HY016射频设计4静态NV生成说明.docx
(完整版)射频电路设计
目录
1、 引言 2、 传输线分析 3、 Smith圆图 4、 单端口网络和多端口网络 5、 射频滤波器设计 6、 有源射频元件 7、 有源射频电路器件模型 8、 匹配网络和偏置网络 9、 射频晶体管放大器设计 10、振荡器和混频器
4
第1章 引 言
回顾由低频到高频电路的演变过程，并从物理的角度引出 和揭示采用新技术去设计、优化此类电路的必要性。
在多数情况下导体的μr=1， 故趋肤厚度随着频率的升高迅速 降低。
2a 高电流密度 低电流密度
电流方向
Jz /Jz0
-a
ar
Jz /Jz0
δ，mm
1
0.9 0.8 0.7
σCu=64.516×106S/m Al σAl=40.0×106S/m
0.6 0.5
AuσAu=48.544×106S/m
0.4
线圈半径：r = 50mil=1.27mm(1英寸=1000㏕) 20
线圈长度：l =50mil=1.27mm 邻匝线距：d= l /N≈3.6×10-4m
105
实际电感
104
理想电感
Z ,Ω
根据空气芯螺旋管电感公式： 103
L r 20N 2 61.4nH
102
l
由1.14式，平板间距等于匝距，
• 在第5章“滤波器设计”中研究特定的阻抗对频率响应的一般 开发策略,简述以分立元件和分布元件为基础的滤波器理论。
• 第8章将深入研究“匹配网络和偏置网络”的实现。 • 第9章介绍“射频晶体管放大器设计”中有关增益、线性度、
噪声和稳定度等指标。 • 第10章讨论“振荡器和混频器”设计的基本原理。
9
1.2 量纲和单位
0.23~1GHz 130~30cm
HY016射频设计4-静态NV生成说明说课材料
HY0 1 6 射频设计4-静态NV 生成说明HY016射频设计4静态NV 生成说明在PCB 投板的两周间隙中，射频工程师可以先把静态 NV 和校准文件准备起来。
这样等板子贴片回来后就可以下载静态 NV ，验证原理图设计了。
本 文对静态NV 进行介绍，并详细说明如何生成 HY016的静态NV 。
目前高通平台，绝大部分射频相关参数是通过 NV 来进行配置的。
一份静态NV 包括如下部分：1、 硬件设计对应的 RF Card （ NV1878）2、 射频电路支持的所有频段，包括2G/3G/4G ，发射/主接收/分集接收3、 每个支持频段的射频相关参数，包括发射和接收的增益等级、切换点、最大最小发射 功率、温度补偿、时序控制等一份正确的静态 NV 是要让射频电路跑起来的必要条件。
RF CardRF Card 是硬件和驱动正确关联的关键。
每份不同的硬件设计采用不同 的RF Card,比如有些是 WTR2965+QFE4373的，有些是 WTR4905+QFE4320 的，有些支持南美频段，有些支持国内 CA 。
这些不同的硬件设计，都对应不 同的RF Card 。
驱动则根据不同的 RF Card 对硬件做相应的配置。
所以 RF Card 弄错，往往都会导致开机死机。
RF Card 保持在NV1878中。
以HY016南美全频段为例，射频和驱动约 定这个设计的RF Card 是111，即NV1878=111。
在这个RF Card 中，射频采用 WTR4905+RDA Phasell 来实现南美全频段。
驱动也需要在这个 RF Card 下修改 代码，使之和硬件相匹配，重点是通过 MIPI 和GPIO 对芯片的模式和频段进行 控制。
若我们使用的是高通的参考设计，那高通会有默认原理图和驱动代码， 我们只要沿用这份原理图的 RF Card 即可。
以 8909 QCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDII_8909_J0.3.0_r00046 为例，在软件代 码如下路径中可以看到高通支持的 RFCardQCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDII_8909_JO.3.0_r00046\modem_proc\rftarget_jol okia\msm8909\qcn （驱动每个基线都会把这部分文档上传到服务器）但这些RF Card 都是采用高通的PA 进行设计的电路，在成本上会贵不 少。
HY016射频设计6_射频匹配电路调试
HY016射频设计6_射频匹配电路调试全部频段在QSPR中校准通过后，便可以进行电路优化了，也就是我们通常说的调匹配。
我们实验室采用的是盲调，即以最终实测性能的好坏来决定最终的匹配电路；与之对应的另一种方法是根据器件规格书，用网络分析仪逐个端口调试，使其和规格书要求相对应。
对于RDA PhaseII方案，盲调性能挺好。
对于频分电路（FDD LTE/WCDMA/CDMA），重点是调双工器的输入输出端匹配；对于时分电路(TDD-LTE/TDSCDMA)，重点是调滤波器的输入输出匹配。
