电磁学2014_ 第六章磁介质

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电磁学-磁介质

电磁学-磁介质
• 磁介质(magnetic medium):
–对磁场有一定响应,并能反过来影响磁场的物质 –一般物质在较强磁场的作用下都显示出一定程度的磁性,
即都能对磁场的作用有所响应,所以都是磁介质
• 磁化(magnetization)
–在外磁场的作用下,原来没有磁性的物质,变得具有磁 性,简称磁化。磁介质被磁化后,会产生附加磁场,从 而改变原来空间磁场的分布
• 顺磁质的磁化
– 分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列 –热运动与磁场作用相抵抗
抗磁质
有外场
m分子0 m分子0
抗磁质
• 抗磁质分子的固有磁矩m分子= ml+ ms=0 • 不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引
起的顺磁效应。磁性来源?
• 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场 下的变化
• 电子轨道运动为什么会变化?原因:在外 磁场下受洛伦兹力
D (1 e )0E
r (1 e )
v
vv
D r0E E
r称为相对电容率
或相对介电常量
例1 一环形螺线管,管内充满磁导率为μ,相对磁导 率为μr的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。
单位长度上的导线匝数为n。
求:环内的磁场强度和磁感应强度
解:
H dl
L
H 2r
NI
NI
r
H
nI
• 解决的办法——需要补充或附加有关磁介 质磁化性质的已知条件
• 有介质时,第四章中给出的安培环路定理
可理解为
I' M dl
总场
两边同
除以0 ,
再移项
定义: 磁场强度
B dl 0 I 0I0 I'
L
L内
B dl 0 I0 0 M dl

《电磁学》第6章 第6.5 磁场的能量和能量密度(1学时)

《电磁学》第6章 第6.5 磁场的能量和能量密度(1学时)

《电磁学》第六章 §6.5 磁场的能量和能量密度
公式说明: 上面的磁场能量密度公式,虽然由从螺线管中均匀磁场 的特例导出的,但它是适用于各种类型磁场的普遍公式;
第 4页
在任何磁场中,某一点的磁场能量密度,只与该点的磁感 应强度以及磁介质的性质有关, 这也说明了磁能定域于磁场。
wm 各向异性介质中,
B1
I1 B1 , H1; I 2 B2 , H 2
总磁场:
I1
I2
H H1 H 2 , B B1 B2
1 1 B HdV ( B1 B2 ) ( H1 H 2 )dV V V 2 2 1 1 B1 H1 B2 H 2 )dV ( B1 H 2 B2 H1 )dV 2 V 2
第11页
本节作业: pp.436
6.5-3、6.5-6
《电磁学》第六章 §6.5 磁场的能量和能量密度
比较
计算有横截面积的导体回路的自感系数之方法:
第10页
磁能法:
1 1 Wm LI 2 B Hdv 2 2 V
1 L 2 B Hdv I V
平均磁链法(复杂,适合于没有截面积的线电流和面电流情况):
(1)
,式中 1 id ,对磁通积分。 L
公式应用【2】计算自感、互感系数(磁能法)
(1)求自感 L 若空间磁场仅由单一载流回路激发,仅存自感磁能
第 7页
1 2 1 Wm LI B HdV 2 2 V
(2)求互感 M
L
1 I2

V
B HdV
若空间磁场由多个载流回路激发,存在互感磁能
W互 MI1 I 2 0 H1 H 2dV

磁介质教材电子版汇总

磁介质教材电子版汇总

§6 磁介质 ( Magnetic medium)§6-1 分子电流观点1.何为磁介质在前几章里讨论载流线圈产生磁场和变化的磁场产生感应电动势的时候,都假定导体以外是真空,或者不存在磁性物质(磁介质)。

