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模拟电子技术第1章PPT课件

多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
- - --
+3 +4
- - --
- - --
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ,所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小,反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流,若IZ<IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时,PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同,这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 -
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容(结电容)
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
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9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO :输入为正弦波且不失真 。
注:交流功率,PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率:直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态(ICM ; U(BR)CEO ; PCM)。 大功率管,散热,保护
静态:
动态:
电容电压 :
T1导通,T2截止 T2导通,T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小,R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调, 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择:
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值: 最大输出功率:
第九章 功率放大电路
若忽略UCES: 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率:
若忽略UCES:
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较:
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO :输入为正弦波且不失真 。
注:交流功率,PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率:直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态(ICM ; U(BR)CEO ; PCM)。 大功率管,散热,保护
静态:
动态:
电容电压 :
T1导通,T2截止 T2导通,T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小,R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调, 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择:
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值: 最大输出功率:
第九章 功率放大电路
若忽略UCES: 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率:
若忽略UCES:
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较:
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH01-1省公开课一等奖全国示范课微课金奖PPT课件

绝大部分电路使用 电压恒定,电流随负载改变
电流源
电路中恒流用
不能成为电路系统电源
18/7118
模拟电子电源表示: 电源在哪里?
图二
图一
图三
电源省略
19/71
电源是什么样:
20/71
模拟电路电源大小:
直流电压源:5V,±5V, ±12V ,±15V 直流电压源:1.8V,2.7V, 3.3V , 特点:弱电
2/71 2
1.0 引言
我们生存自然界中存在大量物理量
温度 电量
压力 重量
光亮 流量
声音 风速 XX
速度 液位 XX
位移 转速 XX
3/71 3
1.0 引言
物理量改变就是信息
IT是什么?
信息技术
问题:怎样获取这些物理量改变?
传感器
4/71 4
1.0 引言
传感器怎样反应物理量改变?
温度 重量 压力 流量 光亮 液位 速度 转速 位移 XX 电压 XX
48/7148
1.4.3 放大电路模型类型
AS
Vo VS
AVO
RL Ro RL
Ri Rs Ri
源电压放大倍数是对信号纯放大,应该尽可能确保
信号源电阻会消耗一部分信号源电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低,输入电阻应尽可能大
输出电阻会消耗一部分输出电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低,输入电阻应尽可能小
