微电子概论结课论文

合集下载

微电子导论论文--发展及历史

微电子导论论文--发展及历史

中国微电子技术发展现状及发展趋势论文概要:介绍了中国微电子技术的发展现状,并阐述对微电子技术发展趋势的展望。

针对日前世界局势紧张,战争不断的状况,本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。

一.我国微电子技术发展状况1956年7月,国务院科学专业化规划委员会正式成立,组织数百各科学家和技术专家编制了十二年(1965—1967年)科学技术远景规划,这个著名的《十二年规划》中,明确地把发展计算机技术、半导体技术、无线电电子学、自动化和遥感技术放到战略的重点上,我国半导体晶体管是1957年研制成功的,1960年开始形成生产;集成电路始于1962年,于1968年形成生产;大规模集成电路始于70年代初,80年代初形成生产。

但是,同世界先进水平相比较,我们还存在较大的差距。

在生产规模上,目前我国集成电路工业还没有实现高技术、低价格的工业化大生产,而国外的发展却很快,美国IBM 公司在日本的野洲工厂生产64K动态存贮器,1983年秋正式投产后,每日处理硅片几万片,月产量为上百万块电路,生产设备投资约8000万美元。

日本三菱电机公司于1981年2月开始动土兴建工厂,1984年投产,计划生产64K动态存贮器,月产300万块,总投资约为1.2亿美元。

此外,在美国和日本,把半导体研究成果形成工业化生产的周期也比较短。

在美国和日本,出现晶体观后,形成工业生产能力是3年;出现集成电路后形成工业生产能力是1—3年;出现大规模集成电路后形成工业生产能力是1—2年;出现超大规模集成电路后形成工业生产能力是4年。

我国半导体集成电路工业长期以来也是停留在手工业和实验室的生产方式上。

近几年引进了一些生产线,个别单位才开始有些改观,但与国外的差距还是相当大的。

从产品的产值和产量方面来看,目前,全世界半导体与微电子市场为美国和日本所垄断。

这两国集成电路的产量约占体世界产量的百分之九十,早期是美国独占市场,而日本后起直追。

1975年美国的半导体与集成电路的产值是66亿美元,分离器件产量为110多亿只,集成路为50多亿块;日本的半导体与集成电路的产值是30亿美元,分离器件产量为122亿只,集成电路为17亿块。

