东大21年1月考试《模拟电子技术基础X》考核作业【标准答案】
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
电子技术基础模拟题(附答案)
电子技术基础模拟题（附答案）一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、风压偏置电路的特点是:静态工作点（）A、不稳定。
B、稳定。
C、很不稳定。
正确答案：B2、多谐振荡器有（）个稳定状态。
A、2B、1正确答案：B3、高电平用0表示，低电平用1表示，称为正逻辑。
A、✔B、×正确答案：B4、一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中（）A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案：C5、零点漂移就是静态工作点的漂移。
A、✔B、×正确答案：A6、集成运放电路是一个集成的多级放大电路。
A、✔B、×正确答案：A7、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
A、✔B、×正确答案：A8、将二进制数1111011写成十进制数应是（）A、123B、173C、132正确答案：A9、共集电极电路有电压放大作用，也有电流放大作用A、✔B、×正确答案：B10、与门的逻辑功能是（）A、有0出1。
有1出0。
B、有0出0。
全1出1。
C、有1出1。
全0出0。
正确答案：B11、与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、部分高为高。
C、全低为高。
正确答案：C12、组合逻辑电路一般由各种门电路组成。
A、×B、✔正确答案：B13、全加器是一个只能实现本位两个进制数相加的逻辑电路。
A、✔B、×正确答案：B14、硅二极管的正向压降是（）A、0.3B、0.7C、0.1正确答案：B15、在JK啊？出发器中，当J=0 k=1时触发器（）A、状态不变B、置0C、置1正确答案：B16、将二进制数11011写成十六进制数应是（）A、33B、1BC、1A正确答案：B17、非门的逻辑功能室有一出零，有零出一。
A、×B、✔正确答案：B18、设桥式整流电容滤波电路的输入电压是14.1V则其输出电压为。
A、1.2*14.1VB、0.9*14.1VC、10V正确答案：A19、放大电路的动态是指（）信号时的状态。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
自动化《模拟电子技术基础》 山东大学网络教育 模拟题 答案
模拟电子技术基础一、单项选择题：1．多数载流子为自由电子的半导体是__ B ____。
A 、P 型半导体B 、N 型半导体C 、杂质半导体D 、纯净半导体 2．半导体二极管的基本特性是__ B____。
A 、多子扩散B 、单向导电C 、少子漂移D 、载流子复合 3．若要使基本放大器不失真的放大交流信号，三极管必须工作在___C___状态。
A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D.击穿4．对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下得到尽可能大的__B____。
A. 交流输出电压 B. 交流输出功率 C. 交流输出电流 D.输出电阻 5． 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路的主要目的是__A____。
A. 抑制零点漂移B.克服交越失真C.提高电压放大倍数D.改变输出电阻6． 振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的___D___。
A. 稳幅环节 B. 基本放大电路 C. 正反馈网络 D.选频网络 7．场效应管放大器的突出优点是____A__。
A. 输入电阻很大B. 输出电阻小C. 电压增益大D.电流增益大8．放大电路中，如要增大输入电阻同时减小输出电阻，应引入_____C 反馈。
A.电流串联 B.电压并联 C.电压串联 D.电流并联二. 放大电路如图所示。
设C 1、C 2对交流可视为短路，三极管的U BE =0.7V ，β＝50。
1. 求电路的静态工作点（I B 、I C 、U CE ）。
2. 画出放大器的交流小信号等效电路。
3. 求电压放大倍数；输入电阻；输出电阻。
R U (+12V)+ o2K200Kc TCC +V 2KR bLR + U iC 1 C 2iR oR三．已知互补对称功率放大器电路如图所示，求解下列各题： 若输入电压u i =5V （有效值），求输出功率P o1． 忽略功率管的饱和压降。
估算该功率放大器的最大输出功率P om 。
2． 说明二极管D 1、D 2的作用。
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx
模拟电子技术基础试卷一及参考答案（总分150分）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后，其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态，设R「RMR L,则电路的电压增益为（）g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺； d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为（ a.Rg+（l?jj//7?g2） c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指（）a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮，A 为理想运放，a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中，若输入电压△5尸80诃，二60mV,则差模输入电压为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo） b. /?g.//（/?g]+/?g2） d. [R g +（心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为（）c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。
A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A ：饱和状态B ：截止状态 C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
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1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院
模拟电子技术基础X 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 8 页）
1.N 型半导体是在本征半导体中加入（ D ）后形成的。
A 、电子
B 、空穴
C 、三价元素
D 、五价元素
2.其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 （ D ）
A 、电压负反馈
B 、电流负反馈
C 、串联负反馈
D 、并联负反馈
3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 （ B ）
A 、
B 、
C 、
4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示， 说明电路中出现的失真是( C ) 失真。
A 、饱和
B 、截止
C 、交越
5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入（ A ）。
A 、直流负反馈
B 、交流负反馈
C 、交流正反馈
D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 （ B ）。
A 、变宽
B 、变窄
C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是（ A ）。
A 、输出电压与输入电压相位相同
B 、输入电阻，输出电阻适中
C 、电压放大倍数大于1
D 、电流放大倍数大于1
8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ B ）。
A 、硅PNP 型
B 、硅NPN 型
C 、锗PNP 型
D 、锗NPN 型 9. 场效应管与双极型晶体管相比，具有（ A ）。
A 、更大的输入电阻
B 、更小的输入电阻
C 、相同的输入电阻
10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 （ C ）。
A 、-10V
B 、-5V
C 、0V
D 、+5V
1=F A 1
-=F A 1|1|>>+F A。