《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷
《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考01第一章 晶体的结构

a1 ⋅ n = h1d , a2 ⋅ nh2 d , a3 ⋅ n = h3d ,
假定 h1 , h2 , h3 不是互质的数,则有公约数 p,且 p>1;设 k1 , k2 , k3 为互质的三个数,满足
h1 h2 h3 = = =p k1 k2 k3
则有
a1 ⋅ n = k1 pd , a2 ⋅ nk2 pd , a3 ⋅ n = k3 pd ,
a2 a3 a1
(1)按基矢 a1 , a2 , a3 在空间作重复平移,就可得到它的布喇菲格子,因为此晶体是简单格子,因此 晶体中原子位置可以认为与格点重合。由右图可见,它是体心立方布喇菲格子,属于立方晶系。
−27 3 (2)原胞体积 Ω = a1 • a2 × a3 = 3i • ⎡3 j ×1.5 i + j + k ⎤ = 13.5 × 10 m
3 (i − j + k ) 2 3 (i + j − k ) 2
a3 = a + b − c =
a1 , a2 , a3 对应体心立方结构. a1 , a2 , a3 满足选作基矢的充分条件.可见基矢为, a1 = 3i , a 2 = 3j , a 3 = 1.5(i + j + k ) ,的晶体为体心立方结构.
( 3 )在面心立方的结晶学原胞中,设原子半径为 R ,则原胞的晶体学常数
a = 2 2 R ,则面心立方的致密度为:
4 4 4 ⋅ πR 3 2 ⋅ πR 3 3 α = 33 = = a (2 2 R) 3 2π 6
(4)在六角密积的结晶学原胞中,设原子半径为 R ,则原胞的 晶体学常数 a = 2 R , c = ( 2 6 / 3) a = (4 6 / 3) R ,则六角密积的致 密度为:
(完整word版)黄昆固体物理课后习题答案4

第四章 晶体的缺陷思 考 题1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量L L /∆与X 射线衍射测定的晶格常数相对变化量a a /∆存在差异, 是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X 射线衍射测定的晶格常数相对变化量a a /Δ, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量L L /Δ不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式L L Δ>a aΔ.3.KCl 晶体生长时,在KCl 溶液中加入适量的CaCl 2溶液,生长的KCl 晶体的质量密度比理论值小,是何原因?[解答]由于+2Ca 离子的半径(0.99o A )比+K 离子的半径(1.33oA )小得不是太多, 所以+2Ca 离子难以进入KCl 晶体的间隙位置, 而只能取代+K 占据+K 离子的位置. 但+2Ca比+K 高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据+K 离子的一个+2Ca 将引起相邻的一个+K 变成空位. 也就是说, 加入的CaCl 2越多, +K 空位就越多. 又因为Ca 的原子量(40.08)与K 的原子量(39.102)相近, 所以在KCl 溶液中加入适量的CaCl 2溶液引起+K 空位, 将导致KCl 晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道 晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, -+B A 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率μ. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为+v A ν和+i A ν, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为+v A E 和+i A E , 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为-v B ν和-i B ν, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别-v B E 为-iB E , 则由(4.47)矢可得 Tk E B A A B v A v v e T k ea /2+++-=νμ,T k E B A A B i A i i e Tk ea /2+++-=νμ, T k E B B B B v B v v e Tk ea /2----=νμ, Tk E B B B B i B i i e T k ea /2----=νμ.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即+v A E <+i A E ,-v B E <-i B E . 由问题 1.已知, 所以有+v A ν<+i A ν, -v B ν<-i B ν. 另外, 由于+A 和-B 的离子半径不同, 质量不同, 所以一般-+≠B A E E , -+≠B A νν. 也就是说, 一般--++≠≠≠i v i vB B A A μμμμ. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数 Tk E u B ae D /)(0222221+-=ν,空位机构自扩散系数Tk E u B ae D /)(0111121+-=ν.