双工的调试相对复杂，本文会以HY016欧洲版中B20双工为例进行说明。
射频电路调试的最终原则包括：1，发射端兼顾电流和线性度，也就是在ACLR余量足够的情况下尽可能的降低最大发射功率的电流，同时兼顾整个频段中高中低信道的平坦度。
2，接收端以提高接收灵敏度为最终原则3，不是把某块板子的性能调到最佳为准；而是要留够余量，保证量产大批量板子的性能都能达到良好为准双工器电路我通常的调试步骤：1，初始bom采用datasheet的参考匹配2，调节公共端的到地电感，让低、中、高信道特性一致，包括电流和ACLR3，调节公共端的串联电感/电容，找出ACLR和电流的最佳权衡4，调节发射端输入匹配，找出ACLR和电流的最佳权衡，最终确认发射端匹配5，在QSPR下直接校准接收进行接收调试：若信道间差距过大就优先到地电感；若信道间差距不大则优化串联电感/电容；调试完成后实测灵敏度最终确认接收匹配调试发射电路时，需要和仪表相连。
通常在用QSPR完成校准后，再在QPST->PDC中导入并激活ROW_Gen_Commercial.MBN便可以和仪表通信了。
关于MBN激活这部分，会在后续工厂文件部分详细说明，这里不再展开。
调试前首先要拿到双工的规格书。
我们要对比插损、驻波、带内纹波和隔离度这些关键指标。
以B20双工为例，我们选用的是RF360 B8622这个型号，对比Murata B20双工的相接下来便开始B20电路的调试：B20频段若以20MHz带宽进行测量，则24200是最低信道，24300是中间信道，24399是最高信道。
HY016射频设计5_射频驱动验证及校准说明
HY016射频设计5_射频驱动验证及校准说明在静态QCN下载到手机后，须通过如下步骤验证射频驱动是否正常工作：1，通过QRCT中的QFDT确认射频MIPI设备配置2，通过QSPR跑校准文件，判断每个频段是否设置成功本文会以HY016南美全频段为例，对这两项进行说明MIPI设备配置检测刚贴片回来的手机还没有工厂文件，所以先下载AP和Modem，然后通过QPST下载上一章中提到的静态QCN重启手机后，在QRCT->Tool->QFDT中检测驱动配置是否正确。
我们可以看到正常状态下找到3个MIPI设备(PID)，5个逻辑设备。
PID=0xC8代表WTR4905；PID=0x2D代表RPM7916_21；PID=0x8E代表RTM7916能读到这些设备就说明驱动已经找到了这些MIPI设备，可以进行下一步了QSPR射频校准实验室采用QSPR对射频进行校准。
校准的原理就是以仪表为基准，对每块PCB的射频参数进行检测和补偿。
由于校准和实际通话对驱动代码的调用是完全一致的，所以这里可以用校准工具来快速验证驱动代码对各个频段的收发是否正确控制。
校准前需要安装GPIB的驱动，可从服务器/more/HW/Filecenter/04_Tools&resource/RF_Driver/NI-VISA下载安装。
然后把GPIB卡的一端接在仪表背面，另一端接在电脑端，电脑便会提示安装相应驱动。
以我们USB接口的GPIB 为例，正常安装后在设备管理器能看到：同样我们还需要在下面文件中设置对仪表的信息，\Qualcomm\QDART\Databasese\quipconfig.xml，综测仪和信号发生器都是MT8820，GPIB地址都是1。
我们通常不对电源进行控制，所以没有设置电源的信息。
完成上述准备工作后，便可以通过QSPR打开校准文件了。
校准文件分成两部分：主要校准列表.xtt文件，和详细校准参数.xml文件（通常保存在xtt同目录的RFCalInput文件夹中）。
HY016射频设计4_静态NV生成说明
HY016射频设计4_静态NV生成说明在PCB投板的两周间隙中，射频工程师可以先把静态NV和校准文件准备起来。
这样等板子贴片回来后就可以下载静态NV，验证原理图设计了。
本文对静态NV进行介绍，并详细说明如何生成HY016的静态NV。
目前高通平台，绝大部分射频相关参数是通过NV来进行配置的。
一份静态NV包括如下部分：1、硬件设计对应的RF Card（NV1878）2、射频电路支持的所有频段，包括2G/3G/4G，发射/主接收/分集接收3、每个支持频段的射频相关参数，包括发射和接收的增益等级、切换点、最大最小发射功率、温度补偿、时序控制等一份正确的静态NV是要让射频电路跑起来的必要条件。
RF CardRF Card是硬件和驱动正确关联的关键。
每份不同的硬件设计采用不同的RF Card，比如有些是WTR2965+QFE4373的，有些是WTR4905+QFE4320的，有些支持南美频段，有些支持国内CA。
这些不同的硬件设计，都对应不同的RF Card。
驱动则根据不同的RF Card对硬件做相应的配置。