电子导论结课论文

电子导论结课论文

电子导论结课论文大一的电子导论课马上就结束了,感觉还是很快的。

通过三个老师的讲解,我对我们的这个专业有了一个比较清晰的认识。

我们这个专业设有集成电路设计技术、光电子与集成电路系统两个专业方向。

下面就是我上课的学到的东西,和我的感受。

先是骆丽老师给我们讲的我们这个专业的概况。

介绍了我们这个专业的由来,及其发展前景。

从应用的观点看,电子科学与技术是建立在物理学和数学基础之上的一门应用科学。

电子科学与技术的重要作用,是提供工程实际所需要的各种元器件和系统的分析,设计,制造与应用的基础理论与技术。

当然,是需要坚实的物理学基础的。

我们要学习固体物理学,半导体物理学,纳米电子学,量子力学等相关知识。

除此之外,还有基本的电磁理论。

有了物理基础,还是不够的,还要有数学知识。

就是微积分,数学分析,线性代数等等。

老师上课讲的很多东西,让我印象最深的是电路的制造工艺。

在这一块,老师讲的还是非常详细的。

老师讲了电子制造的基本概念,PCB的制造,还有集成电路中的工艺技术。

在集成电路中的工艺技术中,有很多的技术。

比如晶圆处理技术,掩膜技术,刻蚀技术,沉积技术,掺杂技术,外延技术等。

老师上课的时候有很多的图片很形象的展示了芯片的制作过程。

真的是很复杂的。

而且制造工艺会很大程度的影响集成电路的规模和效果。

老师说了我们这个专业以后会有三个发展方向。

微电子,电路设计,以及电磁波。

我们在以后的学习中会面临选择发展方向的问题。

总的来说,我觉得骆丽老师上课讲的还是很认真的,她所从事的微电子的研究我觉得还是有很大的发展前景。

第二位老师是黄琳琳老师,她讲的是电路设计方面的介绍。

老师说这个方向以后的前景是在铁路方面的。

其实,老实说,我们这个专业就是主要是铁路方面的。

电路设计主要是有模拟电路,数字电路,集成电路,射频电路。

模拟电路是·是由自然界产生周期性变化的连续性的物理自然变量,在将连续性物理自然变量转换为连续的电信号,并通过运算连续性电信号的电路即称为模拟电路。

微电子毕业论文

微电子毕业论文

微电子毕业论文微电子毕业论文近年来,随着科技的飞速发展和社会的进步,微电子技术逐渐成为了现代科技领域中的重要组成部分。

微电子技术的应用范围广泛,涵盖了电子设备、通信技术、医疗器械等多个领域。

作为一名微电子专业的毕业生,我在我的毕业论文中选择了探讨微电子技术的应用和发展趋势。

在我的论文中,我首先介绍了微电子技术的基本概念和原理。

微电子技术是一门研究微型电子元件和微型电子系统的学科,它主要涉及到集成电路、半导体材料、微电子器件等方面的研究。

通过对微电子技术的深入了解,我发现它在现代社会中的重要性不言而喻。

接着,我详细讨论了微电子技术在电子设备中的应用。

电子设备是现代社会中不可或缺的一部分,无论是智能手机、电脑还是家用电器,都离不开微电子技术的支持。

通过微电子技术,我们可以实现电子设备的小型化、高效化和智能化。

例如,通过微电子技术,我们可以将大型计算机缩小到手掌大小的智能手机中,实现了信息的随时随地获取和交流。

除了电子设备,微电子技术还在通信技术领域发挥着重要作用。

随着互联网的普及和信息时代的到来,通信技术的发展变得越来越重要。

微电子技术的应用使得通信设备的性能得到了大幅提升,无论是移动通信还是卫星通信,都离不开微电子技术的支持。

通过微电子技术,我们可以实现更快速、更稳定的通信,为人们的生活和工作带来了巨大的便利。

此外,我还探讨了微电子技术在医疗器械中的应用。

医疗器械是保障人们身体健康的重要工具,而微电子技术的应用为医疗器械的发展提供了新的可能。

通过微电子技术,我们可以实现医疗器械的精确控制和监测,提高治疗效果和患者的生活质量。

例如,微电子技术的应用使得心脏起搏器可以根据患者的实际情况进行自动调节,提高了治疗效果和患者的生活质量。

在论文的最后,我对微电子技术的未来发展进行了展望。

随着科技的不断进步和社会的不断发展,微电子技术将会迎来更加广阔的应用前景。

例如,人工智能、物联网等新兴技术的发展将会进一步推动微电子技术的应用和创新。

微电子论文

微电子论文

微电子学与医学的结合造福社会刘畅自动化专业093班学号:090919摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。

现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。

微电子技术的发展大大方便了人们的生活。

它主要应用于生活中的各类电子产品,微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。

微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路,在未来主要是生物芯片。

生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。

一、引言:我所了解的微电子技术1.定义微电子技术,顾名思义就是微型的电子电路。

它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。

微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。

与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。

它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。

它的特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快,微电子技术对信息时代具有巨大的影响。

它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。

2.发展历史:微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。

它的发展史其实就是集成电路的发展史。

1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管,不就美国科学家发明了三极管。

电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。

它被广泛应用于各个领域。

1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。

微电子技术论文

微电子技术论文

微电子技术论文微电子技术是随着集成电路,尤其是大规模集成电路发展起来的一门新技术。

下面是由店铺整理的微电子技术论文,谢谢你的阅读。

微电子技术论文篇一微电子技术与产业群研究【摘要】微电子技术进步促进了微电子产业的发展,同时,以微电子产业为基础的许多领域也正在形成产业群发展浪潮。

本文旨在探讨微电子技术与产业群的关系,研究微电子产业群,区分微电子相关性产业群和微电子产业集群,揭示其产业群的特殊性,深化我们对微电子产业群的认识,促进其健康、快速发展。

【关键词】微电子技术;集成电路;产业群;产业集群;相关性产业群微电子技术的不断进步促进了微电子产业的快速发展,同时,也在以微电子产业为基础的许多领域产生了极富创造性的变革,从而引领了新一轮的产业群发展浪潮。

