超大规模作业4
超长超大面积混凝土结构跳仓施工工法(含示意图)
超长超大面积混凝土结构跳仓施工工法(含示意图)超长、超大面积混凝土结构跳仓施工工法1、前言伴随国家在基础设施方面投入的加大，车站、机场、展馆等各类大型基础设施建筑在全国各地拔地而起，这类建筑都会涉及到超长、超大面积混凝土结构的施工，一方面是高要求的工程质量，一方面是紧张的工期要求，如何更优、更快的完成建设，是这类工程的一大难题。
对超长、超大面积混凝土结构，设计一般采用设置后浇带技术措施。
后浇带施工在削减温度收缩应力的同时，亦带来了一系列问题：后浇带一般在42天后才能封闭，在此期间不可避免地会落进各种垃圾与杂物，由于钢筋密集，清理工作相当困难，而清理不干净势必影响工程质量。
后浇带施工繁杂，无论是在主体施工期或后浇带处理期均会影响施工进度。
一般超长、超大面积混凝土结构钢筋密集，后浇带两侧施工缝的凿毛清理困难，而后浇带混凝土浇灌间隔时间较长，原已浇灌的混凝土大部分收缩已完成，后浇带混凝土的干缩容易造成新老混凝土连接处产生裂缝，施工缝处理不当造成渗漏而起了反作用。
采用跳仓法进行混凝土浇筑，成功解决了工期紧这一难题，同时减少了周转材料的积压、避免了后浇带的处理，创造了一定的经济效益。
通过工程的实践经验总结形成本工法。
2、工法特点（1）采用跳仓法施工，有效的控制大面积混凝土楼板结构有害裂缝的产生。
（2）采用跳仓法施工，缩短了混凝土浇筑的间歇时间，节约施工周期。
（3）减少了后浇带混凝土剔凿、垃圾清理、后浇带支撑等大量工作，同时可以减少混凝土中抗裂外加剂的使用，降低了施工成本。
（4）采用跳仓法施工，取消后浇带，可以提前进行下步工序的施工，为后续工程的提前插入提供了有利条件，进而节约工期。
（5）采用跳仓法施工，取消后浇带，减少了楼面渗漏的发生几率，提高了工程实体质量，避免采用后浇带施工所带来渗漏的隐患。
3、适用范围本工法适用于地下超长、超大面积混凝土结构或底板大体积混凝土结构施工，也适用于地上超长、超大面积混凝土结构施工。
隧道内多个超大加宽段爆破开挖及支护施工工法
隧道内多个超大加宽段爆破开挖及支护施工工法隧道内多个超大加宽段爆破开挖及支护施工工法一、前言隧道是交通和基础设施建设中常见的工程项目，在一些特殊情况下，需要对隧道进行加宽，以满足更大的交通流量需求。
本文将介绍一种隧道内多个超大加宽段的爆破开挖及支护施工工法。
该工法具有简单高效、适应范围广等特点，为实际工程提供了指导意义。
二、工法特点这种工法的主要特点有以下几点：1. 将隧道分为多个超大加宽段，减小施工工况和难度；2. 采用爆破开挖技术，提高开挖效率；3. 综合使用钻孔、爆破、清挖、支护等工艺，使施工过程协调顺利；4. 通过施工组织合理安排和质量控制措施，确保施工质量和进度。
三、适应范围该工法适用于需要对现有隧道进行加宽的情况，特别是在隧道内存在多个加宽区段且加宽幅度较大的情况下。
此工法适用于不同地质条件和工程规模的隧道工程。
四、工艺原理在进行施工工法与实际工程之间的联系分析时，首先要对施工工法的技术措施进行详细解析。
在爆破开挖阶段，首先进行岩层勘察和钻孔设计，然后进行钻孔、装药、起爆等工序。
在清挖阶段，采用洞内爆破技术，将爆破后的岩层清除，以便进行加宽施工。
在支护阶段，采取钢架、锚杆和喷锚网等措施，对挖掘后的开挖面进行支护。
五、施工工艺1. 前期准备：包括隧道勘测、岩层勘察、钻孔设计等；2. 爆破开挖：设置钻孔，并按设计要求装药、起爆，进行爆破开挖；3. 清挖处理：清理爆破后的岩层碎片和残余物，保持洞内清洁；4. 支护施工：钢架安装、锚杆预埋、喷锚网安装等工序，对开挖面进行支护；5. 后期处理：清理施工现场，移除施工设备和材料。
六、劳动组织施工中需要设立合理的劳动组织，确保施工进度和质量。
施工队伍应包括具备相关经验和技能的工程师和技术人员，以及熟悉爆破和支护工艺的工人。
七、机具设备该工法所需的机具设备包括钻孔机、装药车、起爆装置、挖掘机、清挖车、渣土车、支护设备等。
这些设备应具备高效、安全、稳定的特点，以满足施工需求。
《超大规模集成电路设计》习题（含答案）