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, 1u <2u ,1E <2E , 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是N n /1, 平均来说, 填隙原子要跳1/n N 步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费T k E u B e n N t /)(0221211+==ντ的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间T k E u u B e n n N P /)(022********++===νττ.由以上两式得2/2n Ne t T k u B ==τ>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时,它才扩散一步, 所需等待的时间是1τ. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是N n /1, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间T k E u B e n N t /)(0111111+==ντ.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成RTN T k e a e a D B /20/2002121εενν--==.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率0ν, 晶体结构(晶格常数a ), 激活能(ε0N )三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间τ后变成填隙原子, 又平均花费时间21τn N后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中2τ是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间21ττn N t +=.因为τ>>21τn N ,所以填隙原子自扩散系数近似反比于τ. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间τ, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷, 这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.-+B A 离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. -+B A 离子晶体中有4种缺陷: +A 填隙离子, -B 填隙离子, +A 空位, -B 空位. 也就是说, -+B A 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. -+B A 离子晶体中, +A 空位附近都是负离子, -B 空位附近都是正离子. 由此可知, +A 空位的移动实际是负离子的移动, -B 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, +A 填隙离子和-B 空位的漂移方向与外电场方向一致, 而-B 填隙离子和+A 空位的漂移方向与外电场方向相反.。
晶体结构缺陷

(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的形成
热缺陷产生示意图
刘学良 lyshan@
– 点缺陷的表示和缺陷反应
• 表示:使用最广泛的是KrÕger-Vink(克罗格—明克) 的符号,具体为:用一个主要符号来表明缺陷的种 类,而用一个下标来表示这个缺陷的位置。缺陷的 有效电荷在符号的上标表示。如用上标“·”表示有效 正电荷,用“′”表示有效负电荷,用“×”表示有效零 电荷。 • 以MX离子晶体(M为二价阳离子、X为二价阴离子) 为例来说明缺陷化学符号的表示方法。
刘学良 lyshan@
(2)质量平衡:与化学反应方程式相同, 缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需 要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所 在的位置,对质量平衡无影响。 (3)电中性:电中性要求缺陷反应方程式 两边的有效电荷数必须相等。
刘学良 lyshan@
2.缺陷反应实例
(1)杂质(组成)缺陷反应方程式──杂质 在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正 负离子分别进入基质的正负离子位置的原 则,这样基质晶体的晶格畸变小,缺陷容 易形成。在不等价替换时,会产生间隙质 点或空位。
刘学良 lyshan@
例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 • 以正离子为基准,反应方程式为:
KCl . K
• 以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:
CaCl2 ⎯⎯→ Ca + VK '+ 2ClCl
KCl . K
刘学良 lyshan@
基本规律: – 低价正离子占据高价正离子位置时,该 位置带有负电荷,为了保持电中性,会 产生负离子空位或间隙正离子。 – 高价正离子占据低价正离子位置时,该 位置带有正电荷,为了保持电中性,会 产生正离子空位或间隙负离子。
第四章 固体物理-晶体缺陷

点缺陷
• Frenkel 缺陷 、Schottky缺陷、填隙原子缺陷 成对出现 只有空位 只有填隙原子
