场效应管参数解释(精)
简述场效应管的主要参数
简述场效应管的主要参数场效应管是一种常用的半导体器件，它在电子设备中起着重要的作用。
它的主要参数包括导通电阻、截止电压、增益、最大电流和漏极电流等。
导通电阻是场效应管的一个重要参数。
它指的是当场效应管导通时，漏极和源极之间的电阻。
一般来说，导通电阻越小，场效应管的导通能力越强，效果也越好。
导通电阻的大小直接影响着场效应管的开关速度和功耗。
截止电压是另一个重要的参数。
它指的是场效应管在没有输入信号时，漏极和源极之间的电压。
当输入信号小于截止电压时，场效应管处于截止状态，不导电。
而当输入信号大于截止电压时，场效应管进入导通状态。
截止电压的大小取决于场效应管的工作方式，不同类型的场效应管有不同的截止电压。
增益是指场效应管的输入和输出之间的电流或电压增加的比例。
它是衡量场效应管放大能力的重要参数。
增益越大，场效应管的放大能力越强。
不同类型的场效应管有不同的增益特性，可以根据需要选择合适的场效应管。
最大电流是场效应管能够承受的最大电流值。
超过最大电流值，场效应管将会被损坏。
因此，在设计电路时，需要根据实际需求选择合适的场效应管，以确保电流不会超过其最大电流。
漏极电流是场效应管在截止状态下的漏极电流值。
漏极电流越小，场效应管的截止状态越好，功耗也越低。
因此，漏极电流是衡量场效应管性能的重要指标之一。
场效应管的主要参数包括导通电阻、截止电压、增益、最大电流和漏极电流等。
这些参数直接影响着场效应管的工作性能和应用范围。
在选择场效应管时，需要综合考虑这些参数，以满足实际需求。
同时，合理设计电路，确保场效应管在正常工作范围内，以提高电子设备的性能和可靠性。
场效应管的参数说明
场效应管的参数说明
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、IDSS—饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。
是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID 变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。
是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。
场效应管的工作电流不应超过IDSM；
1。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
用场效应管参数大全
用场效应管参数大全场效应管是一种常用的半导体器件，也被称为FET（Field Effect Transistor）。
它是由三个电极组成的，分别是栅极、漏极和源极。
场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以下是场效应管的一些重要参数的详细介绍：1. 负极限电压（VDSmax）：它是场效应管允许的最大漏极与源极之间的电压。
超过此电压会使管子损坏。
2. 正极限电压（VGSmax）：它表示了场效应管允许的最大栅极与源极之间的电压。
超过此电压会引起栅极结击穿。
3. 最大漏极电流（IDmax）：它是场效应管允许的最大漏极电流。
超过此电流会使管子损坏。
4.静态工作点（Q点）：它是场效应管的直流偏置点，通常用IDQ和VGSQ来表示。
正确的偏置点有助于管子的稳定工作。
5. 漏极饱和电压（VDSsat）：它是在饱和状态下，漏极电压与源极电压之间的最小差值。
当漏极电压小于这个值时，管子进入饱和状态。
6. 开启电压（Vth）：它是栅极电压与源极电压之间的最小差值，使场效应管开始导通。
7.电流增益（μ）：它是漏极电流与栅极电流之间的比值。
它表示了栅极电流对漏极电流的放大能力。
8. 输入电阻（Rin）：它是场效应管输入端的电阻。
它表示了输入信号对管子的负载能力。
9. 输出电阻（Rout）：它是场效应管输出端的电阻。
它表示了管子输出信号对负载的影响。
10. 控制转移函数（gfs）：它是栅极电流和源极电流之间的比值。
它表示了控制信号对输出信号的调节能力。
11.反射损耗（RL）：它是输出端与负载之间的阻抗差异引起的信号反射损耗。
12.噪声系数（NF）：它是场效应管的噪声输出与输入之比，描述了场效应管对噪声的放大能力。
这些是场效应管的一些重要参数，它们对于正确选择和应用场效应管至关重要。
不同的场合需要考虑不同的参数，以确保电路的正常工作和性能优化。
场效应管参数解释
场效应管参数解释场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要由场效应产生以控制电流的电子元件，也被称为双极型场效应晶体管。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗、电流放大能力强、稳定性好的特点，并且在电子领域有着广泛的应用。
本文将介绍FET的一些重要参数及其解释。
1. 阈值电压（Threshold Voltage，Vth）阈值电压是指场效应管的栅极电压，当栅极电压高于阈值电压时，场效应管开始导通。
阈值电压是FET工作的关键参数之一，它决定了控制栅极电流的灵敏度和导通特性。
2. 转导（Transconductance，gm）转导是指单位栅极-源极电流变化时，引起的栅极-源极电压变化的比值。
转导越大，说明场效应管的放大能力越强。
3. 饱和电流（Saturation Current，IDSS）饱和电流是指在栅极-源极电压为零的情况下，漏极电流达到的最大值。
它是FET导通状态下最大允许的电流值。
4. 饱和电压（Saturation Voltage，VDSat）饱和电压是指漏极-源极电压达到的最大值。
当漏极-源极电压高于饱和电压时，场效应管会进入非线性区。
5. 输入电容（Input Capacitance，Ciss）输入电容是指场效应管的栅极和源极之间的电容。
它决定了场效应管的输入阻抗和频率特性。
6. 输出电容（Output Capacitance，Coss）输出电容是指场效应管的漏极和源极之间的电容。
它影响到场效应管的输出阻抗和频率特性。
7. 耦合系数（Coupling Factor，k）耦合系数是指输出电压与输入电压之间的相对变化比例。
它是衡量场效应管的信号放大能力的重要参数。
