电子元器件主要参数详解
电子元器件的主要参数
电子元器件的规格参数
描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、允许偏差值与精度等级、额定值与极限值。
(1)标称值:电子设备的社会需求量是巨大的,电子元器件的种类及年产量则更为繁多巨大。然而,电子元器件在生产过程中,其数值不可避免地具有离散化的特点;并且,实际电路对于元器件数值的要求也是多种多样的。为了便于大批量生产,并让使用者能够在一定范围内选用合适的电子元器件,我们规定出一系列的数值作为产品的标准值,称为标称值。
在制作那些要求长期稳定工作或工作环境温度变化较大的电子产品时,应当尽可能选用温度系数较小的元器件,也可以根据工作条件考虑产品的通风、降温,以至采取相应的恒温措施。
(2)噪声电动势和噪声系数:电子设备的内部噪声主要是由各种电子元器件产生的。我们知道,导体内的自由电子在一定温度下总是处于“无规则”的热运动状态之中,从而在导体内部形成了方向及大小都随时间不断变化的“无规则”的电流,并在导体的等效电阻两端产生了噪声电动势。噪声电动势是随机变化的,在很宽的频率范围内都起作用。由于这种噪声是自由电子的热运动所产生的,通常又把它叫做热噪声。温度升高时,热噪声的影响也会加大。
(2)允许偏差值与精度等级:实际生产出来的元器件,其数值不可能和标称值完全一样,总会有一定的偏差。用百分数表示的实际数值和标称值的相对偏差,反映了元器件数值的精密程度。对于一定标称值的元器件,大量生产出来的实际数值呈现正态分布,为这些实际数值规定了一个可以接受的范围,即为相对偏差;规定了允许的最大范围,叫做数值的允许偏差(简称“允差”)。不同的允许偏差也叫做数值的精度等级(简称“精度”),并为精度等级规定了标准系列,用不同的字母表示。例如,常用电阻器的允许偏差有±5%、±10%、±20%三种,分别用字母J、K、M标记它们的精度等级(以前曾用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示)。精密电阻器的允许偏差有±2%、±1%、±0.5%,分别用G、F、D表示
电子元器件的规格参数知识讲解
电子元器件的规格参数123电子元器件的规格参数描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。
规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。
电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。
电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。
电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。
通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。
在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。
使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。
电子元器件的命名与标注通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。
电子元器件的名称由字母和数字组成。
对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。
型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。
文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。
②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。
③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。
例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。
全部元件的参数
全部元件的参数
全部元件的参数如下：
1. 电阻：电阻的参数通常包括电阻值、功率、温度系数等。
常见的电
阻值有几欧姆到几兆欧姆不等，功率一般为1/8瓦到几瓦，温度系数
表示电阻随温度变化的程度。
2. 电容：电容的参数包括电容值、额定电压、介质材料等。
电容值一
般以法拉（F）为单位，额定电压表示电容器能承受的最大电压。
3. 电感：电感的参数通常包括电感值、额定电流、漏感比等。
电感值
一般以亨利（H）为单位，额定电流表示电感器能承受的最大电流。
4. 二极管：二极管的参数包括最大反向电压、最大正向电流、导通压
降等。
最大反向电压表示二极管能够承受的最大反向电压。
5. 三极管：三极管的参数包括最大集电电流、最大功耗、最大频率等。
最大集电电流表示三极管能够承受的最大集电电流。
6. MOS管：MOS管的参数包括最大漏极电流、最大功耗、门电压范围等。
最大漏极电流表示MOS管能够承受的最大漏极电流。
7. 集成电路：集成电路的参数包括芯片型号、工作电压、封装方式等。
不同的芯片具有不同的功能和工作要求。
8. 传感器：传感器的参数包括测量范围、精度、输出信号类型等。
不
同的传感器用于测量不同的物理量，需根据具体应用选择合适的参数。
