三极管原理全总结
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它的工作原理是基于PN结的导电性能和控制电流的特性。
本文将详细介绍三极管的工作原理，匡助读者更好地理解这一电子元件的运作机制。
一、PN结的形成1.1 PN结的概念：PN结是由P型半导体和N型半导体直接接触形成的结构。
1.2 PN结的电性：PN结的两侧形成电场，使得P区和N区的电子和空穴在结附近被吸引，形成电势垒。
1.3 PN结的导电性：当PN结处于正向偏置时，电子从N区向P区挪移，空穴从P区向N区挪移，导致PN结导通。
二、三极管的结构2.1 三极管的构造：三极管由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是发射极、基极和集电极。
2.2 三极管的符号表示：三极管的符号表示为一个箭头指向基极，箭头指向基极的一侧是发射极，另一侧是集电极。
2.3 三极管的工作方式：三极管通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
三、三极管的工作原理3.1 放大作用：当基极电流增加时，集电极和发射极之间的电流也增加，实现信号的放大。
3.2 开关作用：三极管可以被用作开关，当基极电流为零时，三极管处于截止状态，不导通；当基极电流增加时，三极管处于饱和状态，导通。
3.3 稳压作用：三极管可以用作稳压器，通过控制基极电流来实现对电路中电压的稳定。
四、三极管的应用领域4.1 放大器：三极管广泛应用于放大电路中，如音频放大器、射频放大器等。
4.2 开关：三极管可用作开关，控制电路的通断，如数字电路、计算机内部电路等。
4.3 稳压器：三极管可以用作稳压器，保护电路中的其他元件不受过高电压的影响。
五、三极管的发展趋势5.1 集成化：随着技术的不断进步，三极管正向着微型化、集成化的方向发展，以适应电子设备的小型化趋势。
5.2 高频化：三极管的工作频率不断提高，适合于更高频率的应用领域，如通信领域。
5.3 多功能化：未来的三极管可能会具有更多的功能，不仅可以实现放大、开关、稳压等功能，还可能具有更多的应用场景。
三极管工作原理图
三极管工作原理图一、引言三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍三极管的工作原理图及其相关知识。
二、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同的半导体材料构成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间存在一个PN结，基极和发射极之间也存在一个PN结。
三极管的工作原理图如下所示：（图1：三极管工作原理图）三、三极管的工作原理1. 放大作用：当基极-发射极之间的电压（Vbe）大于0.7V时，PN结会被正向偏置，此时三极管进入放大区。
在这种情况下，发射极-集电极之间的电压（Vce）大于0.2V，三极管处于饱和状态。
此时，小信号输入到基极，经过放大作用后输出到集电极，实现信号的放大。
2. 开关作用：当基极-发射极之间的电压（Vbe）小于0.7V时，PN结处于截止状态，三极管处于关闭状态。
此时，发射极-集电极之间的电压（Vce）可以取任意值。
当Vce大于0.2V时，三极管处于饱和状态，相当于开关闭合；当Vce小于0.2V时，三极管处于截止状态，相当于开关断开。
三极管的放大作用和开关作用使其在各种电子设备中得到广泛应用。
四、三极管的参数1. 最大耗散功率（PD）：表示三极管能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
2. 最大集电极电流（ICmax）：表示三极管能够承受的最大集电极电流，通常以安培（A）为单位。
3. 最大集电极-发射极电压（VCEmax）：表示三极管能够承受的最大集电极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。
4. 最大基极-发射极电压（VBEmax）：表示三极管能够承受的最大基极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。
五、三极管的应用1. 放大器：三极管可以将输入信号放大，并输出到负载电路中，常用于音频放大器、射频放大器等电子设备中。
2. 开关：三极管可以实现开关功能，常用于电源开关、机电驱动等场合。
3. 振荡器：三极管可以作为振荡器的关键元件，用于产生高频信号。
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
npn三极管工作原理
npn三极管工作原理一、引言npn三极管是一种广泛使用的电子元件，它具有放大、开关等多种功能。
本文将详细介绍npn三极管的工作原理。
二、npn三极管结构npn三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成：P型半导体（基区）、N型半导体（发射区）和P型半导体（集电区）。
这种结构使得npn三极管具有两个PN结：发射结和集电结，以及一个PNP结：基结。
三、npn三极管的工作原理当正向偏置发射结时，N型半导体中的自由电子会向前扩散，而P型半导体中的空穴会向后扩散。
这些自由电子和空穴会在基区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过集电区到达外部电路，从而形成集电电流IC。
当正向偏置基结时，基区中的空穴会向前扩散，而N型半导体中的自由电子会向后扩散。
这些空穴和自由电子会在发射区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过发射区到达外部电路，从而形成发射电流IE。
当集电极与发射极之间的电压为零或负时，npn三极管处于截止状态。
此时，发射区中的自由电子和空穴不会重新组合，也就不会形成少数载流子。
因此，集电区没有电流流过去。
