BT33单结晶体管(双基极二极管)原理复习进程
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理
单结晶体管（双基极二极管）原理
体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图
判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管
双基极二极管(单结晶体管)的结构
双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路
双基极二极管的工作原理
将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
(a) (b)
图2 双基极二极管的特性测试电路
当基极间加电压U BB时，R B1上分得的电压为
式中称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。
2.当U E＝U BB＋U D时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流I E突然增大。
把这个突变点称为峰点P。
对应的
电压U E和电流I E分别称为峰点电压U P和峰点电流I P。
显然，峰点电压
Up＝U BB＋U D
式中U D为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取U D＝0.7V。
在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量的空穴型载流子，I E增长很快，E 和B1之间变成低阻导通状态，R B1迅速减小，而E和B1之间的电压U E也随着下降。
这一段特性曲线的动态电阻为负值，因此称为负阻区。
而B2的电位高于E的电位，空穴型载流子不会向B2运动，电阻R B2基本上不变。
当发射极电流I E增大到某一数值时，电压U E下降到最低点。
特性由线上的这一点称为谷点V。
与此点相对应的是谷点电压U V和谷点电流I V。
此后，当调节R P使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。
谷点右边的这部分特性称为饱和区。
综上所述，单结晶体管具有以下特点：
（1）当发射极电压等于峰点电压U P时，单结晶体管导通。
导通之后，当发射极电压小于谷点电压U V时，单结晶体管就恢复截止。
（2）单结晶体管的峰点电压U P与外加固定电压U BB及其分压比有关。
而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。
对于分压比不同的管子，或者外加电压U BB的数值不同时，峰值电压U P也就不同。
（3）不同单结晶体管的谷点电压U V和谷点电流I V都不一样。
谷点电压大约在2~5V之间。
在触发电路中，常选用稍大一些、U V低一些和I V大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。
单结晶体管触发电路
单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路
图3 单结晶体管的伏安特性曲线
1．调节R P，使U E从零逐渐增加。
当U E比较小时（U E＜U BB＋U D），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻。
当U E很小时，有一个很小的反向漏电流。
随着U E的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。
这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。
单结晶体管原理与应用
单结晶体管原理与应用一.单结晶体管的结构和原理杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。
引出的电极为发射极E；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极B1和基极B2，B1和B2之间的N型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻R BB。
该的变化而改变。
单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。
其符号如下图所示。
P区与N型硅棒形成的PN结等效为二极管D；N型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管阴极与基极B2之间的等效电阻为r B2，二极管阴极与基极B 阻值受E-B1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
理和特性同线．间加电源VBB，且发射极开路时，A点电位及基极b2的电流为：为单结晶体管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.9之间。
电压Ueb1为零或(Ueb1< UA)时，二极管承受反向电压，发射极的电流Ie为二极管的反向电流，记作IEO，使PN结正向电压大于开启电压时，则I E变为正向电流，从发射极e流向基极b1,此时，空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的硅棒的b1区注入非平衡与其载流子的浓度紧密相关，注入的载流子使r b1减小；而且r b1的减小，使其压降也减小，导致PN结正向电压增大，I E随之增大，注入的载流子将更多，于大到一定程度时，二极管的导通电压将变化不大，此时U E-B1。
