模拟电子电路习题课.

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模电习题讲解与解析(第6版)2020

模电习题讲解与解析(第6版)2020

vi2
∵i3=i4,
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时, vo vi1 vi2
分析:A1、 A2 电压跟随器
A3: vo1“”端 ,vo2“+”端, 加减电路
R2 R1
)
2

(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO =6V
in=0
in=0
(c) vn = vp =0 , in=0
vo vn= 2V
vo = 2V
(d) vn = vp =2V, in=0
vo = vn = vp =2V
方法一:公式法 vi“+”端 ,同相放大电路 同相放大电路通用公式:
vo vo vo =0.6+1.2V =1.8V
vp1
vp2
方法二:虚短虚断法 : vp = vn, ip=in=0
A1: i1=i21 , vn1=vp1=0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6=1.2V
50
A2:i2=i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号

(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ,VO =VZ
解: (1) VO = VZ , IR = IO + IZ , VI = VR + VO

模拟电子技术基础习题ppt课件

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17. 当静态工作点设置偏高时,会引起___饱和___失真,单 级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波, 需将基极上偏置电阻的值调____大____。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多,其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中,与相位相反的是___共射 ___电路,与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__,反向电阻为__无穷大___, 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___,在该区内 的反向电流有较大变化,但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时,二极管的正向特性曲线将__左移___, 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性,制成杂质半导体;利用半导
体的__光敏__特性,制成光敏电阻;利用半导体的_热敏__ 特性,制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__,加反向电压时_截止_,这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压,使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中,三个电极的电位分别
为 V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V,试判断晶体管的类型是 ___PNP_____,材料是____锗___。
11. 温度升高时,晶体管的电流放大系数将___增加___,穿 透电流将___增加___,发射极电压将___减小____。
12 温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将____左___移, 输出特性曲线将___上____移,而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为:BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 (带反馈Re)
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课(一)
共射小信号(微变)等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1(小于1)因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课(一)
共基小信号(微变)等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课(一)
直流等效电阻 RD:
RD
VD ID
交流(动态)电阻 rd:
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课(一)
共射(共E)BJT工作原理
以发射极(E极)作为公共端,EB结正偏,CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。

(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解:对于(a)来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。

采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。

1~4章习题课 模电 武汉理工

1~4章习题课 模电 武汉理工
iD2 V2 uI i2 R2
iD1
V1 uI V2 uI ( i1 iD2 ) ( ) R1 R2
iD1 iD2
2uI 24 5 18 uI 5
+
iD1 D1 i1
iD2 D2 i2 R2 V2
+
D1导通的条件是uI>12 V
uI
R1 5 kW
模拟电子技术基础
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中,发光二极管导通 电压VD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正 常工作。试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R的取值范围是多少?
解:(1)当开关S闭合时发光二极管才能发光。 (2)为了让二极管正常发光,ID=5~15mA, R的范围为
R i R b //[rbe (1 )R L ] 18 //(0.56 101 0.11) 7kW
Avs

Ri ( 1 )RL Ri Rs rbe ( 1 )RL
7 101 0.11 0.877 。 7 0.6 0.56 101 0.11
2.2.5 电路如题图所示,设所有稳压管均为硅管 (正向导通电压为VD=0.7V),且稳定电压VZ= 8V,已知vi=15sinωt (V),试画出vO1和vO2的 波形。
模拟电子技术基础
当 vi VZ 8V 时,稳压管 DZ 反向击穿,vo=8V ; 当 vi VD 0.7V 时,稳压 管 DZ 正向导通,vo=−0.7V ; 当 0.7V VD vi VZ 8V 时,稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿,vo=vi 。
50 3 3 0.5
150
Vi
Ri Rb1 Rb 2 rbe 0.5k W

模电习题

模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场,用导线将P 区端和N 区端短接起来,导线中是否有电流流过?若加光照或加热,导线中是否有电流?为什么?1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时,发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小,试用伏安特性曲线解释。

1-3 如图题1.3所示,试判断电路中哪个二极管导通,哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ,求U 0。

(a) (b )题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。

为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ,它们的正向导通电压为O .7V ,试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示,若电源电压的有效值为12V , A 、B 、C 为三只相同的灯泡,问哪只灯泡最亮,并求各灯泡两端电压的平均值。

题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时,为了使表棒和二极管引线接触好一些,用双手把两端捏紧,结果测得二极管的反向电阻比较小,认为不合格,但在设备上却正常工作,这是什么原因?这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好,稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结,可否用两个二极管相联以构成一只三极管?说明理由。

1-10 一只NPN型的三极管,具有e、b、c三个电极,能否将e、c两个电极交换使用?为什么?1-11一块正常工作的放大电路板上,测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V,试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型?是锗管还是硅管?并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。

