湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告

湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告规划设计/投资分析/实施方案报告摘要说明半导体材料升级换代。

作为集成电路发展基础，半导体材料逐步更新换代，第一代半导体材料以硅（Si）为主导，目前，95%的半导体器件和99%以上的集成电路都是硅材料制作。

20世纪90年代以来，光纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS导航等领域。

第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。

据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。

作为半导体产业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。

该半导体集成电路项目计划总投资5668.65万元，其中：固定资产投资4346.50万元，占项目总投资的76.68%；流动资金1322.15万元，占项目总投资的23.32%。

本期项目达产年营业收入11446.00万元，总成本费用8817.91万元，税金及附加114.34万元，利润总额2628.09万元，利税总额3104.93万元，税后净利润1971.07万元，达产年纳税总额1133.86万元；达产年投资利润率46.36%，投资利税率54.77%，投资回报率34.77%，全部投资回收期4.38年，提供就业职位209个。

1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。

当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，持续为半导体产业提供强劲市场需求，全球集成电路产业将迎来新一轮的发展机遇。

湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告目录第一章项目总论第二章市场调研预测第三章主要建设内容与建设方案第五章土建工程第六章公用工程第七章原辅材料供应第八章工艺技术方案第九章项目平面布置第十章环境保护第十一章安全卫生第十二章风险防范措施第十三章节能说明第十四章计划安排第十五章投资方案第十六章经济收益分析第十七章项目招投标方案附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第一章项目总论一、项目建设背景1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。

半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。

直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。

原电子工业部部长在其著作《芯路历程》中回忆这一阶段历史，提到发展中第一个误区“有设备就能生产”，70年代从日本、美国引进了大量二手、淘汰设备建立了超过30条生产线，但引进后无法解决技术、设计问题，也没有管理、运营能力，第一批生产线未能发挥应有的作用，就淡出了市场。

90年代，国家再度启动系列重大工程，为改变半导体行业发展困境，最知名的为908、909工程，908工程在1990年启动，投资20亿元建设国际领先的1微米(1000nm)制程工艺的晶圆制造产线。

由于中国彼时整体经济力量还在蓄积，因此经费、设备引进、建厂等环节仍然阻力较大，直至1998年产线得以竣工。

此时国际工艺节点达到0.18微米，中国生产线刚建成就落后两代。

在1996年国家启动了“909”工程，整体投资约100亿元，并且做出很多打破审批的特事特办，参与其中的公司如今只剩两家，一个是909工程的主体华虹集团，另一个则是完全自筹 1.355亿元资金的华为设计公司，也就是后来的海思。

集成电路产业链主要分为集成电路设计、集成电路制造以及集成电路封装测试等三个主要环节，同时每个环节配套以不同的制造设备和生产原材料等辅助环节。

半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导体设备支出的占比普遍达到80%。

一条晶圆制造新建产线的资本支出占比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。

其中晶圆制造设备在半导体设备中占比最大，进一步细分晶圆制造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。

2017年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比增长37%，2018年约在600亿美元规模。

中国是全球半导体设备的第三大市场，2018年中国半导体设备123.78亿元。

我国半导体设备销售收入一直保持高速增长状态，2018年全国半导体设备销售收入123.78亿元，同比增长39.14%，2015-2018年期间，我国半导体设备销售收入复合增长率高达37.93%。

半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。

目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的国产率普遍较低。

经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。

从政策上看，随着《国家集成电路产业发展推进纲要》《中国制造2025》等纲领的退出，国内针对半导体装备的税收优惠、地方政策支持逐步形成合力，为本土半导体设备厂商的投融资、研发创新、产能扩张、人才引进等创造良好环境。

财政部先后于2008、2012、2018年出台税收政策减免集成电路生产企业所得税。

从地方产业政策来看，多地退出集成电路产业扶持政策及发展规划，从投融资、企业培育、研发、人才、知识产权、进出口以及政府管理等方面退出一系列政策，对符合要求的企业给予奖励和研发补助。

