模拟电子技术答案 第9章 功率放大电路

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模拟电子技术基础(第四版)童诗白、华成英 教材9

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当输入信号为正弦交流电时 微导通。 当 ui = 0 时,T1、T2 微导通。
第九章 功率放大器
当 ui > 0 (↑ 至 ↓), T1 微导通 → 充分导通 → 微导通; 充分导通 微导通; T2 微导通 → 截止 → 微导通。 微导通。 当 ui < 0 (↓ 至 ↑), T2 微导通 → 充分导通 → 微导通; 微导通; T1 微导通 → 截止 → 微导通。 微导通。 二管导通的时间都比输入信号的 半个周期更长, 半个周期更长,功放电路工作在 甲乙类状态。 甲乙类状态。
图9.1.5 OCL电路 电路
不同类型的二只晶体管交替工作, 不同类型的二只晶体管交替工作,且均组成射极输出形式的 电路称为“互补”电路; 电路称为“互补”电路;二只管子的这种交替工作方式称为 互补”工作方式。 “互补”工作方式。
五、桥式推挽功率放大电路 Balanced Transformerless(BTL电路) 电路) ( 电路
第九章 功率放大器
直流电源提供的直流功率不变 R/L(=RC//RL)上获得的最大 上获得的最大 交流功率P 交流功率 /Om为
1 ′ ′ P0′m = ( ) RL = I CQ ( I CQ RL ) 2 2
2
I CQ
即图中三角形QDE的面积 的面积 即图中三角形
图9.1.1输出功率和效率的图解分析 输出功率和效率的图解分析
希望输入信号为零时,电源不提供功率,输入信号 希望输入信号为零时,电源不提供功率, 愈大,负载获得的功率也愈大, 愈大,负载获得的功率也愈大,电源提供的功率也 随之增大,从而提高效率。 随之增大,从而提高效率。 变压器耦合乙类推挽功率放大电路 无输入信号, 无输入信号,三管截止 有输入信号, 有输入信号,三管交替 导通 同类型管子在电路中交 同类型管子在电路中交 替导通的方式称为“ 替导通的方式称为“推 工作方式。 挽”工作方式。 图9.13(a)变压器耦合乙类推挽功率放大电路 变压器耦合乙类推挽功率放大电路

#《模拟电子技术基础》版习题解答基本放大电路题解

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第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

<1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;< )<2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;< )<3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;< )<4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;< )<5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;< )<6)因为放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;< )<7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

< )解:<1)×<2)√ <3)× <4)×<5)√ <6)×<7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解:<a)不能。

因为输入信号被V B B短路。

<b)可能。

<c)不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

<d)不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

<e)不能。

因为输入信号被C2短路。

<f)不能。

因为输出信号被V C C短路,恒为零。

<g)可能。

<h)不合理。

因为G-S间电压将大于零。

<i)不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中,已知V C C=12V,晶体管的 =100,=100k Ω。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

<1)当=0V时,测得U B E Q=0.7V,若要基极电流I B Q=20μA,则和R W之和R b=≈kΩ;而若测得U C E Q=6V,则R c=≈kΩ。

<2)若测得输入电压有效值=5mV时,输出电压有效值=0.6V,则电压放大倍数=≈。

孙肖子版模拟电子电路及技术基础课件 第9章

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(9.1.4)
上式表明, 当集电极损耗功率PC一定时, 交流输出功率Po
第九章 功率放大电路
(3) 非线性失真要小。 由于功放管工作在大信号状态, 因此非线性失真不可避免。 如何减小非线性失真, 同时 又得到大的交流输出功率, 这也是功放电路设计者必须 要考虑的问题之一。 (4) 功率器件的安全问题必须考虑。 在功放电路中, 有相当大的功率消耗在功放管的集电结上, 它使管子的 结温和管壳稳度升高。 为了保证功放管安全、 可靠地运 行, 必须要限制功耗、 最大电流和管子承受的反压, 要 有良好的散热条件和适当的过流、 过压保护措施。
第九章 功率放大电路
工作在AB类或B类的功放电路, 虽然减小了静态 功耗, 提高了效率, 但它们都出现了严重的波形失 真。 因此, 既要保持静态时管耗小, 又要使失真不 太严重, 这就需要在电路结构上采取措施, 解决的 方法是, 采用互补对称或推挽功率放大电路。
第九章 功率放大电路
9.2 互补跟随对称功率放大电路 互补跟随对称功率放大电路
第九章 功率放大电路
第九章 功率放大电路
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 功率放大电路的一般问题 互补跟随对称功率放大电路 D类功率放大电路 类功率放大电路 集成功率放大电路 功率器件
第九章 功率放大电路
9.1 功率放大电路的一般问题 功率放大电路的一般问题
9.1.1 特点和要求 特点和要求
(9.2.13)
第九章 功率放大电路
得出, 当 U o = π U CC 时, 每管的损耗最大, 即
2 1 U CC 2 1 2 1 U CC ⋅ U CC − ( U CC ) 2 ] = 2 PCm = [ RL π π 4 π π RL