以上列举的是一些常见元件的参数，每种元件都有不同的参数范围和要求，具体参数需根据具体元件的规格表或数据手册获取。
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
电子元器件主要参数详解
fT
Transitionfrequency
特征频率
C
Collectoroutputcapacitance
共基极输出电容
C
Collectorinputcapacitance
共基极输入电容
F
Noisefigure
噪声系数
t
Turn-ontime
开通时间
t
Turn-offtime
关断时间
tr
工作结温
T
StorageTemperatureRange
存储温度
R
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient
结到环境的热阻
PIN二极管
VR
Continuousreversevoltage
反向直流电压
IF
Continuousforwardcurrent
正向直流电流
VF
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
普通晶体管
V
Collector-Basevoltage
发射极开路,集电极-基极电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极电压
V
Emitter-basevoltage
集电极开路,发射极-基极电压
IC
Collectorcurrent
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
稳压管
VI
inputvoltage
输入电压
Vo
outputvoltage
输出电压
电子元件基础知识入门_电子元器件知识详解
电子元件基础知识入门_电子元器件知识详解凡是能产生电感作用的原件统称为电感原件，常用的电感元件有固定电感器，阻流圈，电视机永行线性线圈，行，帧振荡线圈，偏转线圈，录音机上的磁头，延迟线等。
以下是由店铺整理关于电子元件基础知识入门的内容，希望大家喜欢!电子元件基础知识入门1 固定电感器:一般采用带引线的软磁工字磁芯，电感可做在10-22000uh之间，Q值控制在40左右。
2 阻流圈：他是具有一定电感得线圈，其用途是为了防止某些频率的高频电流通过，如整流电路的滤波阻流圈，电视上的行阻流圈等。
3 行线性线圈：用于和偏转线圈串联，调节行线性。
由工字磁芯线圈和恒磁块组成，一般彩电用直流电流1.5A电感116-194uh频率：2.52MHZ4 行振荡线圈：由骨架，线圈，调节杆，螺纹磁芯组成。
一般电感为5mh调节量大于+-10mh.电感线圈的品质因数和固有电容(1)电感量及精度线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。
电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。
例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH—100Ho电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。
对振荡线圈要求较高，为o.2-o.5%。
对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15%。
对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现o(2)线圈的品质因数品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。
对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性;用低Q值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。
对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。
Q值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。
一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。
bcr8pm参数
bcr8pm参数BCR8PM参数详解BCR8PM是一款电子元器件，常用于电源电路中的开关管。
在使用BCR8PM时，需要了解其参数，以便正确选择和使用。
一、主要参数1. 额定电压（VDS）：指允许开关管承受的最大电压值。
一般情况下，选择VDS应该比实际工作电压高出20%以上。
2. 额定电流（ID）：指在正常工作条件下允许通过开关管的最大电流值。
如果超过额定电流，则会导致开关管过载而损坏。
3. 静态特性：包括漏极静态工作点、漏极截止电压和漏极饱和电压等参数。
4. 动态特性：包括输入/输出容量、输入/输出阻抗、反向传输比等参数。
5. 开关时间：包括上升时间（tr）和下降时间（tf），是指从0到额定值或从额定值到0所需的时间。
6. 开通/关断速度（dv/dt）：指开通或关闭时，漏极-源极间的电压随时间变化的斜率。
dv/dt越大，容易产生高峰值的干扰信号，影响其他设备的正常工作。
7. 热特性：包括最大耗散功率和热阻等参数。