8. 噪声系数（Noise Figure噪声系数是指场效应管将输入信号转化为输出信号时引入的噪声功率与输入信号功率之比。
噪声系数越小，说明场效应管的抗噪声能力越好。
9. 动态电阻（Dynamic Resistance，rd）动态电阻是指沟道导通时，沟道导纳对漏极-源极电流的变化对数的导数。
简述场效应管的主要参数
简述场效应管的主要参数
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种基于半导体物理学原理的集成电路器件,是晶体管的一种。
它是一种通过电子在半导体材料表面电场的作用下进行移动来调节电流的器件。
FET具有高输入阻抗、低噪声、低功耗、高可靠性等特点,因此在许多计算机、通信和电子设备中得到了广泛的应用。
FET的主要参数包括:
1. 栅极电压(Gate-to-Channel voltage):栅极电压是控制电流流动的关键参数,它决定了FET的导电性能。
通常,栅极电压越高,FET的导电性能越好,但也会使其功耗增加。
2. 漏极电压(Channel-to-Source voltage):漏极电压是FET的输入电压,它决定了FET的放大倍数。
FET具有输入电阻大、非线性低等特点,因此漏极电压较低时,FET的放大倍数较高。
3. 漏极电流(Channel-to-Source电流):漏极电流是FET的放大倍数和输出能力的重要参数。
当漏极电压较低时,FET的电流较小,因此输出能力较弱;当漏极电压较高时,FET的电流较大,因此输出能力增强。
4. 工作频率:FET的工作频率取决于栅极和漏极之间的电阻和栅极电压。
FET的电阻较大,因此其工作频率较高。
5. 功率:FET的功率取决于栅极和漏极之间的电流和工作频率。
FET的功率较小,因此在小型设备中应用广泛。
除了以上主要参数外,FET还有其他参数,如栅极材料、漏极材料、极化方向等。
这些参数的选择会影响到FET的性能和应用。
此外,FET还具有可编程、反向输入等特点,因此广泛应用于控制和调节电路中。
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数，包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs)：栅极电压是控制场效应管工作的重要参数，它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压，可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id)：漏极电流是场效应管主要的输出电流，它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd)：漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压，它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下，漏极电压要保持在一定的范围内，过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds)：传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻，它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关，一般来说，传导电阻越小，导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm)：增益是场效应管的重要参数之一，它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关，一般来说，增益越大，表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss)：饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时，漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数：漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关，一般来说，漏极电流温度系数越小，表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调：漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性，不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
场效应管参数解释
场效应管参数解释场效应管（FET，Field Effect Transistor）是一种基于电场效应工作的电子器件。
FET的主要参数包括：沟道电阻R_DS(on)，温度系数，漏源结电压V_DS，最大漏极耗散功率P_D，静态漏极电流I_DSS，增益带宽积(f_T)，漏极电流温度系数，静态工作点电流(I_D)，输入电阻R_in，输出电导G_out等。
1. 沟道电阻R_DS(on):沟道电阻R_DS(on)是场效应管在导通状态下沟道两端的电压降所对应的电流的比值。
沟道电阻越小，导通状态下的损耗越小，效率越高。
通常用来衡量FET开关特性的重要参数。
2.温度系数:温度系数是指FET在不同温度下控制和漏极电流之间的变化率。
FET 的温度特性与其材料和结构密切相关，不同的FET具有不同的温度系数。
一般来说，理想的温度系数应该接近零，以保证FET在不同温度下的稳定性。
3.漏源结电压V_DS:漏源结电压是指FET的漏极到源极之间的电压。
通常情况下，漏源结电压应小于FET的额定值，以避免过载和损坏。
4.最大漏极耗散功率P_D:最大漏极耗散功率是指FET能够承受的最大功率。
超过该功率将导致FET过热和损坏。
因此，在设计电路时，需要根据FET的最大漏极耗散功率来合理选择和配置。
5.静态漏极电流I_DSS:静态漏极电流是指FET在漏源极之间的电流，当FET处于关闭状态时的漏极电流。
静态漏极电流的大小与FET的型号、工作温度以及用途等因素有关。
6.增益带宽积(f_T):增益带宽积是衡量FET高频特性的重要指标，它代表了FET可以放大信号的最高频率。
增益带宽积越高，代表FET在高频应用中有更好的性能。
