模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。
(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。
(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。
(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解:
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。
(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。
第十章。
模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ,分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解:当K 250=T 时,有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ,同理,当K 300=T 时,有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ,当K 350=T 时,有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n , 当掺入施主杂质后,电子浓度:d N n =,空穴浓度:n n p 2i =,当K 250=T 时,317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p , 当K 300=T 时,317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p , 当K 350=T 时,317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ,316d cm 10=N ,求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解:)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ, 当K 300=T 时,mV 26T =U ,310i cm 1043.1⨯=n ,代入得:76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ,当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少?由计算结果说明伏安特性的特点。
解:根据PN 结方程,流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ,6S 10−=I A ,26T =U mV ,2.01=U V 时,3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ,36.02=U V 时,03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ,4.03=U V 时,8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ,2.04−=U V 时,04=I ,反向截止, 36.05−=U V 时,05=I ,反向截止, 4.06−=U V 时,06=I ,反向截止,由此可见,PN 结外加正向电压时,斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。
2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。
(b)VD截止,U AB=-12 V。
(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。
(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。
图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形,并标出幅值。
解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。
(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解:对于(a)来说,二极管是导通的。
采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。
采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。
运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。
解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。
(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。
(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。
(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解:
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。
(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。
第十章。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解:波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。
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第一章习题解答1.1 解:由公式:)1(-=T D u u s D eI i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 AA ei mv v D μμ5.22)1(101.0310265.06=-⨯=-⨯- 时V u D 7.0= mA mA ei mv VD 3.49)1(101.0310267.09=-⨯=-⨯- 1.2 解:① 当R=1ΩK 时假设二极管导通V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω-== mA I I I mA KV R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021)(2=-=+==--=--= ②当R=4K Ω时,也假设二极管导通00,I U 同①mA I I I mA KV I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= VK mA R I U mAI I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990002021-=Ω⨯-==-=-==Ω+=+==∴二极管截止,故 1.3解:a : 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后,A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-=b :21,V V 反向截至,V U AO 10=c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后,将使A 、O 点电位差为零。
电位相等,V 1导通,V 2截止。
d. 21,V V 均正向反偏,V 1导通21,V V 公共端电位为零,能保证V 2导通,A 点电位也为零,V 0U AO =。
1.4 解:9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V.237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω-=-==Ω===⨯=⨯=)(1.5 解:I U 变化1V ±时,相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源,由二极管的动态电阻d r 为:6mV.272100U U U 6mV .271V RR //3r R //3r U 3.59mA.426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=∆±='=±⨯+=∆Ω===)( 1.6 解:a :b :1.7 解:S 闭合S 断开 1.8 解:(1)A 点时,二极管导通:V t u u i o )sin 5.13(3ω+=+=(2)B 点时,二极管反向偏压截止,o u =0V 。
(3)C 点时,i u 为正,二极管导通,为负,二极管截止。