所以RF Card弄错，往往都会导致开机死机。
RF Card保持在NV1878中。
以HY016南美全频段为例，射频和驱动约定这个设计的RF Card是111，即NV1878=111。
在这个RF Card中，射频采用WTR4905+RDA PhaseII来实现南美全频段。
驱动也需要在这个RF Card下修改代码，使之和硬件相匹配，重点是通过MIPI 和GPIO对芯片的模式和频段进行控制。
若我们使用的是高通的参考设计，那高通会有默认原理图和驱动代码，我们只要沿用这份原理图的RF Card即可。
以8909 QCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046为例，在软件代码如下路径中可以看到高通支持的RFCardQCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046\modem_proc\rftarget_jolokia\msm8909\ qcn（驱动每个基线都会把这部分文档上传到服务器）但这些RF Card都是采用高通的PA进行设计的电路，在成本上会贵不少。
射频芯片的设计与实现
射频芯片的设计与实现射频芯片是一种能够将信号传输到电子设备的无线电波设备，是现代通讯领域最重要的组成部分之一。
射频芯片设计与实现是一项极为复杂的技术活动，需要设计师掌握扎实的电子技术知识和数学知识，以及良好的工程实践能力。
本文将从射频芯片的设计基础、设计思路与流程、射频芯片实现技术和实际操作等方面展开论述。
一、射频芯片设计的基础射频芯片的设计基础主要涉及无线通讯原理和电路理论，主要包括以下几个方面：1. 基本电路理论：包括电压、电流、电阻、电容和电感等基本电路元件及其特性。
2. 信号传输和处理理论：包括路由、调制、解调、信道编码、纠错等信号处理技术。
3. 射频电路理论：包括天线、微带线、短路器、耦合器、放大器、滤波器、混频器等。
4. 射频系统理论：包括收发机原理、放大器设计、射频传输链路等。
5. 射频测量理论：包括信号幅度、相位、频率、谱分析、噪声等。
这些基础理论为射频芯片的设计提供了理论支持和技术保障。
二、射频芯片设计思路和流程射频芯片的设计过程可分为设计准备、电路设计、电路实现、系统测试和优化调试等几个环节。
其中，设计准备和电路设计是整个设计过程的核心。
1. 设计准备：设计准备包括确定设计规格、参数、功耗、噪声、线性度等，优选器件（器件特性、产地和价格等），确定电路拓扑结构，并做好设计文档和技术文献的收集整理工作。
2. 电路设计：电路设计是射频芯片设计最困难的部分，需要设计人员根据实际应用场景结合上述基础理论设计，如调制、解调、变频、混频器、宽带放大器、本振频率合成器、功率放大器、滤波器等。
设计人员需要通过不断的仿真与实验，进行电路参数优化，不断寻求最优的电路设计方案。
3. 电路实现：实现射频电路需要制作PCB板，进行电路驱动器件的焊接。
在射频芯片制作过程中关键是封装，一定要选择合适的封装厂，确保产品的可信度和可靠性。
4. 系统测试：系统测试重点在于电路性能指标的测试，包括频率特性、相位误差、功率合成等测试参数。
射频方案范文
射频方案射频方案简介射频（Radio Frequency, RF）是指处于30Hz-300GHz之间的电磁波。
射频技术是一种无线通信技术，广泛应用于无线电、移动通信、卫星通信、雷达、导航系统等领域。
射频方案是指在设计和实施射频系统时所采用的一系列策略和方法。
射频系统组成射频系统通常包括以下几个主要组成部分：1. 射频前端：射频前端负责接收和发送射频信号。
通常由天线、放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器、滤波器等组成，其主要任务是将无线信号转换为基带信号或将基带信号转换为无线信号。
2. 射频链路：射频链路用于将射频信号传输到远距离。
它通常由射频功率放大器、调制解调器、天线和传输线等组成。
3. 控制单元：控制单元用于控制射频系统的工作，包括频率选择、功率控制、信号处理等。
常见的控制单元有微处理器和专用的射频芯片。
射频方案设计考虑因素在设计射频方案时，需要考虑以下几个因素：1. 频率选择：根据具体应用需求选择合适的工作频率。
不同的应用领域对频率的要求不同，因此需要根据具体应用场景来选择合适的频率。
2. 频率规划：在射频系统设计中，需要规划不同频段的使用方式，以避免干扰和频率冲突。
频率规划是射频系统设计的关键环节。
3. 抗干扰设计：射频系统容易受到其他射频信号的干扰，因此需要设计抗干扰措施，例如使用抗干扰滤波器、改进天线设计等。
抗干扰设计是确保射频系统稳定正常工作的重要因素。
4. 传输距离：根据射频系统的应用场景，需要考虑传输距离。
不同的传输距离对射频系统的设计有不同的要求，如增大功率、优化天线设计等。