7.漏极电流温度系数:漏极电流温度系数是指FET的漏极电流随温度的变化率。
漏极电流温度系数的合理选择可以保持FET在不同温度下的稳定性。
8.静态工作点电流(I_D):静态工作点电流是指FET在静态工作状态下的漏极电流。
静态工作点电流需要根据具体的应用需求和设计要求选择，以使FET在正常工作范围内。
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场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有 3个极性,栅极, 漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件--------------------------------------------------------------1. 概念 :场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写 (FET简称场效应管 . 由多数载流子参与导电 , 也称为单极型晶体管 . 它属于电压控制型半导体器件 .特点 :具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 , 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 .作用 :场效应管可应用于放大 . 由于场效应管放大器的输入阻抗很高 , 因此耦合电容可以容量较小 , 不必使用电解电容器 .场效应管可以用作电子开关 .场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 . 常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 . 场效应管可以用作可变电阻 . 场效应管可以方便地用作恒流源 .2. 场效应管的分类 :场效应管分结型、绝缘栅型 (MOS两大类按沟道材料 :结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种 .按导电方式 :耗尽型与增强型 , 结型场效应管均为耗尽型 , 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 , 也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管 , 而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型 ;P 沟耗尽型和增强型四大类 . 见下图 :3. 场效应管的主要参数 :Idss —饱和漏源电流 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 栅极电压 UGS=0时的漏源电流 .Up —夹断电压 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 使漏源间刚截止时的栅极电压 .Ut —开启电压 . 是指增强型绝缘栅场效管中 , 使漏源间刚导通时的栅极电压 .gM —跨导 . 是表示栅源电压 UGS —对漏极电流 ID 的控制能力 , 即漏极电流ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值 .gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数 .BVDS —漏源击穿电压 . 是指栅源电压 UGS 一定时 , 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压 . 这是一项极限参数 , 加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率 , 也是一项极限参数 , 是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率 . 使用时 , 场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量 .IDSM —最大漏源电流 . 是一项极限参数 , 是指场效应管正常工作时 , 漏源间所允许通过的最大电流 . 场效应管的工作电流不应超过 IDSMCds---漏 -源电容Cdu---漏 -衬底电容Cgd---栅 -源电容Cgs---漏 -源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数di/dt---电流上升率(外电路参数dv/dt---电压上升率(外电路参数ID---漏极电流(直流IDM---漏极脉冲电流ID(on---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅 -源短路时,漏极电流IDS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流IG---栅极电流(直流IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时,截止栅电流 IGSO---漏极开路时,截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数 gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on---漏源通态电阻rDS(of---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数 RL---负载电阻(外电路参数 R(thjc---结壳热阻R(thja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数 to(on---开通延迟时间td(off---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流VGS---栅源电压(直流VGSF--正向栅源电压(直流VGSR---反向栅源电压(直流VDD---漏极(直流电源电压(外电路参数VGG---栅极(直流电源电压(外电路参数Vss---源极(直流电源电压(外电路参数VGS(th---开启电压或阀电压V (BR DSS---漏源击穿电压V (BR GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on---漏源通态电压VDS(sat---漏源饱和电压VGD---栅漏电压(直流Vsu---源衬底电压(直流VDu---漏衬底电压(直流VGu---栅衬底电压(直流Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数4. 