电子技术基础培训教材
电子基础培训资料
电子基础培训资料电子技术是现代社会的基础，无论是通信设备、家用电器还是计算机，都离不开电子组件和电路的支持。
为了满足市场需求，培养一支专业的电子技术人才队伍是非常必要的。
本文将介绍电子基础培训的相关资料，以帮助初学者快速掌握电子技术的基本知识。
一、电子基础知识1. 电子元器件分类和基本特性电子元器件是构成电子电路的基本单元，主要包括电阻、电容、电感、二极管和晶体管等。
每种元器件都有其独特的特性和用途，初学者应该了解它们的基本分类和特点。
2. 电路分析方法电路分析是电子技术的重要基础，包括直流电路和交流电路的分析方法。
直流电路的分析主要涉及欧姆定律和基尔霍夫定律等，而交流电路则涉及到复数和相量的概念。
3. 信号与系统信号与系统是电子技术中的重要概念，它涉及到信号的传输、变换和处理等内容。
初学者需要了解信号的分类、性质以及系统的基本特性，为后续的学习打下基础。
二、数字电路基础1. 逻辑门与布尔代数数字电路是电子技术中的重要分支，它使用离散的信号进行信息的处理。
了解逻辑门的类型、真值表以及其在布尔代数中的表示方法对于理解数字电路的原理和设计方法至关重要。
2. 组合逻辑电路组合逻辑电路是由逻辑门组成的，它将多个输入信号通过门电路得到相应的输出信号。
初学者需要了解组合逻辑电路中的与门、与非门、或门、异或门等常见电路，并能够进行逻辑方程到电路的转换。
3. 时序逻辑电路时序逻辑电路是基于时钟信号进行时序控制的电路，它具有记忆能力和状态转换特性。
了解触发器、计数器等时序逻辑元件的工作原理以及它们在数字系统中的应用是必要的。
三、模拟电路基础1. 放大器与滤波器放大器是电子系统中的核心部件之一，它能够将输入信号进行增益处理。
初学者需要了解放大器的基本分类、特性参数和常用电路拓扑，以及滤波器的基本原理与设计方法。
2. 模拟运算放大器模拟运算放大器（Op-Amp）是模拟电路中应用最广泛的集成电路之一，它可实现电压放大、电流放大和运算等功能。
电子基本知识培训教材
电子基本知识培训教材一、电子学的发展历程电子学是一门研究电子运动规律和应用的学科，它的发展历程可以追溯到 19 世纪。
在19 世纪初，科学家们开始对电现象进行研究。
随着时间的推移，一系列重要的发现和发明逐渐推动了电子学的发展。
1897 年，英国物理学家 JJ汤姆逊发现了电子，这一发现为电子学的发展奠定了基础。
此后，人们对电子的性质和行为有了更深入的了解。
20 世纪初，无线电通信的出现标志着电子学开始走向实用化。
无线电的发明使得人们能够远距离传输信息，这极大地改变了人们的生活和通信方式。
在 20 世纪中叶，随着半导体技术的发展，电子学迎来了一个重要的转折点。
晶体管的发明取代了体积庞大、效率低下的真空管，使得电子设备变得更小、更可靠、更节能。
随后，集成电路的出现更是将电子学的发展推向了一个新的高度。
集成电路将大量的晶体管和电子元件集成在一个小小的芯片上，使得电子设备的性能得到了极大的提升，同时也降低了成本。
如今，电子学已经广泛应用于通信、计算机、医疗、航空航天等各个领域，成为现代科技发展的重要支撑。
二、电子元件1、电阻电阻是电子电路中最基本的元件之一，其主要作用是限制电流的流动。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻的阻值大小取决于其材料、长度、横截面积等因素。
在电路中，电阻常用于分压、限流、负载等。
2、电容电容是储存电荷的元件。
它由两个导体极板和中间的绝缘介质组成。
电容的单位是法拉（F），但在实际应用中，常用微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等单位。
电容在电路中常用于滤波、耦合、定时等。
3、电感电感是能够储存磁场能量的元件。
它由线圈绕制而成。
电感的单位是亨利（H），常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH）。
电感在电路中常用于滤波、谐振、变压等。
4、二极管二极管是一种具有单向导电性的半导体器件。
它只允许电流从一个方向通过，而阻止电流从相反的方向通过。
二极管在电路中常用于整流、检波、稳压等。
5、三极管三极管是一种能够控制电流的半导体器件。
电子技术基础(张龙兴版)全套教案
课题13.1寄存器课型新课授课班级授课时数2教学目标1．了解时序逻辑电路与组合逻辑电路结构及功能的区别，了解时序逻辑电路的基本应用。
2．掌握移位寄存器的电路结构和工作原理。