当集电极与发射极之间的电压为正时，npn三极管处于放大状态。
此时，由于正向偏置基结和发射结，少数载流子会产生，并通过集电区到达外部电路。
这些少数载流子可以被放大并控制。
四、npn三极管的特性1. 放大特性：npn三极管可以将小信号放大成较大信号。
2. 开关特性：npn三极管可以用作开关，在截止状态和饱和状态之间切换。
3. 稳定性：npn三极管具有较好的温度稳定性和工作点稳定性。
五、应用领域npn三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
同时，在数字逻辑门、计算机存储器等领域也有广泛应用。
六、总结本文详细介绍了npn三极管的结构、工作原理、特性和应用领域。
npn三极管是一种重要的电子元件，对于电子工程师来说，掌握其工作原理和应用十分必要。
三极管工作原理及详解
三极管工作原理及详解三极管是一种半导体器件，也被称为双极型晶体管。
它是由三个不同掺杂的半导体材料（P型、N型和P型）构成的。
三极管主要有三个区域，分别是发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
三极管的工作原理是基于PN结和两个PN结之间的正偏压。
在三极管中，发射区被正向偏置，基极区与发射区之间的PN结是正向偏置的，而基极区与集电区之间的PN结是反向偏置的。
在正向偏置下，发射区和基极之间形成强烈的电子流。
三极管的工作原理可以通过以下过程来解释：1.关闭状态：当没有外部电压时，三极管处于关闭状态。
这时，发射区和基极之间的PN结是反向偏置的，导致电子无法通过这个结。
同时，基极区和集电区之间的PN结也是反向偏置的，阻止电流通过结。
2.开通状态：当在发射区和基极之间施加一定的正偏压时，发射区与基极之间的PN结将变得导电。
这时，电子从N区进入P区，然后重新组合成空穴进入基极区。
由于基极区非常薄，电子容易通过这个区域，这导致电子流从发射区进入基极区。
3.放大状态：在开通状态下，当电子进入基极区时，它们在基极区中会重新复合成空穴。
然而，由于基极区非常薄，复合的速度非常慢。
因此，大部分电子通过基极区，进入集电区而没有复合。
这样，发射区的电子流被放大，从而实现电流的放大功能。
总结起来，三极管的工作原理可以归结为以下三个步骤：1）施加正向偏压，使发射区和基极之间的PN结导电；2）电子从发射区进入基极区；3）电子在基极区中重新组合成空穴，并通过集电区。
除了电流放大功能之外，三极管还有其他重要的应用。
例如，它可以用于开关电路、放大电路和振荡电路。
在开关电路中，三极管可以用来控制开关的打开和关闭。
在放大电路中，三极管可以利用小信号输入来放大电流或电压。
在振荡电路中，三极管可以通过反馈来产生振荡信号。
总而言之，三极管是一种基本的半导体器件，其工作原理基于PN结和正向偏压的使用。
通过电子的流动和复合，三极管可以实现电流的放大和控制，从而为电子器件带来许多应用。
PNPNPN三极管原理讲解
PNPNPN三极管原理讲解PNP和NPN三极管是常用的半导体器件，广泛用于电子电路中。
它们基于不同的材料和结构，具有不同的工作原理和特性。
下面将详细讲解PNP和NPN三极管的工作原理。
首先，我们来了解PNP三极管的原理。
PNP三极管是由两个p型半导体夹一个n型半导体组成的。
在基区的两侧有两个异性材料组成的发射区和集电区。
PNP三极管的工作原理是基于两个二极管的特性。
具体来说，PNP三极管的工作原理如下：1. 当外加正向电压(VBE)施加在发射极和基极之间时，基区的pn结为正向偏置，使得n型电子从基区注入进发射区，同时与p型空穴结合。
这种注入使得发射极具有较大的电流增益。
2.当集电极和发射极之间施加正向电压(VCB)时，集电极结为正向偏置，从而吸引来自发射极的电子和空穴向集电极移动。
这样，整个三极管可以承受较大的集电电流。
3. 当基极与发射极之间没有电压(VBE=0V)时，发射区与集电区的pn 结为反向偏置，从而阻止电子和空穴的注入。
根据以上工作原理，PNP三极管可以作为开关或放大器来工作。
作为开关时，通过控制基极电压可以控制集电极电流的开关状态。
作为放大器时，输入信号施加在基极上，通过电流放大效应将输出信号放大到更高的电流或电压级别。
接下来，我们来了解NPN三极管的原理。
NPN三极管是由两个n型半导体夹一个p型半导体组成的。
在基区的两侧有两个异性材料组成的发射区和集电区。
NPN三极管的工作原理也是基于两个二极管的特性。
具体来说，NPN三极管的工作原理如下：1. 当外加正向电压(VBE)施加在发射极和基极之间时，基区的pn结为正向偏置，使得p型空穴从基区注入进发射区，同时与n型电子结合。
这种注入使得发射极具有较大的电流增益。
2.当集电极和发射极之间施加正向电压(VCB)时，集电极结为正向偏置，从而吸引来自发射极的电子和空穴向集电极移动。
这样，整个三极管可以承受较大的集电电流。
3. 当基极与发射极之间没有电压(VBE=0V)时，发射区与集电区的pn 结为反向偏置，从而阻止电子和空穴的注入。
三极管 场效应管 工作原理小总结
三极管场效应管工作原理小总结
] 三极管属于流控器件，即Ib控制放大Ic，
场效应管属于压控器件，即Ugs控制Id。
二者都有三个工作区域，即截止区，恒流区和可变电阻区。
Ib小于开启电流时，Ic不受控，Rce很大，Ic很小，器件工作于截止区
Ugs小于开启电压的时候，Id不受控，Rds很大，Id很小，器件工作于截止区
Ib大于开启电流的时候，Uce从0开始增加，Ic随着Uce增加而线性增加，管子工作在可变电阻区，
即工作在饱和导通状态。
当Uce增大到一定程度，管子内部电流阻力增加，Uce的增量部分只能用于克服管子内部电
流阻力，
电流再也不能增加，器件工作在恒流区,即工作在放大区，也就是此时Ic和Uce无关，只是正比于Ib。
场效应管类似，只不过Id受控于Ugs。
场效应管分为：J型场效应管和MOS场效应管，
J型场效应管属于耗尽型场效应管，Ugs=0时候，导电沟道最大，一般情况N型J型场效应管工作时，
Ugs<0,常采用自给偏压。