然而在实际中大多数情况下电感器件(如镇流器、变压器、电动机和发电机)的线圈中都有铁芯。

那么,铁芯在这里起什么作用呢?为了说明这个问题,看一个演示实验。

图6-2就是有关电磁感应现象的演示实验,当初级线圈的电路中开关K接通或断开时,就在次级线圈A中产生一定的感应电流。

不过这里我们在线圈中加一软铁芯。

重复上述实验就会发现,次级线圈中的感应电流图6-1居里夫人大大增强了。

知道感应电流的强度是与磁通量的时间变化率成正比的。

上述实验表明,铁芯可以使线圈中的磁通量大大增图6-2电磁感应现象的演示实验加。

2.两种观点有关磁介质(铁芯)磁化的理论,有两种不同的观点—— 分子电流观点和磁荷观点。

两种观点假设的微观模型不同,从而赋予磁感应强度B 和磁场强度H 的物理意义也不同,但是最后得到的宏观规律的表达式完全一样,因而计算的结果也完全一样。

在这种意义下两种观点是等效的。

本节介绍分子电流观点,下节介绍磁荷观点,并讨论两种观点的等效性问题。

3. 分子电流观点分子电流观点即安培的分子环流假说。

现在按照这个观点来说明,为什么铁芯能够使线圈中的磁通量增加。

如图6-3,我们考虑一段插在线圈内的软铁棒。

按照安培分子环流的观点,棒内每个磁分子相当于一个环形电流。

在没有外磁场的作用下,各 分子环流的取向是杂乱无章的(图6-3),它们的磁矩相互抵消。

宏观看起来,软铁棒不显示磁性。

我们说,这时它处于未磁化状态。

当线圈中通人电流后,它产生一个外磁场B (这个由外加电流产生,并与之成正比的磁场,又叫做磁化场,产生磁化场的外加电流,叫做励磁电流)。

在磁化场的力矩作用下,各分子环流的磁矩在一定程度上沿着场的方向排列起来(图6-4)。

电磁学磁介质课件1

电磁学磁介质课件1

M
M
M
左上: 沿轴向均匀磁化的圆柱形细长介质棒 右上: 介质圆环, 各点M沿切向, 大小相同 左下: 扁盒状均匀磁化介质薄片 右下: 均匀磁化无限大介质中扁盒空腔
第六章 磁介质
[例题 试判断以下四种情况下磁化(面)电流密度出现在何处, 例题1] 例题 大小方向如何? M
M
M
M
左上: 沿轴向均匀磁化的圆柱形细长介质棒 右上: 介质圆环, 各点M沿切向, 大小相同 左下: 扁盒状均匀磁化介质薄片 右下: 均匀磁化无限大介质中扁盒空腔
第六章 磁介质
[讨论]: 讨论] 1.安培环路定理和高斯定理一起全面反映了磁场的性质。 2.推广:在两种磁介质的分界面上,B的法向分量连续 ( B1n = B 2 n );如果界面上没有传导面电流,则H的切向分量 连续( H 1τ = H 2τ )。 ( ) 3.第(1)问提供了一种测量介质内表面附近点1处H的方法。
第六章 磁介质
问题2:绕在L上的分子电流的总数是多少? 这样的电流是中心位于一个圆柱形体积元中。
d l
S = Sn
dN = ndV = n | ∆S ⋅ dl |= n∆Sdl cosθ
dI ' = IdN = nIS ⋅ dl = nm分子 ⋅dl = M ⋅ dl
沿L积分可以得到:
∫ M ⋅ dl = ∑ I '
我们定义面电流密度矢量
z
j
i =
dI eI = dl
lim
∆z → 0
j∆ z e I
第六章 磁介质
•对应于电介质 σ ′ = P ⋅ n
我们可以有: i′ = M × n
取小回路L如图,将磁化强度与磁化电流的关系用 于该回路

电磁介质

电磁介质

(r R1 )
(r R2 )
18
§1 电介质
(3)由(1)可知
( R1 r R2 ) E 2π 0 r r
R2 U E dr
R1
dr ln R2 2π 0 r r 2π 0 r R1
Q R2 C 2π 0 r l ln U R1

L
磁介 质 I L
B dl 0 ( I 0内 I内) 0 I 0内 0 M dl L B ( 0 M ) dl I 0内 L
I0
定义
H
B
0
M
23
第六章 —— 电磁介质
§2 磁介质(一)--- 分子电流观点
B Bo B
传导电流产生 与介质有关的电流产生
B r B0
介质的相对磁导率
r 1 r 1 r >> 1
第六章 —— 电磁介质
顺磁质 抗磁质
铁磁质
22
§2 磁介质(一)--- 分子电流观点
三 有磁介质时的安培环路定理和高斯定理
1. 安培环路定理 设:I0─ 传导电流 I ─ 磁化电流
+
-
+
-+
P
+
E’ +
-
-+
第六章 —— 电磁介质
13
§1 电介质
5、电介质中高斯定理的应用 ——求解电荷和电介质都对称分布时的电场的场强。 例 如图所示,一个均匀带电球体外 有一个电介质球壳。试求场强分布。 解:如图取高斯面,则有: ε
D E
Qr 4 R 3 , r R1 0 Q E , R1 r R2 2 4r Q , r R2 4 0 r 2

