数字电路课后答案--第一单元
(完整版)数字电路与逻辑设计课后习题答案蔡良伟(第三版)
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3-7
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3-10
求减数的补码，然后与被减数相加即可。电路图如下：
3-11
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（1）
（2）
（3）
（4）
（5）
（6）
（7）
（8）
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(1)真值表：
（2）电路图
3-14
3-15
第四章习题
4-1
4-2
4-3
4-4
4-5
4-6
4-7
4-8
4-9
4-10
RSDRSJK RST
4-11
(1)转换真值表
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××××
××××
××××
××××
××××
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0×0××0×1
0××1 1×1×
数字电路习题及答案
·数字电路与系统-习题答案1第1 章数字逻辑基础1.1 什么是数字电路？与模拟电路相比，数字电路具有哪些特点？答：处理数字信号并能完成数字运算的电路系统称为数字电路。
特点：采用二进制，结构简单易于集成；可用于数值计算和逻辑运算；抗干扰，精度高；便于长期存储和远程传输，保密性好，通用性强。
1.3 把下列二进制数转换成十进制数。
（1）(11000101)2 = (197)10（2）(0.01001)2 = (0.28125)10（3）(1010.001)2 = (10.125)101.4 把下列十进制数转换成二进制数。
（1）(12.0625)10 = (1100.0001)2（2）(127.25)10 = (1111111.01)2（3）(101)10 = (1100101)21.5 把二进制数(110101111.110)2分别转换成十进制数、八进制数和十六进制数。
答：(110101111.110)2 =(431.75)10 =(657.6)8 =(1AF.C)161.6 把八进制数(623.77)8分别转换成十进制数、十六进制数和二进制数。
答：(623.77)8 =(403.98)10 =(193.FC)16 =(110010011.111111)21.7 把十六进制数(2AC5.D)16分别转换成十进制数、八进制数和二进制数。
答：(2AC5.D)16 =(10949.81)10 =(25305.64)8 =(10101011000101.1101)21.8 把十进制数(432.13)10转换成五进制数。
答：(432.13)10 =(3212.0316)51.9 用8421BCD 码表示下列十进制数。
（1）(42.78)10 =(0100 0010.0111 1000)8421BCD（2）(103.65)10 =(0001 0000 0011.0110 0101)8421BCD（3）(9.04)10 =(1001.0000 0100)8421BCD数字电路与系统-习题答案21.10 把下列8421BCD 码表示成十进制数。
数字电路习题答案第一章(大题)
第一章习题答案1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比012（ms）图题1.1.4解： 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10%1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数，要求误差不大于2-4： （1）43 （2）127 （3）254.25 （4）2.718 解：1. 转换为二进制数：（1）将十进制数43转换为二进制数，采用“短除法”，其过程如下：2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b20高位低位从高位到低位写出二进制数，可得（43）D =（101011）B（2）将十进制数127转换为二进制数，除可用“短除法”外，还可用“拆分比较法”较为简单： 因为27=128，因此（127）D =128-1=27-1=（1000 0000）B -1=（111 1111）B（3）将十进制数254.25转换为二进制数，整数部分（254）D =256-2=28-2=（1 0000 0000）B -2=（1111 1110）B 小数部分（0.25）D =（0.01）B （254.25）D =（1111 1110.01）B（4）将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分（2）D =（10）B小数部分（0.718）D =（0.1011）B 演算过程如下：0.718×2=1.436……1……b-1 0.436×2=0.872……0……b-2 0.872×2=1.744……1……b-3 0.744×2=1.488……1……b-4 0.488×2=0.976……0……b-5 0.976×2=1.952……1……b-6高位低位要求转换误差小于2-4，只要保留小数点后4位即可，这里算到6位是为了方便转换为8进制数。
数电基础课后习题答案
数电基础课后习题答案数电基础课后习题答案在学习数电基础课程时，习题是巩固知识、提高理解能力的重要方式。
但是，很多同学在完成习题时会遇到一些困难，尤其是对于一些复杂的题目。
在这篇文章中，我将为大家提供一些数电基础课后习题的答案，希望能够帮助到大家。
第一章：数字系统和二进制数1. 将十进制数19转换为二进制数。
答案：19的二进制表示为10011。
2. 将二进制数1101转换为十进制数。