耗尽型MOS管子和J型类似，不过工作时，Ugs可以大于，等于，或者小于0。
增强型MOS管的特性曲线和三极管类似.。
三极管原理全总结
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１、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和ＰN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极)电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NＰN型三极管,位于放大区时，Ｕc＞Uｂ集电极反偏，Uｂ>Ｕe发射极正偏。总之，当ｐ型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub＜=Ｕce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uｏn且UCE>=Ube,即Uｃ>Ub＞Ｕe。
饱和区:Uｂｅ＞Uoｎ且Uce<Ubｅ
NＰN型三极管导通时（饱和状态)ce间电压约为０．3V，ＰNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,eｃ间电压也约等于０.３V。ＮPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，ＰNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏，集电结反偏。由于两个PＮ结都反偏,使三极管的电流很小,Iｂ≈0,Ic≈0，而管压降Ucｅ却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于１(通常在几十到几百的范围内)，所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
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1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。
NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。
这是对可靠截止而言，实际上当Ube<0.5V时，即已进入截止状态。
对于PNP管，其电压符号应当相反。
截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。
此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。
对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。
此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。
当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。
放大区：当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。
这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。
当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。
饱和区：当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。
当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。
此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。
三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。
当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。
截止区：Ub<=Uce且Uce>Ube放大区：Ube>Uon且UCE>=Ube，即Uc>Ub>Ue。
饱和区：Ube>Uon且Uce<UbeNPN型三极管导通时（饱和状态）ce间电压约为0.3V，PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb，ec间电压也约等于0.3V。
NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
4、三极管用于开关电路的原理两个PN结都导通，三极管导通，这时三极管处于饱和状态，即开关电路的“开”状态，这时CE极间电压小于BE极间电压。
两个PN结均反偏，即为开关电路的“关”状态，三极管截止。
5.三极管构成放大器有三种电路连接方式共射极放大器，发射极为公共端，基极为输入端，集电极为输出端。
共集极放大器，集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。
共基极放大器，基极为公共端，发射极为输入端，集电极为输出端。
6、PNP管和NPN管的用法a.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择NPN。
b.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择PNP。
c.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择NPN。
d.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择PNP。
NPN基极高电压，极电极与发射极短路(导通).低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
