射频里耦合度,耦合系数
高频电子技术任务二总结
制作整理：刘腾 钱玉婷任务二知识点（整理）(一) 单调谐回路放大器：1) 晶体管高频等效电路的建立有两种方法：一，根据晶体管内部发生的物理过程拟定模型而建立的物理参数等效电路，如常用的晶体管混合∏型参数等效电路；二，把晶体管看作一个有源二端口网络，先从外部端口列出电流和电压的方程，然后拟定满足方程的网络模型而建立的网络参数等效电路，如H 、Y 、Z 和G 参数等效电路。
2) 二端口Y 参数方程：（注：选bU ∙和cU ∙为自变量，bI ∙和cI ∙为因变量）b bc ie re c b cfe oe I Y U Y U I Y U Y U ∙∙∙∙∙∙=+=+符号说明：基极输入电流b I ∙、基极输入电压bU ∙、集电极输出电流cI ∙和集电极输出电压c U ∙3) 共射晶体管等效为二端口网络其中：cbie b 0UI Y U ==定义为放大器输出端短路时的输入导纳。
它反映了放大器输入电压对输入电流的控制作用，其倒数就是放大器的输入阻抗。
ccfe b0U I Y U ==定义为放大器输出端短路时的正向传输导纳。
它反映了放大器输入电压对输出电流的控制作用，或者说电路的放大作用。
fe Y 越大，放大能力越强。
b bre c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的反向传输导纳。
它反映了放大器输出电压对输入电流的影响，即放大器内部的反向传输作用或称放大器内部反馈作用。
re Y 越大，内部反馈越强。
bcoe c 0UI Y U ==定义为放大器输入端短路时的输出导纳。
它反映了放大器输出电压对输出电流的影响，其倒数就是放大器的输出阻抗。
4) 等效电路共射晶体管Y 参数等效电路小笔记：将输出的等效为受控源Y 参数：1.ie ie ie j Y g C ω=+ 2.oe io oe j Y g C ω=+3.re re re Y Y ϕ=∠ 4. fe fe fe Y Y ϕ=∠(二) 单级共射单调谐回路放大器的工作原理和等效电路1) 共射单调谐回路放大器原理电路\2) 其交流等效电路：小笔记：直流电源接地，旁路电容短路（部分接入）3) 放大器的Ya) 简化的Y 参数等效电路b) 假设负载为下一级晶体管，且型号与本级晶体管相同，则并项后的等效电路晶体管其中：221oe 2ie 0g p g p g g ∑=++221oe 2ie C p C p C C∑=++(三) 单级单调谐回路放大器的主谐振回路的主要技术指标1) 电压增益12feu0p p Y A g ∑=说明：1j j Y g C Lωω∑∑=++回路谐振时，Y g ∑=；负号表示输出电压和输入电压反相。
射频基础知识
输入/输出驻波比（ 输入 输出驻波比（Input／Output VSWR） 输出驻波比 ／ ） 传输线上的电压波或电流波通常都是由入射波和反射波叠 加而成的，当它们相位相同时，该处的电压波或电流波的 振幅最大，称波腹点；当它们的相位相差π时，该处的电 压波或电流波的振幅最小，称波节点。传输线上电压波 （或电流波）最大值与最小值之比称为驻波比，又称为驻 波系数。在输入、输出端测得的驻波比分别成为输入、输 出驻波比。
AMPS
SMR
IDEN (800)
CDMA2000 1X EVDO
CDMA2000 MX
CDMA2000的过渡路径 CDMA2000的过渡路径
标准 IS-95A IS-95A IS-95B IS-95B CDMA2000第 CDMA2000第1阶段 9600 bit/s或14.4kbit/s bit/s或14. 主要是前向链路上的话音和数据，改进的切换以及64/56 kbit/s 主要是前向链路上的话音和数据，改进的切换以及64/ SR1(1.2288Mchip/s) SR1 2288Mchip/s) 话音和数据（经由孤立信道的分组数据） 128Walsh码 128Walsh码 具有2倍的IS-95容量 具有2倍的IS-95容量 达到144kbit/s(使用SR1T 1XRTT方式) 达到144kbit/s(使用SR1T 1XRTT方式) CDMA2000第 CDMA2000第2阶段 SR3(3.6864Mchip/s) SR3 6864Mchip/s) 定向于分组数据 具有更高的数据率 达到144kbit/s：移动车载用户 达到144kbit/s：移动车载用户 384kbit/s：移动步行用户 384kbit/s：移动步行用户 2Mbit/s：固定的用户 2Mbit/s：固定的用户 256Walsh码 256Walsh码 突出要求
