模拟电子技术课件
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模拟电子技术基础(第4版)ppt课件

多子浓度高
多子浓度很 低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
华成英 hchya@
二、晶体管的放大原理
(发射结正偏) uBE U on 放大的条件 (集电结反偏) uCB 0,即 uCE uBE
少数载流 子的运动 因集电区面积大,在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散
华成英 hchya@
§1.3
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
华成英 hchya@
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔?
小功率管
中功率管
大功率管
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。 动态平衡 一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高, 热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对 的浓度加大。
指数曲线
若正向电压 UT,则i ISe u
u UT
若反向电压u UT,则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
华成英 hchya@
华成英 hchya@
模拟电子技术第1章PPT课件

多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
- - --
+3 +4
- - --
- - --
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ,所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小,反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流,若IZ<IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时,PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同,这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 -
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容(结电容)
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
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模拟电子技术基础PPT课件-经典全

模拟电子技术基础
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程
一、电子技术的发展
电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无 孔不入”,应用广泛!
• 广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器
因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
最大功耗PZM= IZM UZ
动态电阻rz=ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压,若稳压管的电流太大则会
因功耗过大而损坏,因而稳压管电路中必需有限制稳压管电
流的限流电阻!
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
结电容小,故结允许 结电容大,故结允许 可大,小的工作频率
的电流小,最高工作 的电流大,最高工作 高,大的结允许的电
频率高。
频率低。
流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS(eUT 1) (常温下UT 26mV)
击穿 电压
温度的 电压当量
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态 平衡,就形成了PN结。
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加
剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程
一、电子技术的发展
电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无 孔不入”,应用广泛!
• 广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器
因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
最大功耗PZM= IZM UZ
动态电阻rz=ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压,若稳压管的电流太大则会
因功耗过大而损坏,因而稳压管电路中必需有限制稳压管电
流的限流电阻!
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
结电容小,故结允许 结电容大,故结允许 可大,小的工作频率
的电流小,最高工作 的电流大,最高工作 高,大的结允许的电
频率高。
频率低。
流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS(eUT 1) (常温下UT 26mV)
击穿 电压
温度的 电压当量
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态 平衡,就形成了PN结。
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加
剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。
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9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO :输入为正弦波且不失真 。
注:交流功率,PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率:直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态(ICM ; U(BR)CEO ; PCM)。 大功率管,散热,保护
静态:
动态:
电容电压 :
T1导通,T2截止 T2导通,T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小,R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调, 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择:
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值: 最大输出功率:
第九章 功率放大电路
若忽略UCES: 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率:
若忽略UCES:
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较:
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO :输入为正弦波且不失真 。
注:交流功率,PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率:直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态(ICM ; U(BR)CEO ; PCM)。 大功率管,散热,保护
静态:
动态:
电容电压 :
T1导通,T2截止 T2导通,T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小,R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调, 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择:
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值: 最大输出功率:
第九章 功率放大电路
若忽略UCES: 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率:
若忽略UCES:
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较:
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
30538模拟电子技术仿真实验课件

1.2 二极管的应用
1.2.3 限幅电路
1.二极管下限幅电路: 首先判断二极管的工作状态:假设断开 二极管,计算二极管阳极和阴极电位, 阴极电位为5V,只要阳极电位大于等于 5.7V,二极管导通,阳极电位低于5.7V, 二极管截止。由于输入电压是交流电, 所以只有在交流电的正半周且电压的瞬 时值大于等于5.7V时,输出电压等于输 入电压,Uo=Ui。在交流电的一个周期 内的大部分时间由于交流电的瞬时值小 于5.7V,二极管处于截止状态,所以输 出电压为5V。
(a) 电路图
(b)输入输出波形 图1-32 光电耦合器电路
1.4半导体三极管
1.4.1三极管内部电流分配关系
将三极管2N5551按照图1-33进行连接, 图中接入了3个电流表和2个电压表。3个 电流表分别用来测量基极电流IB、集电 极电流IC和发射极电流IE,两个电压表 一个用来测量发射结电压,另一个用来 测量集电结电压。通过改变可变电阻R3 的阻值,从而改变基极电流的大小。 图1-33 三极管内部电流分配关系
图1-29
电路负载发生变化
总之,要使稳压二极管起到稳压作用,流过它的反向电流必须在Imin ~ Imax 范围内变化,在这个范围内,稳压二极管工作安全而且它两端反向电压变化很 小。上述仿真实验中,其实质是用稳压管中电流的变化来补偿输出电流的变化。
1.3 特殊二极管的应用
1.3.2 发光二极管的应用
2.负载电阻发生变化 图1-29中,用可变电阻RL阻值的变化来 模拟负载的变化,当阻值由500Ω下降到 150Ω(阻值变化显示30%)时,负载上的电 流逐渐增大,即负载变得越来越重,这时 流过稳压管的电流下降到17mA,稳压器 的输出电压基本上保持在6.2V。如果继续 减小负载电阻的阻值,则流过稳压二极管 的反向电流继续减小,当流过稳压二极管 的反向电流小于它的最小维持电流(6mA) 时,稳压管也就失去了稳压作用。
模拟电子技术PPT课件全套课件

