电磁兼容技术-电磁干扰案例分析

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纯电动汽车电磁兼容分析与电磁干扰抑制

纯电动汽车电磁兼容分析与电磁干扰抑制

纯电动汽车电磁兼容分析与电磁干扰抑制随着环保意识的逐渐增强,纯电动汽车已经成为未来汽车发展的趋势。

与传统燃油车相比,在能源效率和环保方面,纯电动汽车有着明显的优势。

但是,作为一种新兴的技术,纯电动汽车也存在着一些问题,其中电磁兼容性和电磁干扰抑制是非常重要的问题。

电磁兼容性是指在电磁工作环境下,各种电气和电子设备之间都能够协调和共存。

纯电动汽车内部有着大量的电气和电子设备,这些设备之间的电磁干扰会影响彼此的正常工作,甚至影响车辆的整体稳定性和安全性。

因此,为了保证纯电动汽车的正常工作,必须对其电磁兼容性进行分析和测试。

电磁干扰抑制是指对电磁干扰源发出的电磁波进行有效的抑制,以减小对周围电子设备的干扰。

在纯电动汽车中,电机是电磁干扰的主要源头。

电机产生的高频电磁波会对车载电子设备产生干扰,从而导致设备功能失效或工作异常。

因此,需要采取有效的电磁干扰抑制措施,对电机发出的干扰进行有效的限制。

为了保证纯电动汽车具有良好的电磁兼容性和电磁干扰抑制能力,可以采取以下措施:1、采用屏蔽技术:纯电动汽车内部的电子设备应该采用屏蔽技术,以减小设备之间的电磁干扰,保证设备正常工作。

2、采用滤波器:在电磁干扰源处增加合适的滤波器,可以有效地过滤电磁波,降低其对周围设备的干扰。

3、增加隔离手段:使用光耦、磁耦等隔离手段,在电路之间增加一定的隔离,可以有效地抑制电磁干扰的传播。

4、优化布线:优化纯电动汽车内部的布线,减少电路之间的交叉和相邻,可以最大程度地减小电磁干扰的产生和传播。

综上所述,纯电动汽车的电磁兼容性和电磁干扰抑制是一项重要且复杂的工作。

需要对车辆内部的电气和电子设备进行合理的布置和设计,采取有效的兼容性和抑制措施,以保证车辆的安全性和稳定性。

随着电子技术的不断发展和应用,在未来,纯电动汽车的电磁兼容性和电磁干扰抑制能力也将得到不断的提高和完善。

要列出相关数据,需要先确定研究的对象和目的。

在纯电动汽车电磁兼容性和电磁干扰抑制方面,可以收集以下数据:1、电磁兼容性测试数据:对纯电动汽车内部的电气和电子设备进行电磁兼容性测试,分析不同设备之间的干扰程度和兼容性。

电磁干扰的原理及应用实例

电磁干扰的原理及应用实例

电磁干扰的原理及应用实例1. 电磁干扰的概述•电磁干扰(Electromagnetic Interference,简称EMI)指的是在电磁环境中,由于电磁波的传播引起的各种不期望的现象。