模拟电路电源对电路电位限制:
普通情况下,电路中各点电位不会超出电源电压
21/71
放大器
信号源
电源 放大器
负载
n模电关键 n为何要放大? n什么是放大? n对放大有什么要求? n怎样满足对放大要求? n什么器件能够进行放大? n怎样组成放大系统?
模拟电子技术课件

等。
音频领域
在音频系统中,模拟电子技术 主要用于信号的放大和处理, 如音频放大器、混响器等。
视频领域
在视频系统中,模拟电子技术 主要用于信号的传输和处理, 如视频放大器、矩阵切换器等 。
控制领域
在控制系统中,模拟电子技术 主要用于信号的转换和处理, 如模拟控制器、模拟仪表等。
02
模拟电路基础
电阻、电容、电感等元件介绍
放大器的分类
根据工作原理和应用领域 ,放大器可分为电压放大 器、电流放大器和功率放 大器等。
放大器的工作原理
放大器通过改变输入信号 的电压或电流,以获得所 需的输出信号。
滤波器设计与应用
滤波器的作用
滤波器用于提取有用信号并抑制 无用信号,提高信号质量。
滤波器的分类
根据频率响应特性,滤波器可分为 低通滤波器、高通滤波器、带通滤 波器和带阻滤波器等。
电源效率
优化电源设计,提高电源转换效率,减少能源浪费。
电磁兼容性
考虑电源的电磁兼容性,采取措施减小电源产生的电磁干扰对其 他电路的影响。
06
实验操作与案例分析环节
实验操作步骤及注意事项说明
搭建电路
按照实验指导书的要求,正确 搭建电路,注意电源极性、元 件参数等细节。
记录数据
将测量数据记录在实验报告中 ,并进行分析和整理。
发展历程与现状
发展历程
自20世纪初以来,模拟电子技术经 历了从基础理论到应用的发展过程, 目前已经形成了完整的理论体系和成 熟的应用领域。
现状
随着电子技术的不断进步,模拟电子 技术也在不断发展,目前正朝着高速 、高精度、高可靠性方向发展。
模拟电子技术的应用领域
通信领域
在通信系统中,模拟电子技术 主要用于信号的发送、接收和 处理,如调制解调器、滤波器
音频领域
在音频系统中,模拟电子技术 主要用于信号的放大和处理, 如音频放大器、混响器等。
视频领域
在视频系统中,模拟电子技术 主要用于信号的传输和处理, 如视频放大器、矩阵切换器等 。
控制领域
在控制系统中,模拟电子技术 主要用于信号的转换和处理, 如模拟控制器、模拟仪表等。
02
模拟电路基础
电阻、电容、电感等元件介绍
放大器的分类
根据工作原理和应用领域 ,放大器可分为电压放大 器、电流放大器和功率放 大器等。
放大器的工作原理
放大器通过改变输入信号 的电压或电流,以获得所 需的输出信号。
滤波器设计与应用
滤波器的作用
滤波器用于提取有用信号并抑制 无用信号,提高信号质量。
滤波器的分类
根据频率响应特性,滤波器可分为 低通滤波器、高通滤波器、带通滤 波器和带阻滤波器等。
电源效率
优化电源设计,提高电源转换效率,减少能源浪费。
电磁兼容性
考虑电源的电磁兼容性,采取措施减小电源产生的电磁干扰对其 他电路的影响。
06
实验操作与案例分析环节
实验操作步骤及注意事项说明
搭建电路
按照实验指导书的要求,正确 搭建电路,注意电源极性、元 件参数等细节。
记录数据
将测量数据记录在实验报告中 ,并进行分析和整理。
发展历程与现状
发展历程
自20世纪初以来,模拟电子技术经 历了从基础理论到应用的发展过程, 目前已经形成了完整的理论体系和成 熟的应用领域。
现状
随着电子技术的不断进步,模拟电子 技术也在不断发展,目前正朝着高速 、高精度、高可靠性方向发展。
模拟电子技术的应用领域
通信领域
在通信系统中,模拟电子技术 主要用于信号的发送、接收和 处理,如调制解调器、滤波器
模拟电子技术PPT课件全套课件

扩散运动加强形成正向电流 IF 。 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 限流电阻
+
U
R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大; 反偏截止,电阻很大,电流近似为零。
C (cathode)
点接触型 按结构分 面接触型 平面型
正极引线 PN 结 N型锗 金锑 合金
正极 负极 引线 引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼 常数
i D I S (e
反向饱 和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的 电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C):
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0
《模拟电子技术》课件

《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1:试求输出电压uo。
-12V
解:两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 -5V
D2 0V
D2导通,D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2:试画出电压uo的波形。
EGO:热力学零度时破坏共价键所需的能量,又称 禁带宽度 (Si:1.21eV,Ge:0.785eV);
T=300K时,本征半导体中载流子的浓度比较低, 导电能力差。Si:1.43×1010cm-3 Ge:2.38×1013cm-3
章目录 上一页 下一页
二、杂质半导体
掺入微量杂质,可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力,可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge,它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时,稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路:
