电子元器件参数符号定意
电子元件符号、作用、单位大全
电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Q、K Q、MQ表示。
一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）――电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10A6uF=10A12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D- 铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、丫-云母、Z-纸介电子元器件基础知识（3）――电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。
元器件符号大全(3篇)
一、前言元器件是电子电路的基本组成单元，广泛应用于各种电子设备中。
元器件符号是表示元器件的图形符号，它具有直观、简洁、易识别等特点。
本文将详细介绍各种元器件的符号，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管、集成电路等，以供广大电子爱好者参考。
二、电阻1. 电阻（R）：表示具有固定阻值的元件，单位为欧姆（Ω）。
符号：圆形，中间有一个“R”字母。
2. 可变电阻（VR）：表示阻值可调的元件。
符号：圆形，中间有一个“VR”字母。
3. 保险丝（F）：表示过载保护元件。
符号：矩形，中间有一个“F”字母。
4. 滑动变阻器（VR1）：表示阻值可调的元件，通常带有滑动触点。
符号：圆形，中间有一个“VR1”字母。
三、电容1. 电解电容（C）：表示具有较大电容量、极性的元件。
符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。
2. 无极电容（C）：表示电容量较大、无极性的元件。
符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。
3. 陶瓷电容（C）：表示电容量较小、稳定性较好的元件。
符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。
4. 片式电容（C）：表示小型、薄型的电容元件。
符号：矩形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。
1. 电感（L）：表示具有自感作用的元件，单位为亨利（H）。
符号：圆形，中间有一个“L”字母。
2. 可调电感（L）：表示电感值可调的元件。
符号：圆形，中间有一个“L”字母。
3. 互感器（L）：表示具有互感作用的元件。
符号：圆形，中间有一个“L”字母。
五、二极管1. 晶体二极管（D）：表示具有单向导电特性的元件。
符号：三角形，中间有一个“D”字母。
2. 整流二极管（D1）：表示用于整流的晶体二极管。
符号：三角形，中间有一个“D1”字母。
3. 稳压二极管（DZ）：表示具有稳压作用的元件。
符号：三角形，中间有一个“DZ”字母。
4. 变容二极管（V）：表示电容量可变的元件。
符号：三角形，中间有一个“V”字母。
电子电路符号大全
常用电子元器件参考大全第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
电子元器件参数
瓷片电容
绦纶电容
特 殊 电 容 半可变电容
可变电容
贴片电容
绦纶电容
电容特性及参数
1 EC CU 2 特性：储能，以电场能形势储存能量。 2
duc (t ) 1 t VCR关系 : ic (t ) C uc (t ) ic (t )dt dt C
Q C U
电阻的主要参数
C
S
表2 电容器耐压色环标志
3.电容器的温度系数
温度的变化会引起电容器容量的微小变化，通常用温度系
数来表示电容器的这种特性。温度系数是指在一定温度范围内， 温度每变化1º C时电容器容量的相对变化值。 4.电容器的漏电流 电容器的介质并不是绝对绝缘的，总会有些漏电，产生漏电 流。一般电解电容器的漏电流比较大，其他电容器的漏电流很 小。当漏电流较大时，电容器会发热；发热严重时，电容器会
引脚集成电路插座，有4~18nH的分布电感。
5.电容器的分布参数
实际中的电容器与“理想”电容器不同，“实际”电容
器由于其封装、材料等方面的影响，使其只具备电感、电阻 的一个附加特性。 单片陶瓷电容器具有很低的等效串联电感，即具备很宽 的退耦频段，所以比较适合用作高频电路的退耦电容。
综上所述，这些小的分布参数对于在较低频率的电路中是
a + I C1 + U1 _ C2 + U2
_
C1C 2 C C1 C 2
U
_
b
a +
i i1 i2
并联分电流
i1 C1 i C1 C 2 C2 i C1 C 2
u
_ b
C1
C2
i2
C C1 C 2
电感分类及符号
各元器件符号及其作用
各元器件符号及其作⽤电⼦元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作⽤称为电阻，⽤符号R表⽰，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别⽤Ω、KΩ、MΩ表⽰。