《超大规模集成电路设计》习题1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC ，SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC ，MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC ，LSI) •超大规模集成电路(Very Large Scale IC ，VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC ，ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC ，GSI ）2．超大规模集成电路有哪些优点？1. 降低生产成本VLSI 减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI 内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI 后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。
6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI 组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3．简述双阱CMOS 工艺制作CMOS 反相器的工艺流程过程。
4．在VLSI 设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？5．在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则？划分集成电路规模的标准数字集成电路类别MOS IC 双极IC 模拟集成电路SSI ＜102＜100 ＜30 MSI 102～103100～500 30～100 LSI 103～105500～2000 100～300 VLSI 105～107＞2000 ＞300 ULSI 107～109GSI ＞109在芯片尺寸尽可能小的前提下，使得即使存在工艺偏差也可以正确的制造出IC，尽可能地提高电路制备的成品率6．版图验证和检查主要包括哪些方面？u DRC(Design Rule Check)：几何设计规则检查；对IC的版图做几何空间检查，保证能在特定的工艺条件下实现所设计的电路，并保证一定的成品率；u ERC(Electrical Rule Check)：电学规则检查；检查电源(power)/地(ground)的短路，浮空的器件和浮空的连线等指定的电气特性；u LVS(Loyout versus Schematic)：网表一致性检查；将版图提出的网表和原理图的网表进行比较，检查电路连接关系是否正确，MOS晶体管的长/宽尺寸是否匹配，电阻/电容值是否正确等；u LPE(Layout Parameter Extraction)：版图寄生参数提取；从版图中提取晶体管的尺寸、结点的寄生电容、连线的寄生电阻等参数，并产生SPICE 格式的网表，用于后仿真验证；u POSTSIM：后仿真，检查版图寄生参数对设计的影响；提取实际版图参数、电阻、电容，生成带寄生量的器件级网表，进行开关级逻辑模拟或电路模拟，以验证设计出的电路功能的正确性和时序性能等，并产生测试向量。
CMOS超大规模集成电路设计第四版教学设计 (2)
CMOS超大规模集成电路设计第四版教学设计一、教学目标本教学设计旨在帮助学生全面深入地学习CMOS超大规模集成电路设计的知识和技能，包括：1.掌握CMOS超大规模集成电路设计的基础概念和原理；2.理解逻辑门电路、时序电路、内存电路和高速电路的设计方法；3.熟悉计算机辅助设计工具和流程，能够使用EDA软件进行电路设计；4.能够进行电路仿真和验证，掌握文档编写和报告撰写的规范。
二、教学内容1. CMOS超大规模集成电路设计基础1.CMOS工艺简介2.CMOS逻辑门电路设计3.CMOS时序电路设计2. CMOS高速电路设计1.MOSFET特性和高速电路的基础概念2.器件参数提高技术3.时钟和电源噪声抑制技术4.输入输出电路技术3. CMOS内存电路设计1.静态RAM存储电路设计2.动态RAM存储电路设计3.Flash存储器电路设计4. 计算机辅助设计工具和流程1.EDA软件的使用方法2.电路设计流程和设计规范3.电路仿真和验证方法三、教学方法1.理论课程采用讲授、提问和讨论的方式，注重知识与实践相结合，鼓励学生自主学习和团队合作；2.实验课程通过模拟和仿真实验的方式进行，通过实际操作来深入理解电路设计的原理和流程；3.课外学习包括课堂练习、期末论文和实验报告，加强学生的自主学习和研究能力。
