模拟电子技术基础(练习题)
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
《电子技术基础》复习题(模拟)
一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。
1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。
1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。
1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。
1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。
1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。
1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。
1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。
1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。
这两种状态相当于一个 开关 。
1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。
1—1—13 发光二极管内部 PN 结 ，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。
1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。
1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
《模拟电子技术基础》习题集(11)
《模拟电子技术基础》习题集一．选择题1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V ，引线2是3.3V ，引线3是8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管（3）PNP 型硅管 （4）NPN 型锗管2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负 极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是（1）8伏 （2）7.5伏（3）15.5伏 （4）0.5伏4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益A Vf =100,要求开环增益A V 变化10%时闭环增益变化0.5%,则开环增益是（1）10 （2）2000（3）5000 （4）10005、乙类推挽功放的理想效率为（1）40％ （2）50％（3）78％ （4）35％6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：（1）共射放大电路 （2）共射共基电路（3）差动放大电路 （4）射极输出器7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V ，引线2是-3.3V ，引线3是-8V 。
该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管 （3）PNP 型硅管8．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；9．晶体三极管的两个PN 结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态10．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管(1)发射结为反向偏置 (2) 集电结为正向偏置(3) 始终工作在放大区11．在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为(1)c c R i v =0 (2) c c R i v -=0 (3) c c R I v -=012．共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是(1) 同相位 (2)相位差是900 (3) 相位差是180013．三级放大器中，各级的功率增益为：－3dB ,20dB 与30dB,则总功率增益为(1) 47dB (2)-180dB (3)53dB14．直耦放大器的功能是(1)只能放大直流信号 (2)只能放大交流信号(3)直流信号与交流信号都能放大15．正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是(1) 使正弦波产生一个单一频率的信号 (2) 使振荡器输出较大的信号(3) 使振荡器有丰富的频率成分16．经过超外差式调幅收音机变频电路及中频放大电路后，输出的信号是（1）．是高频调幅信号 （2）.是中频调幅信号（3）．是低频解调信号17、一个NPN 型晶体三极管，由测量得知三个电极电位分别为,3,6,6.6V V V V V V c B E -=-=-=这个晶体三极管工作在（1）放大状态 （2）截止状态（3）饱和状态 （4）倒置状态18．一个固定偏置放大电路中，b R =150K Ω，c R =2K Ω，c E =6V ，晶体管的fe h =40。
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《模拟电子技术基础》练习题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）（3）P N结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（√）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
（×）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（√）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（×）（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
(×)（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，(√)它只能放大交流信号。
(√)（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，(√)它只能放大直流信号。
(×)（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(×)（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（×）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（√）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（×）（1）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（×）（2）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
（×）（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（√）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（×）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（√）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（×）（1）直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（× ）（2）直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（√）（3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
（√ ）（4）若U 2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。
（ √）（5）当输入电压U I 和负载电流I L 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（ ×）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体，加入 C 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2m A ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C ，D 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 C 。
A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 （3）选用差分放大电路的原因是 A 。
A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ， ，共模信号是两个输入端信号的 C 。
A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ，将使电路的 B 。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大二、已知交流负反馈有四种组态：A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入C ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入A；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入D 。
（1）对于放大电路，所谓开环是指B。
A．无信号源B．无反馈通路C．无电源D．无负载而所谓闭环是指B。
A．考虑信号源内阻B．存在反馈通路C．接入电源D．接入负载（2）在输入量不变的情况下，若引入反馈后D，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小（3）直流负反馈是指C。
A．直接耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大直流信号时才有的负反馈C．在直流通路中的负反馈（4）交流负反馈是指C。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈（5）为了实现下列目的，应引入A．直流负反馈B．交流负反馈为了稳定静态工作点，应引入A；为了稳定放大倍数，应引入B；为了改变输入电阻和输出电阻，应引入 B ；为了抑制温漂，应引入A；为了展宽频带，应引入B。
选择合适答案填入空内。
A．电压B．电流C．串联D．并联（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入A负反馈；（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入B负反馈；（3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入C负反馈；（4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入D负反馈；（5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入B负反馈；（6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入A负反馈。
二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用 C 。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 F 。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用 E 。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用 A 。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 C 。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用 D 。
三分析题判断图1所示二极管的导通情况并写出各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图1解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图2所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图2三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈图解：图（a）所示电路中引入了电流串联负反馈。
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
已知图3所示电路中晶体管的β ＝100，r b e =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U C E Q ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；（2）若测得iU 和o U 的有效值分别为1m V 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？图3解：（1）求解R bΩ≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ cCEQCC CQ I U V R I I R U V I β2.13 电路如图P 2.13所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA 、R i 和R o ；（2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)(A μ 101mA1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQBQEQ CC b2b1b1BQ=++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R UUI V R R R UCC β四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1 )1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u tu RC u u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥电路如图P7.3所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
图P7.3解：u O 1＝(－R f /R ) u I ＝－10 u I ，u O 2＝(1+R f /R ) u I ＝11 u I 。
当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是＋14V ，就是－14V 。
试求图P7.8所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
图P7.8解：在图示各电路中，集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。
各电路的运算关系式分析如下：（a ）13I2I1I33f I22f I11f O 522u u u u R R u R R u R R u +--=⋅+⋅-⋅-=（b ）13I2I1I33f I22f I11f O 1010u u u u R R u R R u R R u ++-=⋅+⋅+⋅-=4 已知电路如图P3.2所示，T 1和T 2管的饱和管压降|U C E S |＝3V ，VC C ＝15V，RL＝8Ω，。
选择正确答案填入空内。
图P3.25在图P3.2所示电路中，已知VC C＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降|UC E S|＝2V，输入电压足够大。
试问：（1）最大输出功率Po m和效率η各为多少？（2）晶体管的最大功耗PT m a x为多少？（3）为了使输出功率达到Po m，输入电压的有效值约为多少？解：（1）最大输出功率和效率分别为（2）晶体管的最大功耗（3）输出功率为Pom时的输入电压有效值6估算图P3.3所示电路T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗。
解：功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为7电路如图P4.3所示，变压器副边电压有效值为2U2。