将因r b1的减小而减小，表现出负阻特性。
特性曲线如下：是指输入电压增大到某一数值后，输入电流愈大，输入端的等效电阻愈小的特性。
（常见负阻器件有：可控硅，隧道二极管，单结晶体管等）至U P(峰点电压)时，PN结开始正向导通，U P=U B1+U on；UEB1再增大一点，管子就进入负阻区，随着I E增大，r b1减小，U E-B1减小，直至U E-B1=Uv(谷点电压)。
I 子进入饱和区。
单结晶体管有三个工作区域（见上图）。
体管的应用具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理
单结晶体管（单基极二极管）本理之阳早格格创做体管又喊单基极二极管，它的标记战形状睹附图推断单结晶体管收射极E的要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，乌表笔交假设的收射极，白表笔交其余二极，当出现二次矮电阻时，乌表笔交的便是单结晶体管的收射极.单结晶体管B1战B2的推断要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，用乌表笔交收射极，白表笔分别交其余二极，二次丈量中，电阻大的一次，白表笔交的便是B1极.应当证明的是，上述判别B1、B2的要领，纷歧定对付所有的单结晶体管皆适用，有各别管子的E--B1间的正背电阻值较小.没有过准确天推断哪极是B1，哪极是 B2正在本质使用中本去没有特天要害.纵然B1、B2用颠倒了，也没有会使管子益坏，只做用输出脉冲的幅度（单结晶体管多做脉冲爆收器使用），当创造输出的脉冲幅度偏偏小时，只消将本去假定的B1、B2对付调过去便不妨了.单结晶体管处事本理-单基极二极管伏安个性直线-单结管单基极二极管(单结晶体管)的结构单基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示.正在一片下电阻率的N型硅片一侧的二端各引出一个电极，分别称为第一基极B1战第二基极B2.而正在硅片是另一侧较靠拢B2处创造一个PN结，正在P型硅上引出一个电极，称为收射极E.二个基极之间的电阻为R BB，普遍正在2~15kW之间，R BB普遍可分为二段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻.单基极二极管的标记睹图1的左侧.图1 单基极二极管的结构与标记等效电路单基极二极管的处事本理将单基极二极管按图2(a)交于电路之中，瞅察其个性.最先正在二个基极之间加电压U BB，再正在收射极E战第一基极B1之间加上电压U E，U E不妨用电位器R P举止安排.那样该电路不妨改绘成图2(b)的形式，单基极二极管不妨用一个PN结战二个电阻R B1、R B2组成的等效电路代替.(a) (b)图2 单基极二极管的个性尝试电路当基极间加电压U BB时，R B1上分得的电压为式中称为分压比，与管子结构有闭，约正在0.5～0.9之间.U E＝U BB＋U D时，单结晶体管内正在PN结导通，收射极电流I E突然删大.把那个突变面称为峰面P.对付应的电压U E战电流I E分别称为峰面电压U P战峰面电流I P.隐然，峰面电压Up＝U BB＋U D式中U D为单结晶体管中PN结的正背压落，普遍与U D＝0.7V.正在单结晶体管中PN结导通之后，从收射区（P区）背基压（N区）收射了洪量的空穴型载流子，I E删少很快，E战B1之间形成矮阻导通状态，R B1赶快减小，而E战B1之间的电压U E也随着下落.那一段个性直线的动背电阻为背值，果此称为背阻区.而B2的电位下于E的电位，空穴型载流子没有会背B2疏通，电阻R B2基础上没有变.当收射极电流I E删大到某一数值时，电压U E下落到最矮面.个性由线上的那一面称为谷面V.与此面相对付应的是谷面电压U V战谷面电流I V.今后，当安排R P使收射极电流继承删大时，收射极电压略有降下，但是变更没有大.谷面左边的那部分个性称为鼓战区.综上所述，单结晶体管具备以下个性：（1）当收射极电压等于峰面电压U P时，单结晶体管导通.导通之后，当收射极电压小于谷面电压U V时，单结晶体管便回复停止.（2）单结晶体管的峰面电压U P与中加牢固电压U BB及其分压比有闭.而分压比是由管子结构决断的，不妨瞅干常数.对付于分压比分歧的管子，大概者中加电压U BB的数值分歧时，峰值电压U P也便分歧.（3）分歧单结晶体管的谷面电压U V战谷面电流I V皆纷歧样.谷面电压约莫正在2~5V之间.正在触收电路中，常采用稍大一些、U V矮一些战I V大一些的单结管，以删大输出脉冲幅度战移相范畴.单结晶体管触收电路单结晶体管触收的单相半控桥式整流电路图3 单结晶体管的伏安个性直线1．安排R P，使U E从整渐渐减少.当U E比较小时（U E＜U BB＋U D），单结晶体管内的PN结处于反背偏偏置，E与B1之间没有克没有及导通，浮现很大电阻.当U E很小时，有一个很小的反背泄电流.随着U E的删下，那个电流渐渐形成一个约莫几微安的正背泄电流.那一段正在图3所示的直线中称为停止区，即单结晶体管尚已导通的一段.。
单结晶体管工作原理及其应用
单结晶体管工作原理及其应用什么是单结晶体管单结晶体管又叫做双基极二极管，和二极管、三极管一样都属于晶体管的一种。
它是由一个PN结构成发射极并且有两个基极的三端晶体管。
单结晶体管内部结构单结晶体管内部由一个高电阻率的N型硅片，在其两端通过欧姆接触引出两个基极，分别为第一基极B1和第二基极B2，在靠近第二基极B2的一侧有一个PN结，在这个PN结上引出发射极E。