本文旨在通过对微电子技术与产业群发展关系的研究,探讨微电子产业群的分类以及它们的特征,把握微电子产业群发展的基本要求,促进微电子产业群健康有序发展。

一、微电子技术的发展微电子技术是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的系列技术,它包括系统和电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术。

微电子技术除集成电路外,还包括集成磁泡、集成超导器件和集成光电子器件等。

为便于分析,我们设定:研究的微电子技术主要限于集成电路的器件、工艺技术等领域。

微电子技术始于1947年晶体管的发明,到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件,1962年生产出晶体管―晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路。

上个世纪70年代,由于单极型集成电路(MOS电路)在高度集成和功耗方面的优点,微电子技术进入了MOS 电路时代。

从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起,到2003年Intel推出的奔腾4处理器(包含5500万个晶体管)和512MbDRAM(包含超过5亿个晶体管),集成电路年平均增长率达到45%。

目前,微电子技术正在快速发展,其发展表现在三点:一是缩小芯片中器件结构的尺寸,即缩小加工线条的宽度;二是增加芯片中所包含的元器件的数量,即扩大集成规模;三是开拓有针对性的设计应用。

微电子毕业论文

微电子毕业论文

微电子毕业论文在当今科技飞速发展的时代,微电子技术无疑是推动社会进步的关键力量之一。

从智能手机到超级计算机,从医疗设备到航天航空,微电子技术的应用无处不在,深刻地改变了我们的生活和工作方式。

微电子技术的核心在于集成电路的设计与制造。

集成电路,也就是我们常说的芯片,是将大量的电子元件,如晶体管、电阻、电容等,集成在一块微小的半导体晶片上。

随着半导体工艺的不断进步,芯片上集成的元件数量越来越多,性能也越来越强大。

然而,这也给微电子技术的发展带来了诸多挑战。

在集成电路的制造过程中,光刻技术是至关重要的一环。

光刻技术的精度直接决定了芯片上元件的尺寸和间距。

目前,极紫外光刻(EUV)技术已经成为先进制程芯片制造的关键技术。

然而,EUV 技术的成本高昂,设备复杂,对制造环境的要求也极为苛刻。

为了降低成本,提高光刻精度,研究人员一直在不断探索新的光刻技术和材料。

另外,随着芯片集成度的提高,散热问题也日益突出。

芯片在工作时会产生大量的热量,如果不能及时有效地散热,将会影响芯片的性能和可靠性。

因此,热管理技术成为了微电子领域的一个重要研究方向。

目前,常见的散热技术包括风冷、液冷和相变冷却等。

同时,研究人员也在开发新型的散热材料,如高导热的石墨烯和金刚石等。

在集成电路的设计方面,低功耗设计成为了当前的研究热点。

随着移动设备的普及,对于芯片的功耗要求越来越严格。

为了降低功耗,设计人员需要从电路结构、工作电压、时钟频率等多个方面进行优化。

同时,新兴的技术如近似计算和异步电路设计也为低功耗设计提供了新的思路。

除了硬件方面,微电子技术在软件领域也有着广泛的应用。

例如,电子设计自动化(EDA)软件是集成电路设计必不可少的工具。

EDA软件可以帮助设计人员完成电路设计、仿真、验证等工作,大大提高了设计效率和质量。

然而,目前的 EDA 软件还存在一些不足之处,如对复杂系统的支持不够完善,仿真精度有待提高等。

因此,开发更加先进的 EDA 软件也是微电子领域的一个重要任务。

微电子技术论文范文3篇

微电子技术论文范文3篇

微电⼦技术论⽂范⽂3篇微电⼦技术发展历史论⽂摘要本⽂展望了21世纪微电⼦技术的发展趋势。

认为:21世纪初的微电⼦技术仍将以硅基CMOS电路为主流⼯艺,但将突破⽬前所谓的物理“限制”,继续快速发展;集成电路将逐步发展成为集成系统;微电⼦技术将与其它技术结合形成⼀系列新的增长点,例如微机电系统(MEMS)、DNA芯⽚等。