电磁学PPT课件:磁介质对磁场的影响

电磁学PPT课件:磁介质对磁场的影响

筒,其上电流强度 I2 ,方向与 I1 相
反;圆柱面半径 R2 。求此载流系统
的磁感应强度分布。
13
如果在圆柱体与圆柱面之间充有两层介质,
分界面半径 R。再求此载流系统的磁感应
强度分布。(第一层介质的相对磁导率为r1 第二层介质的磁导率为2 )
14
H1
I1
2 R12
r
(r R1)
H2
I1
2r
混乱,不显磁性。
B0
使m分
排列趋于
B0 方向, 显现磁性。 4
二 . 抗磁质的磁化
抗磁质的分子固有磁矩为 0。
B0 0
B0
••
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ••
m分
0

不显磁性
附加磁矩 Δ m分 B0
显示抗磁性
5
三 . 磁化强度与磁化电流
(magnetization and magnetization current)
m
0h 4
(I1
I2)
0h 2
(I1
I2 ) ln
d R
h I1 P
I2
18
补充题:螺绕环中心周长l = 10 cm,环上均匀 密绕线圈N = 200匝,线圈中通有电流I = 0.1A.管内充满相对磁导率μr = 4200的磁介 质.求管内磁场强度和磁感强度的大小.
19
[例4] 如图示,已知均匀载流无限大厚平板
B Br
可作记忆元件
-Hc
Hc H
-Br Br
“0” “1”
-Br
30
2. 软磁材料(soft magnetic material )
Hc小(<102A/m),一般约Hc 为1A/m 。

电磁学讲义16磁介质

电磁学讲义16磁介质

第六章磁介质•介质在磁场中的磁化现象•磁介质存在下的磁场理论§6.1 磁介质的磁化顺磁性和抗磁性•与电介质的极化不同,从磁化规律看有两种性质相反的磁介质:–顺磁质:磁介质在磁化后的等效磁矩和外磁场同向,比如铝、钠–抗磁质:磁介质在磁化后的等效磁矩和外磁场反向,比如铜、铅、水–在外磁场下,顺磁质和抗磁质在磁化后的受力方向相反。

–注意:在外磁场中放入磁介质,磁场是增强还是减弱了?和电介质的极化比较一下。

磁化现象的解释•最初,物质磁效应的解释是“磁荷”说。

磁荷说难以解释抗磁性的存在;迄今也未发现磁荷。

•后来,安培提出了磁性的电流说。

认为物质的磁性起源于物质体内“分子环流”。

•现代观点看,原子中存在电子、原子核运动导致的原子的总磁矩是物质磁性的起源。

–自然状态下,如果原子自身磁矩为零,或者尽管有非零的原子磁矩,但大量原子随机取向导致叠加的磁矩为零,则物质不显示宏观磁性。

–在自然条件下,或在外磁场的作用下,如果物质中大量原子磁矩的叠加非零,则物质显示宏观磁性。

顺磁和抗磁性的解释•外磁场对物质的作用有两方面–分子环流的磁矩在外磁场作用下转向磁场的方向,这就是顺磁性的起源。

–外磁场建立的过程中磁介质中的分子环流在电磁感应的作用下出现了附加的感应磁矩。

这种感应磁矩的作用是抵抗外磁场的建立,这就是抗磁性的起源(更准确的解释需要量子力学)。

•一种物质中顺磁性和抗磁性常常是并存的。

顺磁质中的顺磁性为主。

铁磁质•在物质中,以铁、镍等为代表的一类物质磁性很强,远远强于一般的物质,这类物质称为铁磁质。

•铁磁性起源于量子效应引起的原子间的某种相互作用。

由于这种效应,铁磁体中小范围内的原子的磁矩自动定向排列,构成了一个个小磁铁,称为“磁畴”,在外场下,一个个小磁铁再定向排列,使大部分原子磁矩定向排列。

•相比之下,在同样外磁场下,普通物质中只有极少的原子磁矩发生定向排列。

不妨设(1)单位体积内的分子环流数为n,所有的分子环流都是i(2)在小体积内磁化强度均匀,和所有分子环流tj m ˆ=⋅Kσ考虑^t可为任意方向,故:ab MK 介质tˆ§6.2 磁介质中磁场2ˆn1ˆnSΔ1B Kˆ)(12=⋅−nB B KK nn B B 21=界面两侧磁感应强度的法向分量连续a b 1H K tˆ1(H H K K −•若界面上无传导电流t H H 1=若界面无传导电流,界面两侧磁场强度的切向分量连续考虑t为任意切向SΔ1m B K 1r μmj K 2B K 1B KSΔ1r μ1B K 1θ1θ1H K •方向相同,因此,以上结论对B 和H是相同的。