单结晶体管内部结构示意图单结晶体管电路符号及其等效电路单结晶体管电路特性在上面的等效电路中，单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”，基极电阻的阻值等于第一基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。
其中，RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化，而RB2的阻值不受发射极电流的影响。
在两个基极之间施加一定的电压VBB，则A点电压VA=[RB1/(RB1 RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB；其中η成为分压比，其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。
•当发射极电压VE<ηVBB时，发射结处于反偏状态，此时晶体管截止；•当发射极电压VE>ηVBB 二极管管压降VD时，PN结处于正向导通状态，RB1的阻值迅速减小，VE会随之下降，此时晶体管出现负阻特性，晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”；•随着发射极E电流的上升，发射极电压VE会不断下降，当下降到一个点之后便不再下降，这个点称为“谷点”；单结晶体管的型号命名方式以常用型号BT35为例，单结晶体管的型号命名方式如下图：单结晶体管型号命名方式单结晶体管封装及引脚识别单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。
面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和第一基极B1。
单结晶体管实物单结晶体管引脚排序单结晶体管应用电路以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。
数字万用表单结晶体管bt33引脚
主题：数字万用表单结晶体管BT33引脚详解内容：1. 概述：数字万用表是一种常见的电子测试仪器，它能够测量电压、电流、电阻等电路参数，是电子工程师和电子爱好者必备的工具之一。
而数字万用表内部的元器件也是十分复杂且精密的，其中就包括了结晶体管BT33。
2. 结晶体管BT33的基本介绍：结晶体管又称晶体二极管，是一种半导体器件，它具有放大、整流、开关和稳压等功能。
BT33是一种常用的结晶体管型号，被广泛应用于各种电子设备中。
3. 结晶体管BT33的引脚定义：BT33一般包括三个引脚，分别为发射极、基极和集电极。
发射极用来输入控制信号，基极用来控制输出信号，集电极则是输出信号的输出端。
4. 结晶体管BT33的引脚功能详解：发射极是输入端，它接收控制信号，控制基极和集电极之间的电流流动。
基极是控制端，它根据发射极的输入信号控制集电极的输出电流。
集电极是输出端，它输出经过控制处理后的电流信号。
5. 结晶体管BT33的工作原理：当发射极输入一个控制信号时，基极会相应地控制集电极的电流，从而实现对输入信号的放大、整流、开关和稳压处理。
这种工作原理使得BT33结晶体管在电子电路中具有重要的作用。
6. 结论：结晶体管BT33作为数字万用表中的重要组成部分，通过上述对其引脚定义、功能和工作原理的详解，可以更好地理解数字万用表的内部结构和工作原理，为电子工程师和电子爱好者提供更多的技术支持和参考。
这篇文章主要针对数字万用表中的结晶体管BT33的引脚进行了详细的解析，详细介绍了其引脚的定义、功能和工作原理，通过对BT33的介绍，读者可以更好地了解数字万用表的内部结构和工作原理，从而更好地应用和理解数字万用表。
引脚定义部分如此关键。
为了更好地理解结晶体管BT33的引脚定义，让我们深入研究每个引脚的作用和连接方式。
1. 发射极（Emitter, E）：作为结晶体管的输入端，发射极承担了输入控制信号的功能。
在数字万用表中，发射极连接至电路的输入端，接收被测电路中的信号，并将其输入到BT33中。
双基极二极管(精)
双基极二极管双基极二极管又称单结晶体管，具有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它具有频率易调、温度稳定性好等特点，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中。
双基极二极管又称单结晶体管，他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。
两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。
图的(b)为双基极二极管的图形符号。
双基极二极管的参数中基极间电阻ＲBB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。
而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。
以上两个参数是双基极二极管的主要参数。
谷点电压Ｕv是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时，与其对应的发射区电压。
即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压ＵE低于谷点电压Ｕv，双基极二极管就进大了截止状态。