1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下:1)V C=6V,V B=7V,V E=0V;2)V C=6V,V B=67V,V E=5.4V; V C=3.6V,V B=47V,V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好?如果管子已经确定,为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围?第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。

模拟电子技术课程习题第六章放大电路中的反馈

模拟电⼦技术课程习题第六章放⼤电路中的反馈第六章放⼤电路中的反馈要得到⼀个由电流控制的电流源应选⽤[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈要得到⼀个由电压控制的电流源应选⽤[ ] A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求互导增益A iuf= I O/U i稳定应选[ ] A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求互阻增益A uif=U O/I i稳定应选[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求电流增益A iif=I O/I i稳定应选[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈放⼤电路引⼊交流负反馈后将[ ]A.提⾼输⼊电阻B.减⼩输出电阻C.提⾼放⼤倍数D.提⾼放⼤倍数的稳定性负反馈放⼤电路产⽣⾃激振荡的条件是[ ] =1 =-1C.|AF|=1D. AF=0放⼤电路引⼊直流负反馈后将[ ]A.改变输⼊、输出电阻B.展宽频带C.减⼩放⼤倍数D.稳定静态⼯作点电路接成正反馈时,产⽣正弦波振荡的条件是[ ] A. AF=1 B. AF=-1C. |AF|=1D. AF=0在深度负反馈放⼤电路中,若开环放⼤倍数A增加⼀倍,则闭环增益A f将A. 基本不变B. 增加⼀倍[ ]C. 减⼩⼀倍D. 不能确定在深度负反馈放⼤电路中,若反馈系数F增加⼀倍,闭环增益A f将[ ]A. 基本不变B.增加⼀倍C. 减⼩⼀倍D. 不能确定分析下列各题,在三种可能的答案(a.尽可能⼩,b.尽可能⼤,c.与输⼊电阻接近)中选择正确者填空:1、对于串联负反馈放⼤电路,为使反馈作⽤强,应使信号源内阻。

2、对于并联反馈放⼤电路,为使反馈作⽤强,应使信号源内阻。

3、为使电压串联负反馈电路的输出电阻尽可能⼩,应使信号漂内阻。

模拟电子技术课程习题第六章放大电路中的反馈

第六章放大电路中的反馈要得到一个由电流控制的电流源应选用[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈要得到一个由电压控制的电流源应选用[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求互导增益Aiuf = IO/Ui稳定应选[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求互阻增益Auif =UO/Ii稳定应选[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈在交流负反馈的四种组态中,要求电流增益Aiif =IO/Ii稳定应选[ ]A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈放大电路引入交流负反馈后将[ ]A.提高输入电阻B.减小输出电阻C.提高放大倍数D.提高放大倍数的稳定性负反馈放大电路产生自激振荡的条件是[ ] =1 =-1C.|AF|=1D. AF=0放大电路引入直流负反馈后将[ ]A.改变输入、输出电阻B.展宽频带C.减小放大倍数D.稳定静态工作点电路接成正反馈时,产生正弦波振荡的条件是[ ] A. AF=1 B. AF=-1C. |AF|=1D. AF=0在深度负反馈放大电路中,若开环放大倍数A增加一倍,则闭环增益Af将A. 基本不变B. 增加一倍[ ]C. 减小一倍D. 不能确定在深度负反馈放大电路中,若反馈系数F增加一倍,闭环增益Af将[ ]A. 基本不变B.增加一倍C. 减小一倍D. 不能确定分析下列各题,在三种可能的答案(a.尽可能小,b.尽可能大,c.与输入电阻接近)中选择正确者填空:1、对于串联负反馈放大电路,为使反馈作用强,应使信号源内阻。

2、对于并联反馈放大电路,为使反馈作用强,应使信号源内阻。

3、为使电压串联负反馈电路的输出电阻尽可能小,应使信号漂内阻。

在讨论反馈对放大电路输入电阻Ri的影响时,同学们提出下列四种看法,试指出哪个(或哪些)是正确的:a.负反馈增大Ri ,正反馈减小Ri;b.串联反馈增大Ri ,并联反馈减小Ri;c.并联负反馈增大Ri ,并联正反馈减小Ri;d.串联反馈增大Ri ,串联正反馈减小Ri;选择正确的答案填空。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3

习 题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中,1T 、2T 、3T 的特性都相同,且321βββ==很大,===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ,计算21U U −。

题图3.1 解:43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA , 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。

题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。

设三极管的β相等,=BE U 0.6V ,=CC V +15V 。

要求:①设反向饱和电流2S 1S I I =,根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。

②若要求mA 5.01C =I ,μA 202C =I ,则电阻R 、E R 。

题图3.2解:①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈, RU V I I BE CC 1C REF −=≈。

②mA 5.01C =I ,μA 202C =I 时,Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R , Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。