教学重点1．寄存器的分类，数码寄存器的电路结构和工作原理。
2．掌握移位寄存器的电路结构和工作原理。
教学难点移位寄存器的电路结构和工作原理。
学情分析教学效果教后记新课 A ．引入时序逻辑电路简称时序电路：它是由组合逻辑电路和触发器两部分组成。
时序逻辑电路的特点是：电路任一时刻的输出状态不仅与同一时刻的输入信号有关，而且与电路原有状态有关。
B ．复习1．组合逻辑电路的特点。
2．举例。
C ．新授课13.1 寄存器13.1.1 数码寄存器1．电路结构数码寄存器（寄存器）：只具有接收、暂存数码和清除原有数码的功能。
控制端：4个触发器的时钟脉冲输入端连接在一起，作为接收数码的控制端。
输入端：30D ~D 是寄存器的数码输入端。
输出端：30Q ~Q 是寄存器的数据输出端。
清零端：各触发器的复位端连接在一起，作为寄存器的总清零端CR ，低电平有效。
2．工作过程 （1）寄存数码前，寄存器应清零：令CR = 0，30Q ~Q 均为0态。
（2）寄存数码时，应使CR = 1。
将待寄存的四位二进制数码30~D D 分别输入D 触发器各自的输入端。
当时钟信号CP 的上升沿到来时，根据D 触发器的逻辑功能1n Q =D ，二进制数码得以输入寄存器。
（3）只要使CR = 1，CP = 0，寄存器就处在保持状态。
完成了接收并暂存数码的功能。
3．特点在接收数码时，各位数码是同时输入；输出数码时，也是同时输出。
因此，这种寄存器称为并行输入、并行输出数码寄存器。
13.1.2 移位寄存器1．单向移位寄存器（1）右移寄存器① 电路组成（讲解电路）（分析工作原理）3FF 是最高位触发器，0FF 是最低位触发器，从左到右依次排列。
高位触发器的输出端Q 与低一位触发器的输入端D 相连。
《电子技术基础》教学课件PPT
－
不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的 移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的 数量，因此起主要导电作用的是多数载流子。
注意：
掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半 导体晶体仍然呈电中性。
一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等。
P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能力极大地增强；
半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。
3. 本征半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价 元素，即每个原子最外层电子数为4个。
原子核
＋
导体的特点：
内部含有大量的自由电子
（2） 绝缘体
绝缘体的最外层电子数一般为6~8个，且距原子核较近，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。 常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力极差或不导电。 常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。
原子核
＋
绝缘体的特点：
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种 载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，电 流的方向为空穴载流子的方向即自由电子载流子的反方向。
《电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》第一章教案教学目标：1. 理解电子技术的基本概念和原理；2. 掌握电子元件的基本特性和使用方法；3. 熟悉电子电路的基本组成部分和基本分析方法。
教学内容：1. 电子技术的基本概念；2. 电子元件的基本特性；3. 电子元件的使用方法；4. 电子电路的基本组成部分；5. 电子电路的基本分析方法。
教学步骤：1. 导入：通过引入日常生活中的电子设备，激发学生对电子技术的兴趣，引出本章的教学内容。
2. 讲解电子技术的基本概念，通过示例和图示让学生理解电子技术的基本原理。