扩散运动加强形成正向电流 IF 。 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 限流电阻
+
U
R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大; 反偏截止,电阻很大,电流近似为零。
C (cathode)
点接触型 按结构分 面接触型 平面型
正极引线 PN 结 N型锗 金锑 合金
正极 负极 引线 引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼 常数
i D I S (e
反向饱 和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的 电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C):
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0
《模拟电子技术》课件

《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1:试求输出电压uo。
-12V
解:两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 -5V
D2 0V
D2导通,D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2:试画出电压uo的波形。
EGO:热力学零度时破坏共价键所需的能量,又称 禁带宽度 (Si:1.21eV,Ge:0.785eV);
T=300K时,本征半导体中载流子的浓度比较低, 导电能力差。Si:1.43×1010cm-3 Ge:2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质,可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力,可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge,它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时,稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路:
D1
u
符号:
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
(1)稳压值UZ;
(2)稳定电流IZ(IZmin):电流小于此值时稳压效
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电路如图所示,已知R 试求解R 例1 电路如图所示,已知 2>>R4,试求解 1=R2时uO与uI的比例 系数。 系数。 解:
uP = uN = 0
uI i 2 = i1 = R1
R2 uM = −i 2 R 2 = − uI R1
由于R 2 >> R 4
R3 uO ≈ (1 + )uM R4
R3 uO ≈ −(1 + )uI R4
2. 同相求和运算电路
iN = 0
uo = (1 +
Rf R
)u P
节点P的电流方程为: 节点 的电流方程为: 的电流方程为
i1 + i 2 + i 3 = i 4
uI 1 − uP uI 2 − uP uI 3 − uP uP + + = R1 R2 R3 R4
uI 1 uI 2 uI 3 1 1 1 1 ( + + + )uP = + + R1 R 2 R 3 R 4 R1 R 2 R 3
(即:Rf=0 或 R=∞) )
uO = uI
总结
对于单一信号的运算电路,在分析运算关系时, 对于单一信号的运算电路,在分析运算关系时,应首先列 出关键节点的电流方程。 出关键节点的电流方程。 所谓关键节点是指那些与输入电压和输出电压产生 关系的节点, 关系的节点,如N和P点。 和 点
根据“虚短” 根据“虚短”和“虚断”的原则,进行整理。即可得出输出电压 虚断”的原则,进行整理。 和输入电压的运算关系。 和输入电压的运算关系。
若R3//R2//Rf=R1//R4,则: 则
uI 1 uI 2 uI 3 uO = Rf ( − − ) R1 R 2 R 3
Rf / R1 = 10, 故R1 = 10kΩ; Rf / R 2 = 5, 故R 2 = 20kΩ; Rf / R 3 = 4, 故R 3 = 25kΩ。
(4) 据 RN=RP,求得平衡电阻值
解:
uO = −
1 ∫ u I dt RC
1 uO = − RC
∫t
t2
1
u I dt + u O (t1 )
(分时间段计算 分时间段计算) 分时间段计算
1 uO = − u I (t 2 − t1 ) + uO (t1 ) RC
=− 1 u I (t 2 − t1 ) + u O (t1 ) 10 5 × 10 − 7
i 4 = i 2 + i3
uO = −i 2 R 2 − i 4 R 4
R2 + R4 R 2 // R 4 uO = − (1 + )uI R1 R3
二、同相 比例运算电路 电路中引入了电压串联负反馈。 电路中引入了电压串联负反馈。
由
u =u
P
iP = i N = 0
N
uP = uN = uI
注意条件: 注意条件:当RN = RP时 2. 差分比例运算电路 直接利用公式: 直接利用公式:由
RN = RP
Rf uO = (uI 2 − uI1 ) R
高输入电阻的差分比例运算电路
Rf 1 第一级运算电路为同相比例运算电路: 第一级运算电路为同相比例运算电路: uO1 = (1 + )uI 1 R1
