二级管知识
二极管的基本知识点总结
二极管的基本知识点总结一、基本概念1. 什么是二极管二极管是一种由半导体材料制成的电子器件，它由P型半导体和N型半导体组成。
二极管具有正向导通和反向截止的特性，可以用来控制电流的流动。
2. 二极管的符号二极管的符号是一个三角形和一个带箭头的直线组成的图形，三角形代表P型半导体，箭头代表电流方向，直线代表N型半导体。
3. 二极管的工作原理二极管的工作原理主要基于PN结的特性。
当二极管处于正向偏置状态时，电子从N区域向P区域流动，空穴从P区域向N区域流动，形成电流，使二极管导通；当二极管处于反向偏置状态时，电子和空穴被PN结内的电场阻挡，导致电流无法通过，使二极管截止。
二、结构和特性1. 二极管的结构二极管的结构一般由P型半导体和N型半导体组成，通过扩散、合金和外加金属等工艺加工而成。
二极管的外部通常包裹着玻璃或者塑料等绝缘材料。
2. 二极管的特性二极管具有正向导通和反向截止的特性。
在正向导通状态下，二极管具有低电阻，可以导通电流；在反向截止状态下，二极管具有高电阻，不能导通电流。
3. 二极管的电压-电流特性曲线二极管的电压-电流特性曲线是指在正向偏置和反向偏置时，二极管的电压和电流之间的关系曲线。
在正向偏置状态下，二极管的电压随着电流增大而增大；在反向偏置状态下，二极管的电压非常小，电流也非常小。
三、分类和参数1. 二极管的分类根据不同的工作原理和性能要求，二极管可以分为普通二极管、肖特基二极管、肖特基二极管和肖特基二极管等多种类型。
2. 二极管的参数二极管的主要参数包括最大反向工作电压、最大正向工作电流、漏电流、正向压降、反向击穿电压等。
3. 二极管的选择在实际电路设计中，需要根据具体的要求和条件来选择适合的二极管。
例如，对于开关电路，一般会选择反向恢复二极管；对于高频电路，需要选择高频二极管。
四、应用领域1. 电源和稳压器二极管可以作为整流器，将交流电转换为直流电；也可以作为稳压二极管，用来稳定电压。
二极管知识总结
二极管知识总结二极管是一种半导体器件，具有单向导电性，广泛应用于电子电路中。
下面对二极管的知识进行总结。
一、二极管的基本结构二极管由P型半导体和N型半导体组成，其中P型半导体的掺杂浓度高于N型半导体。
二者通过PN结相接，形成二极管的基本结构。
PN 结的两端分别为阳极和阴极，阳极对应P型半导体，阴极对应N型半导体。
二、二极管的工作原理当二极管的阳极施加正电压，阴极施加负电压时，PN结会被正向偏置，电子从N型半导体向P型半导体流动，形成电流。
此时，二极管处于导通状态。
反之，当阳极施加负电压，阴极施加正电压时，PN结会被反向偏置，电子无法通过，此时二极管处于截止状态。
三、二极管的特性曲线二极管的特性曲线是描述二极管电流与电压关系的曲线。
在正向偏置时，二极管的电流与电压呈线性关系，即符合欧姆定律。
在反向偏置时，二极管的电流极小，几乎为零。
当反向电压达到一定值时，PN结会发生击穿，电流急剧增加，此时二极管处于击穿状态。
四、二极管的应用1.整流器：利用二极管的单向导电性，将交流电转换为直流电。
2.稳压器：利用二极管的反向击穿特性，将电压稳定在一定范围内。
3.信号检测器：利用二极管的非线性特性，将信号转换为直流电。
4.发光二极管：利用二极管的发光特性，制成发光二极管，用于指示灯、显示屏等。
五、二极管的分类1.硅二极管：具有较高的工作温度和反向击穿电压，广泛应用于电子电路中。
2.锗二极管：具有较低的工作温度和反向击穿电压，逐渐被硅二极管所取代。
3.肖特基二极管：由金属和半导体组成，具有快速开关速度和低噪声等优点，适用于高频电路。
六、二极管的参数1.正向电压降：指二极管在正向偏置时的电压降，一般为0.7V。
2.反向击穿电压：指二极管在反向偏置时的最大电压，超过该电压会导致PN结击穿。
3.最大正向电流：指二极管在正向偏置时的最大电流，超过该电流会导致二极管损坏。
以上是对二极管知识的总结，二极管作为电子电路中常用的器件，具有广泛的应用前景。
二极管基础知识详解
二极管基础知识详解
二极管是一种常用的电子元器件，具有单向导电性，只允许电流从一个方向流过。
下面详细解释二极管的基础知识：
1.二极管的种类：二极管可以根据材料、用途、型号等多种方式进行分
类。
常见的二极管包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。