双基极二极管的主要参数（1）基极间电阻Rbb：发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η：由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1：b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo：b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo：在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15k 之间，R BB一般可分为两段，R BB = R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种基于单晶材料制造的晶体管，具有优异的电学性能和稳定性。
它在现代电子器件中得到广泛应用，特别是在高频、高功率和高温环境下的电子设备中。
单结晶体管的工作原理可以分为三个主要部分：结构、工作模式和电流传输。
1. 结构：单结晶体管由三个主要部分组成：基区（Base Region）、发射区（Emitter Region）和集电区（Collector Region）。
这三个区域由不同类型的掺杂材料构成，形成PN结。
基区是控制电流流动的区域，发射区是电流的源区，集电区是电流的汇区。
2. 工作模式：单结晶体管有两种主要的工作模式：放大模式和开关模式。
- 放大模式：在放大模式下，基区的电流控制发射区的电流，并将其放大。
当输入信号施加在基区时，基区电流的变化会导致发射区电流的变化，进而影响集电区电流。
这种模式下，单结晶体管可以作为放大器使用。
- 开关模式：在开关模式下，单结晶体管可以将输入信号转换为输出信号的开关操作。
当基区没有电流时，发射区电流和集电区电流都很小，处于关闭状态。
当基区有足够的电流时，发射区电流和集电区电流都会增加，处于打开状态。
这种模式下，单结晶体管可以作为开关使用。
3. 电流传输：单结晶体管的电流传输可以通过PN结的导电特性来解释。
- 放大模式：在放大模式下，当基区电流增加时，由于PN结的特性，发射区电流也会随之增加。
发射区电流通过集电区电流放大，形成放大效应。
- 开关模式：在开关模式下，当基区没有电流时，PN结处于正向偏置，处于关闭状态。
当基区有足够的电流时，PN结处于反向偏置，处于打开状态。
这种状态下，发射区电流和集电区电流都会增加，实现开关操作。
总结：单结晶体管是一种基于单晶材料制造的晶体管，具有优异的电学性能和稳定性。
它的工作原理主要由结构、工作模式和电流传输三个部分组成。
在放大模式下，单结晶体管可以作为放大器使用；在开关模式下，它可以将输入信号转换为输出信号的开关操作。
单结晶体管原理
维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv， 管子重新截止。二、单结晶体管的主要参数 （1）基极间 电阻Rbb 发射极开路时，基
极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度 上升而增大。（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数， 一般为0.3--0.
85。（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压 Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。（4）反向 电流Ieo b
标签：晶体管(331)单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT） 又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接 触电极的半导体器件，它
的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出 两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作 一个P区作为发射极e。其结构
、符号和等效电路如图1所示。一、单结晶体管的特性 从 图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2式中
1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。（5） 发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的 压降。（6）峰点
电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电 压时的发射极电流。
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电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。 Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流， 显然Vp=ηVbb（3
）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后， Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和 电流，称为谷点电压，Vv
和谷点电流Iv。（4）过了V点后，发射极与第一基极间半 导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie 便缓慢地上升，显然Vv是