5. 功耗控制：射频系统的功耗会直接影响终端设备的使用寿命，因此需要在设计中考虑功耗控制策略。
射频方案设计流程射频方案的设计流程通常包括以下几个步骤：1. 确定需求：明确射频系统的功能要求、工作频率、传输距离等。
2. 选取射频芯片：根据需求选取合适的射频芯片或模块，射频芯片的性能将直接影响系统的性能。
3. 设计天线系统：根据射频芯片的特性和工作频率，设计合适的天线系统，包括天线的形状、大小、材料等。
高通射频设计1_根据定义搭建电路
HY016射频设计1_根据定义搭建电路HY016项目是8909平台国内项目F16的对应海外版本。
射频方案背景知识基本射频构架还是WTR4905(射频收发器)+RPM6743-21(多模多频PA)+RTM7916-21(FEM)。
所以首选需要仔细阅读这三颗物料的规格书，尤其注意：1，WTR4905的Tx、PRx、DRx口从框图上可以看到，WTR4905硬件上Tx_DA1只能支持中/高频，Tx_DA2只能支持低频主接收包括三路低频、两路高频、三路中频。
其中LB3和MB1支持SAWLess分集接收包括三路低频、两路高频、两路中频2，RPM6743_21这颗多模多频PA，输入包括：一路高频、一路中频、两路低频。
输出包括：五路低频、五路中频、四路高频。
同时还有两路高频开关可用于高频TDD信号切换3，RTM7916则是GSM功放+SP16T开关的组合。
GSM低/高频信号需要输入不同的端口。
另输入端口都有一个SWOUT，HY006T设计有个很巧妙的地方就利用了LB的SWOUT脚，扩展了低频支持的频段。
射频电路设计对射频设计来说，最大的难点在于有限的管脚如何实现远多于管脚的频段。
射频设计阶段完成的标准是：输出能实现的原理图，并将控制逻辑发布给驱动。
第一步：列出Port口支持的所有频段首先看看三颗芯片是否能支持上述频段，比如要支持TDD B34的话，就不能选择WTR4905，而只能选择WTR2965了。
然后看这些频段如何分配到WTR4905的五路输出管脚上。
这需要对照wtr4905_typedef_ag.h 中的驱动代码。
以LTE B1为例，分集接收（DRX）MB1/MB2/HB1/HB2这四路都可以接收LTE B1WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DMB1,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DMB2,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DHB1,WTR4905_LTEFDD_DRXLGY1_BAND1_DHB2,主集接收（PRx）MB2/MB3/HB1/HB2这四路都可以接收LTE B1WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PMB2,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PMB3,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PHB1,WTR4905_LTEFDD_PRXLGY1_BAND1_PHB2,发射通路（Tx）Port 1/3/5这三路都可以发射LTE B1WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB1,WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB3,WTR4905_LTEFDD_TX_BAND1_THMLB5,此步骤完成时需输出基于wtr4905_typedef_ag.h的WTR4905 Tx/PRx/DRx的三张表格：第二步：确定每个频段的发射/接收端口这一步需要确认每个频段的发射/接收到底走哪个端口。
射频设计概要PPT课件
基本参数
• 电阻：阻挡电流通过的物体或物质，从而把电能转化为热能或其它 形式的能量，单位：欧姆，Ω
• 电压：电位或电位差，单位：伏特，V • 电流：单位时间内通过电路上某一确定点的电荷数，单位：安培，
A
• 电感：线圈环绕着的东西，通常是导线，由于电磁感应的原因，线 圈可产生电动势能，单位：亨利，H
失真可以分为 线性失真 非线性失真
• 产生线性失真的主要有一些滤波器等无源器件 • 产生非线性失真的主要有一些放大器、混频器等
有源器件 • 另外射频通道还会有一些加性噪声和乘性噪声的
引入。
11
基本参数
• 非线性幅度失真
非线性幅度失真常用1dB压缩点、三阶交调、三阶截止点等指标衡量， 下面分别讨论这三个指标。
20
基本参数
驻波比、反射系数、回波损耗之间的关系