2.二极管的单向导电性：二极管具有单向导电性，即只有在一定的电压
和电流方向下才能导通。
反向电压作用下，二极管呈现高阻态，电流很小，甚至可以忽略不计。
3.二极管的反向电流：当二极管两端加上反向电压时，会有一个很小的
反向电流流过二极管，这个反向电流主要是二极管内部的PN结反向漏电所引起的。
反向电流的大小对于二极管的性能和功耗有很大的影响。
4.二极管的伏安特性：二极管的伏安特性曲线表示了二极管两端电压和
通过电流之间的关系。
二极管的伏安特性曲线是非线性的，在不同的方向下具有不同的电阻值。
5.二极管的主要参数：二极管有很多参数，其中一些重要的参数包括最
大正向电流、最大反向电压、最大反向电流等。
在选择和使用二极管时，需要根据这些参数进行考虑。
6.二极管的应用：二极管广泛应用于各种电子电路中，如整流电路、稳
压电路、开关电路等。
二极管可以用来控制电流方向、保护电路等。
总之，二极管是电子工程中非常重要的一种元器件，了解二极管的基本知识对于电子工程设计和应用具有重要意义。
二极管基础知识
二极管基础知识-分类,应用，特性，原理，参数二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的应用1、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
2、开关元件二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。
利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管在收音机中起检波作用。
6、变容二极管使用于电视机的高频头中。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
二极管基本知识
二极管基本知识1. 基本概念二极管由管芯、管壳和两个电极构成。
管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。
P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。
1.1 二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。
通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。
1.2 正向特性1)外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。
一般硅管的死区电压约为0.5伏, 锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。
2)当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。
随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。
3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降)，且几乎恒定。
硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。
1.3 反向特性1)二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时仅有很小的反向电流。
如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。
实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。
一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。
2)当反向电压增大到一定数值时(图中D点)，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。
二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。
2. 整流电路2.1 单向半波整流电路二极管就像一个自动开关，u2为正半周时，自动把电源与负载接通，u2为负半周时，自动将电源与负载切断。