答案：1101的十进制表示为13。
3. 将十进制数25转换为八进制数。
答案：25的八进制表示为31。
第二章：布尔代数和逻辑门1. 简化逻辑表达式：(A + B)(A + C)(A + D)(B + C + D)。
答案：简化后的逻辑表达式为A + BCD。
2. 给定逻辑电路图，求输出。
答案：根据逻辑电路图，可以通过逻辑门的连接关系和输入信号的状态来确定输出信号的状态。
第三章：组合逻辑电路1. 给定逻辑电路图，求输出。
答案：同样地，根据逻辑电路图和输入信号的状态，可以确定输出信号的状态。
第四章：时序逻辑电路1. 给定时序电路图，求输出。
答案：时序电路的输出不仅取决于当前的输入信号状态，还取决于前一时刻的输入信号状态。
通过根据时序电路图的连接关系和输入信号的状态来确定输出信号的状态。
第五章：存储器和存储器芯片1. 给定存储器芯片的引脚图，求存储器的工作原理。
答案：存储器芯片的引脚图包含了存储器的输入和输出端口，通过对输入信号的写入和读取操作，可以实现对存储器中数据的存储和读取。
第六章：计数器和寄存器1. 给定计数器电路图，求输出。
答案：计数器电路的输出取决于计数器的输入信号和计数器的状态。
通过根据计数器电路图的连接关系和输入信号的状态来确定输出信号的状态。
以上是对数电基础课后习题的一些答案，希望能够帮助到大家更好地理解和掌握数电基础知识。
在学习过程中，如果遇到任何问题，不要犹豫，及时向老师或同学寻求帮助。
只有通过不断地练习和思考，我们才能够真正理解和应用数电基础知识，取得更好的学习成果。
数电答案精编版
第一章 数字逻辑基础 思考题与习题题1-1将下列二进制数转换为等值的十六进制数和等值的十进制数。
⑴（10010111）2 ⑵（1101101）2⑶（0.01011111）2 ⑷（11.001）2题1-2将下列十六进制数转换为等值的二进制数和等值的十进制数。
⑴（8C ）16 ⑵（3D.BE ）16⑶（8F.FF ）16 ⑷（10.00）16题1-3将下列十进制数转换为等值的二进制数和等值的十六进制数。
要求二进制数保留小数点以后4位有效数字。
⑴（17）10 ⑵（127）10⑶（0.39）10 ⑷（25.7）10题1-4将十进制数3692转换成二进制数码及8421BCD 码。
题1-5利用真值表证明下列等式。
⑴))((B A B A B A B A ++=+ ⑵AC AB C AB C B A ABC +=++⑶A C C B B A A C C B B A ++=++ ⑷E CD A E D C CD A C B A A ++=++++)( 题1-6列出下列逻辑函数式的真值表。
⑴ C B A C B A C B A Y ++=⑵Q MNP Q P MN Q P MN PQ N M Q NP M PQ N M Y +++++=题1-7在下列各个逻辑函数表达式中，变量A 、B 、C 为哪几种取值时，函数值为1？⑴AC BC AB Y ++= ⑵CA CB B A Y ++=⑶))((C B A C B A Y ++++= ⑷C B A BC A C B A ABC Y +++=题1-8用逻辑代数的基本公式和常用公式将下列逻辑函数化为最简与或形式。
⑴ B A B B A Y ++=⑵C B A C B A Y +++=⑶B A BC A Y += ⑷D C A ABD CD B A Y ++= ⑸))((B A BC AD CD A B A Y +++= ⑹)()(CE AD B BC B A D C AC Y ++++= ⑺CD D AC ABC C A Y +++=⑻))()((C B A C B A C B A Y ++++++= 题1-9画出下列各函数的逻辑图。
数字电路第五版(康华光)课后答案
第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于2−4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D= 27 -1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为8421BCD 码：（1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43 的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6 逻辑函数及其表示方法1.6.1 在图题1. 6.1 中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L 的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3)A⊕ =B AB AB+ （A⊕B）=AB+AB解：真值表如下由最右边2栏可知，A⊕B与AB+AB的真值表完全相同。
数字电子技术基础第一章练习题及参考答案
第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1.以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码2.以下代码中为恒权码的为。
A .8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码3. 一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. 1B.2C. 4D.164.十进制数25用8421BCD码表示为。
A .10 101B .0010 0101 C. 100101 D .101015.在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。
A. (256) 10B. (127) 10C. (FF) 16D. (255) 106.与十进制数(53.5) 10等值的数或代码为。