从数学角度上讲，这三个概念量之间是可以换算的；从物理意义角度讲，这三个概念出发点不同。 驻波比是从行波和驻波形成的合成波（行驻波）的角度出发来阐释自己的，从驻波比的数值可以直观
到传输线上合成波的最大值和最小值的比。 反射系数是从能量得失的角度出发来阐释自己的，从反射系数可直观得到能量向前传递的情况。 回波损耗是从反射波（驻波）的 出发来阐释自己的，从回波损耗可直观得到反射波的损耗情况。 例如，假如反射系数为1/3，表示有(1/3)*(1/3)的能量，既入射能量1/9被反射掉；换算成驻波为2，
9
基本参数
• 级联网络的噪声系数公式：
G 1 、 N F 1 G 2 、 N F 2 G n 、 N F n
NF总 NF1
NF2 1 G1
...
NFn 1 G1 G2 ... Gn 1
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【射频实验报告】 射频电路实验报告(共18页)
【射频实验报告】射频电路实验报告[模版仅供参考，切勿通篇使用]射频电路实验报告学专学生指导学年第学期院：信息与通信工程学院业：电子信息科学与技术姓名：学号：教师：李永红日期: 20xx 年10 月28日实验一滤波器设计一、实验目的掌握基本的低通和带通滤波器的设计方法。
学会使用微波软件对低通和高通滤波器进行设计和仿真，并分析结果。
二、预习内容滤波器的相关原理。
滤波器的设计方法。
三、实验设备microwave office软件四、理论分析滤波器的种类：按通带特性分为低通、高通、带通及带阻四种。
按频率响应分为巴特沃斯、切比雪夫及椭圆函数等。
按使用原件又可分为l-c 性和传输线型。
五、软件仿真设计一个衰减为3db ，截止频率为75mhz 的[切比雪夫型1db 纹波lc 低通滤波器并且要求该滤波器在100mhz 至少有20db 的衰减。
图1-1切比雪夫型1db 纹波lc 低通滤波器电路图图1-2 模拟仿真结果六、结果分析经过仿真，得到了两种滤波器的频率特性的到了结果。
红色的曲线为低通滤波器，蓝色的为带通滤波器，两种滤波器的特性可以鲜明地在图上看出差别。
低通滤波器在低频区域。
是通带，通带非常的平缓，纹波较低，但是截至段不是很陡。
带通滤波器具有较好的陡峭特性，但是相对而言，通带比较窄而且纹波较大。
实验二放大器设计一、实验目的掌握射频放大器的基本原理与设计方法。
学会使用微波软件对射频放大器进行设计和仿真，并分析结果。
二、预习内容放大器的基本原理。
放大器的设计方法。
三、实验设备microwave office软件四、理论分析射频晶体管放大器常用器件为bjt 、fet 、mmic 。
放大器电路的设计主要是输入/输出匹配网络。
输入匹配网络可按低噪声或高增益设计。
输出匹配网络要考虑尽可能高的增益。
五、软件仿真设计一900mhz 放大器。
其中电源为12vdc ，输出入阻抗为50ω。
at4151之s 参表如下列图2-1 900mhz放大器电路图图2-2 模拟仿真结果六、结果分析：本设计是设计一个放大器，其通频段是0到900mhz, 然后根据图上的蓝色和红色曲线可见lc 组成的网络的幅频特性曲线，可见这个网络在900mhz 左右会对信号有一个比较大的衰减，因此必须对输出网络进行阻抗匹配，而且匹配网络的中心频率在900mhz 左右，才可以做好阻抗匹配。
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HY016射频设计4_静态NV生成说明在PCB投板的两周间隙中，射频工程师可以先把静态NV和校准文件准备起来。
这样等板子贴片回来后就可以下载静态NV，验证原理图设计了。
本文对静态NV进行介绍，并详细说明如何生成HY016的静态NV。
目前高通平台，绝大部分射频相关参数是通过NV来进行配置的。
一份静态NV包括如下部分：1、硬件设计对应的RF Card（NV1878）2、射频电路支持的所有频段，包括2G/3G/4G，发射/主接收/分集接收3、每个支持频段的射频相关参数，包括发射和接收的增益等级、切换点、最大最小发射功率、温度补偿、时序控制等一份正确的静态NV是要让射频电路跑起来的必要条件。
RF CardRF Card是硬件和驱动正确关联的关键。
每份不同的硬件设计采用不同的RF Card，比如有些是WTR2965+QFE4373的，有些是WTR4905+QFE4320的，有些支持南美频段，有些支持国内CA。
这些不同的硬件设计，都对应不同的RF Card。
驱动则根据不同的RF Card对硬件做相应的配置。
所以RF Card弄错，往往都会导致开机死机。
RF Card保持在NV1878中。
以HY016南美全频段为例，射频和驱动约定这个设计的RF Card是111，即NV1878=111。
在这个RF Card中，射频采用WTR4905+RDA PhaseII来实现南美全频段。