模拟电子技术基础-课程作业

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教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接,在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流5电路如图所示,二极管D 1、D 2为理想元件,则在电路中( b )。

(a)D 1起箝位作用,D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用,D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示,二极管型号为2CP11,设电压表内阻为无穷大,电阻R =5k Ω,则电压表V 的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示,二极管D 为理想元件,输入信号u i 为如图所示的三角波,则输出电压u O的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示,二极管为理想元件,u i =6sin ωt V ,U =3V ,当ωt =π2瞬间,输出电压 u O 等于( b )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示,二极管D 1,D 2,D 3均为理想元件,则输出电压u O =( a )。

(a)0V (b)-6V (c)-18V0V3--11电路如图所示,设二极管D1,D2为理想元件,试计算电路中电流I1,I2的值。

23k+-答:D1导通、D2截止.所以:I1=(12V+3V)/ 3k=5mA I2=012电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压uO的波形,并说明t1,t2时间内二极管D1,D2的工作状态。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答_Part8

模拟电子技术基础(第四版)习题解答_Part8

解图 P8.27 8.28 试将直流电流信号转换成频率与其幅值成正比的矩形波,要求画出电路来, 并定性画出各部分电路的输出波形。 解: 首先将电流信号转换成电压信号, 然后将电压信号接如图 P8.25 所示压控振 荡器的输入端,即可将直流电流信号转换成频率与其幅值成正比的矩形波,如解图 P8.28 (a)所示,其波形如解图(b)所示。 若输入电流与解图 P8.28 (a)所示相反,则应将 uO3 经比例系数为−1 的反相比例 运算电路后,再接压控振荡器。
uO U Z 时,T 截止时, 1 2uI 103 uO1 (t2 t1 ) uO1 (t1 ) uI (t2 t1 ) uO1 (t1 ) ( R1 R2 )C 3 45
(2) uO 和 uO1 的关系曲线如解图 P8.26 (a)所示。 (3) uO 和 uO1 的波形如解图 P8.26 (b)所示。
代入上式得: (2) uO1、uO2 和 uO3 的波形如解图 8.22 所示。
∴ T1
6 UI 600
109
解图 P8.22 8.23 试将正弦波电压转换为二倍频锯齿波电压,要求画出原理框图来,并定性画 出各部分输出电压的波形。 解:原理框图和各部分输出电压的波形如解图 P8.23 所示。
图 P8.18
解图 P8.18
解:(1)振荡周期: T ( R1 R2 )C ln 3 3.3mS (2)脉冲宽度: T1 R1C ln 3 1.1mS ∴uO 和 uC 的波形如解图 8.18 所示。 8.19 图 P8.19 所示电路为某同学所接的方波发生电路,试找出图中的三个错误, 并改正。
图 P8.22 解:在图 P8.22 所示电路中,Al 和 A2 组成矩形波一三角波发生电路。 (1)在 A2 组成的滞回比较器中,令 uP

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学

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模拟电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下齐鲁工业大学齐鲁工业大学第一章测试1.P型半导体是掺入三价元素形成的,多子是自由电子,少子是空穴。

()A:对 B:错答案:错2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。

A:杂质浓度 B:掺杂工艺 C:本征半导体 D:温度答案:杂质浓度3.PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。

()A:错 B:对答案:对4.稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。

()A:对 B:错答案:对5.空穴电流是由自由电子填补空位形成的。

()A:错 B:对答案:错6.如图所示电路中,设二极管特性理想,则UO为()。

A:-9V B:9V C:-12V D:12V答案:-9V7.如图所示,设二极管的导通电压U D=0.7V,则U O=()V。

A:1.3V B:2V C:-2V D:0.7V答案:1.3V8.PN结正向偏置时,其内电场被()。

A:削弱 B:增强 C:不变 D:不确定答案:削弱9.半导体二极管加正向电压时,有()。

A:电流小电阻大 B:电流大电阻大 C:电流大电阻小 D:电流小电阻小答案:电流大电阻小10.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

()A:对 B:错答案:错第二章测试1.某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V, V b =0.5V,V c= 3.6V,试问该三极管是()型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的()。