具体地讲,SOC设计技术、超微细光刻技术、虚拟⼯⼚技术、铜互连及低K互连绝缘介质、⾼K栅绝缘介质和栅⼯程技术、SOI技术等将在近⼏年内得到快速发展。

21世纪将是我国微电⼦产业的黄⾦时代。

关键词微电⼦技术集成系统微机电系统DNA芯⽚1引⾔综观⼈类社会发展的⽂明史,⼀切⽣产⽅式和⽣活⽅式的重⼤变⾰都是由于新的科学发现和新技术的产⽣⽽引发的,科学技术作为⾰命的⼒量,推动着⼈类社会向前发展。

从50多年前晶体管的发明到⽬前微电⼦技术成为整个信息社会的基础和核⼼的发展历史充分证明了“科学技术是第⼀⽣产⼒”。

信息是客观事物状态和运动特征的⼀种普遍形式,与材料和能源⼀起是⼈类社会的重要资源,但对它的利⽤却仅仅是开始。

当前⾯临的信息⾰命以数字化和⽹络化作为特征。

数字化⼤⼤改善了⼈们对信息的利⽤,更好地满⾜了⼈们对信息的需求;⽽⽹络化则使⼈们更为⽅便地交换信息,使整个地球成为⼀个“地球村”。

以数字化和⽹络化为特征的信息技术同⼀般技术不同,它具有极强的渗透性和基础性,它可以渗透和改造各种产业和⾏业,改变着⼈类的⽣产和⽣活⽅式,改变着经济形态和社会、政治、⽂化等各个领域。

⽽它的基础之⼀就是微电⼦技术。

可以毫不夸张地说,没有微电⼦技术的进步,就不可能有今天信息技术的蓬勃发展,微电⼦已经成为整个信息社会发展的基⽯。

50多年来微电⼦技术的发展历史,实际上就是不断创新的过程,这⾥指的创新包括原始创新、技术创新和应⽤创新等。

晶体管的发明并不是⼀个孤⽴的精⼼设计的实验,⽽是⼀系列固体物理、半导体物理、材料科学等取得重⼤突破后的必然结果。

微电子概论期末论文

微电子概论期末论文

微电子概论期末论文.txt有没有人像我一样在听到某些歌的时候会忽然想到自己的往事_______如果我能回到从前,我会选择不认识你。

不是我后悔,是我不能面对没有你的结局。

本文由_黑色闪电贡献doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。

建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。

浅析微电子技术的发展[摘要]微电子技术的应用与影响在我们的日常生活中随处可见。

在本文里,简要地叙述了微电子技术的发展历史和现状,实际应用,发展趋势和展望,增进对微电子技术的了解。

[关键词] 微电子技术、发展、应用 [引言]微电子技术是一项年轻的技术,它发展的理论基础是 19 世纪末到 20 世纪 30 年代之间建立起来的现代物理学。

它在短短的一个多世纪的时间里,凭借着飞快的发展速度和强大的生命力,成功地渗入人类生活的各个领域,并在 21 世纪里继续成为最具发展潜力的技术之一。

[论述和讨论]1、微电子技术的发展历史和现状微电子技术的发展历史和现状19 世纪末 20 世纪初的物理学革命,为微电子技术的产生奠定了理论基础。

半导体三个重要物理效应——光电导效应、光生伏特效应、整流效应的发现,量子力学的建立和材料物理的发展,都起到了理论推动作用。

1946 年 1 月,Bell 实验室正式成立了半导体研究小组,成员为肖克莱、理论物理学家巴丁、实验物理学家布拉顿。

在系统的研究过程中,巴丁提出了表面态理论,肖克莱给出了实现放大器的场效应基本设想,巴丁设计进行了无数次实验,于 1947 年 12 月观察到了该晶体管晶体管结构的放大特效,标志着世界上第一个点接触型晶体管的诞生。

1952 年,肖克莱又与斯帕克斯、迪尔一起发明了单晶锗 npn 结型晶体管。

1952 年 5 月,英国科学家达默第一次提出了集成电路的构想。

1958 年,以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出世界上第一块集成电路。

晶体管和集成电路的发明,拉开了人类进入电子时代的序幕,对人类社会的所有领域产生了并且还正在产生着深远影响。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

微电子概论结课论文
----浅析微电子技术的发展
[摘要]
微电子技术的应用与影响在我们的日常生活中随处可见。

在本文里,简要地叙述了微电子技术的发展历史和现状,实际应用,发展趋势和展望,增进对微电子技术的了解。

[关键词]
微电子技术、发展、革命、晶体管、集成电路、财富、应用
[引言]
微电子技术是一项年轻的技术,它发展的理论基础是 19 世纪末到 20 世纪 30 年代之间建立起来的现代物理学。