•电磁干扰可以导致电子设备的功能异常、性能下降甚至完全失效,对电磁兼容性的要求越来越高。

2. 电磁干扰的原理•电磁干扰的根本原因是不同电子设备之间的电磁相互作用。

•电子设备产生的电磁波可以被其他设备接收并产生干扰。

•发射端产生的电磁波通过传播介质传播到接收端,过程中可能受到其他设备的影响而产生干扰。

3. 电磁干扰的分类电磁干扰主要分为以下几类: 1. 传导干扰:通过传导媒介(如导线、电缆等)传播,如电源线上的干扰信号被传导到其他设备。

2. 辐射干扰:通过空气或真空中的辐射传播,如设备发射的无线电波被其他设备接收并产生干扰。

3. 耦合干扰:无线电波通过电磁场相互耦合产生干扰,如天线之间的相互干扰。

4. 接地干扰:地线的接地电阻不同会引起地电位差,从而产生干扰。

5. 传输线耦合干扰:传输线上的信号互相干扰,影响传输质量。

4. 电磁干扰的应用实例4.1. 无线通信系统•在无线通信系统中,电磁干扰可能导致通信质量下降,甚至无法正常通信。

•通过合理设计无线电设备,选择合适的工作频段,采用抗干扰技术等手段,可以减少电磁干扰对通信系统的影响。

4.2. 医疗设备•医疗设备对电磁干扰非常敏感,不能承受较强的外界干扰。

•对医疗设备进行电磁兼容性测试,选择合适的材料和设计,是确保医疗设备安全可靠的重要措施。

4.3. 航空航天领域•航空航天领域对电磁干扰的要求非常高,因为电磁干扰可能导致飞机的导航、通信等系统故障。

•在航空航天设备设计中,需要考虑电磁兼容性,采取干扰抑制技术,确保设备的可靠性和安全性。

4.4. 汽车电子系统•汽车中的电子设备日益增多,电磁干扰对车辆的正常运行产生严重影响。

•汽车电子系统需要经过严格的电磁兼容性测试,采取抗干扰措施,确保车辆的安全性和稳定性。

工业自动化现场典型emc问题案例解析

工业自动化现场典型emc问题案例解析

工业自动化现场典型EMC问题案例解析概述工业自动化领域的EMC(电磁兼容性)问题是工程师们在设计和维护自动化设备时经常面临的挑战之一。

在工业生产现场,各种电磁干扰可能会导致设备故障、系统失效甚至安全隐患。

对于工业自动化现场中典型的EMC问题进行案例分析和解析对于工程师们解决类似问题具有重要的指导意义。

一、案例一:电机频率变化导致PLC系统干扰1.问题描述在一家制造车间的自动化生产线上,PLC系统经常出现通信故障和数据丢失的问题。

经过检查发现,在车间的电动机频率变化较大时,PLC 系统工作不稳定。

2.分析电动机频率变化产生的电磁干扰可能干扰了PLC系统的正常工作。

电动机在启动、停止和加速过程中会产生电磁干扰,这些干扰信号可能通过电源线、信号线等途径传播到PLC系统中,导致系统故障。

3.解决方法(1)确保电动机和PLC系统的电源线分开布置,避免电磁干扰传播;(2)在电动机及其控制设备上安装滤波器,减小电磁干扰的影响;(3)使用屏蔽性能更好的电缆和连接器,减少电磁干扰的传播。

二、案例二:工厂内部无线通信干扰导致传感器数据错误1.问题描述在一个大型工厂中,使用了大量的无线传感器进行生产数据的采集和监控。

最近发现部分传感器的数据出现异常,导致生产过程中出现偏差和错误。

2.分析大型工厂内部存在大量无线设备,如Wi-Fi、蓝牙等,这些设备可能会影响无线传感器的正常工作。

特别是在工厂内部存在金属结构和大型设备时,无线信号会受到反射和衰减,增加了无线通信的干扰风险。

3.解决方法(1)对工厂内部的无线通信设备布局进行优化,避免相互干扰;(2)使用具有抗干扰性能的传感器和通信模块;(3)在传感器安装位置周围增加屏蔽措施,减少外部干扰的影响。