1.9 解:a.由于V 1管阴极电位为2.3V.V 2管的阳极为-2.3V ,当u i >3V时,V 1导通,2V 截止,其支路开路,V u 30=,当-3V<i u <3V 时,21,V V 均截止,i u u =0当i u <-3V 时1V 截止,2V 导通,故V u 30-= 传输特性:输入输出波形:u i 3Vu o Vb.3V 5时V I =截止,3u 0=0u I =时3V 导通,2V .0u 0=(锗2V .0V )on (D =)传输特性: 5u oVu IV 输入输出波形:1.10 解:① R=2K Ω时t 5u I V t3u o V 0.2)(22)(20002mA i i V A i i V u Ri V u D D D D D D DD D 为或为-=-=-=求得 V u i mA i uD D 2,01,0====由图得:V U mA I D D 55.0,7.0==② R=500ΩD D i V u 5.02-= 求得:V u i mAi u D D D 2,04,00====由图得:V U mAI D D 7.07.2==1.11 解: ⑴ 静态分析:令0=i u 或是c 断开用估算法得2:mA K V K U I VU QQ Q 72.15.2)7.05(5.257.0=Ω-=Ω-== ⑵ 动态分析:)(sin 5mV wt u u == mA ti mA mV r U I mAmV I U r d d dm dm Q T d ωsin 33.033.01.1551.1572.126==Ω==Ω===⑶ 合成电压电流mAt i I i Vt u U u d Q D d Q D )sin 33.072.1()sin 005.07.0(ωω+=+=+=+= 1.12 解:V V U U U AB 5.2)65.8(2221=-=-= 1.13 解:① mWV mA U I P mAI I I mA V R U U I mA V R U I VU D I DI I I L 12062020204040100)610(203006622200000=⨯===-=-==Ω-=-==Ω=== ②mVmA V I U U P II R 16040)610()(2=⨯-=⨯-=1.14 解:安全稳压工作时:ZM DZ Z I I I ≤≤min 稳定电流I I 的最小值来知,可取mA I I Z Z 10min == 由mA I ZM 30=可求:V mA I I R U DZ ZM I 1)2030(100)(=-⨯Ω=-⨯=∆ 由mA I Z 10min =可求减小量为:V V U V mA I I R U I DZ Z I 1101)2010(100)(min ±=-=-⨯Ω=-⨯=∆故1.15 解:⑴ mA I mA I mA I mAmA mA I I I mA K V R U I mA K V R U U I mA V mW U P I ZM D Z O I DL L I O Z I I Z ZM ZM 7.418586141416141)620(7.416250=<=<==-=-==Ω===Ω-=-====稳压管正常工作 V U U Z O 6==⑵ ZM Z IDZ I mA V R U U I <=Ω-⨯=-⨯=16100)6%11020(%110能安全工作。
⑶假设能正常工作:ZOIDZZIILZOImAmAIIImAVRUUImAKVRUI>=-=-==Ω-⨯=-⨯==Ω==6)612(12100)6%9020(%90616能工作在稳定状态。
1.16 解:VuI7.5>1V导通,2V稳压,Vuo7.5=VuVI7.57.5->>1V,2V中有一截至,Iouu=VuI7.5-<1V稳压,2V导通,Vuo7.5-=1.17 解:2CW103:VVIZZM8.5~4mA165==+-RI D2U I当IU为最大,I为最小时,稳压管上的电流为最大。
R值应保证,ZMDZII≤,R最小值为:Rm in=Ω=-⨯=+-6.29mA1655%1109minmaxVIIUUOZMZI)(当I U 为最小,0I 为最大时,流过稳压管上的电流最小。
R 取值应满足Z DZ I I ≥,R 最大值为:Ω=+-⨯=+-=158)201()5%909(max 0min max mAV I I U U R Z Z Z 取%10120±Ω=R 或%5W RU P 2.02==,取W 5.0 本题取2CW53 ,mA18.5~4V mA 41min Z ===I ZM I V I 算得 Ω=Ω=6.1475.119max min R R ,取W R 5.0%5130±Ω=第二章习题答案2.1解:a.放大b.V V 23>截止.c.V 3.03.26.2=-饱和.d.放大.e.倒置.2.2 解:3.5V 基极. 2.8V 发射极. 5V 集电极. NPN 型 硅管2.3 解:a. ①集电极. ②发射极 ③基极NPN 型 4904.096.1==β b. ①基极 ②集电极 ③发射极PNP 型 10001.01==mAmA β 2.4 解a. 放大mA k V V I B 1.0517.06=Ω-=mA mA I I B C 101.0100=⨯==βV k mA V U CE 611016=Ω⨯-=b. mA k V V I B 077.0567.05=Ω-= mA mA I I B C 7.7077.0100=⨯==β V k mA V k I V U C CE 3.037.7535<Ω⨯-=Ω⨯-= 故饱和。
V U CE 3.0=mA k V I C 67.135=Ω=c. 截止 V U I I CE C B 5,0,0===d. V V k k U B 5.312)2.820(2.8=⨯Ω+Ω= mA k V V I B 8.217.05.3=Ω-= mA I I E C 8.2=≈A A I I EB μμβ281018.21==+=V k mA V U CE 6.3)12(8.212=Ω+⨯-=放大e. 07.0300)1100(1.510=--+⨯Ω-B B kI I k V A I B μ4.11=Vk A V U mA I I CE B C 1.41.5)1100(4.111014.1100=Ω⨯+⨯-===μ 放大2.5 解: a. mA k V I I E C 77.13)]6(7.00[=Ω---=≈ VV U V V U CE97.077.11.51066.177.1)31.5()6(100=⨯-==⨯+---= b. mA k V I I E C 43.11.57.0210=Ω--=≈ VU V V U CE 71.1343.1641.4]43.1)31.5()6(10[0-=⨯+-=-=⨯+----= c. mA k V I I E C 13.47.05=Ω-=≈ VV U V U CE 5.7)15.715(2.81)3.45.7(5150=⨯-==⨯+-+= d. mA V I C 33.23007.0=Ω= VmA k U V V U CE 733.233.233.2)3.03(100-=⨯Ω-==⨯+-= e. mA mA I C 122== VV V U V mA k V V U CE 7.57.04.64.613.47.0100=-==⨯Ω-+= 2.6 解:a. 利用A k V k V I V U B BEQ μ40300123007.012,7.0=Ω≈Ω-=≈ 利用c CE C c CCCE i U R i V U 312,-=-=可得 所以有 横轴截点)0,12(V ,纵轴截点)4,0(mAmA I V U C CE 2,6== b. mA I V U k R C CE B 7.3,9.0,120==Ω=2.7解:⑴ A k V I BQ μ244707.012=Ω-=V mA k V U mA A I I BQ CQ51.492.19.31292.12480=⨯Ω-==⨯==μβ(2)+-R u s R s B r be i b R Ci cβi b +-R us R sR B C 交流通路 等效电路(3) mA I I CQ EQ 92.1=≈wtV k wtmA R i u wtmAA wt i i A wt k wtmV r U i wtmV wt r R R r R U U k mAmV I U r r C c ce b c be be b bcB S bc B S bc EQ T b b bc sin 686.09.3sin 176.0sin 176.0sin 2.280sin 2.23.1sin 8.2sin 8.23.14703.14703.33.14703.1470sin 10//)//(3.192.126)801(200)1(-=Ω⨯-=-==⨯===Ω===+⨯++⨯⨯=+=Ω≈++Ω=++≈'μβμβ故: V wt U BE )sin 0028.07.0(+=Vwt U A wt i Awt i CE c B )sin 686.051.4()sin 176.092.1()sin 2.224(-=+=+=μμ2.8 解:(1) A kV V I BQ μ21470)10(3.0=Ω---=VI R U mA I I CQ C CEQ BQ CQ 94.71003.149198.01-=--====⇒+=⇒+=ββββββα (2) s R Br be i b R C i c βi b R R B C +-iu -++-i u -u o +u o(3) Ω≈++=++='146203.126)491(200)1(mAmV I U r r EQ T b b bc β wtVR i u wtmAi i A wt r u i wtmVu C c ce b c be be b be sin 68.0sin 34.0sin 84.6sin 10-==-=⨯=-===βμ所以 V wt U BE )sin 01.03.0(+-=Vwt U mA wt i Awt i CE C B )sin 68.094.7()sin 34.003.1()sin 84.621(--=-=-=μ2.9 解:ce u u =0(1)0u 顶部削波失真,Q 点太低,截止失真,B R 触点下移可减小B R ,增大CQ I ,使Q 上移,消除失真。