3. 讲解电子元件的基本特性，如电阻、电容、电感等，并通过实物展示和实验让学生熟悉这些元件的使用方法。
4. 通过示例电路，讲解电子电路的基本组成部分，如电源、信号源、放大器、滤波器等，并让学生了解这些元件在电路中的作用。
5. 讲解电子电路的基本分析方法，如电压分析法、电流分析法等，并通过实际电路让学生进行实践操作。
教学评价：1. 课堂讲解的清晰度和连贯性；2. 学生对电子技术基本概念和原理的理解程度；3. 学生对电子元件的基本特性和使用方法的掌握程度；4. 学生对电子电路的基本组成部分和基本分析方法的熟悉程度。
《电子技术基础》第二章教案教学目标：1. 理解半导体器件的基本原理和特性；2. 掌握二极管、晶体管等基本半导体器件的使用方法；3. 熟悉半导体电路的基本组成部分和基本分析方法。
教学内容：1. 半导体器件的基本原理和特性；2. 二极管的基本特性和使用方法；3. 晶体管的基本特性和使用方法；4. 半导体电路的基本组成部分；5. 半导体电路的基本分析方法。
教学步骤：1. 导入：通过介绍半导体器件在现代电子技术中的重要性，引出本章的教学内容。
2. 讲解半导体器件的基本原理和特性，如PN结、二极管、晶体管等，并通过示例和图示让学生理解这些器件的工作原理。
3. 讲解二极管的基本特性和使用方法，如整流、稳压等，并通过实验让学生熟悉二极管的应用。
电子技术基础知识培训课件
根据电路仿真测试结果，设计出合理的PCB板。
调试与优化
对制作的PCB板进行调试和优化，确保电路的稳定性和 性能。
电路设计的常见技巧
利用仿真软件优化电路设计
仿真软件可以帮助设计者对电路进 行模拟测试和优化，减少制作成本 和调试时间。
选择合适的元件参数
选择合适的元件参数可以有效地提 高电路的性能和稳定性，同时避免 元件过热、过压、过流等问题。
利用继电器保护电路
继电器可以实现对电路的保护和控 制，防止电流过大、负载过重等异 常情况对电路造成损坏。
利用滤波器稳定电路
滤波器可以有效地滤除电源波动、 电磁干扰等不稳定因素，保证电路 的稳定性和可靠性。
05
电子设备维护与检修
电子设备的日常维护
清洁与整理
保持电子设备的表面清洁，避 免灰尘、污垢等污染，同时对 设备内部和外部的电缆、连线 等进行整理，防止混乱和损坏
电子技术的发展历程
电子管时期
20世纪初，电子管的出现标志着电 子技术的诞生。
晶体管时期
20世纪中叶，晶体管的出现使电子 技术进入了一个新的发展阶段。
集成电路时期
20世纪60年代，集成电路的出现使 电子技术进入了数字化时代。
微电子技术时期
20世纪80年代，微电子技术的出现 使电子技术更加集成化、高效化。
电容
电子元器件基本元件之一，具有存储电荷的特性。
电容是电路中用于存储电荷的元件，其基本单位是法拉（F） 。电容的主要参数包括容量、耐压值和误差等级等。根据制 造材料和结构的不同，电容可分为固定电容、可变电容和电 解电容等。
电感
电子元器件基本元件之一，具有传递和储存磁能的特性。
电感是电路中用于储存和传递磁能的元件，其基本单位是亨利（H）。电感的主 要参数包括自感量、互感量、品质因数和误差等级等。根据使用场合的不同，电 感可分为固定电感、可变电感和线圈等。
电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》正式教案一、教学目标1. 了解电子技术的基本概念、发展和应用。
2. 掌握电子元件的基本原理和特性，包括电阻、电容、电感等。
3. 学习基本的电子电路分析方法，包括串联、并联、混联电路等。
4. 学会使用常用的电子仪器仪表，如万用表、示波器等。
5. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。
二、教学内容第一章：电子技术概述1.1 电子技术的定义和发展1.2 电子技术的应用领域1.3 电子技术的基本电路元素第二章：电子元件2.1 电阻2.2 电容2.3 电感2.4 二极管2.5 晶体管第三章：基本电路分析3.1 串联电路3.2 并联电路3.3 混联电路3.4 电路的功率和能量第四章：常用电子仪器仪表4.1 万用表的使用4.2 示波器的使用4.3 信号发生器和频率计的使用第五章：实验操作与团队协作5.1 电子实验的基本操作5.2 电子实验的安全注意事项5.3 团队协作与沟通技巧三、教学方法1. 讲授法：讲解电子技术的基本概念、原理和分析方法。
2. 实验法：通过实验操作，让学生亲手实践，加深对电子技术的理解和掌握。
3. 案例分析法：分析实际应用中的电子技术案例，提高学生的应用能力。