A.(0101 0011. 0101)8421BCDB.(35. 8)16C.(110101. 1)2D.(65. 4)87.矩形脉冲信号的参数有。
A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期8.与八进制数(47. 3) 8等值的数为：A. (100111 . 011 )2B. (27. 6)16C. (27. 3 )16D. (1 00111 . 11 )29. 常用的BCD码有。
A.奇偶校验码B.格雷码C. 8421码D.余三码10 .与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题(正确打，，错误的打X)1.方波的占空比为0. 5。
()2. 8421 码1001 比0001 大。
( )3.数字电路中用“ 1”和“ 0”分别表示两种状态，二者无大小之分。
()4.格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。
()5.八进制数(18) 8比十进制数(18) 10小。
()6.当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。
( )7.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。
()8.占空比的公式为：q = t w / T,则周期T越大占空比q越小。
数字电路第1章习题解答
第1章 数字逻辑基础1－1 将下列二进制数转换为十进制数。
(1) 2(1101) (2) 2(10110110) (3) 2(0.1101) (4) 2(11011011.101) 解（1）3210210(1101)12120212(13)=⨯+⨯+⨯+⨯=（2）75421210(10110110)1212121212(182)=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯= （3） 124210(0.1101)1212120.50.250.0625(0.8125)---=⨯+⨯+⨯=++= （4）76431013210(11011011.101)22222222 12864168210.50.125 (219.625)--=+++++++=+++++++= 1－2 将下列十进制数转换为二进制数和十六进制数(1) 10(39) (2) 10(0.625) (3) 10(0.24) (4) 10(237.375) 解（1）10216(39)(100111)(27)== (2) 10216(0.625)(0.101)(0.A)==（3）近似结果： 16210)3.0()00111101.0()24.0(D =≈ (4) 10216(237.375)(1110'1101.011)(0ED.6)== 1－3 将下列十六进制数转换为二进制数和十进制数(1) 16(6F.8) (2) 16(10A.C) (3) 16(0C.24) (4) 16(37.4) 解（1） 16210(6F.8)(1101111.1)(111.5)== (2) 16210(10A.C)(1'0000'1010.11)(266.75)== (3) 16210(0C.24)(1100.0010'01)(12.140625)== (4) 16210(37.4)(11'0111.01)(55.25)== 1－4 求出下列各数的8位二进制原码和补码(1) 10(39)- (2) 10(0.625) (3) 16(5B) (4) 2(0.10011)- 解（1）10(39)(1'0100111)(1'1011001)-==原码补码 (2) (0.1010000)(0.1010000)==10原码补码(0.625)(3) 16(5B)(01011011)(01011011)==原码补码(4) 2(0.10011)(1.1001100)(1.0110100)-==原码补码1－5 已知10X (92)=-，10Y (42)=，利用补码计算X ＋Y 和X －Y 的数值。
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1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
二极管工作在死区时，硅管的死区电压典型值是0.5V，锗管的死区电压典型值是0.1V。
2、为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大？答：由于常温下少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流。
当环境温度升高时，受温度影响本征激发和复合运动加剧，因此少子数量增大。
3、把一个1.5V 的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？答：测量二极管类型及好坏时，通常采用1.5V 干电池串一个约1k 的电阻，并使二极管按正向接法与电阻相连接，使二极管正向导通。
如果测量时直接把1.5V 的干电池正向连接到二极管的两端，因为没有限流电阻，很有可能使二极管中因电流过大而损坏。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？答：二极管的伏安特性曲线上通常分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
二极管工作在死区时，由于正向电压小于和等于死区电压，因此无法抵消PN 结内电场对正向扩散电流的阻碍作用，电流趋近于零；二极管工作在正向导通区时，管子正向端电压的数值基本保持在小于1V 的情况下不变，而在此电压下管子中通过的电流增长很快；二极管工作在反向截止区时，当温度不变时反向电流基本不变，且不随反向电压的增加而增大，故称为反射饱和电流，若温度变化时，对反向截止区的电流影响较大；二极管工作在击穿区时，特点是电压增加一点即造成电流迅速增大，若不加限制，则二极管有热击穿的危险。