三、案例三:工业设备电磁兼容性测试不合格1.问题描述一家工业设备制造商在进行产品CE认证时,发现其设备未通过电磁兼容性测试。

2.分析可能存在以下原因导致设备未通过电磁兼容性测试:设备内部存在较大的电磁干扰源,或者设备自身对外部电磁干扰的抵抗能力不足。

电磁兼容之传导干扰

电磁兼容之传导干扰
25
第二章 传导干扰
六、抑制传导干扰的有效方法
1、传导干扰源的处理
(1)如果传导干扰源是产生强电磁场元件,如线圈、变压器等,在布置时应 远离接收器加以屏蔽。 (2)如果传导干扰源是频率相同的电路,如接收机的高频放大、输入及振 荡电路,它们之间的交链容易引起自激振荡,因此布置应相隔远些。
(3)移去对系统工作无用的、有潜在的干扰设备的电源。
9
第二章 传导干扰
三、传导电磁干扰传输通道
2、电阻耦合
如右图所示,设i1为电磁干扰源,Z为电磁干扰源 和接收器之间的电阻耦合通道。Zi为接收器输入阻 抗。V2是干扰源在耦合阻抗Z上的电压降,这个电 压降在接收器中产生干扰电压。显然,公共阻抗Z 成了接收器中输入阻抗的一部分。
V2 Zi1
Zi
i1 Z
电源接线端上会产生传导干扰电压。
换向器(整流器)
电流的突然改变。
荧光灯 气体放电灯
数字设备(数据处理机、计算机、数 字式仪表等)
电击穿瞬间会产生射频噪声。
因为这些设备中有:电动机、整流器、 继电器、啮合电磁铁、步进开关、荧 光灯、高压汞灯灯产生干扰引入电源
线。
直流电源输出端
输出端有交流噪声干扰
机动车干扰
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第二章 传导干扰
五、传导电磁干扰案例分析
2、PLC
3)来自接地系统混乱时的干扰 接地是提高电子设备电磁兼容性(EMC)的有效手段之一。正确的
接地,既能抑制电磁干扰的影响,又能抑制设备向外发出干扰;而错误 的接地,反而会引入严重的干扰信号,使PLC系统将无法正常工作。
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第二章 传导干扰
五、传导电磁干扰案例分析
三、传导电磁干扰传输通道
1、电容耦合

电磁兼容案例

电磁兼容案例

电磁兼容案例电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,简称EMC)是指在电磁环境中,各种电子设备和系统能够在不相互干扰的情况下正常工作的能力。

下面列举几个电磁兼容案例:1. 医疗设备和无线通信设备的干扰医院使用的医疗设备对电磁干扰非常敏感,而无线通信设备(如手机、无线网络等)产生的电磁辐射会干扰医疗设备的正常工作。

为了保证医疗设备的安全和有效性,需要进行电磁兼容测试和干扰抑制措施。

2. 汽车电子设备的电磁兼容问题汽车内部的各种电子设备(如发动机控制单元、车载娱乐系统、导航系统等)需要在复杂的电磁环境中正常工作。

然而,汽车发动机的高电压放电、无线电台的电磁辐射等都会对汽车电子设备造成干扰。

因此,需要对汽车电子设备进行电磁兼容测试和抗干扰设计。

3. 家用电器的电磁兼容问题家用电器(如电视、空调、冰箱等)在工作过程中会产生电磁辐射,并且容易受到其他电子设备(如手机、电脑等)的干扰。

为了避免电磁干扰对家用电器的影响,需要对其进行电磁兼容测试和干扰抑制设计。

4. 电力设备的电磁兼容问题电力设备(如变压器、电力电容器、高压开关等)在工作过程中会产生强烈的电磁场,如果没有采取相应的电磁屏蔽措施,容易对周围的电子设备产生干扰。