⼀、电阻的型号命名⽅法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适⽤敏感电阻）第⼀部分：主称，⽤字母表⽰，表⽰产品的名字。
如R表⽰电阻，W表⽰电位器。
第⼆部分：材料，⽤字母表⽰，表⽰电阻体⽤什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实⼼、N-⽆机实⼼、J-⾦属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，⼀般⽤数字表⽰，个别类型⽤字母表⽰，表⽰产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超⾼频、4-⾼阻、5-⾼温、6-精密、7-精密、8-⾼压、9-特殊、G-⾼功率、T-可调。
第四部分:序号，⽤数字表⽰，表⽰同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺⼨和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻电⼦元器件基础知识（2）——电容电容是电⼦设备中⼤量使⽤的电⼦元件之⼀，⼴泛应⽤于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等⽅⾯。
⽤C表⽰电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、⽪法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名⽅法国产电容器的型号⼀般由四部分组成（不适⽤于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第⼀部分：名称，⽤字母表⽰，电容器⽤C。
第⼆部分：材料，⽤字母表⽰。
第三部分：分类，⼀般⽤数字表⽰，个别⽤字母表⽰。
第四部分：序号，⽤数字表⽰。
⽤字母表⽰产品的材料：A-钽电解、B-聚苯⼄烯等⾮极性薄膜、C-⾼频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合⾦电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-⾦属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电⼦元器件基础知识（3）——电感线圈电感线圈是由导线⼀圈*⼀圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，⽽绝缘管可以是空⼼的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。
电子元器件图片、名称、符号图形对照
电子元器件、名称、符号图形对照一、电阻系列电阻器（Resistor）是一个限流元件，用字母R来表示，单位为欧姆Ω。
将电阻接在电路中后，电阻器一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。
阻值不能改变的称为固定电阻器。
阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。
电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。
实际器件如灯泡，电热丝等均可表示为电阻器元件。
电阻在电路中通常起分压、分流的作用。
对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。
可调电阻/微调电阻可调电阻也叫可变电阻（Rheostat），可调电阻的电阻值的大小可以人为调节，以满足电路的需要。
可调电阻按照电阻值的大小、调节的范围、调节形式、制作工艺、制作材料、体积大小等等可分为许多不同的型号和类型，分为：电子元器件可调电阻，瓷盘可调电阻，贴片可调电阻，线绕可调电阻等等。
二、电位器电位器（Potentiometer）是具有三个引出端、阻值可按某种变化规律调节的电阻元件。
电位器通常由电阻体和可移动的电刷组成。
当电刷沿电阻体移动时，在输出端即获得与位移量成一定关系的电阻值或电压。
电位器既可作三端元件使用也可作二端元件使用。
后者可视作一可变电阻器，由于它在电路中的作用是获得与输入电压（外加电压）成一定关系得输出电压，因此称之为电位器。
三、电容电容器（capacitor），通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示，单位为F（法拉）。
任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。
作用：隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。
四、电感电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。