四、教学评价1.课堂测验：测试学生对所学知识的掌握程度；2.期末论文和实验报告：测试学生对电路设计理论和实践的掌握和分析能力；3.团队合作评估：测试学生的团队协作和沟通能力；4.进行课程改革，准确把握学生学习特点，不断提高教学效果。
强风条件下现场安全作业规模版
强风条件下现场安全作业规模版强风条件下的现场安全作业是指在风力较大的环境下进行的各类作业活动，这种环境下，我们面临着很多风险和挑战。
为了确保现场人员的安全和减少事故的发生，需要制定一套完善的安全作业规模版。
下面是一份____字的强风条件下现场安全作业规模版：第一章强风条件下现场安全作业概述1.1 强风条件下现场安全作业的背景和目的1.2 强风条件下的风险和挑战1.3 强风条件下现场安全作业的管理原则第二章强风条件下的作业准备2.1 强风条件下的工作评估和任务分析2.2 强风条件下的现场环境准备2.3 强风条件下的防护设备准备第三章强风条件下的作业控制3.1 强风条件下的人员管理3.2 强风条件下的风险控制3.3 强风条件下的作业授权和监管第四章强风条件下的安全培训和教育4.1 强风条件下的作业指导和培训4.2 强风条件下的应急预案和演练4.3 强风条件下的事故调查和学习第五章强风条件下的安全检查和监督5.1 强风条件下的现场巡查和检查5.2 强风条件下的安全检测和监测5.3 强风条件下的安全管理和整改第六章强风条件下的事故应对和处理6.1 强风条件下的事故应急处理6.2 强风条件下的伤害和风险评估6.3 强风条件下的事故处理和事故报告第七章强风条件下的经验总结和改进7.1 强风条件下的作业经验总结7.2 强风条件下的安全改进和创新7.3 强风条件下的现场安全文化建设篇幅有限，上述是基本的框架和内容，具体细节还需要根据实际情况进行补充和完善。
希望以上内容能够对你制定强风条件下现场安全作业规模版有所帮助。
如果还有任何问题，请随时提问。
大规模超大规模集成电路特点
大规模超大规模集成电路特点一、引言集成电路是现代电子技术的基础之一，它的发展历程经历了从小规模到大规模再到超大规模的过程。
随着科技的进步和市场需求的变化，超大规模集成电路（VLSI）已经成为当前集成电路领域中最重要和最具有竞争力的领域之一。
本文将从特点方面探讨VLSI。
二、定义超大规模集成电路是指在单个芯片上集成数百万、甚至数十亿个晶体管及其相关元器件，实现高度复杂功能的芯片。
与此相对应，大规模集成电路（LSI）则是指在单个芯片上集成数千到数百万个晶体管及其相关元器件。
三、特点1. 高度复杂性超大规模集成电路具有高度复杂性，它可以在一个小小的芯片上实现许多不同的功能。
这些功能可以包括处理器、存储器、通信设备等等。
由于这些功能非常多样化并且不断发展，因此VLSI需要具备极高的灵活性和可扩展性。
2. 高密度超大规模集成电路具有非常高的密度。
由于它可以在一个小小的芯片上实现许多不同的功能，因此需要在芯片上集成大量的晶体管和其他元器件。
这些元器件需要非常小的尺寸，以便能够在芯片上容纳更多的功能。
3. 高速度超大规模集成电路具有非常高的速度。
由于它可以在一个小小的芯片上实现许多不同的功能，因此需要具备非常高的处理速度和传输速度。
这些速度需要通过优化电路设计和使用高性能材料来实现。
4. 低功耗超大规模集成电路具有低功耗特性。
由于它可以在一个小小的芯片上实现许多不同的功能，因此需要尽可能减少功耗以延长电池寿命或减少能源消耗。
这些功耗需要通过优化电路设计和使用低功耗材料来实现。
5. 高可靠性超大规模集成电路具有非常高的可靠性。
由于它可以在一个小小的芯片上实现许多不同的功能，因此需要尽可能减少故障率以保证系统稳定运行。
这些可靠性需要通过优化电路设计和使用高品质材料来实现。
四、应用领域超大规模集成电路在各个领域都有广泛的应用。
其中最常见的应用包括计算机、通信、工业控制、医疗设备等等。
在这些领域中，VLSI可以实现高速度数据传输、高效能计算、精确测量和控制等功能。
超大超厚圆形大体积混凝土捣式浇筑施工工法(2)
超大超厚圆形大体积混凝土捣式浇筑施工工法超大超厚圆形大体积混凝土捣式浇筑施工工法一、前言超大超厚圆形大体积混凝土捣式浇筑施工工法是一种适用于大规模工程的混凝土施工技术。
其特点是通过采用特殊的施工工艺和机具设备，在较短的时间内完成大体积混凝土的捣凝和浇筑，提高工程的施工效率和质量。