()A:b B:a C:NPN D:c E:PNP答案:NPN;c2.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结正偏。

()A:对 B:错答案:错3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。

()A:增大 B:交越失真 C:截止失真 D:减小。

E:饱和失真答案:截止失真;减小。

4.在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态,共基组态的频率响应好。

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第9章 功率放大电路自测题一、选择合适的答案填入括号内。

(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大( A )。

A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比;B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比;C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。

(3) 在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( BDE )。

A .βB .I CMC .I CBOD .U CEOE .P CMF .f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ,则最大输出功率P OM =( C )。

A.2()2CC CES LV U R - B.21()2CC CES L V U R - C.21()22CC CES L V U R -图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2 所示,已知T l 和T 2的饱和管压降2CES U V =,直流功耗可忽略不计。

回答下列问题:(1)R 3、R 4 和T 3的作用是什么?(2)负载上可能获得的最大输出功率P om 和电路的转换效率η各为多少?(3)设最大输入电压的有效值为1V 。

为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ,电阻R 6至少应取多少千欧?解:(1)消除交越失真。

(2)最大输出功率和效率分别为:2()162CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (3)由题意知,电压放大倍数为:61111.3u R A R =+≥== ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。

(1)在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。

( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。

( √ )(3)当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大功耗应大于1W。

( × )(4)功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是①都使输出电压大于输入电压;( × )②都使输出电流大于输入电流;( × )③都使输出功率大于信号源提供的输入功率。

( √ )(5)功率放大电路与电压放大电路的区别是①前者比后者电源电压高;( × )②前者比后者电压放大倍数数值大;( × )③前者比后者效率高;( √ )④在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电压大。

( √ )(6)功率放大电路与电流放大电路的区别是①前者比后者电流放大倍数大;( × )②前者比后者效率高;( √ )③在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大。

( √ )U=3V,V CC=15V,R L=8Ω,9.2已知电路如图P9.2所示,T1和T2管的饱和管压降CES选择正确答案填入空内。

(1)电路中D1和D2的作用是消除( C )。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真(2)静态时,晶体管发射极电位U EQ( B )。

A.>0B.=0C.<0(3)最大输出功率P OM( C )。

A.≈28WB.=18WC.=9W 图P9.2(4)当输入为正弦波时,若R1虚焊,即开路,则输出电压(C )。

A.为正弦波B.仅有正半波C.仅有负半波(5)若D1虚焊,则T1管( A )。

A.可能因功耗过大而烧坏B.始终饱和C.始终截止9.3 电路如图P9.2所示。

在出现下列故障时,分别产生什么现象?(1)R1开路;(2)D1开路;(3)R2开路;(4)T1集电极开路;(5)R1短路;(6)D1短路解:(1)R1开路:T1截止,T2可能因饱和而烧毁。

(2)D1开路:T1、T2都可能因饱和而先后被烧毁。

(3)R2开路:T2截止,T1可能因饱和而烧毁。

(4)T1集电极开路:T1不工作,u O只有负半周。

(5)R1短路:T1可能因饱和而被烧毁,负载电阻也不安全。

(6)D 1短路:会出现交越失真。

9.4 在图P9.2所示电路中,已知V CC =16V ,R L =4Ω,T 1和T 2管的饱和压降CES U =2V ,输入电压足够大。

试问:(1)最大输出功率P om 和效率η各为多少? (2)晶体管的最大功耗P Tmax 为多少?(3)为了使输出功率达到P om ,输入电压的有效值约为多少? 解:(1)最大输出功率和效率分别为2()24.52CC CES omL V U P W R -==, 69.8%4CC CES CCV U V πη-=⋅≈ (2)晶体管的最大功耗 2max0.20.2 6.42CCT om LV P P W R ⨯≈==(3)输出功率为P om 时的输入电压有效值 9.92CC CESi om U U V ≈≈≈9.5 在图P9.5所示电路中,已知二极管的导通电压为U D =0.7V ,晶体管导通时的0.7BE U V =,T 2和T 3管发射极静态电位U EQ =0V 。

试问:(1)T 1、T 3和T 5管的基极静态电位各为多少?(2)设R 2=10kΩ,R 3=100Ω。

若T 1和T 3管基极的静态电流可以忽略不计,则T 5管集电极静态电流约为多少?静态时I u =?(3)若静态时i B1>i B3,则应调节哪个参数可使i B1=i B3?如何调节?(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗?你认为哪个最合适?为什么?解:(1)T 1、T 3和T 5管的基极静态电位分别为1 1.4B U V =; 30.7B U V =-;517.3B U V =-(2)静态时T 5管集电极电流:121.66CC B CQ V U I mA R -≈=;输入电压:517.3I B u u V ≈=-。