二极管的基础知识和参数选择
二极管的基础知识和参数选择二极管（Diode）是一种用于电路中的电子元件，具有只允许电流单向通过的特性。
它由一个P型半导体和一个N型半导体构成，通过简单的PN结构实现。
本文将介绍二极管的基础知识和参数选择。
一、二极管的工作原理二极管通过PN结构实现单向导电。
当二极管处于正向偏置（即P型半导体为正电压，N型半导体为负电压）时，电子从N型区域跨越PN结，进入P型区域。
同时P型区域的空穴也会从P型区域跨越PN结，进入N型区域。
这样形成了电流通过的路径，二极管处于导通状态。
而当二极管处于反向偏置（即P型半导体为负电压，N型半导体为正电压）时，电子和空穴都受到电场的阻挡，无法通过PN结，此时二极管处于截止状态。
二、二极管的常见参数1. 正向电压降（Forward Voltage Drop，VF）：正向电压降是指二极管在正向偏置时，所需的最小电压，才能使其开始导通。
不同材料和型号的二极管正向电压降会有所不同。
2. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage，VR）：反向击穿电压是指二极管在反向偏置时，达到截止状态的最大电压。
超过这个电压，二极管会发生击穿，形成可导通通路。
3. 最大正向电流（Maximum Forward Current，IFM）：最大正向电流是指二极管正向导通时，能够通过的最大电流。
超过了这个电流，二极管可能发生过热损坏。
4. 最大功耗（Maximum Power Dissipation，Pd）：最大功耗是指二极管能够承受的最大功率。
超过了这个功率，二极管可能发生过热损坏。
5. 反向恢复时间（Reverse Recovery Time，TRR）：反向恢复时间是指二极管由导通状态切换到截止状态所需的时间。
这个时间越短，二极管切换的速度越快。
1. 整流器（Rectifier）：二极管最常见的应用是作为整流器，将交流电转换成直流电。
在选择二极管时，需要考虑其正向电压降和最大正向电流，以确保能够满足所需的电压和电流要求。
二极管基础必学知识点
二极管基础必学知识点以下是学习二极管基础知识时必须了解的几个重要概念和知识点：1. 二极管的结构：二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的器件。
P型半导体具有正电荷载流子（空穴），N型半导体具有负电荷载流子（电子）。
2. PN结：当P型半导体与N型半导体通过直接接触形成结构时，形成的结构称为PN结。
在PN结中，P型半导体的载流子与N型半导体的载流子会发生扩散，形成一个电场区域，使得P型区域形成一个正电荷区（P区），N型区域形成一个负电荷区（N区）。
3. 二极管的正向偏置和反向偏置：当二极管的P区连接正电压而N区连接负电压时，电场区域会扩大，电子会从N区向P区运动，形成电流。
这种情况下，二极管处于正向偏置状态。
反之，当P区连接负电压而N区连接正电压时，电子会从P区向N区运动，不会形成电流。
这种情况下，二极管处于反向偏置状态。
4. 二极管的导通和截止状态：在正向偏置下，二极管的P区和N区之间的电场有效扩展，形成了一个导电通道。
此时二极管处于导通状态，可以通过电流。
在反向偏置下，电场区域不会扩大，电流无法通过二极管，此时二极管处于截止状态。
5. 二极管的正向电压降和反向电流：在正向偏置状态下，二极管上会出现一个正向电压降（一般约为0.7V），称为正向压降。
反向偏置状态下，只有很小的漏电流（反向漏电流）能够通过二极管。
6. 二极管的应用：由于二极管具有只允许电流单向通过的特性，因此可以用于整流电路，将交流电信号转换为直流电信号。
此外，还可以用于电压稳压器、开关、逻辑门等电路中。
以上是学习二极管基础知识时必须了解的几个重要概念和知识点。
在深入学习二极管原理和应用时，还需要了解二极管的特性曲线、温度对二极管的影响、二极管的灵敏度等内容。
二极管知识介绍
稳压二极管的伏安特性
P&L
11
#
稳压二极管
型号
PULS产品常用的稳压二极管举列 参数
BZG03系列 VZ : 10-270V、 Iz: 2-50mA.
TZMC系列 VZ : 2.4-75V、 Iz: 2.5-5mA.
ZMM系列 VZ : 0.7-79V、 Iz: 7.8-340mA.