二、工法特点1. 高效快速：采用大型机械设备和工艺，能够在短时间内完成大体积混凝土的施工，提高工程进度。
2. 施工质量高：采用专用机械设备进行施工，能够保证混凝土的均匀性和密实性，提高混凝土的强度和耐久性。
3. 适应性强：适用于各类大规模工程，包括大型水利工程、高速公路、桥梁等。
4. 节约人力资源：采用机械化作业，减少人力投入，降低劳动强度，提高工作效率。
三、适应范围超大超厚圆形大体积混凝土捣式浇筑施工工法适用于需要大量混凝土的工程，如大坝、桥梁、港口、码头、高速公路等。
四、工艺原理该工法采用机械化捣凝和浇筑，具体原理如下：1. 施工工法与实际工程之间的联系：- 根据实际工程情况确定工艺方案和施工流程。
- 结合工程特点选择合适的机械设备和材料。
2. 采取的技术措施：- 利用大型循环式搅拌机将混凝土配置成合适的浆液。
- 利用大型捣固设备将混凝土进行捣凝，确保混凝土的均匀性和密实性。
-采用大型提升设备将混凝土从导料斗进行高空浇筑。
五、施工工艺1. 基础处理：对基础进行清理和加固，确保基础平整和承载力。
2. 混凝土配置：采用混凝土搅拌站配置混凝土浆液。
3. 混凝土捣凝：采用循环式捣固设备进行捣凝，确保混凝土的均匀性和密实性。
4. 高空浇筑：采用大型起重设备将混凝土从导料斗进行高空浇筑。
5. 混凝土养护：对浇筑后的混凝土进行养护，保持湿润环境，提高强度和耐久性。
六、劳动组织根据工程的实际要求，组织工程人员进行施工计划的制定、人员的调配、施工队伍的组建和管理等。
七、机具设备1. 大型循环式搅拌机：用于配置混凝土浆液。
2. 大型捣固设备：用于对混凝土进行均匀捣固。
超大规模超低露点洁净空调系统施工工法(2)
超大规模超低露点洁净空调系统施工工法超大规模超低露点洁净空调系统施工工法一、前言随着科学技术的不断发展，越来越多的建筑和工业项目需要在特殊环境中进行施工和运营。
而在一些高要求的工业、医疗、科研等场所，需要使用超大规模超低露点洁净空调系统来提供符合要求的空气质量。
二、工法特点超大规模超低露点洁净空调系统施工工法具有以下特点：1. 高效节能：通过先进的设备和技术，使系统能够高效运行并达到最佳节能效果。
2. 节约空间：采用紧凑型设计，减少系统占地面积，提高空间利用率。
3. 高净化效率：通过优化的风流设计和过滤设备，能够将空气中的微尘、有害物质等进行有效过滤，提供高质量的洁净空气。
4. 高可靠性：采用先进的控制系统和设备，确保系统的稳定运行，并能够在异常情况下进行故障诊断和自动控制。
5. 易维护：提供便捷的维护通道和设备布局，方便系统的日常维护和检修。
三、适应范围超大规模超低露点洁净空调系统施工工法适用于各种需要高空气质量要求的场所，例如医院手术室、实验室、生产车间等。
四、工艺原理超大规模超低露点洁净空调系统施工工法的实现基于以下原理：1. 空气净化：通过多重过滤、杀菌等手段，将空气中的有害物质和微尘进行有效去除，提供洁净空气。
2. 温湿度控制：通过先进的控制系统，准确控制系统内的温度和湿度，确保达到预定标准。
3. 高效能运行：通过合理的设备选择和优化的系统设计，实现高效能的运行，提高系统的运行效率。
五、施工工艺超大规模超低露点洁净空调系统施工工艺主要包括以下几个阶段：1. 设计准备：根据具体场所要求进行系统设计，包括设备选型、布局方案、管线走向等。
2. 施工准备：准备施工所需的材料、设备和人员，制定施工计划。
3. 施工过程：包括管道铺设、设备安装、电气布线、控制系统设置等。
4. 调试与试运行：对系统进行调试和试运行，确保系统的正常运行和达到预定的净化效果。
5. 工程验收：对已施工完成的系统进行验收，并提供相应的文件和技术资料。
超大跨度钢结构屋面板安装施工工法
超大跨度钢结构屋面板安装施工工法超大跨度钢结构屋面板安装施工工法一、前言超大跨度钢结构屋面板安装施工工法是一种适用于大型建筑项目的先进施工方法，通过采用特殊的工艺原理和施工工艺，能够实现钢结构屋面板的高效、精确安装，为工程项目的顺利进行提供了可靠的技术支持。
二、工法特点该工法具有以下几个特点：1.高效性：采用工厂化生产和现场快速拼装的方式，大大缩短了施工周期。
2.精确性：通过使用先进的定位、对齐和监测技术，确保钢结构屋面板的准确安装，提高施工质量。
3.可拆卸性：钢结构屋面板采用可拆卸连接方式，方便后期维护和改造。