PNP基极高电压,极电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路（导通）。
7、晶体三极管是一种电流控制元件。
在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻(在三极管的集电极与电源之间接一个电阻)转变为电压放大作用。
共射极电路的电流放大系数为β，共基极电路的电流放大倍数为α。
α的值小于1但接近于1，而β的值则远大于1（通常在几十到几百的范围内），所以Ic>>Ib。
由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大，还可得到电流放大，致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
8、三极管在电路的应用由于单片机的输出电流很小，不能直接驱动LED，需要加装扩流电路，最简单的就是加装一个射极跟随器（共集电极电路）足以驱动LED了。
射极跟随器的发射极接负载，集电极接地，基极接单片机IO口。
共射极接法和共集电极接法的区别共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。
所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。
其判断是在交流等效电路下进行的。
在交流通路下，电源正极相当于接地。
哪一个极接地，就是共哪个极电路。
共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极；共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极；共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。
8.1、NPN管在电路中的应用区别很大。
首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。
Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。
此处输入电压3V3代表3.3V。
一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。
Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.6V（硅管）时，Q1的BE结电压开始减小，使Q1欲退出饱和状态，如此Q1的电压就钳在3V或2.6V左右，Q1的输出电压相对较低，不可能超过3V（按锗管算，BE也得0.3V的压降）。
因为Ube=0.7V（硅管）/0.3V（锗管）。
Q1电路无法进入饱和状态?如果Q1进入饱和状态,电流Ic增大,集电极本来就有限流电阻R,Ic*R>Vcc-Ie*Rled? Rled为LED的电阻。
Q2电路简单，只要BE电压达到0.3V（锗管）或0.7V（硅管），Q2饱和导通，5V电压就加于负载。
负载电压不受B极驱动电压的影响。
综上所述：NPN管（高电平导通）采用共集电极接法时输出电压较低，采用共射极接法时输出电压相对较高。
8.2 PNP管在电路中的应用两种接法各有用途，不能说哪种更好左边是共发射极接法，右边是共集电极接法，由于发射极和基极间的电位只差0.7V，大致可看成Ve=Vb，因此又叫做射级跟随器。
当目的是要驱动一个数字量器件（如继电器/蜂鸣器）时，左边的共射电路是最标准的用法：T1要么截止要么饱和导通，导通时T1上的压降很小，电源电压几乎都落到负载B1上，T1相当于一个开关。
采用右图的射随接法继电器/蜂鸣器虽也能工作，但因三极管不会饱和，使得负载得不到接近电源的电压，反而要使三极管的功耗增大，是值得注意的。
左图：拉低T1的基极电平使其导通（限流电阻不可省），T1即饱和，Vce 仅约0.2V。
右图：拉低T2的基极电平（假设为0.3V），T2虽导通但无法完全饱和，因导通的条件是Vbe（实际应为Veb）上有0.7V，所以T2的Vce（实际应为Vec）=0.3+0.7=1V。
可见左右两种电路在三极管c-e上的压降不同，右图三极管的功耗要大于左图，负载上得到的电压则较低。
综上所述，PNP管（低电平导通）采用共集电极接法时无法进入饱和状态，采用共射极接法时饱和压降低。
所以在电路中不管是PNP管还是NPN管一般采用共射极接法，即集电极接负载；共集电极接法（又称射级跟随器）有电流放大而无电压放大。
如果把三极管当开关用，负载最好接在集电极（不管是NPN还是PNP管），这样接导通时饱和压降小一点。
接在集电极作负载的是电压放大，接在发射极做负载的是电流放大。
不管是NPN还是PNP三极管负载可以接在集电极也可以接在发射极，至于哪种接法要根据放大电路的要求来定，负载接在集电极的叫共射放大电路，具有电压放大作用，另一种负载接在发射极的称共集电极放大电路，具有电流放大作用，具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，同样是一种放大电路又称阻抗匹配电路。
8.3 一般典型用法是三极管基极接单片机IO口（P0-P3）。
三极管的集电极电流（Ic）小可以更容易进入饱和状态。
三极管的饱和电流由C极负载决定,这里说的是e极上无电阻的情况. 一般说负载大是指电流大,也就是电阻小。
怎么使三极管进入饱和状态？（此处NPN三极管基极接单片机IO口，发射极接地，集电极通过负载接5V电源）答案：增加基极电流，使基极电流乘以放大倍数大于集电流。
因为三极管放大倍数有离散性,所以计算时要用你所用一三极管中可能的最小放大倍数。
用最小放大倍数算,放大倍数较大的管子上去也能用,只是饱和深度深些,多少影响点响应速度。
用最大放大倍数算,放大倍数较小的管子上去就不能保证饱和。
如果单片机输出电流不够就要加放大级。
假如发射极直接接地而不串联电阻，如果三极管是NPN管，单片机IO口输出高电平，则加在三极管的电流会过大而烧毁三极管。