射频电路 电阻电容耦合计算公式
射频电路电阻电容耦合计算公式一、电阻耦合。
1. 基本概念。
- 在射频电路中，电阻耦合主要用于信号在不同级之间的传递，同时也起到一定的隔离和分压作用。
- 对于简单的电阻分压耦合电路，假设输入电压为V_in，两个串联电阻分别为R_1和R_2，则输出电压V_out的计算公式为：V_out=(R_2)/(R_1 + R_2)V_in。
2. 考虑负载电阻的情况。
- 当输出端接有负载电阻R_L时，情况会变得复杂一些。
如果R_1和R_2组成的分压电路后接负载R_L，此时等效电阻R_eq=R_2∥ R_L=(R_2R_L)/(R_2 +R_L)。
- 那么输出电压V_out=frac{R_eq}{R_1+R_eq}V_in。
3. 功率传输中的电阻耦合。
- 在射频功率传输中，电阻耦合还涉及到功率的分配。
如果一个信号源通过两个电阻R_1和R_2向负载传输功率，信号源电压为V_s，内阻为R_s。
- 负载R_L获得的功率P_L=<=ft(frac{V_out^2}{R_L})，其中V_out根据上述电阻分压公式计算。
二、电容耦合。
1. 电容耦合的基本原理。
- 电容耦合用于在射频电路中传递交流信号，同时阻断直流信号。
对于一个简单的电容耦合电路，假设输入电压为V_in(t)=V_0sin(ω t)，耦合电容为C，串联电阻为R。
- 根据电容的阻抗Z_C=(1)/(jω C)（j为虚数单位），电路的总阻抗Z =R+(1)/(jω C)。
- 电流I=frac{V_in}{Z}，输出电压V_out=I× R=frac{V_inR}{R+(1)/(jω C)}=(jω CR)/(1 + jω CR)V_in。
2. 多级电容耦合。
- 在多级射频放大器中，采用电容耦合。
如果有n级放大器，每级之间通过电容C_i耦合，各级的输入电阻为R_in,i。
- 对于第i级到第i + 1级的耦合，耦合系数k_i=frac{R_in,i + 1}{R_in,i+R_in,i + 1}（这里假设电容的容抗相对输入电阻可忽略不计，主要考虑电阻的分压关系）。
基于ADS的射频环行器仿真设计
基于ADS的射频环行器仿真设计射频环行器是一种常用的微波器件，其具有很好的性能和广泛的应用。
在设计射频环行器时，可以使用ADS（Advanced Design System）软件进行仿真，以优化其性能和减少设计成本。
下面将详细介绍基于ADS的射频环行器仿真设计。
首先，在ADS软件中创建一个新的工程，选择射频环行器的参数进行设置。
射频环行器的关键参数包括工作频率、耦合系数、传输矩阵的特性等。
接下来，在ADS的设计流程中进行电路图的设计。
首先，设计射频环行器的耦合结构。
根据设计需求，选择合适的耦合结构，如驻波耦合结构或插入式耦合结构。
根据射频环行器的工作频率和带宽要求，确定合适的尺寸和工艺。
然后，设计射频环行器的传输线路。
通过添加合适的传输线路，将射频信号引导到环行器的耦合结构中，并将回传信号引导回传输线路。
这样可以实现射频信号的传输和耦合。
接下来，进行电路的参数设置。
设置射频环行器的工作频率、器件特性等参数。
可以根据实际需求设置相应的参数值。
然后，进行射频环行器的仿真分析。
使用ADS软件中的电磁仿真工具，对射频环行器进行仿真。
通过仿真分析，可以得到射频环行器的S参数、传输特性等信息。
根据仿真结果，可以优化射频环行器的设计，使其性能达到更好的要求。
最后，进行射频环行器的优化设计。
根据仿真结果，对射频环行器的结构参数进行调整，以改善其性能。
可以通过改变耦合结构的尺寸、增加或减小传输线路的长度、调整传输线路的宽度等方式进行优化设计。