4.节能环保：在施工过程中，对材料和资源进行充分利用，实现了节能环保的施工效果。
三、适应范围该工法适用于各类工业厂房、展览馆、体育场馆等需要超大跨度钢结构屋面的场所。
四、工艺原理在施工工法与实际工程之间的联系上，该工法采取了以下技术措施：1.设计阶段：通过先进的工程设计软件，对结构进行优化设计，确保施工过程的稳定性和安全性。
2.制造阶段：采用工厂化生产方式，通过现代化的生产设备和工艺流程，保证钢结构屋面板的质量和尺寸精度。
3.施工阶段：通过严格的工艺要求，保证施工过程的准确性和安全性。
采用先进的定位和监测技术，及时纠正施工中的偏差，确保钢结构屋面板的准确安装。
4.验收阶段：在施工完成后，对钢结构屋面板进行全面的检验和测试，确保质量达到设计要求。
五、施工工艺施工工法的各个施工阶段如下：1.地基施工：根据设计要求对地基进行处理，保证地基的承载力。
2.基础施工：进行基础的制造和安装，确保基础与钢结构屋面板的连接牢固。
3.钢结构制作：根据设计图纸进行钢结构屋面板的制作和加工。
4.现场拼装：将制作好的钢结构屋面板现场拼装和安装。
采用机械设备进行定位和对齐，确保安装的准确性。
5.连接固定：使用特殊的连接件和固定件，将钢结构屋面板进行连接，保证整个屋面结构的稳定性。
6.安装调试：对已安装好的钢结构屋面板进行调试和检查，确保各部件的协调和顺利运行。
超大规模集成电路(ULSI)制造技术与工艺
超大规模集成电路（ULSI）制造技术与工艺超大规模集成电路（ULSI）是指在一块芯片上集成了上亿个电子器件的集成电路。
随着计算机技术的快速发展，ULSI制造技术和工艺在现代电子产业中起着至关重要的作用。
本文将介绍ULSI的制造技术与工艺，包括其概述、制程流程、制造工艺的发展趋势等。
一、ULSI制造技术与工艺概述超大规模集成电路（ULSI）制造技术是现代电子工程领域中的一项核心技术。
随着集成电路技术的不断进步，传统的制造工艺已经无法满足高性能芯片的需求。
ULSI制造技术大大提高了芯片集成度，使得芯片能够集成更多的晶体管和电子器件。
它使得计算机、通信、嵌入式系统等领域的产品更加强大、高效。
二、ULSI制程流程为了了解ULSI的制造过程，我们将简要介绍ULSI的制程流程。
ULSI芯片的制造过程通常可以分为以下几个关键步骤：1.晶圆加工：晶圆是ULSI芯片制造的基础，晶圆的材料通常为硅。
晶圆加工包括晶圆清洁、蚀刻、镀膜等工艺。
2.曝光与光刻：曝光和光刻技术是ULSI制造中的关键步骤，用于通过光的照射和图案形成来定义芯片上的回路和结构。
3.薄膜沉积：薄膜沉积是一种将材料以薄膜的形式附着在晶圆表面的工艺。
常用的薄膜沉积技术有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。
4.雕刻与刻蚀：雕刻和刻蚀技术用于去除非晶体硅或金属上多余的材料。
5.离子注入：离子注入技术用于向晶圆表面注入所需的掺杂材料，以改变晶体的导电特性。
6.金属化与封装：金属化工艺是为了将不同的晶体管等器件连接起来，形成电路。
封装工艺则是为了保护芯片并方便连接到其他电子设备。
7.测试与封装：测试是对制造完成的芯片进行功能测试，以确保其质量和性能。
封装则是将芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片免受环境的影响。
三、ULSI制造工艺的发展趋势随着科技的不断进步和市场对电子产品性能的要求不断提高，ULSI 制造工艺也不断发展。
以下是ULSI制造工艺的一些发展趋势：1.纳米级工艺：随着技术的进步，芯片上的电子器件尺寸不断缩小，纳米级工艺已经成为ULSI制造的重要趋势。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Assignment4
ing HSPICE and TSMC0.18µm CMOS technology model with1.8V power
supply,plot the subthreshold current I DSUB versus V BS,and the saturation current
I DSAT versus V BS for an NMOS device with W=400nm and L=200nm.Specify the
range for V BS as0to–2.0V.Explain the results.