题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。

图中所有三极管均为硅管,−=BE U 0.7V ,>>β1。

计算1o I 、2o I 和3o I 。

题图3.3解:mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I , μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I , m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。

题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中,设==21U U 10V ,Ωk6.81=R ,Ωk7.42=R ,三个晶体管的特性均相同,且=β50,=BE U 0.7V 。

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P15 2.1(4)
2.1 E
P NP
C 1.8
0.7 B
0.4
1.4
三极管直流分析,估算法
1.设晶体管处于线性放大状态。 2.分析线性电路,VBE VBEON ,IC IB 。 3.确定晶体管工作状态。
放大 饱和 截止
NPN VBE>0.7V;VCE>0.3 VBE>0.7V;VCE<0.3 VBE<0.5V;VCE>0.3
场效应管饱和区电流
MOS
ID
nCoxW
2l
VGS VGSth
2
2
JFET ID
P作业本21 3.3
I DSS
1
VGS VGS off
p书129 3-6
沟道长度调制效应忽略不计, 0
IGQ 0
VGS
RG 2 VDD RG1 R G2
-
IDQRS
4 I DQ V
设MOS管工作在饱和区,则
ID
nCoxW
2l
VGS VGSth
2 0.08 VGSQ 1.5 2
mA
联立求解上述方程:VIGDSQQ
0.37mA 3.63V
IDQ 17.14mA
VGSQ 13.14V 舍去
由图及上述分析结果得 VDSQ VDD - - IDQ R D RS 5.99
满足 VDS VGS VGSth
P书131 3-13
场效应管估算法
无论P还是N沟道,都先假设工作在饱和区。 (1)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间的关系式。 (2)根据FET的类型,选择合适的数学模型。 (3)联立求解上述方程。在得到的两组解中,根据FET选
取合适(VGS)的一组。
(4)判断电路工作模式: VDS VGS VGSth
1
2.62 mA
+6V 2K RE
IB IE IC 0.03mA
VCE VC VE 6 12 IC 0.7 24.74mA
满足-VCE<0.3,.4 0.53mA 12
P书93 2-19
-6V RC 12K
100
复合管
P书92 2-13
结论: 1 2
场效应管
判断P、N沟道?增强型还是耗尽型或结型? (1)N沟道:VDS>0,ID流入管子漏极。
P沟道:VDS<0,ID自管子漏极流出。 (2)VGS极性取决于工作方式及沟道类型
JFET:VGS与VDS极性相反。
MOSFET增耗强尽型型::VVGGSS与取V值DS任极意性相同
2.判断管型。NPN型管 VB VE ,PNP管 VB VE 。 3.判断材料。硅管的 VBE 0.7V ,锗管的 VBE 0.2V 。
PNP三极管特点:
放大区 饱和区 截止区
发射结
正 VBE=-0.7 正 VBE=-0.7

集电结
反 (电源VCC为负值) 正 VBC=-0.4 VCE=-0.3
PNP -VBE>0.7V;-VCE>0.3
-VBE>0.7V;-VCE<0.3
-VBE>0.7V;-VCE>0.3
复合管
P书92 2-13
结论: 1 2
P书92 2-19
VCC(-9V)
RB1
RC
RB2
RE
P16 2.6(b)
假设工作在放大模式
IE
6 0.7 RE
2.65mA
IC
IE
二极管估算法
1.判断二极管导通与截止。 假设电路中二极管全部开路,分析二极管两
端电位(当电路存在多个二极管时,存在 优先导通权,正偏电压最大的管子优先导 通),分为理想和实际二极管两种。 2.利用上述分析方法将截止的二极管开路, 3.画输出信号波形。 P书28 例2
确定二极管的工作状态。P7(四)1、
模拟电子电路习题课
——主讲教师: 玄玉波
画出二极管输出电路波形?
1.根据输入信号大小,判断二极管导通与截 止。
假设电路中二极管全部开路,分析二极管两 端电位(当电路存在多个二极管时,存在 优先导通权,正偏电压最大的管子优先导 通)
2.找出 VO 与 Vi 的关系。 3.画输出信号波形。 P6(三)P8六1.
假设成立
gm 2
CoxW
2l
I DQ
0.34 mA
因为, 0 则 rds 1/ IDQ
+
5V -
VO
+ 5V-
确定二极管的工作状态。P7(四)1、
+
VZ
i
正向 +
-
O
v
A
IZmin
反向
B
IZmax
双极性三极管,放大状态,用直 流电压表测得各三极管的各极电 位(对地)。试判断三极管的电 极、管型及所用材料?p13
1.判断电极:基极电位 VB 居中。对NPN管 VE VB VC 对PNP管 VE VB VC 。发射极和基极 电位差绝对值硅管0.7V左右,锗管0.2V左右, 据此可找出发射极e,并判断管子材料。最后 剩下的电极便为集电极c。
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