因此,电力设备需要进行电磁兼容测试和电磁屏蔽设计。

5. 航空航天设备的电磁兼容问题航空航天设备(如飞机、卫星、导弹等)在高速运动和复杂电磁环境中工作,其电磁兼容性要求非常高。

因为电磁干扰可能导致设备故障和通信中断,甚至对安全产生严重影响。

因此,航空航天设备需要进行严格的电磁兼容测试和屏蔽设计。

6. 工业自动化设备的电磁兼容问题工业自动化设备(如PLC、传感器、伺服驱动器等)在工业生产环境中工作,受到电磁干扰的可能性较大。

电磁干扰可能导致设备故障、数据传输错误等问题,对工业生产造成严重影响。

因此,工业自动化设备需要进行电磁兼容测试和干扰抑制措施。

7. 电子产品的电磁兼容问题各种电子产品(如手机、电脑、摄像机等)在使用过程中会产生电磁辐射,并且容易受到其他电子设备的干扰。

电磁兼容技术-电磁干扰案例分析报告

电磁兼容技术-电磁干扰案例分析报告

ECL
VCC
VOH
VOL
VIH
VIL
0V
≥-5.2V ≤-0.88V ≥-1.72V ≤-1.36V
电感,变压器,芯片, 发射天线
电容,浮件,晶振,发射 天线
电感耦合
公共 阻抗 耦合
电容 耦合
电阻耦合
变压器耦合 电感与线缆耦合 电容与线缆耦合 器件与线缆耦合 滤波输入与输出耦合 PCB平行耦合与相邻层耦合
Vi Vcc
ViH
ViL 0V
5V TTL器件
VCC
VOH
VOL
VIH
5V
≥2.4V ≤0.5V ≥2V
VIL ≤0.8V
3.3V TTL器件
VCC 3.3V
VOH
VOL
VIH
≥2.4V ≤0.4V ≥2V
2.5V TTL器件
VCC 2.5V
VOH
VOL
VIH
VIL
≥2.0V ≤0.2V ≥1.7V ≤0.7V
dBuV与dBm如何相互转换?
首先我们要假设基准的
阻抗,例如测试仪器一般为50
欧姆,这样,P与U的关系就
建立起来了,P=U2/R。
最后得出,
0dBm
107dBuV
1dBm
108dBuV
30dBm
138dBuV
Z(jw)ຫໍສະໝຸດ UIRj(wL
1) wC
Z(
jw) (
jw)
当 wL 1 0 时,即 ( jw) 0 ,w w0 wC
S80
MINI USB
屏蔽层
USB Female
U盘
USB外
壳与屏 蔽层的 搭接
线缆双绞,屏

电磁兼容加固实例分析

电磁兼容加固实例分析

电磁兼容加固实例分析实例一设备在数字电路密集,功能复杂的现实情况下,电路产生的干扰在所难免,同时数字电路又容易受到外界的干扰。

所以有必要在产品设计时考虑电磁兼容性,以便在设计初期采取相应措施来降低干扰源的能量。

下面就某设备(见图1)在设计中容易出现的实例问题作个介绍。

该雷达某设备机箱在进行GJB-151A RE102初测时的曲线如图2所示。

可以看出设备在30MHz、60MHz—90MHz时大部分频段超标。

为了能尽快找出超标的原因我们可以用频谱分析仪找到他们泄露的位置。

由于设备已经是定型的结构和电路,因此不能更改他的结构和电路。

只能在原有结构和电路的基础上加以改进。

众所周知,通常机箱结构对辐射发射有影响。

机箱内的元器件、集成块、印刷电路板的走线、以及有信号电流经过的地方都可能向周围空间辐射电磁能量,频率越高就越容易产生电磁辐射。

如果采用非屏蔽机箱,则这些电磁能量就会辐射到机箱外部。

如果采用金属机箱,或在非金属机箱内喷涂一层金属作为屏蔽层,则电磁能量就有可能被限制在机箱内图1 雷达某设备在加固前的GJB151A RE102测试曲线图2 某设备的实物照片1. 采取机箱加固措施为判别设备的辐射干扰是否主要由机箱泄漏引起,可将设备电缆、控制连接线拆除,只保留电源线(电源线已滤波处理)让设备正常工作,然后再测量辐射干扰场强。