线缺陷
刃位错:刃位错的构成象似一把刀劈柴似的,把半个原子面夹到完整晶体中,这半 个面似刀刃,因而得名。它的特点是:原子只在刃部的一排原子是错排的,位错线 垂直于滑移方向。
F H A’
b
刃位错
A
B
有N个原子的体系,如果有n1个空位,每个原子旁有 空位的几率为n1/N,因此因空位引起的单位时间内的 原子迁移几率为(扩散率):q = n1q’/N。将(4.6) 和(4.4)代入有:
q n 01e
(u1 E1 ) / kT
( 4.15 )
将(4.15)代入(4.9)有:
1 2 (u1 E1 ) / kT D1 n 01e 6 即 D1 D01e Q1 / kT
( 4.16 ) ( 4.17 )
1 2 D01 n 01, Q1 N ( ), A u1 E1 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
二、填隙原子机制
当原子由正常位置进入间隙位置之后,可以比较容易在 两个间隙中发生移动,从而产生扩散。
从正常位置跳入间隙位置的所需能量为u2,跳入几率为:
B’
E
螺位错:当晶体中存在螺位错时,原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯 。它的特点是:原子只在靠近阶梯的部分排错一列原子,位错线和位移方向平行。
A’
螺位错
A B
A’
b
A’
B
A
C
面位错 晶界和堆垛层错
§4.2 热缺陷数目的统计方法
热缺陷是处在不断产生、不断运动和不断复合的热运动 平衡过程中。
《固体物理学》房晓勇习题参考解答

考虑平衡条件 (
dU mA nB ) r0 = 0 ,得 m = n ,那么(5)式可化为 dV r0 r0
(
d 2U 1 N ) = 2⋅ 2 V0 dV 9V0 2
⎡ m2 A n2 B ⎤ 1 N ⎢− m + n ⎥ = 2 ⋅ r0 ⎦ 9V0 2 ⎣ r0
⎡ mA nB ⎤ ⎢−m m + n n ⎥ r0 r0 ⎦ ⎣
mi
1
2 2 n12 + n2 + n3
) (
=
mi
2 2 n12 + n2 + n3
)
12
雷纳德-琼斯参数
A6 = ∑ A6,i = ∑
i =1 i =1 N N
N
N
( (
mi
2 2 + n3 n12 + n2
)
A12 = ∑ A12,i = ∑
i =1 i =1
mi
2 2 + n3 n12 + n2
N 个原子组成的晶体
1/ 6
σ σ ⎤ ⎡ U (r ) = 2 N ε ⎢ A12 ( )12 − A6 ( ) 6 ⎥ ……(8) R R ⎦ ⎣
⎛ 2A ⎞ 得到平衡时原子间距 R0 = ⎜ 12 ⎟ σ ⎝ A6 ⎠
平衡时总的相互作用势能
1/ 6
U0 = −N
ε A62
2 A12 2 R0 ,所以 3
3
,
因为 m=12,n=6,查表(P53,表 2-3)知体心立方 A6 = 12.25 , A12 = 9.11
K=
12 mnε A6 3 12 × 6 × 12.252 × 3 ε 89.84ε = = 3 3 3 24 A12 R0 24 × 9.11 R0 R0 5/ 2
固体物理参考答案(前七章)

固体物理习题参考答案(部分)第一章 晶体结构1.氯化钠:复式格子,基元为Na +,Cl -金刚石:复式格子,基元为两个不等价的碳原子 氯化钠与金刚石的原胞基矢与晶胞基矢如下:原胞基矢)ˆˆ()ˆˆ()ˆˆ(213212211j i a a i k a a k j a a +=+=+= , 晶胞基矢 ka a j a a ia a ˆˆˆ321===2. 解:31A A O ':h:k;l;m==-11:211:11:111:1:-2:1 所以(1 1 2 1) 同样可得1331B B A A :(1 1 2 0); 5522A B B A :(1 1 0 0);654321A A A A A A :(0 0 0 1)3.简立方: 2r=a ,Z=1,()63434r 2r a r 3333πππ===F体心立方:()πππ833r4r 342a r 3422a 3r 4a r 4a 33333=⨯=⨯=∴===F Z ,,则面心立方:()πππ622r 4r 34434442r 4a r 4a 233ar 33=⨯=⨯=∴===F Z ,,则 六角密集:2r=a, 60sin 2c a V C = a c 362=,πππ622336234260sin 34223232=⨯⨯⨯=⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛a a c a r F a金刚石:()πππ163r 38r 348a r 3488Z r 8a 33333=⨯=⨯===F ,, 4. 解:'28109)31arccos(312323)ˆˆˆ()ˆˆˆ(cos )ˆˆˆ()ˆˆˆ(021*******12211=-=-=++-⋅+-=⋅=++-=+-=θθa a k j i a k j i a a a a a kj i a a kj i a a 5.解:对于(110)面:2a 2a a 2S =⋅=所包含的原子个数为2,所以面密度为22a2a22=对于(111)面:2a 2323a 22a 2S =⨯⨯= 所包含的原子个数为2,所以面密度为223a34a 232=8.证明:ABCD 是六角密堆积结构初基晶胞的菱形底面,AD=AB=a 。
晶体缺陷习题及答案解析

晶体缺陷习题与答案1 解释以下基本概念肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、汤普森四面体、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、对称倾侧晶界、重合位置点阵、共格界面、失配度、非共格界面、内吸附。
2 指出图中各段位错的性质,并说明刃型位错部分的多余半原子面。