D1
u
符号:
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
(1)稳压值UZ;
(2)稳定电流IZ(IZmin):电流小于此值时稳压效
模拟电子技术PPT

模拟电子技术基础
3.电子技术应用 (1) 通信系统 无线电通信(包括广播、电报、电视等)、 有线载波通信、激光通信、光纤维通信等。
(2) 自动控制 在自动化技术中,电子控制是后起之秀。 特点:快速、灵敏、精确等。
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模拟电子技术基础
(3) 测量方面的应用 a. 电量测量 b. 非电量电测量
模拟电子技术基础
0 绪言 0.1 什么是电子技术
电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用 的科学技术。 1.电子器件 电子器件的发展历程
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模拟电子技术基础
第一代电子器件
电真空器件
电子管 离子管
(1) 电子管
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模拟电子技术基础
电子管的结构和工作原理
a. 有密封的管壳,内部抽到高真空。 b. 在热阴极电子管中,有一个阴极。 c. 阴极可由灯丝加热,使温度升高, 发射出电子。 d. 电子受外加电场和磁场的作用, 在真空中运动就形成了电子管中的 电流。
电测量的主要特点 a. 准确度和灵敏度高,测量范围广。 b. 可以智能化。 c. 可以进行远距离测量。
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模拟电子技术基础
(4) 电子技术对计算机的发展 20世纪40年代第一台数字电子计算机的一些参数 a. 使用了18,000个电子管 b.功率130 kW c. 质量达30 t d.占地约150 m2 e. 运算速度约5000 次/秒 f. 故障率高
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模拟电子技术基础
电子管的主要特点 a. 体积大、重量重、耗电大、寿命短。 b. 目前在一些大功率发射装置中使用。
(2) 离子管 a. 与电子管类似,也抽成高真空。 b. 管子中的电流,除了电子外,也有正离子。
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§4.1 集成运放电路概述
3
§4.1.2 组成及各部分功能 Structure & Function
ouput
input
输入级
中间级
输出级
偏置电路
一、输入级 (Input Stage) (high input resistance) 二、中间级 (Intermediate Stage) (high voltage gain) 三、输出级 (Output Stage) (low output resistance) 四、偏置电路 (Biasing Circuit) (proper quiescent point)
输入失调电流及其温漂
25
6. Input biasing current 输入偏置电流 7. Maximum common-mode input voltage; 最大共模输入电压 8. Maximum differential input voltage; 最大差模输入电压 9. (Upper) Cut-off frequency (-3dB break frequency); 上限截止频率 10. Unity-gain frequency (Aod=1) 单位增益带宽 11. Slew rate. 转换速率
开环差模电压增益
2. Common-mode rejection ratio KCMR
共模抑制比
3. Differential input resistance rid
差模输入电阻
4. Input offset voltage and thermal voltage drift
输入失调电压及其温漂
Hale Waihona Puke 5. Input offset current and thermal input offset current drift
Chapter 4 集成运算放大电路
Integrated Circuit Op- Amps
1
第四章 集成运算放大器 Integrated Circuit Op-Amps
§4.1 集成运放电路概述 §4.2 电流源电路 §4.3 集成运算放大器简介 §4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路
2
§4.1.1 结构特点 运算,放大
VCC Rb I b1 βIb1 + uo rbe1 rce1 rce2 RL uI Rb T2 + R T1 uo RL T3
IR
15
二、Differential Amplifier with Active Load
VCC T3 ic3 ic1 + uI T1 T2 I -VEE T4 ic4 ic2 io RL
§4.2.1 基本电流源电路 §4.2.2 改进型电流源电路 §4.2.3 多路电流源电路 §4.2.4 有源负载放大电路
7
基本电流源电路) §4.2.1 Basic Current Source (基本电流源电路 基本电流源电路
镜像电流源) 一、Current mirror (镜像电流源) 镜像电流源
IR
VCC R T0 IC T1
VCC − VBE IR = R
12