在整个设计过程中，可以通过ADS软件提供的快速优化工具，对射频环行器的性能进行快速评估和优化，以减少设计的时间和成本。
可以通过改变射频环行器的参数，如耦合系数、传输线路的特性等，以获得更好的射频性能。
综上所述，基于ADS的射频环行器仿真设计可以帮助工程师更好地优化射频环行器的性能和减少设计成本。
通过对射频环行器的耦合结构和传输线路进行设计和调整，可以获得更好的射频性能。
同时，通过ADS软件提供的快速优化工具，可以快速评估和优化射频环行器的性能。
三相电抗器的互电抗、耦合系数和有效阻抗
三相电抗器的互电抗、耦合系数和有效阻抗下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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耦合系数(1)
耦合系数导言耦合系数是用于衡量系统或者组件之间的相互关联程度的指标。
在软件开发过程中，了解和控制系统中各个模块之间的耦合关系对于提高软件的可维护性、可扩展性以及降低代码复杂度十分重要。
本文将介绍耦合系数的概念、分类以及如何在软件开发中使用耦合系数进行分析和优化。
什么是耦合系数耦合系数是软件工程中用于度量系统或者组件之间相互关联程度的指标。
它反映了一个模块与其他模块之间的相互依赖程度，即一个模块对其他模块的了解程度。
耦合系数的值越高，表示模块之间的依赖关系越紧密，耦合度越高。
耦合系数的分类耦合系数可以分为两类：直接耦合和间接耦合。
直接耦合直接耦合指的是模块之间通过函数或者方法的调用进行交互。
当一个模块需要调用另一个模块的函数或者方法时，就会产生直接耦合。
直接耦合可以进一步分为以下几种情况：1.控制耦合：一个模块通过参数传递的方式控制另一个模块的行为。
2.数据耦合：一个模块通过参数传递数据给另一个模块。
3.标记耦合：一个模块通过标记的方式传递数据给另一个模块。
4.公共耦合：多个模块共享同一个全局变量或者公共数据结构。
间接耦合间接耦合指的是模块之间通过共享的数据结构或者数据存储进行交流。
当多个模块都依赖于同一个数据结构或者数据存储时，就会产生间接耦合。
间接耦合可以进一步分为以下几种情况：1.连接耦合：两个模块之间通过共享数据库连接或者网络连接进行交互。
2.内容耦合：多个模块之间通过共享的消息队列或者事件通知进行交互。
3.外部耦合：多个模块之间通过共享的外部文件或者配置文件进行交互。
如何使用耦合系数进行分析在软件开发过程中，可以通过计算耦合系数来评估系统的耦合程度。
常用的耦合系数计算方法有以下几种：1.聚合关系耦合系数：该耦合系数通过统计模块之间的聚合关系来评估系统的耦合程度。
聚合关系指的是一个模块调用了多个其他模块的函数或者方法。
计算公式如下：聚合关系耦合系数 = (调用其他模块函数或方法的次数) / (模块内所有函数或方法调用次数)2.控制耦合系数：该耦合系数通过统计模块之间的控制耦合来评估系统的耦合程度。
3MHz～26.1MHz正反向功率检测器的设计与实现
3MHz～26.1MHz正反向功率检测器的设计与实现摘要:本文对频段为3MHz～26.1MHz短波发射系统中的正反向功率检测器的作用和工作原理进行了分析, 提出了一种功率检测器采用电流互感器和电压互感器双磁环检测工作方式的设计方案，同时给出了实际设计原理电路图和测试结果。
关键词：检测器；耦合度；隔离度1 引言正反向功率检测器在短波发射系统中是一个必不可少的部件之一，其功能特性直接影响短波发射系统的输出功率平坦度和稳定性，决定发射机能否建立起一个可靠的保护系统。
针对短波发射设备功率检测的平坦性、可靠性和方便调试等问题，本文主要分析一种功率检测采用电流互感器和电压互感器双磁环检测形式的电路结构，此种电路结构形式的功率检测器的各项性能指标都比较优，在实际的生产和调试中都比较简单，因此其在短波发射设备中有着重要的应用。
2正反向功率检测器的工作原理和电路结构功率检测器在短波发射系统中的应用示意图1，功率检测器在作为功率电平取样时，在短波电台发射系统中，一般接于功放滤波之后。