P&L
8
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开关二极管
型号
PULS产品常用的开关二极管举列 参数
BAV99系列 VRM: 85V、VFM: ≤1.25V、IFM: 4.5A、trr: ≤4ns
MCL4148 VRM: 100V、VFM: 1.0V、IFM: 0.5A、trr: 4ns
BAV103
VRM: 250V、VFM: ≤1.0V、IFM: 1.0A、trr: ≤50ns
BYV32E系列 VRM: 100-200V、VFM: ≤0.85V、IFM: 20A、trr: ≤25ns
BAW156
VRM: 85V、VFM: ≤1.25V、IFM: 4A、trr: ≤3µs
P&L
6
#
第二章: 开关二极管
P&L7# Nhomakorabea开关二极管
➢ 开关二极管作用：
利用了二极管的单向导电特性。在PN结加上正向电压后，其导通电阻很小；而加上反 向电压后截止，其电阻很大。因此在电路中起到控制电流接通或关断的作用。
当V<VA时，此时电压不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为正向死 区，这个不能使二极管导通的电压称为死区电压。
当VA<V<VB时，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大迅速上升，在正常使用的电流范 围内，导通时二极管的端电压值几乎不变，这个电压称为二极管的正向电压。
二极管知识
二极管一般的错误用法，一是正向电压太小，则不足以克服死区电压，二是正向电流太，则会使PN结烧毁。三是反向电压太高了，则会使PN结发生反向击穿。四是工作频率太高，使电容的容抗下降，而发生反向不截止。
二极管的特点，二极管具有单向导电性的特点。即当二极管正向偏置时，电阻很小，有电流通过，当加上反向电压时，呈现高阻性，没有电流通过，相当于断路。这样二极管就有了使交变电流变成直流的能力了。
P区的空穴为多子，电子为少子，N区的电子为多子，空穴为少子。因浓度差的关系使多子扩散，少子漂移。P区因失去空穴而剩下了不能移动的负离子，同理，N区因失去电子，而成为不能移动的正离子，在中间部分，形成了不能移动的正负离子的空间电荷区，也叫做耗尽层。由于N区带的是正电，P区带的是负电，所以在内部形成了由N区指向P区的电场，由于在耗尽层中空穴和电子的数量一样，方向相反，所以在中间的PN结耗尽层里的电流大小为0。同时由于耗尽层的存在，所以PN结的电阻很大。PN结形成过程中，伴随着两种运动，一是多数载流子的扩散运动，还有就是少数载流子的漂移运动。PN结具有单向导电的性质，当在外面加电压使电流从P区流到N区。PN结呈现低阻性。所以电流很大。反之加上反向电压时呈高电阻的性质，电流很小。当P区的电压高于N区的电压时，称为正向电压，也称为正偏。当P区的电压低于N区的电压值时，称为反向电压，也称为反偏。当加上正向电压时，外电场与内电场的方向相反，削弱了内电场对多子的扩散作用，扩散电流增大，扩散电流远大于漂移电流。可以忽略漂移电流的影响。使PN结呈现低阻性。当加上反向电压时，外电场的方向和内电场的方向相同，外电场增强了内电场对多数载流子扩散的作用。使扩散电流大大减小。此时PN结少子的漂移运动产生的电流远大于扩散运动产生的电流，可以忽略扩散电流的影响。但少子产生的电流是很小的。所以使PN结呈现高阻性。在一定的条件下，半导体的本征激发产生的少子的数量是一定的。所以产生的漂移电流也是一定的。与两端加的电压无关，不在正比。此时的电流不随外电压的增大而增大，而是达到了饱和的状态。这个电流也称为反向饱和电流。
二极管基础知识
二极管基础知识二极管基础知识二极管是一种简单但非常重要的电子器件。
它有许多不同的应用和用途，从电源管理到通信系统。
了解二极管的基础知识对于理解现代电子学至关重要。
下面，我们将介绍二极管的基础知识，包括如何工作以及构建与使用二极管的一些提示。
一、什么是二极管二极管是一种电子器件，通常由半导体材料制成。
它由两个区域组成，其中一个区域富余电子，另一个区域缺乏电子（空穴）。
在合适的电路中，二极管允许电流在一个方向上流通，而在反向时则阻止电流的流动。
二、如何工作当一个电压施加在二极管的导电区域上，就会形成一个电场。
如果施加的电压超过了二极管的阈值电压（约为0.6V至0.7V），这个电场就足以克服材料的禁带宽度，泵出电子和空穴从而在二极管中形成电流。
这种电流流向负电极，因为负电极是阴极，它吸引了电子。