电磁学 电磁介质

电磁学 电磁介质
(2)分界面处第一层电介质的极化电荷面密度为 1 P1 r 1 1 0
1 2
r1
d
r2
r1
第二层电介质的极化电荷面密度为
r2 1 2 P2 0 r2
分界面处极化电荷面密度为
1 2 r1 r 2 0 r1 r 2
F
同时电介质的表面或内部出现极化电荷.
介质球在均匀电场中的极化
与导体在静电场中的静电感应的区别:
导体上的感应电荷是自由电荷运动的结果,静电
平衡后,导体内部电场强度等于零; 介质上的极化电荷是束缚电荷微小位移形成的, 静电平衡后,介质内部电场强度不等于零. 4、电晕现象
在潮湿或阴雨天的日子里,高压输电线附近,
五、各向同性线性介质的极化规律
对各向同性线性介质:
P e 0 E
式中 e 是电介质的极化率.大于零的无量纲. 电介质的相对电容率(介电常数):
1 e
P ( 1) 0 E
1.若ε=常数---均匀介质 若ε= ε(x,y,z) ---非均匀介质
2.若ε是标量-----各向同性介质
q P dS
穿出任意闭合的极化电荷为:
l
普遍关系
dS
P dS q edV
S S内 V
S
dS
结论:任意闭合曲面内的极化电荷等于极化强度对该闭合曲面 通量的负值.
若介质是均匀的且不带电或介质均匀极化,介质内部无极化 电荷;极化电荷只分布于表面.
例题6.在整个空间充满相对电容率e的电介质,其中有一点电 荷q,求电场分布. 解:电位移、电场具有球对称性,以 q为中心作半径为r的球形高斯面 根据高斯定理 D dS D 4r 2 q
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L
( L内)
无介质:
H0
1
2R
NI0
nI0
B0 0H 0 0nI0
有介质: H nI 0 H 0
r
B r0 H r0nI0
根据定义: LI0
则:
L L0
0
NBS NB0 S
r
与电容器充满介电常数为 电介质情形比较?
磁介质的分类 r 1 m
❖ 顺磁性
0 1, m
r 1,
n
Ia
dl
另一方面,在 dV
向都一样。故:
内可认为各环流
mi IdNa n
Ima分(a子的dl大) 小 及nm方(
a
d
l)
M
m分子 ΔV
i
nm分子
IdN M dl
沿闭合环路积分便得:
M dl
I
( L)
( L内)
»磁化强度与表面磁化电流分布关系
设表面磁化电流面密度(即表面单位
m er 2
m er 2
m
每个分子均会产生与外磁场方向相反的附加磁矩,这是一切
磁介质分子都有抗磁性的原因。
电子的自旋磁矩? -----留待量子力学解决。
2. 顺磁质的磁化:
外加磁场时
M M
分子磁矩Pm取向磁化是顺磁质产生磁效应的主要因素
»抗磁质的磁化推导:
抗磁性来源于电子在外场中所受洛伦磁力。
无外场时: Ze 2
r 1 e
磁介质中相应给出磁化率 m 及(相对)磁导率 r 的定
义如下:
M mH
B r0H
又:
B 0(H M )
则:
r 1 m
真空中: m 0 , r 1, M 0 , B 0 H
例题:求绕在磁导率为r 的闭合磁环上的螺绕环
与同样匝数和尺寸的空心螺绕环的自感之比。
解:
安培环路定理: H dl I0
» 磁化强度与磁化电流分布关系
M dl I
( L)
( L内)
推导: 首先,哪些电流环对环路有贡献?
设电流环电流为 I 、 面积 a 。 m分 子 Ia
柱体体积:
dV
a
dl
adl cos
中心在柱体内的环流数目:
dN ndV nadl cos
所贡献的总电流:I d N
nIadl cos
D dS q0
(S)
( S内)
B dl 0 ( I0 I )
( L)
( L内)
若引入磁场强度矢量:
H
B
M
单位:安培/米
则:
0
H dl I0
(L)
( L内)
B 0H M
上式为普遍形式下的安培环路定理
磁介质中安培环路定理的推导:
因为:
M dl I
(L)
(L)
( L内)
(S)
单位:A/m 奥斯特Oe
但此时 B为总的磁感应强度。