4. 小组讨论法：鼓励学生相互交流、讨论，培养团队合作精神。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况等，占总评的30%。
3. 期末考试：包括理论知识、电路分析和实际操作，占总评的40%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》正式教案。
2. 实验设备：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等元件，万用表、示波器等仪器仪表。
3. 辅助材料：教案、PPT课件、实验指导书等。
六、教学进度安排1. 第一章：2课时2. 第二章：3课时3. 第三章：4课时4. 第四章：3课时5. 第五章：2课时七、教学注意事项1. 注重学生的安全意识和实验操作规范。
2. 鼓励学生提问，及时解答学生疑问。
3. 关注学生的学习进度，适时调整教学难度和节奏。
全套课件 电工电子技术基础(第二版)--李中发
简称功率。
p dW dt
功率与电流、电压的关系：
关联方向时： p =ui
非关联方向时： p =－ui
p＞0时吸收功率，p＜0时放出功率。
I=2A
+ U=5V －
(a)
I=-2A
+ U=5V －
(b)
I=-2A
+ U=5V －
(c)
例：求图示各元件的功率. （a）关联方向， P=UI=5×2=10W， P>0，吸收10W功率。 （b）关联方向， P=UI=5×(－2)=－10W， P<0，产生10W功率。
伏安关系（欧姆定律）：
关联方向时： u =Ri
非关联方向时： u =－Ri
iR
符号：
+ u －
功率：
p ui Ri2 u2 R
2．电感元件
电感元件是一种能够贮存磁场能量的元 件，是实际电感器的理想化模型。
伏安关系： 符号： i
L
u L di dt
+ u －
只有电感上的电流变化时，
u L di dt
理想电压源
u Us
O
t
us +－
Us +－
理想电流 i源
Is
O
u
is
1.3 基尔霍夫定律
电路中通过同一电流的每个分支称为支路。 3条或3条以上支路的连接点称为节点。 电路中任一闭合的路径称为回路。
i1
R1 +c us1 －
a i2
i3
R2
R3
Байду номын сангаас
+d
e
us2
－
b
图示电路有3条 支路，2个节点， 3个回路。
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7.存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列7.1只读存储器7.2随机存取存储器7.3复杂可编程逻辑器件*7.4现场可编程门阵列*7.5用EDA技术和可编程器件的设计例题教学基本要求:・掌握半导体存储器字、位.存储容量.地址.等基本概念。
・掌握RAM. ROM的工作原理及典型应用。
・了解存储器的存储单元的组成及工作原理。
・了解CPLD. FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。
概述半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。
存储器的主要性能指标存储数据量大一^储容量大取快速度——存储时间短可编程逻辑器件是一种通用器件,其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。
它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。
7.1只读存储器7.1.1 ROM的定义与基本结构7.1.2两维译码7.1.3可编程ROM7.1.4集成电路ROM7.1.5ROM的读操作与时序图7.1.6ROM的应用举例7・1只读存储器SRAM (Static RAM):静态RAMDRAM (Dynamic RAM):动态RAM 定ROM PROMEPROM E 2PROM RAM （随机存取存储器）:在运行状态可以随时逬行读或写操作。
存储的数据必须有电源供应才能保存，一旦掉电，数据全部丢失。
ROM （只读存储器）:在正常工作状态只能读出信息。
断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息（如程序、常数等）。
RAM(Random-Access Memory)ROMJ (Read-Only可编程ROM和——As —A2—Ai —Ao —X。