结果显示仍有部分频点超标,说明机箱泄漏或电源线有明显的泄露。

为了进一步确定是电源线还是机箱泄露还是二者都有。

这时可用近场磁场探头(探头接频谱分析仪)沿孔缝移动,寻找泄漏点,可观察不同频率的泄漏情况。

结果在机箱靠近电源的缝隙发现较大的泄漏场强,临时将该处贴一条金属导电带,该金属带应与机箱的金属面有良好的导电搭接。

发现辐射场强明显减小,说明机箱有泄露。

加固措施是使缝隙尺寸满足要求,可添加导电衬垫。

也可采用波导设计、缩短连接螺丝的间距等等。

在解决好机箱屏蔽的前提下,将电缆、控制线(外连电缆和控制线已经做好屏蔽处理)连接好,继续测试RE102发现有明显改善,如图3所示,但是仍有超标点。

emc研究案例

emc研究案例

emc研究案例EMC(电磁兼容性)研究案例:1. EMC设计优化案例:某家电公司开发了一款新型家用电器,但在进行EMC测试时发现其辐射干扰严重超标。

经过研究,发现是电路布局不合理导致的,通过优化电路布局和添加滤波器,成功降低了辐射干扰,使产品符合EMC标准。

2. EMC故障排查案例:某铁路信号系统出现频繁的通信故障,经过调查发现是因为信号线路与高压输电线路相近,导致电磁干扰引起的。

通过重新布线、增加屏蔽措施等方法,成功解决了通信故障问题。

3. EMC电容选择案例:某汽车电子系统在高温环境下出现电容失效的问题,经过研究发现是电容选择不当导致的。

通过更换适合高温环境的电容,解决了电容失效的问题,提高了产品的可靠性。

4. EMC电磁兼容设计指导案例:某航空电子设备在实际使用中出现了严重的电磁干扰问题,经过研究发现是设备的电磁屏蔽设计不足导致的。

通过改进屏蔽结构和增加屏蔽材料,成功降低了电磁干扰,保证了设备的正常运行。

5. EMC电源线抗干扰设计案例:某工业控制设备在电源线上遭受到严重的电磁干扰,导致设备无法正常工作。

经过研究发现是电源线抗干扰设计不足导致的。

通过增加滤波器和改进接地措施,成功降低了电磁干扰,保证了设备的正常运行。

6. EMC防护设计案例:某军事通讯设备在电磁环境中遭受到严重的辐射干扰,导致通讯信号质量下降。

经过研究发现是设备的外壳屏蔽不足导致的。

通过增加金属屏蔽罩和优化接地结构,成功提高了设备的抗干扰能力,保证了通讯信号的稳定性。

7. EMC辐射源定位案例:某医疗设备在使用过程中出现了无线电干扰的问题,经过研究发现是附近的无线电发射台产生的辐射干扰。

通过使用EMC测试仪器定位辐射源,并采取屏蔽措施,成功解决了干扰问题,保证了设备的正常工作。

8. EMC标准研究案例:某电子产品公司开发的一款新型消费电子产品需要符合EMC标准,但在进行测试时发现不符合要求。

经过研究发现是产品的辐射和抗干扰能力需要改进。

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组件滤波
器件滤波
磁环
•铁 • 锰锌 • 镍锌
电容 电阻 磁珠 电感 组合器件
瞬态防护
TVS 压敏 半导体防雷管 气体放电管
磁夹



问题描述: S80工程样机在USB通讯时,使用对讲机对其干扰,USB通讯立刻 失败。 问题分析: S80使用的MINI USB转USB线缆的两端USB外壳并没有相连,因此 信号的GND环路过大,且环路对外暴露程度很大,对干扰的接收效 率很高,最后导致了USB通讯失败。 使用其他三种MINI USB转USB线缆都不会造成通讯失败,因此是 USB转接线本身的质量问题。 风险分析: 客户在使用USB通讯下载应用发生故障需满足两个条件:一是使用 劣质转接线,二是有对讲机对其干扰。这种概率非常小,即使有,也 是可以接受的。因为程序也许几年才下载一次,不是安全触发或硬件 损伤的重大缺陷,因此该缺陷可以不用处理。
其中,Q为串联谐振电路的品质因数,
电路谐振时的电流为 I = U s = U s ,电路谐振时的电压为 U R