3 如图,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环,并受到一均匀切应力τ。
(1)分析该位错环各段位错的结构类型。
(2)求各段位错线所受的力的大小及方向。
(3)在τ的作用下,该位错环将如何运动?(4)在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大?4 面心立方晶体中,在(111)面上的单位位错]101[2ab =,在(111)面上分解为两个肖克莱不全位错,请写出该位错反应,并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出πγ242Gb s d ≈(G 切变模量,γ层错能)。
5 已知单位位错]011[2a能与肖克莱不全位错]112[6a 相结合形成弗兰克不全位错,试说明:(1)新生成的弗兰克不全位错的柏氏矢量。
(2)判定此位错反应能否进行?(3)这个位错为什么称固定位错?6 判定下列位错反应能否进行?若能进行,试在晶胞上作出矢量图。
(1)]001[]111[]111[22a a a→+(2)]211[]112[]110[662a a a+→(3)]111[]111[]112[263a a a→+7 试分析在(111)面上运动的柏氏矢量为]101[2a b =的螺位错受阻时,能否通过交滑移转移到(111),(111),(111)面中的某个面上继续运动?为什么?8 根据晶粒的位向差及其结构特点,晶界有哪些类型?有何特点属性?9 直接观察铝试样,在晶粒内部位错密度为5×1013/m 2,如果亚晶间的角度为5o ,试估算界面上的位错间距(铝的晶格常数a=2.8×10-10m)。
《固体物理学》房晓勇思考题参考解答

R = hai + kb j + lck (2)
如果是立方晶系 a = b = c ,
( ) n = h d i + k d j + l d k = d hi + k j + lk (1′) a b ca
( ) R = hai + kb j + lck = ha i + k j + lk (2′)
比较两式得 n = d R ,即n与R平行,晶列 hkl 垂直于同指数的晶面(hkl) a2
第一章 晶体的结构习题
第一章 晶体的结构
思考题
1.1 为什么自然界中大多数固体以晶态形式存在?为什么面指数简单的晶面往往暴露在外表面?
解答:
在密勒指数(面指数)简单的晶面族中,面间距 d 较大。对于一定的晶格,单位体积内格点数目一定,
因此在晶面间距大的晶面上,格点(原子)的面密度必然大。面间距大的晶面,由于单位表面能量小,容
是沿 c 轴伸长后的点阵,因此相同的点阵从(a)是体心点阵,从(b)看是面心点阵,本质上相同,都称 为体心四方点阵。 2)类似的底心四方和简单四方是同一种点阵。 3)底心立方不再具有立方对称性。所以不存在。 1.5 许多金属既可以形成体心立方结构,也可以形成面心立方结构。从一种结构转变为另一种结构时体积
1)图(a)代表向 c 轴俯视所观察到的体心四方的格点分布。格点②距离由格点①组成的 晶面的 C/2 处。如 C=a,则点阵为 bcc;如图所示,为已经伸长的 bcc,c≠a,它是体心四 方点阵。如
图(b)与图(a)代表同样的点阵,只是观察的角度不同,图中①构成四方面心格点,
面心格点间的距离 a′ = 2a ,如 C = a′ = a ,则点阵为 fcc;对于一般的 C 值,图(b) 22
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第四章 晶格结构中的缺陷
4.1 试证明,由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为
s
B k T s n Ne μ−=
其中s μ是形成一个空位所需要的能量。
证明:设由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为s n ,则其微观状态数为
!()!s !
s s N P N n n =− 由于s μ个空位的出现,熵的改变
[]!ln ln
ln ()ln()ln ()!!
B s B B s s s s s s N S k P k k N N N n N n n n N n n Δ===−−−−− 晶体的自由能变化为 []ln ()ln()ln s s s s B s s s F n T S n k T N N N n N n n n μμ=−Δ=−−−−−s
要使晶体的自由能最小
B ()ln 0s s s s
T n F u k T n N ⎡⎤⎛⎞∂Δ=+=⎜⎟⎢⎥∂−⎣⎦⎝⎠n 整理得
s B k T s s n e N n μ
−=− 在实际晶体中,由于,
s n N <<s s s n n N N n ≈−,得到 s
B k T s n Ne μ−=
4.2 铜中形成一个肖托基缺陷的能量为1.2eV ,若形成一个间隙原子的能量为4eV ,试分别计算1300K 时肖托基缺陷和间隙原子数目,并对二者进行比较。
已知,铜的熔点是1360K 。
解:(王矜奉4.2.4)根据《固体物理学》4-8式和4-10式,肖托基缺陷和间隙原子数目分别为 s B k T s n Ne
μ−= 11B k T n Ne μ−= 得19231.21.61051.38101300 2.2510s
B k T s n Ne Ne
N μ−−××−
−−××===× 191231.2410161.381013001 3.2110B k T n Ne Ne N μ−−××−−−××===×
4.3 设一个钠晶体中空位附近的一个钠原子迁移时,必须越过0.5eV 的势垒,原子振动频率为1012Hz 。
试估算室温下放射性钠在正常钠中的扩散系数,以及373K 时的扩散系数。
已知,形成一个钠空位所需的能
量时1eV .