1Oe 103 A / m
4
例题:计算充满磁介质的螺绕环内的磁感应强度。
已知: B0 , M
解:设环半径为 R ,传导电流 I0 ,砸数 N
取与环同心的圆形回路
根据: H dl I0 得:2 R H NI 0
(L)
B 0M , B B0 0M
(3)介质薄片: l / R 0
B 0,
B B0
2. 磁场强度矢量 H
-----磁介质中的安培环路定理及高斯定理
回顾:电介质中的高斯定理:
E
(S)
dS
1 0
(q0
( S内)
q)
若引入电位移矢量:
D
0E
P
则高斯定理写成:
相应的磁介质中安培环路定理:
与外场无关。
❖ 抗磁性
如氧、铝、钨、铂、铬等。
0, m
| | 1, m
r 1,
与外场无关。
❖ 铁磁性
如氮、水、铜、银、金、铋等。
m , r 102 ~ 106 ,
取决于外场。
如铁、钴、镍等。
M 与 H 无线性、无单值关系,与磁化历史有关。 此外还有亚铁磁性、反铁磁性等。
» 顺磁质和抗磁质的磁化
第六章 磁介质
本章内容
§1. §2. §3. §4. §5.
磁介质—分子电流观点 等效的磁荷观点(自学) 磁介质的磁化规律和机理 电磁介质界面上的边界条件—磁路定理 电磁场能量
§1 磁介质—分子电流观点
1. 磁介质的磁化现象
» 磁化机制
非磁化 已磁化 等效电流
» 磁化强度矢量
定义:
m分子
M
V
单位:安培/米
( L内)
则:
B dl
0
(I0
I )
0
I0
0
M dl
(L)
( L内)
( L内)
(L)
(L)
B
0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
dl I0
( L内)
M
(L)
dl
(
B
0
M)
dl
I0
( L内)
从而:
(L)
(
B
0
M)
dl
I0
( L内)
v
vv
B 0(H M )
H dl I0 B dS 0
4 0r 2
m02r
0
(
Ze 2
4 0mr 3
)1 /
2
若:
B
/
/
0
,
则: fL erB
Ze2
4 0r 2
erB
m 2r
这里: 0
eB
2m
Ze2
4 0r 2
e 0 rB
erB
0
m
2 0
r
2m 0r
若:
B //(
0
),
即:
B
Bnˆ
则: eB 2m
e
B
2m
对以上两种情形,均有:
( L内 )
即:
H
N
2R
I0
nI0
又: B0 0nI 0
得: B0 0 H
或: H B0 0
从而: B 0 ( H M ) B0 0 M
§3. 介质的磁化规律
» 磁化率和磁导率
回顾:电介质,
P e0E ,
D r 0E
e 称电极化率, r 称(相对)介电常数。
又:
D 0E P
长度上的磁化电流!)为 i
表面单位法线矢量为 n ˆ
介质内部靠表面处磁化强度
M
则:
i
M

事实上,若选如图的环路,得:
M dl Ml cos M t l il
L
即: M t i 也可写成矢量
i
M

»磁介质内的总磁感应强度
总磁场 B B0 B
考虑一沿轴线均匀磁化的圆柱型介质
B

附加磁场
( M i B)
根据:
B
0
2
nI (cos
1
cos
2)
此处: B B , nI i M
故: B
0M
2
(cos 1
cos 2 )
(1)轴线中点处: cos 1 cos 2
B
0(l
/
R )[1
(l
/
R )2 ]1/ 2
M,
1
R2 l2
B B0 B
(2)无限长介质棒: l , l / R
一个分子的磁矩是各原子中电子轨道磁矩和自旋磁矩的矢 量和,称为分子磁矩。可以看作由一个等效的圆电流----分 子电流产生的。
m ISn,m e r2n er2
2
2
m e
v r2 e vrm
e
L
MB
2r
m
B0
dL dt
2m
2m
m m
1. 抗磁质的磁化
当磁介质分子处在磁场中时,
m 等效圆电流
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