LC
=U , = RI S
Q=
比。
w0 L 1 ρ = = ,其数值等于谐振时感抗或容抗与电阻之 R w0 RC R
PCB信号回路耦合, 变压器初次级耦合?
PCB信号走线耦合, 器件与线缆耦合?
库存机器 新生产机器
• 手工飞线加100pF • 原理图增加100pF电容
环路的 屏蔽
干扰的 距离
路径
干扰的 结果
环路的 滤波


问题描述: 客户在使用过程中,S90在使用某些卡片时候磁头无反应或者报错。 问题分析: 经过仔细对比分析,找到问题原因如下:异常的卡片,有问题批次的 CPU再加上环境湿度低的情况下出现的ESD现象。只有这三原因加一起, 才会复现出故障现象。 一些措施: 软件方面:监控磁头的中断响应,但不能从根本上解决问题; 硬件方面:
≥2.4V ≤0.5V ≥2V 2.5V TTL器件
5V CMOS VIH VIL VCC 5V VOH VOL VIH VIL ≤0.8V ≥2.4V ≤0.5V ≥2V 2.5V供电时的LVCMOS器件 VIL VOH ≥-5.2V VCC 2.5V VOL VOH VOL VIH VIL ≥2.0V ≤0.1V ≥1.7V ≤0.7V VIH VIL
1 1 w w = = 当 wL − 时, θ ( jw) = 0 , 0 = 0 时,即 Z ( jw) = R ,电压u(t)与 LC wC 1 为电路的固有谐振频率。 电流i(t)相位相同,电路发生谐振。式中 w0 =
Z R w L 1 1 = j 0 U = jQU ,U U L = jw0 LI I =−j U S = − jQU S S C = S R jw0C w0 RC
线缆剪短, 双绞



问题描述 SP30巴西认证摸底测试中,非接读卡测试中,RE辐射超标了10dB。 问题分析 在静态测试中,并没有超标的频点与频段,而SP30辐射超标的频点与 频段,基本都是13.56MHz的倍频与非接读卡使用的5V电源所致。 首先,在SP30上装一个磁扣,可以降低6dB左右,多扣几个基本可以 将辐射压到限值以下,但对于认证来说,显然不现实,实验室不会认可, 外表更不美观。 最后,从路径上去解决问题不现实,我们必须找到内部的干扰源头, 通过仔细分析,发现了是两个地方影响了测试结果,一个是非接芯片贴 在LCD线缆上面,一个是非接电感贴着SP30的出线线缆,同时将二者的 距离拉大,问题得到解决,余量达到3dB以上。 风险分析 巴西认证对EMC要求十分严格,因此第二方案是最合适的方案。结构 堆叠设计中,器件与线缆的相互耦合是最大的EMC风险。
将磁头线剪短, 并双绞,磁头导 轨包上铜箔接地
1
将导轨做成金属, 不接地
2
将塑料导轨喷导 电油漆
3
导轨参杂碳粒 (导轨电阻为几 十K欧姆)

风险分析: 干燥的环境经常存在,概率很大,因此需要针对库存,返修,新生产 的机器进行导入。
材料本身的起电性能
耦合程度 2
接触的紧密程度、压力 摩擦的速度
1
环境温度 环境湿度
铁 铁 铝 硅钢片 金 银 坡莫合金 导电玻璃 铁 磁片 铜 吸波材料
器件接地 • 电阻 • 电容 • 磁阻 • 电感 • 变压器 • 连接器
导体接地 • 金属 • 铜质弹片 • 钢质弹片 • 铝质弹片 • 材料 • 铜箔 • 铝箔 • 导电布 • 导电橡胶
分地 • 数字与模拟 • 高速与低速 • 敏感电路 • 强扰电路 • 传导发射 • 安全考虑
效率,环路,能量传递
兆讯方案
IDTECH方案
7.4V D210接口板