单结晶体管知识
单结晶体管知识写在前面的话：信号设备中单结管应用很少，主要是在限时继电器（JSBC－850继电器）中的应用，检修所在检修时，要对时间特性进行调整，调整时间特性必须掌握单结晶体管的原理，才能知其然并且知其所以然，掌握单结晶体管就显得很重要，所以整理出下面的知识供大家参考。
一、单结晶体管的特性(1)结构及特性曲线图1、单结晶体管图2、单结晶体管的伏安特性（2）当Ve≥ηVbb VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN 结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。
管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。
Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve 不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。
（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。
二、单结晶体管的主要参数（1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
单结晶体管原理解析
单结晶体管原理解析一、单结晶体管的结构和等效电路单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e，第一基极b1，第二基极b2，又叫双基极二极管。
因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。
外形及符号如图(a)、(b)所示。
图中发射极箭头指向b1，表示经PN结的电流只流向b1极。
单结管的等效电路如图(C)所示，r b1表示e与b1之间的等效电阻，它的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
两个基极之间的电阻用R bb表示，即：R bb=R b1+R b2，R b1与R bb的比值称为分压比h=R b1/R bb，h一般在0.3～0.8之间。
二、工作原理和特性曲线伏安特性变化如图所示。
★图中，当V BB固定，等效电路中，A点对b1的电压U A=hV BB为定值。
当U e较小时，U e<U ，PN结反偏，此时只有很小的反向漏电流I EO（几微安）如图中曲线“1”段。
A★当U e增大，U e=U A时，PN结处于零偏，i E=0。
★U e继续增大，当U e>U A，i E开始大于零，由于硅二极管的正向压降为0.7V，所以i E不会有显著的增加，这个电压称为峰值电压U P，对应电流称为峰值电流I P。
这一区域称为截止区。
★U e继续增加，U e>U A，管子转向导通，PN结电流开始显著增加，这时将有大量的空穴进入基区，e、b1间载流子大量增加，使r b1迅速减小，而r b1的减小又使U A降低，导致i E 又进一步加大，这种正反馈的过程，使i E急剧增加U A下降，单结管呈现了负阻特性，图中曲线“2”线段，到了“C”点负阻特性结束，C点电压U V称为谷点电压，一般为1～2.5V，对应的电流称为谷点电流Iv，一般为几毫安。
★过了谷点之后，继续增加U e，i E～U e曲线形状接近二极管导通时的正向特性曲线。
如曲线“3”线段，此时称为饱和区。
饱和压降一般小于4～5V。
★当改变V BB电压，改变了阀值电压U A，曲线的峰点电压也随之改变。
单结晶体管工作原理教案
单结晶体管工作原理：1. 单结管的结构及特性：单结管是单结晶体管(UJT)的简称，又称为双基极晶体管。
它的内部结构和符号如图所示。
（1）结构：在一个N型硅片上下两端各引出一个电极：下边的称为第一基极B1，上边的称为第二基极B2(故称双基极晶体管)，在硅片的另一侧靠近B2的部位掺入P型杂质，引出电极，称为发射极E, 发射极与N型硅片间构成一个PN结，故称单结管。
（2）符号：（3）单结管等效电路及特性曲线:单结管的等效电路如图A所示，外接实验用电源E B及E E。
图B 是单结管的特性曲线。
自PN结A点至两个基极B1、B2之间的等效电阻分别为R B1、R B2。
当接上电源E B后，A点与B1之间的电压为A）公式：B)分压比：η＝R B1/(R B1＋R B2)称为单结管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.8之间。
E E为加在发射极回路的可调电源。
（3）单结晶体管工作原理：A）当U EB1从零开始增加且低于U A时，PN结处于反向偏置，仅有反向电流流过PN结，R B1呈现很大的电阻，单结管处于截止状态，（见特性曲线AP段）。
B)当UEB1＞UD＋UA(UD为PN结的死区电压)，PN结承受正向电压，从P区向N型硅片注入的空穴与电子复合，使RB1急剧减小，I E迅速增加，发射极电压UEB1随着IE的增加而减小，呈现出负阻特性，见特性曲线PV段。
C)峰点电压UP、电流IP:单结管由截止变导通所需发射极电压。
对应峰点的电流称为峰点电流IP。
D)谷点电压、电流UV、IV: 维持单结管导通的最小电压、电流。
对应V点的电压电流值分别称为谷点电压UV和谷点电流IV。
（4）单结管重要特点:UE<UV时单结管截止,UE>UP时单结管导通。
2. 单结管触发电路工作原理：单结管振荡电路如图7- 18(a)所示，这是一种应用广泛的自激振荡电路。
通常R1和R2的阻值远小于单结管两基极间的电阻R BB′，所以单结管两基极间的电压U BB≈E B。