二、BCR8PM的参数介绍1. 额定电压（VDS）：600V2. 额定电流（ID）：8A3. 静态特性：漏极静态工作点（IDSS）：0.1mA漏极截止电压（VGS(off)）：4V漏极饱和电压（VGS(on)）：2.5V4. 动态特性：输入/输出容量（Ciss/Coss）：800pF/160pF 输入/输出阻抗（Rg/Rd）：3.5Ω/1Ω反向传输比（tr/tf）：0.7/1.25. 开关时间：上升时间（tr）：20ns下降时间（tf）：50ns6. 开通/关断速度（dv/dt）：开通速度（dv/dt on）：<10V/ns关断速度（dv/dt off）：<5V/ns7. 热特性：最大耗散功率（Pdmax）：80W热阻（Rth(j-a)）：50℃/W三、如何选择BCR8PM？在选择BCR8PM时，需要根据具体的应用需求来确定其参数。
以下是一些常见的选择方法：1. 根据电路工作电压和电流来选择额定电压和额定电流。
常用电子元器件型号说明
常用电子元器件型号说明电子元器件是电子设备中不可或缺的组成部分。
在不同的电子设备中，我们会看到各种各样的电子元器件，它们都有不同的型号和功能。
本文将介绍一些常用电子元器件的型号及其说明。
一、电阻器电阻器是一种用来控制电流和电压的元器件。
电阻器的型号通常表示为“R”和数字，“R”代表电阻器，数字代表它的阻值。
例如R1200表示阻值为1200Ω的电阻器。
电阻器的阻值单位是欧姆（Ω），常用颜色环标记法来表示电阻器的阻值和容差。
二、电解电容器电解电容器是一种可以存储电荷的元器件，常用于平滑电源电压、滤波、耦合等电路。
电解电容器的型号通常表示为“C”和数字，数字代表电容的值，单位是微法（μF）。
例如C1000表示电容值为1000μF的电解电容器。
电解电容器的正负极需要注意，一般标注正极“+”号。
三、二极管二极管是一种具有单向导电特性的元器件，能够将电流从“正极”流向“负极”，而阻挡反向电流。
二极管的型号通常表示为“D”和数字，数字代表其型号和性能。
例如D1001表示一款具有特定性能的二极管。
常见的二极管型号有Zener二极管、肖特基二极管、光电二极管等。
四、三极管三极管是一种三极管，其由发射极、基极和集电极组成。
它可以放大电流和开关电路，常用于放大电路和低频功率放大器中。
三极管的型号通常表示为“Q”和数字，数字代表型号和性能。
例如Q8050表示一款具有特定性能的三极管。
五、晶体管晶体管是一种半导体器件，其有PN结或者NPN结构。
可以放大电流和开关电路，常用于放大电路、振荡电路和数字逻辑电路中。
晶体管的型号通常表示为“T”和数字，数字代表型号和性能。
例如TIP120表示一款具有特定性能的晶体管。
六、集成电路集成电路是将多个元器件集成于一体的电子器件，常用于制作微处理器、存储器和逻辑电路。
集成电路的型号通常表示为芯片型号，例如M65831表示Mitsubishi公司生产的某一款特定芯片。
以上是常用电子元器件的型号说明，它们都有各自的特点和应用场合，掌握这些型号能够更好地帮助我们进行电路设计和维护。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比
ΔI
Deviationofreferenceinputcurrentoverfulltemperaturerange
全温度范围内基准输入电流的偏差
I
Minimumcathodecurrentforregulation
稳压时最小负极电流
I
Off-statecathodecurrent
反向传输电容
Rg
Gateresistance
栅极电阻
t
Turn-ondelaytime
开通延迟时间
tr
Risetime
上升时间
t
Turn-offdelaytime
关断延迟时间
tf
Falltime
下降时间
I
Pulseddraincurrent
最大脉冲漏电流
PD
Powerdissipation
耗散功率
Tj
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
稳压管
VI
inputvoltage
输入电压
Vo
outputvoltage
输出电压
ΔVo
Loadregulation
输出调整率
ΔVo
Lineregulation
输入调整率
Iq
quiescentcurrent
偏置电流
ΔIq
quiescentcurrentchange
基准输入电流
PD
Powerdissipation
耗散功率
R
Thermalresistancefromjunctiontoambient
结到环境的热阻
T
operatingjunctiontemperaturerange
工作结温
Tstg
storagetemperaturerange
存储温度
V
Referenceinputvoltage
额定通态电流
I
Nonrepetitivesurgepeakon-statecurrent
通态非重复浪涌电流
I
Forwardpeakgatecurrent
控制极重复峰值电流
V
peakforwardon-statevoltage
通态峰值电压
I
Gatetriggercurrent
控制极触发直流电流
V
Gatetriggervoltage
反向工作峰值电压
VF
Forwardvoltage
正向电压
IF
Forwardcurrent
正向电流
IT
Testcurrent
测试电流
可控硅
V
Peakrepetitiveoff-statevoltage
断态重复峰值电压
V