二、Wilson Current source(威尔逊电流源) (威尔逊电流源)
VCC IC1 IC0 IR B IE2 IC2
I E 2 = IC1 + 2 I B = IC1 + IC1 = 2 IC1
β
β β +2
IE2 =
IC1 T1
T0 Re0 IE0 Re1
待改进的方面: 待改进的方面:
IC1的取值取决于 e0和Re1的比值 的取值取决于R 很小,工艺上受一定限制。 如希望 IC1很小,工艺上受一定限制。
IE1
10
微电流源) 三、Widlar Current Source (微电流源 微电流源
β>>1时 VCC IR T0 RE R
2 IR ≈ IR + 2β + 2 )
13
§4.2.3
Multiple Current Sources (多路电流源电路 多路电流源电路) 多路电流源电路
VCC IR R IC1
IE0Re0≈IE1Re1≈IE2Re2≈IE3Re3
IC2 IC3
IE0 Re0
IE1 Re1 Re2
IE2
Re3
IE3
中间级: 中间级: T15~T17, T13组成 组成
T13
复合放大管 有源负载( 电流源) 有源负载(T13电流源 电流源 高增益 输出级: 输出级:VBE倍增电路 甲乙类准互补推挽功率 放大电路
21
(通用型运算放大器 通用型运算放大器F007) 通用型运算放大器
功率输出级及其保护电路
甲乙类准互补推挽功率放 大电路
D1,D2,R9,R10及T15 组成输出过流保护电路 组成输出过流保护电路 uR7+uD1=uBE14+ioR9 R9,R10不对称补偿
22
(通用型运算放大器 通用型运算放大器F007) 通用型运算放大器
F007集成电路简介 集成电路简介
功率输出级
单端输出,差模时,双端效果; 共模时,∆ic4=∆ic6, ∆ic4-∆ic6=0,CMRR大 静态工作点稳定作用 过流 保护 输入级 偏置电路 中间增益级
存在问题: IR大时,R损耗大; IR小时,R阻值本身太大, 不易集成。 当β>>2不成立,即β较小时, IC1与IR 的差别不能忽略
9
二、 比例电流源
VCC UBE0+IE0Re0=UBE1+IE1Re1 IR R
IR
V CC − U BEO ≈ , R + Re0
IC1
Re0 ≈ IR R e1
作用: 作用:为各级提供合适的偏置
19
(通用型运算放大器 通用型运算放大器F007) 通用型运算放大器
输入级电路
T1~T7, R1~R3组成 组成
T1~T4:共集-共基结构 :共集 共基结构 输入电阻大, 输入电阻大,频带宽 T5,T6,T7:改进型镜像电流源做有源负载 : 差模时, 差模时,∆iC3=-∆iC4, ∆iC3=∆iC5, ∆ ∆ ∆iC5=∆iC6, ∆iC6=-∆iC4 ∆ ∆
T0 R IR -VCC
VCC T1 IR IC T0 R IC T1
IR = IC =
VCC − VBE R
= I C + 2I B = I C + 2
IC
β
β β +2
IR
if : β >> 2, then : IC ≈ I R
8
镜像电流源) 一、Current mirror (镜像电流源) 镜像电流源
4
§4.1.3 Voltage Transfer Characteristics (电压传输特性 电压传输特性) 电压传输特性
VCC uP uN uo -VEE Aod
uo
Positive saturation voltage
Aod---open-loop voltage gain Aod 可达上万倍,百万倍 可达上万倍,
返回
16
§4.3 Description of OP-Amps 集成运算放大器简介
input
输入级
中间级
输出级
ouput
偏置电路
17
(通用型运算放大器 通用型运算放大器F007) 通用型运算放大器
(通用型运算放大器 通用型运算放大器F007) 通用型运算放大器
偏置电路
前级
IR5
后级
T8~T13,R4,R5:偏置电路 IR5: 基准电流
Operational Amplifiers
直接耦合 差分电路 恒流源 复杂电路 有源负载 复合型式
Op-Amps
direct coupling differential circuit constant current source complicated circuit active load composite circuit
IC1 T1 IE1
U BE 0 − U BE1 I C 1 ≈ I E1 = , Re
UT IR I C1 ≈ ln Re I C1
VCC − U BEO IR ≈ R
不成立,即 较小时, 当β>>1不成立 即β较小时, 不成立 误差不能忽略
11
§4.2.2 Modified Current Source 改进型电流源电路) (改进型电流源电路)
返回 23
§4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 Op-Amps Parameters and Low Frequency Equivalent Circuit
§4.4.1 主要性能指标
§4.4.2 低频等效模型
24
§4.4.1 主要性能指标 Main Specifications 1. Open-loop voltage gain Aod
一、Modified Current Source IR T0
VCC T2
R
IE2
IC1 T1
VCC − 2VBE IR = R
IC1 = IC0 = I R − I B2 = I R − IC1 = IR ≈ IR 2 1+ (1 + β )β
IE2 2I 2IC1 = I R − B1 =I R− (1 + β ) 1+ β (1 + β )β
2.
3.
29
Current mirror: ∆ic4= ∆ic3;
+ uo -
∆ic3= ∆ic1 有∆uId时, ∆ic1=-∆ic2 ∆io= ∆ic4- ∆ic2 =∆ic1-(-∆ic1)=2∆ic1