它在短短的一个多世纪的时间里,凭借着飞快的发展速度和强大的生命力,成功地渗入人类生活的各个领域,并在 21 世纪里继续成为最具发展潜力的技术之一。

[论述和讨论]
一、微电子技术的发展历史和现状
19 世纪末 20 世纪初的物理学革命,为微电子技术的产生奠定了理论基础。

半导体三个重要物理效应——光电导效应、光生伏特效应、整流效应的发现,量子力学的建立和材料物理的发展,都起到了理论推动作用。

1946 年 1 月,Bell 实验室正式成立了半导体研究小组,成员为肖克莱、理论物理学家巴丁、实验物理学家布拉顿。

在系统的研究过程中,巴丁提出了表面态理论,肖克莱给出了实现放大器的场效应基本设想,巴丁设计进行了无数次实验,于 1947 年 12 月观察到了该晶体管晶体管结构的放大特效,标志着世界上第一个点接触型晶体管的诞生。

1952 年,肖克莱又与斯帕克斯、迪尔一起发明了单晶锗 npn 结型晶体管。

1952 年5 月,英国科学家达默第一次提出了集成电路的构想。

1958 年,以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出世界上第一块集成电路。

晶体管和集成电路的发明,拉开了人类进入电子时代的序幕,对人类社会的所有领域产生了并且还正在产生着深远影响。

随着晶体管和集成电路的发明与应用,微电子技术进入了一个飞速发展的时期。

1965 年,美国硅谷西安童半导体公司的 Gordon Moore 博士(Intel 公司创始人之一)通过研究了
半导体工业的发展数据, 1971 年提出了著名的“摩尔定于律”——集成电路芯片的集成度每三年提高 4 倍,而芯片加工特征尺寸每三年缩小倍。

微电子技术是近五十年来发展最快的技术。

从最基本的机构单元 pn 结,到简单的接触双极型晶体管和结型晶体管,再到MOS 场效应晶体管;从双极集成电路,到数字集成电路,再到 MOS 集成电路,每一次进步都是一次技术上的巨大飞跃。

作为微电子技术的核心,集成电路(IC)经历了小规模、中规模、大规模、超大规模阶段,目前已进入甚大规模阶段,其集成度不断提高、功耗延迟积(优值)和特征尺寸不断缩小、集成规模不断增大。

各方面的性能不断优化,价格却在不断降低.如此一来,产品的升级换代不仅导致性能品质的提升,价格也变得越来越便宜,性价比不断提高,在人类生活中也越来越受到欢迎,得到了广泛的应用。

二.微电子技术的发展趋势
几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。

如前文中提到的,著名
的穆尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年
左右为一代,每代翻两番。

对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。


据按比例缩小原理(Scaling Down Principle),特征线条越窄,IC的工作速度越
快,单元功能消耗的功率越低。

所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时
也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。

与IC加工精度提高的同时,加工
的硅圆片的尺寸却在不断增大,生产硅片的批量也不断提高。

以上这些导致了微
电子产品发展的一种奇妙景观:在集成度一代代提高的同时,芯片的性能、功能
不断增强,而价格却不断下跌。

这一现象的深远意义在于,随着微电子芯片技术
的快速发展,一切微电子产品(计算机、通信及消费类产品等)也加速更新、换代;
不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代,而且价格的越来越便宜又为电子信
息技术的不断推进及其迅速推广应用到各个领域创造了条件,导致了人类信息化
社会的到来。

由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大,因此必须发展相应的制造技术,即
光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术。

①光刻技术
利用波长436nm光线,形成亚微米尺寸图形,制造出集成度1M位和4M位的
DRAM。

i射线(波长365nm)曝光设备问世后,可形成半微米尺寸和深亚微米尺寸的
图形,制造出16M位和64M位的DRAM。

目前,采用KrF准分子激光器的光刻设备已经投入实用,可以形成四分之一
微米尺寸的图形,制造出64M位DRAM。

采用波长更短的ArF激光器的光刻设备,
有可能在21世纪初投入实用。

当然,为了实现这一目标,必须开发出适用的掩膜
形成技术和光刻胶材料。

X射线光刻设备的研制开发工作,已经进行了相当的时间,电子束曝光技术和
3nm真空紫外线曝光技术,也在积极开发之中,哪一种技术将会率先投入实用并成
为下一阶段的主流技术,现在还难以预料。