当反向电压施加在二极管的导电区域上时，由于没有足够的电场来克服禁带宽度，电子和空穴在二极管中不会产生电流。
这时，没有电流流过二极管，所以它会用来作为开关和保护元件。
三、常见的二极管种类1. 硅二极管（Si）硅二极管广泛使用于大多数应用中，包括通信、消费电子、电源管理和自动化控制。
硅二极管还在宽温度范围内，具有良好的性能和尺寸优势。
2. 锗二极管（Ge）锗二极管又称电子对管，已逐渐被硅二极管所取代。
锗二极管具有较低的噪声水平和敏感性，用于特殊应用，如电视机中的高频放大器。
3. 隧道二极管隧道二极管是一种狭义二极管，它可以在负温度系数区域实现高速，超高频和超低功率操作。
隧道二极管还可以用于数字电路中，如超高速运算放大器，高速开关和定时器中。
4. 光电二极管光电二极管是一种特殊类型的二极管，它是利用光电效应来转换光能为电能或电能为光能的半导体器件，广泛用于光通信、自动光控制、光电转换、机器视觉和人工智能等领域。
四、二极管的应用由于二极管在电路中具有单向导电性的特点，所以它可以被用于很多不同的应用，例如：1. 整流器二极管可以用作整流器，使交流电信号转化为直流电信号。
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红外发光二极管
外形常用的红外发光二极管其外形和发光二极管LED相似，发出红外光。
管压降约1.4v，工作电流一般小于20mA。
为了适应不同的工作电压，回路中常常串有限流电阻。
一些彩电红外遥控器，其红外发光管的工作脉冲占空比约为1/3-1/4；一些电器产品红外遥控器，其占空比是1/10。
减小脉冲占空比还可使小功率红外发光二极管的发射距离大大增加。
常见的红外发光二极管，其功率分为小功率(1mW-10m W)、中功率（20mW-50mW)和大功率（50mW-100mW以上)三大类。
要使红外发光二极管产生调制光，只需在驱动管上加上一定频率的脉冲电压。
用红外发光二极管发射红外线去控制受控装置时，受控装置中均有相应的红外光一电转换元件，如红外接收二极管，光电三极管等。
实用中已有红外发射和接收配对的二极管。
参数应用:红外线发光二极管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓GaAs）制成PN结，外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。
光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽约40nm左右。
其最大的优点是可以完全无红暴，（采用940～950nm波长红外管）或仅有微弱红暴（红暴为有可见红光）而延长使用寿命。
光是一种电磁波，它的波长区间从几个纳米（1nm=10-9m）到1毫米（mm）左右。
人眼可见的只是其中一部分，我们称其为可见光，可见光的波长范围为380nm～780nm，可见光波长由长到短分为红、橙、黄、绿、青、兰、紫光，波长比紫光短的称为紫外光，波长比红
外光长的称为红外光。
[1]
通常应用红外发射管波长：850nm、870Nnm、880nm、840nm、980nm
功率与红外发射管波长的关系：850nm>880nm>940nm
峰值波长：λp（nm发光体或物体在分光仪上所测量的能量分布，其峰值位置所对应的波长。
辐射强度（POWER）：单位nm∕sr，表示红外管（IRLED）辐射红外能量的大小。
辐射强度（POWER）与输入电流（If）成正比，辐射强度与发射距离成反比。
单位nm∕sr：红外线辐射强度单位，为发射管发射红外线光的单位立体角（sr）所辐射出的光功率的大小。
人为的提高红外发射管的功率，只能暂时提升照射距离，最后晶圆衰减加快，造成红外灯越来越暗，夜视越来越不清晰。
被照射环境外光源复杂，红外摄像机叶发挥不了应有的效果。
发射距离、发射角度（15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度）、发射的光强度、波长。
以上为物理参
数。
电性能:直径3mm,5mm为小功率红外线发射管。
而8mm,10mm为中功率及大功率发射管。
小功率发射管正向电压：1.1-1.5V，电流20mA。
中功率发射管正向电压：1.4-1.65V，电流50-100mA。
大功率发射管正向电压：1.5-1.9V，电流200-350mA。
煜星电子做出1-10W大功率红外线发射管可应用于红外监控照明。