电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组。
电感器具有一定的电感，它只阻碍电流的变化。
常用电子元器件符号以及参数
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
电子元件符号、作用、单位大全
电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电子元器件基础知识（3）——电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。
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PG---门极 平均功率
PGM---门极 峰值功率 PC---控制 极平均功率 或集电极耗 散功率 Pi---输入 功率 PK---最大 开关功率 PM---额定 功率。硅二 极管结温不 高于150度 所能承受的 最大功率 PMP---最大 漏过脉冲功 率 PMS---最大 承受脉冲功 率 Po---输出 功率
Vth---阀电 压（门限电 压）
VRRM---反 向重复峰值 电压（反向 浪涌电压） VRWM---反 向工作峰值 电压 V v---谷点 电压 Vz---稳定 电压 △Vz---稳 压范围电压 增量 Vs---通向 电压（信号 电压）或稳 流管稳定电 流电压
av---电压 温度系数
Vk---膝点 电压（稳流 二极管）
弦半波最高反向工作电压பைடு நூலகம்的漏电流。
IRM---反向 峰值电流
IRR---晶闸 管反向重复 平均电流
IDR---晶闸 管断态平均 重复电流
IRRM---反 向重复峰值 电流
IRSM---反 向不重复峰 值电流（反 向浪涌电 流）
L---负载电 感（外电路 参数）
LD---漏极 电感
Ls---源极 电感
D---占空比
fT---特征 频率 fmax---最 高振荡频率 。当三极管 功率增益等 于1时的工 作频率 hFE---共发 射极静态电 流放大系数
hIE---共发 射极静态输 入阻抗 hOE---共发 射极静态输 出电导 h RE---共 发射极静态 电压反馈系 hie---共发 射极小信号 短路输入阻 抗
三、场效应 管参数符号 意义 Cds---漏源电容
Cdu---漏衬底电容
Cgd---栅源电容 Cgs---漏源电容 Ciss---栅 短路共源输 入电容 Coss---栅 短路共源输 出电容 Crss---栅 短路共源反 向传输电容 D---占空比 （占空系 数，外电路 参数）
di/dt---电 流上升率 （外电路参 数）
在额定功率下，允许通过二极管的最大正 管极限电流。
Cre---共发 射极反馈电 容
Cic---集电 结势垒电容
CL---负载 电容（外电 路参数） Cp---并联 电容（外电 路参数） BVcbo---发 射极开路， 集电极与基 极间击穿电 压
BVceo---基 极开路，CE 结击穿电压
BVebo--集电极开路 EB结击穿电 BVces---基 极与发射极 短路CE结击 穿电压 BV cer--基极与发射 极串接一电 阻，CE结击 穿电压
Co---零偏 压电容
Cjo---零偏 压结电容
Cjo/Cjn--结电容变化 Cs---管壳 电容或封装 电容
Ct---总电 容
CTV---电压 温度系数。 在测试电流 下，稳定电 压的相对变 化与环境温 度的绝对变 化之比
CTC---电容 温度系数
Cvn---标称 电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极 的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作 流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极
Tjm---最高 结温
ton---开通 时间 toff---关 断时间 tr---上升 时间 trr---反向 恢复时间 ts---存储 时间 tstg---温 度补偿二极 管的贮成温
a---温度系 数
λp---发光 峰值波长 △ λ---光 谱半宽度
η---单结 晶体管分压 比或效率
VB---反向 峰值击穿电 压
Tstg---贮 成温度 VDS---漏源 电压（直 流） VGS---栅源 电压（直 流） VGSF--正向 栅源电压 （直流）
dv/dt---通 态电压临界 上升率
PB---承受 脉冲烧毁功 率
PFT（AV）--正向导通 平均耗散功 率
PFTM---正 向峰值耗散 功率 PFT---正向 导通总瞬时 耗散功率
VL ---极限 电压
二、双极型 晶体管参数 符号及其意 义 Cc---集电 极电容
Ccb---集电 极与基极间 电容
Cce---发射 极接地输出 电容 Ci---输入 电容 Cib---共基 极输入电容 Cie---共发 射极输入电 容 Cies---共 发射极短路 输入电容 Cieo---共 发射极开路 输入电容
VGD---门极 不触发电压
VGFM---门 极正向峰值 电压
VGRM---门 极反向峰值 电压
VF（AV）--正向平均 电压