全球半导体分为IDM模式和垂直分工模式两种商业模式，老牌大厂由于历史原因，多为IDM模式。

随着集成电路技术演进，摩尔定律逼近极限，各环节技术、资金壁垒日渐提高，传统IDM模式弊端凸显，新锐厂商多选择Fabless（无晶圆厂）模式，轻装追赶。

集成电路设计为知识密集型产业，国际上比较典型的参与者主要有AMD、英伟达、高通、联发科、苹果、华为海思等公司。

芯片设计可以分为数字集成电路设计和模拟集成电路设计两大类。

模拟集成电路设计包括电源集成电路、射频集成电路等设计。

模拟集成电路包括运算放大器，线性整流器，锁相环，振荡电路，有源滤波器等。

相较数字集成电路设计，模拟集成电路设计与半导体器件的物理材料性质有着更大的关联。

数字集成电路设计包括系统定义，寄存器传输级设计，物理设计，设计过程中的特定时间点，还需要多次进行逻辑功能，时序约束，设计规则方面的检查，调试，以确保设计的最终成果合乎最初的设计收敛目标。

全球芯片设计产业现状全球芯片设计产业龙头企业主要分布在美国，中国，台湾等国家地区，2018年，中国企业海思半导体首次入围全球芯片设计前十企业，营收规模排名全球第五。

从整体来看，美国企业仍然占据了绝对主流，前10大芯片设计公司中有8家都来自美国，其他仅有海思半导体和联发科(中国台湾)上榜。

2018年全球芯片设计产业规模大约为1139亿美元，同比增速14%，过去五年符合增速约为6.6%。

由于近几年智能手机等终端对于芯片性能和数量需求的快速提升，全球芯片设计产业得以快速增长。

特别是随着整体芯片设计工艺的持续升级，芯片设计产业充分享受了下游芯片制造大规模投资的产业红利，产业持续高速增长。

二、报告编制依据1、《产业结构调整指导目录》。

2、《建设项目经济评价方法与参数》（第三版）。

3、《建设项目经济评价细则》（2010年本）。

4、国家现行和有关政策、法规和标准等。

5、项目承办单位现场勘察及市场调查收集的有关资料。

6、其他有关资料。

三、项目名称湖北电子信息高技术产业项目四、项目承办单位xxx有限责任公司五、项目选址及用地综述（一）项目选址方案项目选址位于某某保税区,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。

湖北省，简称鄂，中华人民共和国省级行政区，省会武汉。

地处中国中部地区，东邻安徽，西连重庆，西北与陕西接壤，南接江西、湖南，北与河南毗邻，介于北纬29°01′53″—33°6′47″、东经108°21′42″—116°07′50″之间，东西长约740千米，南北宽约470千米，总面积18.59万平方千米，占中国总面积的1.94%。

最东端是黄梅县，最西端是利川市，最南端是来凤县，最北端是郧西县。

湖北省地势大致为东、西、北三面环山，中间低平，略呈向南敞开的不完整盆地。

在全省总面积中，山地占56%，丘陵占24%，平原湖区占20%，属长江水系。

湖北省地处亚热带，全省除高山地区属高山气候外，大部分地区属亚热带季风性湿润气候。

截至2019年末，湖北省共辖12个地级市、1个自治州、4个省直辖县级行政单位，共有25个县级市、36个县、2个自治县、1个林区，常住人口5927万人。

实现地区生产总值（GD）45828.31亿元，其中，第一产业完成增加值3809.09亿元，第二产业完成增加值19098.62亿元，第三产业完成增加值22920.60亿元。

（二）项目用地规模项目总用地面积17708.85平方米（折合约26.55亩），土地综合利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照半导体集成电路行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合规划建设要求。

六、土建工程建设指标项目净用地面积17708.85平方米，建筑物基底占地面积10113.52平方米，总建筑面积21604.80平方米，其中：规划建设主体工程16958.73平方米，项目规划绿化面积1510.47平方米。

七、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：半导体集成电路xxx单位/年。

综合考xxx有限责任公司企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx有限责任公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。