Peakrepetitivereversevoltage
反向重复峰值电压
I
RMSOn-statecurrent
Forwardvolecurrent
反向电流
Cd
diodecapacitance
二极管电容
rd
diodeforwardresistance
二极管正向电阻
P
totalpowerdissipation
总的功率损耗
Tj
JunctionTemperature
结温
T
storagetemperature
电子元器件主要参数详解
Diode肖特基二极管
V
Peakrepetitivereversevoltage
反向重复峰值电压
V
Workingpeakreversevoltage
反向工作峰值电压
VR
DCBlockingVoltage
反向直流电压
V
RMSReverseVoltage
反向电压有效值
I
AverageRectifiedForwardCurrent
输入开启电压
V
outputvoltage
输出电压
II
inputcurrent
输入电流
I
outputcurrent
输出截止电流
GI
DCcurrentgain
直流增益
R1
Inputresistance
输入电阻
R2/R1
Resistanceratio
电阻率
fT
Transitionfrequency
传输频率
偏置电流变化量
VN
Outputnoisevoltage
输出噪声电压
RR
Ripplerejection
纹波抑制比
Vd
dropoutvoltage
降落电压
Isc
shortcircuitcurrent
短路输出电流
Ipk
peakcurrent
峰值输出电流
T
operatingjunctiontemperaturerange
正向平均电流
IR
ReverseCurrent
反向电流
I
Non-RepetitivePeakForwardSurgeCurrent
正向浪涌电流
VF
ForwardVoltage
正向直流电压
Cj
TypicalJunctionCapactiance
结电容
PD
PowerDissipation
耗散功率
Tj
OperatingJunctionTemperature
Risetime
上升时间
ts
Storagetime
存储时间
tf
Falltime
下降时间
td
Delaytime
延迟时间
43系列稳压管
V
Cathodevoltage
阴极电压
IK
Cathodecurrentrange(continous)
阴极电流
I
Referenceinputcurrentrange,continous
控制极触发电压
IH
Holdingcurrent
维持电流
I
Peakrepetitiveoff-statecurrent
断态重复峰值电流
I
Peakrepetitivereversecurrent
反向重复峰值电流
P
Averagegatepowerdissipation
控制极平均功率
Tj
operatingjunctiontemperaturerange
集电极电流
PC
Collectorpowerdissipation
集电极耗散功率
Tj
Junctiontemperature
结温
T
storagetemperature
存储温度
V
Collector-Basebreakdownvoltage
发射极开路,集电极-基极反向电压
V
Collector-emitterbreakdownvoltage
存储温度
TVS二极管
I
Maximumreversepeakpulsecurrent
峰值脉冲电流
VC
Clamplingvoltage
钳位电压
IR
Maximumreverseleakagecurrent
最大反向漏电流
V
Breakdownvoltage
击穿电压
V
Workingpeakreversevoltage
基极开路,集电极-发射极反向电压
V
Emitter-basebreakdownvoltage
集电极开路,发射极-基极反向电压
I
Collectorcut-offcurrent
发射极开路,集电极-基极截止电流
I
Emittercut-offcurrent
集电极开路,发射极-基极截止电流
I
Collectorcut-offcurrent
结到环境的热阻
R
Thermalresistancefromjunctiontocase
结到管壳的热阻
V
Drain-sourcebreakdownvoltage
漏源击穿电压
V
Gatethresholdvoltage
栅源阈值电压
I
Gate-bodyleakagecurrent
漏-源短路的栅极电流
I
Zerogatevoltagedraincurent
结温
T
storagetemperaturerange
存储温度
普通晶体管
V
Collector-Basevoltage
发射极开路,集电极-基极电压
V
Collector-emittervoltage
基极开路,集电极-发射极电压
V
Emitter-basevoltage
集电极开路,发射极-基极电压
IC
Collectorcurrent
基准输入电压
ΔV
Deviationofreferenceinputvoltageoverfulltemperaturerange
全温度范围内基准输入电压的偏差
ΔVref/ΔVKA
Ratioofchangeinreferenceinputvoltagetothechangeincathodevoltage