T r t t-r r n ._r 1 F t r L】」L1 r」LT r」Li r」L1 r」Li r」L1 r」LT r十• • • -fc_r」Li r」LT r」L1 rJ L■」L」L」L」L」L」L」L」■ ■ ■ L」L」L」L J码器■Xn r1T r1T r1i r111i r1i r1T r11 rT r11i r1 L」L」L」L」L」L」L」L• • •弋」L J L」L J几个基本概念:字长(位数):表示一个信息多位二进制码称为一个字, 字的位数称为字长。
字数:字的总量。
字数=2" ( n为存储器外部地址线的线数) 地址:每个字的编号。
存储容量(M):存储二值信息的总量。
存储容量(M)=字数x位数As 人6 人7列地址译码器行地址译7.1 .1 ROM的定义与基本结构只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。
(Read-Only Memory)ROM的分类按存贮单元中器件划分「二极管ROM彳三极管ROM -MOS管ROM按写入情况划分可编程ROMPROM EPROM E2PROM7.1.1 ROM的定义与基本结构地址译码器<!EI1） ROM （二极管PROM）结构示意图+5V M=4x4地址译码器匸Y（）Ai YiAoY22线-4线译码器丫3存储矩阵< 丿j ；W丄: 、-- 丿滾出控十7『科带■OE——£>3。
2 Di D（）当丽=0时地址内容1^0D3D^D^D O00011011•字线与位线的交点都是一个存储单元。
交点处有二极管相当存］”无二极管相当存0 当呢=1时输出为高阻状态D 该存储器的容量二? 28x 1=2567.1.3 可编程ROM ( 256x1位EPROM ) 256个存储单元排成16x16的矩阵行译码器从16行中选出要读的一行心列译码器再从选中的一行存: 储单元中选出要读的一列的- 一个存储单元。
入如选中的存储单元的MOS管；：_ ____ Ao的浮栅注入了电荷,该管截V DD Wo止 < 读得1;相反读得0EZ行地址译码器列地址详码器16X 16存储矩阵—I—5输m缓冲器^^1^^^1iiBiiItII7.1.4集成电路ROMAT27C010 fD7 〜D Q 128K'8 位ROM Vpp匚132□ Vcc A16匚231□ PGM A15E330□ NC A12E429□ A14 A7E528□ A13 A6匚6卜27□ A8 A5匚7占26□ A9 A4匚8M 25□ A11 A3匚98 24□ OE A2E10o 23□ A10 A1匚1122□ CE A0匚1221□ 07 00匚1320□ 06 01匚1419□ 05 02 □1518□ 04GNDE1617□ 03Pin ConfigurationsPin Name FunctionAO-A16 Addresses 00-07 Outputs CEChip Enable OE Output En able PGMProgram StrobeNC No ConnectPLCC Top ViewB MC A14A13A.8A9小OE A10GE 07OG 050403匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚P 6527G 54 3210 O12D• -A A A A ^AA O O O NGVPA1A1川A12 A16 VCC_NC A15VPP PGM5 6 78 99 8 76 5 4p 2 2 22 2 2 3132 3TSOP Top viewPlastic Dual In-Line PackageType 13M PP I15A7A53 □AJ亡匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚匚亡匚03211- ； 、叵i® ffilEB曲 知6巨鬧川川川川“川""WWW Q Infineon?mHYB25D256163CE-4.0.ORP9 圭 C2 FUU17146Effi KI 貢門 •叫卩严：：co ，U97.1.5 ROM 的读操作与时序图CEAC Waveforms for Read Operation ⑴ADDRESStACCAi6 〜Ao读出单元的地址有效OE^OEAA^ozDy〜£>ozF OH数据输出有效 tcECEOEtDF一效数■定延时tOHADDRESS VALIDtCE/OUTPUT HIGH Z/ OUTPUT、\ VALID /7.1.6 ROM的应用举例(i)用于存储固定的专用程序(2 )利用ROM可实现查表或码制变换等功能查表功能■ ■查某个角度的三角函数把变量值(角度)作为地址码 <其对应的函数值作为存放往该地址内的数据,这称为〃造表"O使用时, 根据输入的地址(角度),就可在输出端得到所需的函数值 < 这就称为〃查表"O码制变换・・把欲变换的编码作为地址,把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。