Vo---交流 输入电压 VOM---最大 输出平均电 压 Vop---工作 电压
Vn---中心 电压 Vp---峰点 电压 VR---反向 工作电压 （反向直流 电压） VRM---反向 峰值电压 （最高测试 电压） V（BR）--击穿电压
IV---谷点 电流
Ipr---电流 脉冲峰值 （外电路参 数） gfs---正向 跨导
Gp---功率 增益 Gps---共源 极中和高频 功率增益 GpG---共栅 极中和高频 功率增益 GPD---共漏 极中和高频 功率增益
ggd---栅漏 电导
gds---漏源 电导
K---失调电 压温度系数
Iu---衬底 电流
IH---恒定 电流、维持 电流。 Ii--- 发光 二极管起辉 电流 IFRM---正 向重复峰值 电流
IFSM---正 向不重复峰 值电流（浪 涌电流） Io---整流 电流。在特 定线路中规 定频率和规 定电压条件 下所通过的 工作电流 IF(ov)--正向过载电 流 IL---光电 流或稳流二 极管极限电 流
PR---反向 浪涌功率
VGSR---反 向栅源电压 （直流） VDD---漏极 （直流）电 源电压（外 电路参数） VGG---栅极 （直流）电 源电压（外 电路参数） Vss---源极 （直流）电 源电压（外 电路参数）
VGS(th)--开启电压或 阀电压
V（BR） DSS---漏源 击穿电压 V（BR） GSS---漏源 短路时栅源 击穿电压 VDS(on)--漏源通态电 压
VDS(sat)--漏源饱和 电压
VGD---栅漏 电压（直 流）
Vsu---源衬 底电压（直 流）
VDu---漏衬 底电压（直 流）
Ptot---总 耗散功率
Pomax---最 大输出功率
Psc---连续 输出功率
PSM---不重 复浪涌功率 PZM---最大 耗散功率。 在给定使用 条件下，稳 压二极管允 许承受的最 大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性 性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微
PPK---脉冲 功率峰值 （外电路参 数）
to(on)--开通延迟时 间
td(off)--关断延迟时 间
ti---上升 时间
ton---开通 时间
toff---关 断时间
tf---下降 时间
trr---反向 恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大 允许结温 Ta---环境 温度
Tc---管壳 温度
ID---暗电 流
IB2---单结 晶体管中的 基极调制电 流 IEM---发射 极峰值电流 IEB10---双 基极单结晶 体管中发射 极与第一基 极间反向电 流 IEB20---双 基极单结晶 体管中发射 极向电流 ICM---最大 输出平均电 流
IFMP---正 向脉冲电流
IP---峰点 电流
ards---漏 源电阻温度 系数
Rz(ru)--动态电阻
R(th)jc--结到壳的热 阻
r δ---衰 减电阻 r(th)---瞬 态电阻 Ta---环境 温度
Tc---壳温
td---延迟 时间
tf---下降 时间
tfr---正向 恢复时间
tg---电路 换向关断时 间 tgt---门极 控制极开通 时间 Tj---结温
IG---栅极 电流（直 流）
IGF---正向 栅电流
IGR---反向 栅电流
IGDO---源 极开路时， 截止栅电流
IGSO---漏 极开路时， 截止栅电流 IGM---栅极 脉冲电流
IGP---栅极 峰值电流
IF---二极 管正向电流
IGSS---漏 极短路时截 止栅电流 IDSS1---对 管第一管漏 源饱和电流 IDSS2---对 管第二管漏 源饱和电流
dv/dt---电 压上升率 （外电路参 数）
ID---漏极 电流（直 流）
IDM---漏极 脉冲电流
ID(on)--通态漏极电 流 IDQ---静态 漏极电流 （射频功率 管）
一、半导体 二极管参数 符号及其意 义 CT---势垒 电容 Cj---结 （极间）电 容， 表示 在二极管两 端加规定偏 压下，锗检 波二极管的 Cjv---偏压 结电容
rDS---漏源 电阻 rDS(on)--漏源通态电 阻
rDS(of)--漏源断态电 阻
rGD---栅漏 电阻 rGS---栅源 电阻 Rg---栅极 外接电阻 （外电路参 RL---负载 电阻（外电 路参数） R(th)jc--结壳热阻 R(th)ja--结环热阻 PD---漏极 耗散功率 PDM---漏极 最大允许耗 散功率 PIN--输入 功率
Ku---传输 系数
IGT---晶闸 管控制极触 发电流 IGD---晶闸 管控制极不 触发电流 IGFM---控 制极正向峰 值电流 IR（AV）--反向平均 电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆 正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端 反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在