5、半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？答：半导体二极管工作在击穿区时不一定会损坏。
因为，如果是电击穿，一般过程可逆，只要限流措施得当或及时撤掉击穿电压，就不会造成PN 结的永久损坏。
但是，电击穿若不加任何限制而持续增强时，由于PN 结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，就会造成二极管的永久损坏。
6、理想二极管电路如图1-16所示。
已知输入电压u i ＝10sinωt V ，试画出输出电压u 0的波形。
答： （a ）图：图中二极管若看作理想二极管，当输入正弦波电压低于－5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =u i ；当输入正弦波电压高于－5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =－5V（b ）图：图中二极管也看作理想二极管，当输入正弦波电压高于＋5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =ui ；当输入正弦波电压低于＋5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =＋5V ，波形如下图所示：图1-16 检验题6电路图1.3 检验学习结果1、利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？答：不可以。
因为，硅二极管或稳压管的正向压降正常工作时只有0.7V，正向电压在正向偏置时管压降只能是0～0.7V，超过此电压过大时，二极管的管压降也不会超过1V，因此它们的正向压降是不能稳压的。
2、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？答：（1）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管串联相接：反向串联时稳压值为14V；正向串联时1.4V；一反一正串联时可获得6.7V、8.7V。
（2）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管并联相接：反向并联时稳压值为6V；正向并联时或一反一正并联时只能是0.7V。
3、在图1-20所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问图中开关S在什么位置时发光二极管才能发光？R的取值范围又是多少？答：图中开关S闭合时发光二极管可导通。
导通发光时正向5mA电流下1.5÷5=0.3kΩ；正向15mA电流下1.5÷15=0.1kΩ。
因此限流电阻R的取值范围：100Ω～300Ω。
1.4 检验学习结果1、三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？答：由于三极管的发射区和集电区掺杂质浓度上存在较大差异，且面积也相差不少，因此不能互换使用。
如果互换使用，其放大能力将大大下降甚至失去放大能力。
2、三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？答：三极管工作在饱和区时，电流放大能力下降，电流放大系数β值随之下降。
3、使用三极管时，只要①集电极电流超过I CM值；②耗散功率超过P CM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。
上述说法哪个是对的？答：其中只有说法②正确，超过最大耗散功率P CM值时，三极管将由于过热而烧损。
4、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？①U BE＝0.7V，U CE＝0.3V；②U BE＝0.7V，U CE＝4V；③U BE＝0V，U CE＝4V；④U BE＝－0.2V，U CE＝－0.3V；⑤U BE＝0V，U CE＝－4V。
答：①NPN硅管，饱和区；②NPN硅管，放大区；③NPN硅管，截止区；④PNP锗管，放大区；⑤PNP锗管，截止区。
1.5 检验学习结果1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？答：双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。
由于双极型三极管的输出电流I C受基极电流I B的控制，因此称其为电流控件；MOS 管的输出电流I D受栅源间电压U GS的控制，因之称为电压控制型器件。
2、当U GS为何值时，增强型N沟道MOS管导通？答：当U GS=U T时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着U GS的增加，沟道加宽，I D增大。
当U GD＝U GS－U DS<U T时，漏极电流I D几乎不变，同样表现出恒流特性。
3、在使用MOS管时，为什么其栅极不能悬空？答：因为单极型三极管的输入电阻很高（二氧化硅层的原因），在外界电压的影响下，栅极容易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以，MOS．．．．．．．．．．．．．．．管在不使用时应避免栅极悬空．，务必将各电极短接．．．．．．．．。
4、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同？答：双极型三极管的输入电阻r be一般在几百欧～千欧左右，相对较小；而MOS管绝缘层的输入电阻极高，趋近于无穷大，因此通常认为栅极电流为零。
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。