驱动也需要在这个RF Card下修改代码，使之和硬件相匹配，重点是通过MIPI 和GPIO对芯片的模式和频段进行控制。
若我们使用的是高通的参考设计，那高通会有默认原理图和驱动代码，我们只要沿用这份原理图的RF Card即可。
以8909 QCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046为例，在软件代码如下路径中可以看到高通支持的RFCardQCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046\modem_proc\rftarget_jolokia\msm8909\ qcn（驱动每个基线都会把这部分文档上传到服务器）但这些RF Card都是采用高通的PA进行设计的电路，在成本上会贵不少。
所以我们采用新的射频方案后，往往第一个平台都要自己准备相关NV，PA厂家若能提供那就更好了。
RFC文件夹说明以WTR4905_chile_srlte_V2为例来说明一个具体的RFC文件夹。
打开这个文件夹能看到：里面包括一个MasterFile的主文件和所有这个Card支持频段的参数。
MasterFile中包括了所有这个Card支持的频段的索引，每个索引都代表外面文件夹中的一个文件。
下图就是MSM8909_WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_MASTERFILE.xml的前一部分：如<xi:include href="WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_RX0.xml#xpointer(/NvSource/*)"/>就代表要导入WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_TX0.xml文件，即CDMA制式下850M 频段的主发射通路相关射频参数。
MasterFile文件中除了每个频段的具体参数外，在最后还包括如下整个RFCard频段相关参数：这两部分变构成了整个MasterFile文件下图以LTE B1的发射、主接收、分集接收的文件为例，对主要NV进行说明WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_TX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX1.xmlHY016南美全频段静态文件的生成HY016南美全频段需要支持：GSM QB+WCDMA B1/2/4/5/8+LTE B2/4/5/7/12/28A/28B 高通目前没有RDA PhaseII的RFCard，所以我们最快捷的方法是从F8T（国内电信全网通）的静态NV进行扩展。
首先修改频段等相关参数，包括RFCard。
NV定义和修改说明如下图：然后再添加新增频段的参数（需增加WCDMA B2/4/5，LTE B2/4/7/12/28A/28B），这里以增加LTE B12为例进行说明。
1，在高通现有RFC中找一个支持B12的作为基本模板。
\qcn\wtr4905_tmo\etc包含B12，所以可以把这个文件夹下的三个文件作为模板进行删减优化WTR4905_TMO_LTE_B12_TX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX1.xml2，先看两个简单的接收文件RX0和RX1由于同为WTR4905为射频收发器，所以增益等级可以共用，即LNA共包括六个不同增益等级，各增益等级的上升下降沿如下：[-74dbm,-78dBm,-60dbm,-64dbm,-40dBm,-44dBm,-28dBm,-32dBm,-20dBm,-24dBm]<NvItem id="22135" name="RFNV_LTE_B12_LNA_RANGE_RISE_FALL_I" mapping="direct" encoding="dec">-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0, 0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItem id="22177" name="RFNV_LTE_B12_C1_LNA_RANGE_RISE_FALL_I" mapping="direct" encoding="dec">-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0, 0,0,0,0,0,0,0</NvItem>3，然后看发射文件TX由于我们的射频电路未采用APT或EPT模式，所以这些XPT相关NV可以直接删除<NvItem