合物以及铬基硫族尖晶石。
由于它们具有很高的磁电阻，故称之为超巨磁电阻[9]。
1.3.2 GMR材料的应用
巨磁电阻材料之所以在全世界广泛受到重视，是和它重要的应用分不开的。
实际上在GMR出现之前，数值不大的AMR已得到应用。
因此GMR一经发现，人们立即意识到会发展比AMR器件更为灵敏的GMR器件。
GMR的基础研究及应用开发和开发研究几乎是齐头并进的。
（1）巨磁电阻传感器
传统的磁电阻传感器主要有半导体及磁性合金两种。
半导体磁电阻器件具有
磁电阻比值及线性度好的优点，但有所需磁场较高，温度稳定性不够好的缺点。
磁性合金薄膜器件饱和场低，灵敏度高，温度稳定性好，还有价廉之优点。
巨磁电阻传感器由于具有巨大的GMR值和较大的磁场灵敏度，表现出更强的竞争能力，用来代替传统磁电阻传感器，可大大提高传感器的分辨率，灵敏度、精确性等指标，特别是在微弱磁场的传感方面，如可用于伪钞识别器等方面，则显出更大的优势。
更广泛的应用是各类运动传感器，如对位置、速度、加速度、角度、转速等的传感，在机电自动控制、汽车工业和航天工业等方面有广泛的应用。
（2）巨磁阻磁记录读出磁头
传统的电磁感应式磁头，在读取高密度磁记录信息时，信噪比也不能满足要求。
此时对应于每个记录位的磁通量是微弱的。
如果采用薄膜电阻磁头读取信息，磁场的微弱变化对应着磁电阻的显著变化，是读取高密度磁记录信息较理想的手段。
因此，磁电阻头及巨磁电阻读出磁头就成为实现新型超高密度磁记录的关键技术及目前唯一有效途径。
(3) 巨磁电阻随机存储器（MRAM）
最近，在巨磁电阻用于内存的主要组成部分—随机存储器RAM方面获得较大进展。
二十世纪五、六十年代普遍使用的RAM由微型铁氧体磁芯组成；在二十世纪七十年代被半导体代替。
目前计算机RAM多采用硅集成电路组成。
动态及静态随机存储器（DRAM及SRAM），DRAM存储量大，价格低，为RAM的主流，但速度稍慢；SRAM的速度可达纳秒量级，但存储密度稍低，而且价格较高。
二者均为易丢失性。
近几年来，不丢失性的磁电阻和巨磁电阻随机存储器在迅速发展。
1995年报道了开关速度可达亚纳秒的自旋阀型MRAM记忆单元，及由16Mb的MRAM晶片组成的256M 字节的MRAM芯片的设计报告。
铁磁隧道结型MRAM的实验亦在进行。
除了以上三方面的主要应用外，巨磁电阻在磁电子学中有更广泛的应用，如各种无接触磁控器件以及自旋晶体管等，正在探索中[10]。
2 结语
磁电阻材料有着广泛的应用前景，尤其是巨磁电阻材料应用更为广泛。
不过，各种磁电阻材料产生磁电阻效应的物理本质至今仍未完全清楚；对于GMR材料的开发和应用，重要任务之一还是设法提高各类GMR材料的室温MR值和降低其工作磁场。
这需要科学工作者来攻关解决。
3 参考文献
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