用ROM实现二逬制码与格雷码相互转换的电路厶人O3€>2O1€>0=D3D2£)1P0用ROM实现二进制码与格雷码相互转换的电路Ch1 2 A / o A2Ai ROMCEOEDiD2D3D4O30201Oo7.2随机存取存储器(RAM )7.2.1静态随机存取存储器(SRAM)7.2.2同步静态随机存取存储器(SSRAM ) 7.2.3动态随机存取存储器724存储器容量的扩展7.2随机存取存储器(RAM)7.2.1静态随机存取存储器(SRAM)1 SRAM 的基本结构CE WE OE =1XX高阻ir :■ *V ■" J— —-W-L].厂列译码「II■■■■J. MB ■■■ MM存储阵列CE WE OE =010输出（读）CE WE OE =00X输入（写）\OE\CE \WE 行 译 码 ||J]CE WE OE =011高阻辛国北工関WV^ES1. RAM存储单元•静态SRAM(Static RAM) 本单元门控制管•控ironT5T I//-V D D1V GG11nd1H 双稳雷单元数据列存储单元公用的门控制管，与读写控制电路相接Yj = 1时导通位线B数据线1. RAM存储单元•静态SRAM(Static RAM)X、一（行选择线）丁6(A7数据线耳（列选择线）1百HIi线Xj=l呎、丁6导通触发器与位线接通丫广1•T7. T$均导通•触发器的输出与数据线接通,该单元通过数据线读取数据。
3.SRAM 的读写操作及时序图 读操作时序图〉〈 读出单元的地址有效 ）〈T (AA一上一个有效数据Ijjp 「 数据输出有效『RC地址输出数据CE OE数据输出『RCLZOE高阻(LZCE数据输岀有效(b)(HZCE『HZOE-^3.SRAM的写操作及时序图写操作时序图722同步静态随机存取存储器(SSRAM)SSRAM 是一种高速RAM 。
与SRAM 不同，SSRAM 的读写 操作是在时钟脉冲节拍控制下完成的。
O地址＞寄存 器输入 寄存器＜读写控制 逻辑0E寄存地址线上的地址寄存要写入的 数据2位二进制计数器， 处理A]A°内部读写控制信号；5EW1E =0:写操作 WE =1:读操作:在每个时钟有效沿锁存输入信号，在一 个时钟周期内，由内部电路完成数据的读（写）操作。
u2 J A<> 7 91011IlliIfII・・・CE 斗W :ADV^~\ WE 厂 A HO钾周A3tIIIIIaII二i 秋区mscn^wcn^）iC5A7））iG IIIIIII・■K A O□H -片选无效!黠刊豔I/O 输I/O 输I/O 输出A4入A5岀A6 数据；数据；数据; 开始开始开始 写A5写A6读A7 数据，数据数据ADV=1:丛发模式读写从发模式读写癮式吐有新兔址输入后，自动产生后续地址进行读写操作，地址总线让出1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 CP・^r\_r^r^r^j~\_r^r^r^r\_r\_r^zzz^zzz^z/zz«^z/zzz/z/zzzz«^z/zz一aA2+却况\2+钗W(A2)双I (A3)加(A3+ >丛发丛发读A2丛发丛发丛发丛发模式模式地址模式模式模式模式读读单元读读读重新Al+1A1+2数据A2+1A2+2A2+3读A2中的中的中的中的中的中的读Al地址单元数据30C 0( 41)^( A1+1 A2)1|5CSSRAM的使用特点:在由SSRAM构成的计算机系统中f由于在时钟有效沿到来时,地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中f因此读写过程的延时等待均在时钟作用下,由SSRAM内部控制完成。
此时 < 系统中的微处理器在读写SSRAM的同时 <可以处理其他任务,从而提高了整个系统的工作速度。
刷新缓冲器输入缓冲器被选通数据Di经缓冲器和位线写入存储单元刷新R 行选线X如果Di为1，则向电容器充电,C存1仮之电容器放电（存0。