解:(刘友之8.8)根据《固体物理学》4-24式,
22B ()/2021e 2
u E k T D a ν−+= 考虑沿[001]方向的扩散,()100/2 4.28210
/2a a m −==×,在室温300K 时 ()()
192322B 22B 2210(0.51)1.610/1.3810300()/()/21200202332111 4.23810e e 10e 222221.5310/u E k T u E k T a D a m s νν−−−−+××××−+−+−⎛⎞×⎛⎞===×⎜⎟⎜⎟⎝⎠⎝⎠
=× 在373K 时
()()
192322B 22B 2
210(0.51)1.610/1.3810373()/()/21200202282111 4.23810e e 10e 222221.2910/u E k T u E k T a D a m s νν−−−−+××××−+−+−⎛⎞×⎛⎞===×⎜⎟⎜⎟⎝⎠⎝⎠=× 4.4 在离子晶体中,由于电中性的要求,正、负离子多成对地产生,令sp n 代表正负离子
空位的数目,sp u 是产生一对缺陷所需的能量,N 是原有正、负离子对的数目,在理论上可推出:2sp
B u sp
k T n Be N −=
(1)试阐述产生正、负离子对后,晶体体积的变化
V V Δ,V 为原有的体积。
(2)在800℃时,用X 射线测定食盐的离子间距,再由此时测定的密度ρ算得分子量为
58.430±0.016,而用化学方法所测定的分子量是58.454,求在800℃时缺陷p n N
的数量级。
解:(参考方俊鑫电子版4.22)
(1)在弗兰克尔缺陷中,晶体的体积没有显著变化,而在肖特基缺陷中每产生一对缺陷同时便在晶体表面填了两个新的原子,增加了体积,也就减少了密度,在肖特基缺陷中所增加的体积为:
32sp V n a Δ=其中a 为正负离子间的距离。
晶体原来的体积是V
32Na =因此体积变化是 /2/sp B u k T sp
n V V Be N −Δ==
(2)这是一个著名的实验,证明食盐中有肖特基缺陷,因为X 光测点阵常数时,其值a 不随有无缺陷而改变,而用化学方法测密度则是真实的,每单位体积的质量V
m ,当晶体总质量m 不改变时,晶体的实际体积V 将随缺陷数目的改变而变化,即用化学方法测得密度ρ将由于缺陷的数目增加而变。
设NaCl 分子量为M 1每个分子占体积为2a 3,令ρ为密度,则有:
是常数和因m a m a VM V m a M 332;2===ρ
0;
0sp n dV dM dV VdM MdV V M V +==−>=又因N
458.45458.43041058.454sp n dM N M −−∴=−=≅× 所以通过这个实验充分证明了空位的存在。
通过密度的变化,说明空位存在的实验还有以下实验:在纯NaCl 或KCl 等晶体中掺入一些重量较大的正负离子杂质,例如CaCl 2,MgCl 2等不同价的正离子,似乎密度应该会增加些,增加的数量与加入MgCl 2的百分比成正比。
有人用纯KCl 内加入CaCl 2掺杂KCl ,不仅密度不增加仅而减少;这说明Ca ++入K +的位置,为使电中性维持下去,必然使晶体中处于正格点位上的一些K +去掉,这就造成了K +空位,而使晶体体积增大,密度减小。
4.5 在一维晶格中,晶格粒子的势能曲线如图所示。
设晶体中只有一种肖托基缺陷,格点上的粒子每秒从能谷1跳到能谷2的几率为
B W k T V P e l
−= 其中,l 为缺陷的最近邻格点数目。
试推导
出扩散流密度和扩散系数的表达式。
解: 格点上的粒子每秒从能谷1跳到能
谷2的几率为P ,则格点上的粒子没跳跃一步所必须的时间为 1B W
k T l P e V
τ−== 根据式4-21,布朗形成的平方均值与扩散系数和扩散粒子完成一次布朗行程所需时间的统计平均值之间满足 22x D =
在肖托基缺陷中,满足
22x a =,V s N n τ=,s B k T s n Ne μ−= 得
22221112222s s B B W W k T k T k T s V n x V D a a e e e N l μμττB Va l +−−−===××=
而扩散流密度
22s B W k T C Va j D e t l
μ+−∂∂=−=−∂∂C t。