(3)若静态时i B1>i B3,则应增大R 2(调节R 2可以改变 输出端的直流电压)。

图P9.5(4)采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适,也可只用三只二极管。

这样一方面可使输出级晶体管工作在临界导通状态,可以消除交越失真;另一方面在交流通路中,D l 和D 2管之间的动态电阻又比较小,可忽略不计,从而减小交流信号的损失。

9.6电路如图P9.5所示。

在出现下列故障时,分别产生什么现象? (1)R 2开路; (2)D 1开路; (3)R 2短路; (4)T 1集电极开路; (5)R 3短路。

解:(1)R 2开路:T 1 、T 2截止,T 4可能因饱和而烧毁。

(2)D 1开路:T 3、T 4都可能因饱和而先后被烧毁。

(3)R 2短路:T 2可能因饱和而被烧毁,负载电阻也不安全。

(4)T 1集电极开路:T 1 、T 2构成的复合管的放大倍数β=β2,信号正半周放大不足。

(5)R 3短路:会出现交越失真。

9.7在图P9.5所示电路中,已知T 2和T 4管的饱和压降CES U =2V ,静态时电源电流可以忽略不计。

试问:(1)负载上可能获得的最大输出功率P om 和效率η各约为多少?(2)T 2和T 4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各约为多少?解:(1)最大输出功率和效率分别为:2()42CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (2)功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为:max0.5CC CES C L V U I A R -==;max 234CE CC CES U V U V =-=;2max 0.212CC T LV P W R ≈⨯≈9.8为了稳定输出电压,减小非线性失真,请通过电阻R f 在图P9.5所示电路中引入合适的负反馈;并估算在电压放大倍数数值约为10的情况下,R f 的取值。

解:应引入电压并联负反馈, 由输出端经反馈电阻R f 接T 5管基极, 如解图P9.8所示。

在深度负反馈情况下,电压放大倍数 11F ff O uf I I i R R u A u i R R -=≈=-, ∵10uf A ≈,11R k =Ω∴10f R k ≈Ω。

解图P9.89.9在图P9.9所示电路中,已知V CC =15V ,T 1和T 2管的饱和压降CES U =2V ,输入电压足够大。

求解:(1)最大不失真输出电压的有效值; (2)负载电阻R L 上电流的最大值; (3)最大输出功率P om 和效率η。

解:(1)最大不失真输出电压的有效值4()/28.65Lom CC CES L R U V U V R R =⋅-≈+(2)负载电流的最大值max 41.53CC CESL L V U i A R R -=≈+ 图P9.9(3)最大输出功率和效率分别为:29.35omomLU P W R =≈; 2460.3%4CC CES L CC L V U R V R R πη⎛⎫-=⋅⋅≈ ⎪+⎝⎭9.10在图P9.9所示电路中,R 4和R 5可起短路保护作用。

试问:当输出因故障而短路时,晶体管的最大集电极电流和功耗各为多少?解:当输出短路时,功放管的最大集电极电流和功耗分别为max426CC CES C V U i A R -=≈; 2max 2445.6CC T V P W R π=≈。

9.11在图P9.11所示电路中,已知V CC =15V ,T 1和T 2管的饱和压降CES U =1V ,集成运放的最大输出电压幅值为±13V ,二极管的导通电压为0.7V 。

图P9.11(1)若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少?(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引入哪种组态的交流负反馈?画出图来。

(3)若U i =0.1V 时,U o =5V ,则反馈网络中电阻的取值约为多少?解:(1)输出电压幅值和最大输出功率分别为max 13O u V ≈;2max (/2)10.6O om Lu P W R =≈。

(2)应引入电压串联负反馈,电路如解图P9.11所示。

(3)在深度负反馈条件下,电压放大倍数为 解图P9.11 1150f ou iR U A R U =+==。

∵R l = 1k Ω,∴R f =49k Ω。

9.12 OTL 电路如图P9.12所示。

图P9.12 图P9.13(1)为了使得最大不失真输出电压幅值最大,静态时T 2和T 4管的发射极电位应为多少?若不合适,则一般应调节哪个元件参数?(2)若T 2和T 4管的饱和压降CES U =3V ,输入电压足够大,则电路的最大输出功率P om和效率η各为多少?(3)T 2和T 4管的I CM 、U (BR)CEO 和P CM 应如何选择?解:(1)射极电位U E =V CC / 2 =12V ;若不合适,则应调节R 2。

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