结型场效应管的管脚识别 :判定栅极 G:将万用表拨至 R×1k 档 , 用万用表的负极任意接一电极 , 另一只表笔依次去接触其余的两个极 , 测其电阻 . 若两次测得的电阻值近似相等 , 则负表笔所接触的为栅极 , 另外两电极为漏极和源极 . 漏极和源极互换 , 若两次测出的电阻都很大 , 则为 N 沟道 ; 若两次测得的阻值都很小 , 则为 P 沟道 .判定源极 S 、漏极 D:在源 -漏之间有一个 PN 结 , 因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异 , 可识别 S 极与 D 极 . 用交换表笔法测两次电阻 , 其中电阻值较低 (一般为几千欧至十几千欧的一次为正向电阻 , 此时黑表笔的是 S 极 , 红表笔接 D 极 .5. 场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件 , 而晶体管是电流控制元件 . 在只允许从信号源取较少电流的情况下 , 应选用场效应管 ; 而在信号电压较低 , 又允许从信号源取较多电流的条件下 , 应选用晶体管 .晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但是各极可以近似对应以便于理解和设计:晶体管:基极发射极集电极场效应管 :栅极源极漏极要注意的是, 晶体管 (NPN型设计发射极电位比基极电位低 (约 0.6V , 场效应管源极电位比栅极电位高 (约 0.4V 。
场效应管是利用多数载流子导电 , 所以称之为单极型器件 , 而晶体管是即有多数载流子 , 也利用少数载流子导电 , 被称之为双极型器件 .有些场效应管的源极和漏极可以互换使用 , 栅压也可正可负 , 灵活性比晶体管好 .场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作 , 而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上 , 因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用 .一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有 N 沟道和 P 沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管(JFET(1结构原理它的结构及符号见图 1。
在 N 型硅棒两端引出漏极 D 和源极 S 两个电极, 又在硅棒的两侧各做一个 P 区,形成两个 PN 结。
在 P 区引出电极并连接起来,称为栅极 Go 这样就构成了 N 型沟道的场效应管图 1、 N 沟道结构型场效应管的结构及符号由于 PN 结中的载流子已经耗尽,故 PN 基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,从图 1中可见,当漏极电源电压 ED 一定时,如果栅极电压越负, PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流 ID 就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽, ID 变大,所以用栅极电压 EG 可以控制漏极电流 ID 的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。
(2特性曲线1转移特性图 2(a 给出了 N 沟道结型场效应管的栅压 ---漏流特性曲线,称为转移特性曲线,它和电子管的动态特性曲线非常相似,当栅极电压 VGS=0时的漏源电流。
用 IDSS 表示。
VGS 变负时, ID 逐渐减小。
ID 接近于零的栅极电压称为夹断电压,用 VP 表示,在0≥VGS≥VP 的区段内, ID 与 VGS 的关系可近似表示为: ID=IDSS(1-|VGS/VP|其跨导 gm 为:gm=(△ ID/△ VGS |VDS=常微(微欧 |式中:△ ID------漏极电流增量(微安------△ VGS-----栅源电压增量(伏图 2、结型场效应管特性曲线 2）漏极特性（输出特性）图 2(b给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。
①可变电阻区（图中 I 区）在 I 区里 VDS 比较小，沟通电阻随栅压 VGS 而改变，故称为可变电阻区。
当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID 随 VDS 近似线性增大，当 VGS＜VP 时，漏源极间电阻很大（关断）。
IP=0；当 VGS=0 时，漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS。
这一特性使场效应管具有开关作用。
②恒流区（区中 II 区）当漏极电压 VDS 继续增大到 VDS＞|VP|时，漏极电流，IP 达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的 VGS 漏极特性曲线近似平行线，即 ID 与 VGS 成线性关系，故又称线性放大区。
③击穿区（图中Ⅲ区）如果 VDS 继续增加，以至超过了 PN 结所能承受的电压而被击穿，漏极电流 ID 突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏。
2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称 MOS 场效应管。
（1）结构原理它的结构、电极及符号见图 3 所示，以一块 P 型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的 N 型区，作为源极 S 和漏极 D。