ing HSPICE and TSMC0.18um CMOS technology model with1.8V power
supply,(1)plot log I DS versus V GS while varying V DS for an NMOS device with L=200nm,W=800nm and a PMOS with L=200nm,W=2µm.(2)Which device exhibits more DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering)?
解答：
（1）、
I DSUB versus V BS：
Code1：
*.title Idsub_Vs_Vbs
.lib'C:\Users\Administrator\Desktop\Idsub\mm018.l'TT*set0.18um library
.opt scale=0.1u*set lambda
*.model nch NMOS level=49
mn drainn gaten Gnd bodyn nch l=2w=4ad=20pd=4as=20ps=4
Vdd Vdd01.8
Vdsn drainn00.2
Vgsn gaten00.2
Vbsn bodyn Gnd1.8
.dc Vbsn0-2.0-0.05
.print dc I1(mn)
.end
I DSAT versus V BS：
Code2：
*.title Idsat_Vs_Vbs
.lib'C:\Users\Administrator\Desktop\Idsub\mm018.l'TT*set0.18um library .opt scale=0.1u*set lambda
*.model nch NMOS level=49
mn drainn gaten Gnd bodyn nch l=2w=4ad=20pd=4as=20ps=4
Vdd Vdd01.8
Vdsn drainn014
Vgsn gaten01.8
Vbsn bodyn Gnd1.8
.dc Vbsn0-2.0-0.05
.print dc I1(mn)
.end
（2）、
(1)线性坐标下：其中红色表示NMOS器件，黄色表示PMOS器件。
I DS对数化坐标下：其中红色表示NMOS器件，黄色表示PMOS器件。
Code:
*.title Ids_Vs_Vgs
.param supply=1.8*set value of Vdd
.lib'C:\Users\Administrator\Desktop\Ids_Vgs\mm018.l'TT*set0.18um library .opt scale=0.1u*set lambda
*.model pch PMOS level=49
*.model nch NMOS level=49
mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2w=20ad=100pd=20as=100ps=20
mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2w=8ad=40pd=8as=40ps=8
Vdd Vdd0'Supply'
Vgsp Vdd gatep dc
Vgsn gaten0dc
Vdsp Vdd drainp dc
Vdsn drainn0dc
.dc Vgsp0'Supply''Supply/40'Vdsp0'Supply''Supply/8'
.dc Vgsn0'Supply''Supply/40'Vdsn0'Supply''Supply/8'
.print dc I1(mp)
.print dc I1(mn)
.end
(2)答：NMOS更容易发生DIBL效应。
因为DIBL即是当沟道长度减小、电压VGS增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时，沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区，并导致源极端势垒高度降低，从而源区注入到沟道的电子数量增加，结果漏极电流增加。
沟道长度越短，DIBL 效应就越严重。
所以，与PMOS相比，NMOS更容易发生DIBL效应。