R + Rf Rf uI 1 uI 2 uI 3 = × × RP × ( + + ) R Rf R1 R 2 R 3
RP = R1// R2// R3// R4
RN = R // Rf
RP uI 1 uI 2 uI 3 = Rf × ( + + ) RN R1 R 2 R 3
注意: 注意:条件 很重要! 很重要!
RN RP
R’=R//Rf
2. 运算关系
iR 由“虚短”和“虚断”的概念 : 虚短” 虚断”
iF iN uN uP iP
iP = i N = 0 uP = uN = 0
“虚地” 虚地” 虚地
iR = i F
uP = uN = 0
uI − uN uN − uO = R Rf
Rf uO = − uI R
积分运算电路 7.1.3 积分运算电路 微分运算电路
7.1.4 对数运算电路和指数运算电路
7.1.1 比例运算电路
一、反相 比例运算电路 1. 电路 组成 集成运放; 反相输入端输入; 集成运放 反相输入端输入 同相输入端经电阻接地; 电压并联负反馈。 电压并联负反馈。 说明: 说明:RP= RN
虚地
uI2单独作用;uI1 ,uI3 =0 (不作用 。 单独作用; 不作用)。 不作用
uo 2 = −
Rf R2
uI 2
ห้องสมุดไป่ตู้
uI 1 uI 2 uI 3 + + ) uI3单独作用;uI1 ,uI2 =0 (不作用 。 uO = − Rf ( 单独作用; 不作用)。 不作用 R1 R 2 R 3
uo3 = − Rf R3 uI 3
+UOM
(1)uo分别为±UOM 。 ) 分别为±
即:uP>uN,uo =+ UOM ;
uP<uN ,uo =- UOM 。
-UOM
(2)仍具有“虚断”的特点。 )仍具有“虚断”的特点。
即: iP=iN =0。 。
7.1 基本运算电路
7.1.1 比例运算电路 7.1.2 加减运算电路
反向比例运算电路 同向比例运算电路 求和运算电路 加减运算电路
第七章 信号的运算和处理
• 7.1 基本运算电路 • 7.2 模拟乘法器及其在电路中的应用 • 7.3 有源滤波 • 7.4 电子信息系统与处理中所用放大电路
理想运放的两个工作区
在近似分析时,把集成运放理想化 带来的误差都是允许的。 在近似分析时,把集成运放理想化, 带来的误差都是允许的。 一、 理想运放的概念 性能指标理想化 常用性能指标: 常用性能指标:
7.1.3 积分运算电路
一、运算关系
uP = uN = 0
uO = −uC
uI iC = iR = R
1 = − ∫ ic dt C
1 uO = − ∫ u I dt RC
求解t1到t2时间段的积分
uI为常量时
1 t2 uO = − ∫t1 uIdt + uO(t1) RC
直线方程
1 uO = − u I (t 2 − t1 ) + uO (t1 ) RC
iR = i F
有共模输入电压
uN − 0 uO − uN = R Rf
Rf u O = (1 + )u I R
Rf Rf uO = (1 + )uN = (1 + )uP R R
由反馈的组态知: 由反馈的组态知:
Ri = ∞ RO = 0
三、电压跟随器 当同相比例电路的比例系数为1时则有 当同相比例电路的比例系数为 时则有:
R3
若R1 = Rf 2, R 3 = Rf 1则
Rf 2 ) uO = (1+ (uI 2 − uI1) R3
设计一个运算电路, 例1. 设计一个运算电路,要求输出电压和输入电压的运算关 系式为: 系式为:
uO = 10uI 1 − 5uI 2 − 4uI 3
解: (1) 根据运算关系划出所要设计电路的电路形式图 uI1应作用于同相输入端,uI2和 uI3 应作用于反相输入端。 应作用于同相输入端, 应作用于反相输入端。 (2) 选定Rf 选定 通常在几十k到几百 只见 通常在几十 到几百k只见 到几百 选择,例如: 选择,例如: 取Rf=100k (3) 设: RN=RP ,据运算关 系求出各信号源所连接的 电阻值
二、积分电路在不同输入信号时的输出波形
输入常量, 输入常量, 输出斜线。 输出斜线。
输入方波, 输入方波, 输出三角波。 输出三角波。
输入正弦波, 输入正弦波, 输出余弦波。 输出余弦波。
uO = −
1 u I (t 2 − t1 ) + uO (t1 ) RC
P394,7.11 已知 I的波形 当t=0时uO=0。试画出 O的波形。 已知u 的波形,当 = 时 。试画出u 的波形。
由反馈的组态(电压并联)可知: 由反馈的组态(电压并联)可知:
Ri = R
RO = 0
3. T形网络反相比例运算电路 形网络反相比例运算电路
N点为虚地点,则: 点为虚地点, 点为虚地点
uI − uM = R1 R 2
R2 uM = − uI R1
i1
uM R2 uI i3 = − = R 3 R1R 3
第二级运算电路可考虑使用叠加原理: 第二级运算电路可考虑使用叠加原理: Uo1单独作用: (反相比例) 单独作用: 反相比例) 单独作用
Rf 2 uO = − u O1 R3
Ui2单独作用: 同相比例) u = (1 + Rf 2 )u 单独作用: 同相比例) 单独作用 ( O I2 两部分电压叠加: 两部分电压叠加: Rf 2 Rf1 Rf 2 uO = − (1 + ) u I 1 + (1 + )u I 2 R3 R1 R3
开环差模大倍数: 开环差模大倍数: Aod=∞ 输入电阻: 输入电阻:Rid=∞ 输出电阻:Rod=0 输出电阻:
二、理想运放在线性工作区 1. 线性工作区的特点
uP iP
iN
uO
u O = A od ( u P − u N )
uN
uP = uN uP − uN = 0
iP = iN = 0
这就是我们以后 常用的“虚短路” 常用的“虚短路”
R5 R5 uO = − uO1 = − ×11uI = −55uI R4 100kΩ