问题描述 客户在使用过程中,S90经常发生多台机器安全触发。 问题分析 经过对客户现场的模拟分析,进行了静电与对讲机干扰两种实验,最 终确定为对讲机干扰所致。 对讲机的干扰频率为400MHz,通过在MESH上加100pF电容,可以解决 问题,另外也可通过 将MESH墙上增加铺铜减少MESH对对讲机干扰接 收效率也可以解决问题。 风险分析 在支付行业中,客户使用对讲机是经常性的,因此此问题需要针对库 存及新生产的机器导入抗干扰措施。
芯片与线 缆耦合
电感与线 缆耦合
设计 计算推 理 假设风 险
VCC 2.5V
VOH
VOL
≥2.0V ≤0.2V ≥1.7V ≤0.7V
3.3V供电时的LVCMOS器件 VCC 3.3V VOH ECL VOL VCC 0V VIH ≥3.2V ≤0.1V ≥2.0V ≤0.7V
≤-0.88V ≥-1.72V ≤-1.36V
电感,变压器,芯片, 发射天线
S80
MINI USB
屏蔽层
USB Female
U盘
USB外 壳与屏 蔽层的 搭接
线缆双绞,屏 蔽,接地,紧 密程度



问题描述: D210在待机的时候,磁头出现刷卡错误。其出线概率为较小,有 时候几分钟,有时候一两小时。 问题分析: 待机模式中磁头检测是打开的,D210使用的是兆讯方案的磁头。 使用之前IDTECH的磁头不会出现刷卡错误,新磁头方案抗扰性比较 差。 IDTECH采用三对差分信号输入,而兆讯采用三根单端信号输入, 抗干扰性能较差。从敏感体来改善,将单端信号的阈值增大,但同时 也造成了兼容性问题,滤除了噪声的同时也同时造成了较微弱信号无 法识别。从源头来改善,发现是7.4V充电时造成,将7.4V走线移向远 离磁头的PCB内部,问题得到圆满解决。 风险分析: 此问题属于内部干扰,且充电状态和磁头待机会同时存在,因此 需要重点解决,通过上述分析,有以下方案: 将7.4V电源走线走到PCB中央,并走在内层,并在两侧打地孔。
dBuV与dBm如何相互转换? 首先我们要假设基准的 阻抗,例如测试仪器一般为50 欧姆,这样,P与U的关系就 建立起来了,P=U2/R。 最后得出, 0dBm 107dBuV 1dBm 108dBuV 30dBm 138dBuV
U 1 Z ( jw) = = R + j ( wL − ) = Z ( jw) ∠θ ( jw) I wC
电容,浮件,晶振,发射 天线
变压器耦合
电感耦合 公共 阻抗 耦合 电阻耦合 电容 耦合
电感与线缆耦合 电容与线缆耦合 器件与线缆耦合 滤波输入与输出耦合 PCB平行耦合与相邻层耦合
芯片电路
噪声 路径 暴露 程度 接收 程度
接收天线 磁头信号 控制信号
敏感性
电场屏蔽

磁场屏蔽
电磁场屏蔽
电磁吸收
混合接地用来干什 么?为什么?
Vo Vcc VoH 输出“1” 输入“1”
静态噪声容限,“1”
Vi Vcc
ViH

VoL 0V 输出“0”
静态噪声容限,“0”
ViL 0V
输入“0”
VCC 5V
5V TTL器件 VOH VOL
3.3V TTL器件 VIH VIL ≤0.8V VCC 3.3V VOH VOL VIH VIL ≤0.8V ≥2.4V ≤0.4V ≥2V
Rarkii Liu, 2013.6 Email: LiuXW@
电磁干扰基本理论
电磁干扰三要素
电磁干扰防护原理 电磁干扰案例分析
dB(功率比值)
dB(电压比值)
上图中已经知道P/Bm,那么它所对应的电压V=dBuV?
电压相关 60dBuV=1000uV=1mV 120dBuV=1000000uV=1V 126dBuV=2000000uV=2V 180dBuV=1000V=1KV
功率相关 0Bm=1mW=0.001W 4dBm=2.5mW=0.0025W 20dBm=100mW=0.1W 30dBm=1000mW=1W 33dBm=2000mW=2W
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