id="25543" name="RFNV_LTE_B12_TX_XPT_DELAY_I"><NvItem id="25686" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_IN_I"><NvItem id="25642" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_OUT_I"><NvItem id="22154" name="RFNV_LTE_B12_TX_CAL_CHAN_I">表示发射校准信道，可以沿用默认值，我们在QSPR校准时设置的信道须在这16个校准信道中<NvItem id="27202" name="RFNV_LTE_C0_B12_FBRX_GAIN_SWITCH_POINT_I">，忽略，保持默认值<NvItem id="22144" name="RFNV_LTE_B12_MAX_TX_POWER_I">，最大发射功率，保持23dBm 默认值<NvItem id="22148" name="RFNV_LTE_B12_TX_ROT_ANGLE_PA_STATE_I">，PA不同增益等级的相位补偿，和PA特性有关，保持默认值<NvItem id="22149" name="RFNV_LTE_B12_PA_COMPENSATE_UP_DOWN_I">，PA不同增益等级切换时AGC的补偿，和PA特性有关，保持默认值<NvItem id="22150" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_I">，不同增益等级下的温度补偿值，对电路调试无影响，保持默认值。
后续温度特性较差的话，可以做些补偿，通常用默认值不会有问题<NvItem id="22155" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIMIT_VS_TEMP_I">，最大发射功率的温度补偿值，对电路调试无影响，保持默认值。
后续温度特性较差的话，可以做些补偿，通常用默认值不会有问题<NvItem id="22151" name="RFNV_LTE_B12_PA_RANGE_MAP_I">，非常关键的参数，由PA特性决定，对应[PA State0,State1,State2,State3]的控制逻辑。
对于RDA PhaseII PA，只有两个增益等级，PA State0是3，对应低增益等级；State1-3都是0，对应高增益等级。
默认值是基于QPA的，包含四个增益等级，是[3,2,1,0]。
我们需要将其修改为[3,0,0,0]<NvItem id="22152" name="RFNV_LTE_B12_TIMER_HYSTERISIS_I">，高增益切换到低增益等级AGC的保持时间，用默认值即可<NvItem id="22153" name="RFNV_LTE_B12_PA_RISE_FALL_THRESHOLD_I">，PA增益等级切换点，和PA特性相关。
换算规则是10*(70+dBm)，须和PA_Range_Map对应。
根据RPM6743的Datasheet，我们将切换点设置在[6.5dBm,3.5dBm]，即NV22153=<765,735,2047,2047,2047,2047,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItem id="22156" name="RFNV_LTE_B12_MPR_BASED_PA_SWITCHPOINTS_SHIFT_I">，忽略，保持默认值<NvItem id="22157" name="RFNV_LTE_B12_TX_MPR_BACKOFF_I">，发射功率回退，保持默认值<NvItem id="22158" name="RFNV_LTE_B12_TX_DIGITAL_GAIN_COMP_I"><NvItem id="22159" name="RFNV_LTE_B12_TX_AGC_OFFSET_I">防止DAC饱和的功率回退值，保持默认值<NvItem id="24167" name="RFNV_LTE_B12_TX_EPT_DPD_CONFIG_PARAMS_I">，由于我们未采用APT或EPT模式，所以第一位设置为0即可<NvItem id="24943" name="RFNV_LTE_B12_MIN_TX_POWER_DB10_I">，精度为0.1dB的最小发射功率设置，获得更高精度<NvItem id="22191" name="RFNV_LTE_B12_MAX_TX_POWER_DB10_I">，精度为0.1dB的最大发射功率设置，获得更高精度4，至此整个B12频段的静态NV全部添加完毕。