方向特性:红外线发光二极管的发射强度因发射方向而异。
当方向角度为零度时，其放射强度定义为100%，当方向角度
越大时，其放射强度相对的减少，发射强度如由光轴取其方向角度一半时，其值即为峰值的一半，此角度称为方向半值角，此角度越小即代表元件之指向性越灵敏。
一般使用红外线发光二极管均附有透镜，使其指向性更灵敏
距离特性:红外线发光二极管的辐射强度，依光轴上的距离而变，亦随受光元件的不同而变。
是受光元件的入射光量变化和与红外发光管的距离呈一定特性。
基本上光量度是随距离的平方成反比，且和受光元件特性不同有关。
发射红外线去控制相应的受控装置时，其控制的距离与发射功率成正比。
为了增加红外线的控制距离，红外发光二极管工作于脉冲状态，因为脉动光（调制光）的有效传送距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值Ip，就能增加红外光的发射距离。
提高Ip的方法，是减小脉冲占空比，即压缩脉冲的宽度T。
一般其使用频在300KHz以下。
接收方式:红外线发射与接收的方式有两种，其一是直射式，其二是反射式。
直射式指发光管和接收管相对安放在发射与受控物的两端，中间相距一定距离；反射式指发光管与接收管并列一起，平时接收管始终无光照，只在发光管发出的红外光线遇到反射物时，接收管收到反射回来的红外光线才工作。
发射电路:双管红外发射电路，可提高发射功率，增加红外发射的作用距离。
简易测试:高亮度LED、红外LED、光电三极管外形是一样的，非常容易搞混，因此需要通过简易测试将它们区分出来。
用指针式万用表(1k挡)黑表笔接阳极、红表笔接阴极(应采用带夹子的表笔)测得正向电阻在20～40kΩ；黑表笔接阴极、红表笔接阳极测得反向电阻大于500kΩ以上者是红外发光二极管。
透明树脂封装的可用目测法：有圆形浅盘的极是负极。
若正向电阻在200kΩ以上(或指针微动)，反向电阻接近∞者是普通发光二极管。
若黑表笔接短脚，红表笔接长脚，遮住光线时电阻大于200kΩ，有光照射时阻值随光线强弱而变化(光线强时，电阻小)，这是光电三极管。
红外发光二极管的好坏,可以按照测试普通硅二极管正反向电阻的办法进行测试。
测量红外发光二极管正向电阻将万用表置于“R×10k”挡,黑表笔接红外发光二极管正极,红表笔接负极,测量红外发光二极管的正、反向电阻。
正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好),反向电阻大于500kΩ。
若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部被击穿损坏;若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该红外发光二极管开路损坏;若测得反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该红外发光二极管漏电损坏。
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判断两种电芯的差别，可以参考他们3.6V以下的放电曲线或者时间是否急剧下降
锰酸锂的电芯平台高，3.6V以上放电容量较多，但一旦处于3.6V以下很快就没电，耐高温性能教差，成本低；
钴酸锂电芯循环性能和耐高温性能最好，3.0V以上放电时间区别不大，成本高；
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2010-06-11 19:50cs203617|三级
锰理的克比容量110amh/g,钴锂的是145amh/g.同样体积的钴的容量高，锰的低。
也可以看放电曲线。
小电池用钴锂的技术很成熟，但现在钴锂的成本太高，很多公司用锰理来代替，有的全是锰理的。
也有很多是三元也钴锂1：1配比的来做。
你几乎到市场去买，很难当面分别出来。
你可以看看是哪家公司做的，基本上一看就知道。
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2010-06-12 10:23情贩子|四级
现在的手机电池基本都掺有锰的，你想想钴酸锂25万一吨，锰酸锂5万。
差多少。
从专业角度来说a.钴锂电压3.6V 锰锂电压3.7V（指的是中值电压）。
b.还有，几十块钱买一块电池不可能是纯钴的，现在的电池的材料都是说几号粉（5号粉就是钴：锰各一半。
）c.同样体积容量越大价钱越贵掺钴越多。
现在钴酸锂很少用了，三元材料替代了。