功率检测器对谐波滤波器输出的射频信号进行检测，检测出正反向功率取样电压，供给激励器数字化处理后进行正反向功率指示，同时对正反向功率进行控制和保护。
当信号功率自端口1输入，则端口2为输出端口，3为耦合度端口，4为定向性端口（或称隔离端口），理想状态下端口4应该没有功率输出。
设计功率检测器的核心问题是：频率范围、耦合度、耦合度幅频响应、定向性、插入损耗、功率容量等指标，其各定义如下所示[1]；耦合度C：输入端功率P1与耦合度端功率P3之比，可用dB表示。
耦合度幅频响应△C：习称耦合平坦度，在工作频带内，耦合度端功率P3最大值（P3max）与P3最小值（P3min）之比，可用dB表示：定向性D：耦合度端功率P3与定向性端功率P4之比，可用dB表示：隔离度I：输入端功率P1与隔离端功率P4之比，可用dB表示：插入损耗LA：输入端功率P1与输出端功率P2之比，可用dB表示：频率范围：是指满足发射设备各指标要求的频率范围。
射频微波电路研究第六章定向耦合器
2 插入损耗
主路输出端和主路输入端的功率比值，包括 耦合损耗以及导体介质的热损耗
3 耦合度
描述耦合输出端口与主路输入端的比例关系
4 方向性
描述耦合输出端与耦合支路隔离端的比例关系。 理想情况下为无穷大
5 隔离度
描述主路输入端口和耦合支路隔离端口的比例 关系。理想情况下，隔离度为无限大
T(dB )10lgP2 P1
奇偶模分析
对线上所有阻抗用Z0归一化，在端口1输入单位幅值 1的波，采用偶模激励和奇模激励相叠加的方式来分 析分支线耦合器，奇模激励为±1/2,偶模激励为1/2
偶模激励 在两个端口的输入波振幅是1/2
由对称性可知，在中心线处无电流通过，相当于开路
奇模激励 在两个端口的输入波振幅是±1/2
由对称性可知，在中心线处电压为零，相当于短路
m3
0
m3
freq=7.510GHz dB(S(4,1))=-0.224
-5
dB(S(4,1)) dB(S(3,1)) dB(S(2,1))
-10
m1
-15
m2
-20
-25 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
freq, GHz
微带定向耦合器ADS仿真结果，可 以在ADS中对定向耦合器优化得到 更好的结果
平行耦合线耦合器设计方法
1 确定耦合器指标：耦合系数C（dB），各端口的 特征阻抗Z0(Ω)，中心频率ƒc，基片参数(εr，h)
2 利用奇偶模阻抗计算式计算奇偶模特征阻抗
Z0e Z0
110C 20 110C 20
110C 20 Z0o Z0 110C 20
3 利用所得奇偶模特征阻抗在奇偶模特征阻抗设计 数据中查得S/b,W/b(其中S为耦合线间距，W耦合 线宽度，b为基片厚度)
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射频里耦合度,耦合系数
摘要：
一、射频里耦合度的概念
二、耦合系数的定义和计算
三、耦合度在射频电路设计中的应用
四、耦合度的选择与电路性能的关系
正文：
射频里耦合度，是指射频电路中两个电路之间的相互作用程度。
它描述了电路之间的耦合强度，对于射频电路的设计和性能有着重要的影响。
耦合系数，是一个无量纲的参数，用于表示电路之间的耦合程度。
它描述了电路之间的互感和互容效应对信号传输的影响。
在射频电路中，耦合度的大小决定了电路之间的信号传输能力和干扰程度。
在射频电路设计中，耦合度的选择非常关键。
如果耦合度过小，会导致电路之间的信号传输能力降低，增加信号干扰；如果耦合度过大，可能会导致电路之间的相互影响过于强烈，从而降低电路的稳定性和可靠性。
因此，在设计射频电路时，需要根据具体需求选择合适的耦合度。
耦合系数通常用k 值来表示，k 值的范围从0 到1。
k 值为0 时，表示两个电路之间没有耦合；k 值为1 时，表示两个电路之间完全耦合。
在实际应用中，为了有效地传输功率，采用紧密耦合，k 值接近于1。
在某些情况下，例如在无线电和通信系统中，需要适当的、较松的耦合，此时k 值会小于1。
综上所述，耦合度在射频电路设计中起着重要作用。