②蚀刻技术
在高密度集成电路制造过程中,氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术,随
着特征尺寸的不断缩小将变得越来越困难。

显然,如果能够研制出一种可以产生均匀的平面状高密度等离子源的技术,就会获得更为理想的蚀刻效果。

利用CER(电子回旋共振)等离子源或ICP(电感耦合等离子)高密度等离子源,并同特殊气体(如HBr等)及静电卡盘(用于精密温度控制)技术相结合,就可以满足上述电路蚀刻工艺的要求。

③扩散氧化技术
要想以低成本保证晶体的良好质量,必须采用外延生长技术。

其理由是,同在晶体制作上下工夫保证质量所需要花费的成本相比,外延生长技术的成本低得多。

离子注入的技术水平已经有很大提高,可以将MeV(兆电子伏特)的高能量离子注入到晶体内部达几微米深度。

迄今采用的气体扩散法,需要在高温中长时间地扩散杂质才能形成扩散层。

而现在,利用离子注入技术,可以分别地将杂质注入到任意位置,再经一次低温热处理,就可以获得同样的结果。

同时,低能量离子注入技术也取得很大进展,可以形成深度小于0.1μm的浅扩散层,而且精度相当高。

另外,斜方向离子注入技术也大有进展,可以在任何位置注入杂质,从而可以在低温条件下按照设计要求,完成决定晶体管性能的杂质扩散工序作业。

用固相扩散法制造源漏极浅结极为有效,已经获得35nm的浅结。

④多层布线技术
把电阻小于铝的铜,作为下一代布线材料正在引起人们的关注。

美国半导体工业协会(SIA)已经将“以铜代替铝”列入其发展规划,并制定出相应的目标和技术标准。

铜布线采用镶嵌方法制作,并利用CMP(化学机械抛光)技术进行研磨,布线形成则使用半导体级电镀技术。

铜容易在绝缘膜中扩散,所以,在采用铜布线时,需要同时采用能够防止铜扩散的势垒金属技术。

用离子束喷射法替代常用的真空溅射法,将金属喷射到硅圆片表面,这种方法使硅圆片不需要金属化的一侧带负电荷,然后让金属离子带正电荷,在负电荷吸引下,金属粒子沉积在硅圆片表面,形成十分均匀的金属薄膜。

预计离子喷射法三年后可达到实用。

在高速电路的布线中,必须同时形成低介电系数的层间膜。

氧化膜的介电系数为4.0,添加氟(F)的氧化膜,其介电系数现在可以达到3.6,利用高密度等离子CVD(化学气相淀积)技术可制作含氟的氧化膜。

⑤电容器材料
随着DRAM集成度的提高,电容器材料——氧化膜的厚度变得越来越薄。

进入90年代以来,氮化硅膜技术不断改进,并改用立体的电容器结构,以确保所必需的电容值。

但是,这种技术似乎已经接近其极限,今后有可能采用迄今没有用过的新材料,如氧化钽膜(Ta2O5)和高电容率材料(BST)等。

三.微电子技术与其它学科
微电子学是一门综合性很强的边缘学科,其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容;涉及了固体物理学、
量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。

微电子学渗透性强,其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。

微机电系统、生物芯片就是这方面的代表,是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技术。

微电子学技术已经渗透到各个方面,随着科技的发展,其对各个学科的影响也会愈加深远,微电子学的发展也会更大的推动社会的发展。

[小结]
21世纪人类将全面进入信息化社会,对微电子信息技术将不断提出更高的发展要求,微电子技术仍将继续是21世纪若干年代中最为重要的和最有活力的高科技领域之一,微电子技术的发展也必将对整个社会的发展产生深远的影响。

[参考文献]
[1]蒋燕燕微电子技术的现状与未来展望微电子学概论(第二版)2
[2]晏伯武,兆春微电子技术发展与展望
[3] 张兴,黄如,李晓彦1世纪微电子技术的发展(上)
材料学院成型093班
贾志远
090602318。

相关文档
最新文档